【課題】 フッ素元素を含有するガスにより、チャンバクリーニングが実施される場合であっても、基板支持部と加熱部の密着性が損なわれることがなく、かつ、容易にメンテナンスを行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板処理装置１０は、一方の面に被処理基板９が設置される板状の基板支持部２３と、基板支持部２３の他方の面に接触して設けられ、基板支持部２３に設置された被処理基板９を、基板支持部２３を介して加熱する加熱部２２とを備えている。さらに、基板支持部２３と加熱部２２との接触面の周縁を被覆するセラミックスからなるカバー部材２６を備える。 （もっと読む）

【課題】 両面が鏡面の半導体基板を高圧で水蒸気アニール処理する場合であっても、水蒸気アニール処理の効果を維持したまま、処理中に基板表面に付着するパーティクルやコンタミネーションを大幅に低減することによりアニール処理の品質及びデバイスの歩留まりを向上させることができると共に、半導体基板の装填領域をコンパクトにすることにより装置の小型化に寄与できる水蒸気アニール用治具及び水蒸気アニール方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水蒸気アニール用治具は、半導体基板１の周縁部を覆うように形成されて内側に貫通開口１０ａを有するシート状部材１０からなる。シート状部材１０の半導体基板１との接触面は、半導体基板１を処理する温度及び圧力の範囲において、水蒸気分子を導入できかつ所定の粒径以上のパーティクル及びコンタミネーションの侵入を阻止する面粗さを有する。 （もっと読む）

【課題】 ランプアニール装置のリフレクターの曇りを防止し、熱処理温度の安定化を図ると共に半導体ウエハの表面側の酸化を防止する。
【解決手段】 チャンバ内１０の上部に加熱用のランプユニット1を、また、チャンバ内の下部に温度を安定させるためのリフレクター７aを有し、チャンバ１０内の回転シリンダー４上に載置されて回転する半導体ウエハの表面側の素子形成面にプロセスガスを流し、裏面側のシリコン面にリフレクター７ａの曇り防止用のガスを流す構造のランプアニール装置において、前記半導体ウエハ２の裏面側に流すガスは前記リフレクター７aの外周部の下部を回り込んで排気される。 （もっと読む）

【課題】 回転軸周囲への反応副生成物形成を抑制し、パーティクル発生を抑えると共に回転駆動の異常を防止する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 反応管１１は、内部反応管１１１と外部反応管１１２で構成され、それぞれマニホールド１２上に取り付けられている。炉口蓋１８は、回転軸１６の貫通孔１８２を有する。炉口蓋１８は、外部から反応管１１（内部反応管１１１）内へのボート１４の連絡経路を開閉すると共に、貫通孔１８２近傍の回転軸１６の周囲が不活性ガス雰囲気で保護されるようになっている。炉口蓋１８は、貫通孔１８２近傍の回転軸１６の周囲を円筒状に囲む窪み１８３を有し、窪み１８３と回転軸１６の離間領域１９に不活性ガスを供給するガス導入管１８４を有する。 （もっと読む）

【課題】
断熱保温治具の円筒体内部の真空引きを不要として、安全性が高く、生産性、加工性及び取扱性に優れ、且つ処理ガスの円滑な流れを確保でき、充分な断熱保温効果を発揮することのできる半導体ウェハ熱処理炉用断熱保温治具を提供する。
【解決手段】
円盤状のシリカガラス底板体と、該底板体の上面側に立設されたシリカガラス円筒体と、該円筒体の上部を閉塞するシリカガラス天板体とを備える熱処理炉内でウェハ支持ボートを載置するため半導体ウェハ熱処理炉用断熱保温治具であって、該シリカガラス円筒体の内部を少なくとも上部空間と下部空間とに仕切る熱遮蔽性シリカガラス体が具設され、且つ該シリカガラス円筒体の中空部壁面にガス通気孔が穿設されてなるようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来のウェハ加熱装置では、ヒータ部に冷却ガスを供給しても、冷却ガスの供給量を大幅に増加することは難しいため、３００ｍｍ以上の大型のウェハを加熱する場合にヒータ部を短時間で冷却することができないという問題があった。
【解決手段】 板状体２の一方の主面に絶縁層１４を備え、絶縁層１４の上に帯状の抵抗発熱体５を備え、他方の主面にウェハＷを載せる載置面３を備えたヒータ部と、抵抗発熱体５に電力を供給する給電端子１１と、給電端子１１を包むように板状体２と接続したケース１９とを有するとともに、ケース１９にヒータ部を冷却するノズル２４と開口部２３とを備え、載置面３への投影面から見て、ノズル２４の先端が抵抗発熱体５の間に位置するウェハ加熱装置１である。ヒータ部の冷却時間を短くすることができ、ウェハの冷却時間を短くすることができるので、半導体製造工程におけるウェハ処理時間を短縮させることができる。 （もっと読む）

【課題】構造が複雑でなく、被処理基板のプラズマ処理の面内均一性を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板２００を処理する処理ガスをプラズマ励起するため処理室２０１内に設けられた一対の電極３２３、３２４であって、少なくとも一方に基板が載置される一対の電極と、一対の電極へ高周波電力を供給する高周波電力供給手段３０８と、一対の電極を回転させる回転手段３３１と、回転手段により一対の電極が回転している間は一対の電極への高周波電力の供給を停止し、一対の電極の回転が停止している間に一対の電極に高周波電力を供給するように、少なくとも回転手段と高周波電力供給手段とを制御する制御部３３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射温度計による温度測定値に与える影響を抑制し、安価に製造でき、しかも、加熱に伴う熱履歴によって基板へ与える影響も抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を載置するサセプタ２１７と、サセプタ２１７に対して一方の側に設けられウエハ２００の温度を検出する放射温度計と、他方の側間に設けられた加熱手段２８０とを有し、加熱手段２８０からの放射光を遮光する遮光部材２８２が、ウエハ２００の周辺部と非接触で重合するようにサセプタ２１７の表面に設けられ、ウエハ２００はサセプタ２１７から延在した支持部材２９１にて支持されている。 （もっと読む）

【課題】 反応ガスの使用量を低減して、半導体ウェーハの表面に成長条件の制約を受けることなく均一に薄膜を形成させると共に、反応室の構造を簡単にする。
【解決手段】 化学気相成長装置は、外部から内部２ａ（支持脚１３内）に導入した反応ガスをノズル７によって下方から上方に向かって流動可能とした反応室と、反応室の内部２ａに配置された支持脚１３に固定されたキャップ１４に、ベアリング１６を介して回転可能に設けられ、かつ半導体ウェーハ３を下面側に支持具１５によって装着可能なサセプタ４とを備え、サセプタ４には、半導体ウェーハ３を装着する領域の外周辺部であるリム部４ｂに、反応ガスの流動を受けてサセプタ４を回転させる羽根５が設けられ、キャップ１４には羽根５を通過した反応ガスを外へ排出する排気口１４ｅが設けられた構成とされている。 （もっと読む）

【課題】上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくする。
【解決手段】本発明に係る成膜装置は、複数の半導体ウェハ１を上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材１０と、半導体ウェハ１をウェハ保持部材１０まで搬送して保持させる搬送部２０と、搬送部２０に設けられ、既にウェハ保持部材１０に保持されている半導体ウェハ１の位置を検出する位置検出センサ２４ａと、位置検出センサ２４ａの検出結果に基づいて搬送部２０を制御し、搬送中の半導体ウェハ１の水平面内における位置を、既にウェハ保持部材１０に保持されている半導体ウェハ１の水平面内における位置に合わせる制御部４０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 保持可能な基板の種類が限定されず、かつ当該基板の温度を効果的に制御することができる新規な基板保持装置を提供する。
【解決手段】 この発明に係る基板保持機構１８は、例えば真空蒸着装置に適用されるものであり、図示しない液体冷却装置から冷却水が供給される水冷ジャケット３４を有している。そして、この水冷ジャケット３４の下面には、複数の押圧ユニット４０，４０，…が設けられており、それぞれの押圧ユニット４０は、水冷ジャケット３４を介して冷却水が注入される溶接ベローズ５２を有している。この溶接ベローズ５２の移動端（先端）には、中継冷却板５６が結合されており、冷却水の圧力に応じて当該ベローズ５２が伸縮すると、中継冷却板５６によってヒートシンク７０と共にウェハ１６が下方に押し付けられ、固定される。 （もっと読む）

半導体ウエハの注入時にウエハに電気的に接触するためのシステムは、半導体ウエハに隣接した一対又は複数対の近接して離間した接点と、接点に接続した駆動回路であって、それぞれの接点対の１つの接点から半導体ウエハへ、半導体ウエハから他方の接点へ放電を行う駆動回路とを含む。これら接点はウエハから離間させることもでき、又、低い駆動電圧においてコロナを発生する助けとなるように、ウエハに最も近接した接点の先端は尖ったポイントを備えることができる。或いは、接点は曲線的として、ウエハに接触させてもよい。駆動回路は、ケタリング点火回路、コンデンサ放電点火回路、又はブロッキング発振器回路などのパルス放電回路を応用したものでよい。或いは、駆動回路は、テスラコイル回路などの連続放電回路を応用したものでもよい。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物堆積物の影響を低減できるＭＯＣＶＤ装置用ウエハガイドを提供する。
【解決手段】ウエハ支持具１５は、一又は複数の第１の部分１５ａと、第１の部分１５ａを囲む第２の部分１５ｂとを有している。第１の部分１５ａの各々は、窒化物系半導体を堆積するウエハ１９を支持する面を有する。ウエハガイド１７はＭＯＣＶＤ１１および１３においてウエハ支持具１５の第２の部分１５ｂ上に設けられている。ウエハガイド１７は、第２の部分１５ｂを覆うためのプロテクタ１７ａと、ウエハ１９を第１の部分１５ａに受け入れるための一又は複数の開口１７ｂとを備える。プロテクタ１７ａは、開口１７ｂを規定すると共にウエハ１９をガイドするための側面１７ｃを有する。ウエハガイド１７は開口１７ｂの各々にウエハ１９を受け入れ、ウエハ１９は開口１７ｂの各々に現れたウエハ支持部１５の第１の部分１５ａの支持面上に搭載される。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置において、サセプタとこれを嵌め込んだフローチャネル開口部との擦れを検知する方法を提供することにある。
【解決手段】 サセプタ１を導電性材料で構成すると共に、このサセプタ１との嵌め合わせ部分であるフローチャネル開口部５における内周縁部２ｂを導電性材料で構成し、この内周縁部２ｂとサセプタ１間の導通の有無により、回転時にサセプタ１がフローチャネル開口部５に擦れたかどうかを検知する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ加熱装置の温度がばらつき、必要な均熱性や温度応答性が得られないという課題があった。
【解決手段】本発明によれば、板状体の一方の主面を被加熱物を加熱する加熱面とし、その内部または他方の主面に帯状の抵抗発熱体を配設し、該帯状の抵抗発熱体の帯は略同一の幅を有する弧状配線部と折り返し弧状配線部とを連続させて略同心円環状に配設され、同一円周上に位置する一対の折り返し弧状配線部の間の距離が半径方向に隣り合う円弧状パターン間の距離よりも小さく、上記抵抗発熱体の両端に給電部を備え、該給電部が上記円環の外に備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ壁と基板支持体との間の高周波電流に短い電流リターンパスを与えるための装置が提供される。
【解決手段】高周波接地され、基板移送ポートの上方に置かれた高周波接地装置が、堆積などの基板処理中のみ、基板支持体と電気的接触を確立し、高周波電流に電流リターンパスを与える。高周波接地装置の一実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する１つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える。高周波接地装置の別の実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する複数の低インピーダンス可撓性ストラップを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台が受けるダメージを低減し、基板載置台から発生する載置台の材料汚染を低減する。
【解決手段】 上面１０にウェハ２００を載置するサセプタ（基板載置台）１１に、筒状の周辺カバー１７を設ける。周辺カバー１７は、その上端部１７ａを内側に折り返して、ウェハ２００からはみ出すサセプタ１１の周辺部上面を覆い、その中間部で側面１４を覆うようになっている。また、周辺カバー１７の下端部１７ｂをサセプタ１１の下面１５より下方に延在させて、下面１５を間接的に覆うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台の貫通孔に対する基板保持ピンの位置調整を容易に行うことを可能にする。
【解決手段】 ピン設置用のピンアーム（基板保持ピン設置台）２８２は、処理室を構成する下側容器２１１の底面２１２に取り付けられる。リフトピン（基板保持ピン）２６６は、ピンアーム２８２の貫通孔２１７ａと対応する係合孔２６２に立設され、ピンアーム２８２の取付部２８５は、下側容器２１１の底面２１２へ取り付けられる。リフトピン２６６は、サセプタ（基板載置台）２１７の下降にともなって貫通孔２１７ａから突き出してウェハ（基板）２００を保持し、サセプタ２１７の上昇にともなって貫通孔２１７ａから引っ込んでウェハ２００をサセプタ２１７に載置する。このリフトピン２６６の貫通孔２１７ａに対する位置調整を容易に行えるように、ピンアーム２８２の底面２１２への取付部２８５を、サセプタ２１７と下側容器２１１の底面２１２との間に挟まれる空間Ｓ_inの外側の空間Ｓ_outに取り付ける。 （もっと読む）

【課題】 基板近傍だけでプラズマを効率的に発生させるとともに、不純物混入の防止、装置の小型化、消費電力の低減を実現して、半導体デバイス製作に必要な単結晶ダイヤモンドの合成に適したダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 放電室１０を球状に形成し、この内面１１を鏡面仕上げとする。放電室１０の半径は、導入されるマイクロ波の波長の３／４の長さとする。そして、胴部が絶縁部材（石英）で囲まれた同軸アンテナ２１の先端には基板ホルダ３０が載せられ、さらにその上に処理対象物Ａが載せられる。この基板ホルダ３０あるいは処理対象物Ａは、放電室１０の中心に位置する。同軸構造２０の底部は真空シール部４０で完全メタルシールされている。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバで使用される加熱基板支持アセンブリを作成するための方法および装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、１つ以上の加熱要素２３２を受け取るための、第１のプレート３２０とその中に溝が配置されている第２のプレート３６０とを有する基板支持アセンブリ２３８と、基板支持アセンブリ２３２を加熱するための電源とを含む。第１のプレート３２０の第１の表面３８０と第２のプレート３６０の第２の表面３９０は、両プレート３２０，３６０が静水圧圧縮によって共に圧縮され、かつ基板処理時に基板を支持するためにプレート状構成に形成されるように、その上に配置されている１つ以上の対応する構成を含む。別の実施形態において、第１および第２のプレート３２０，３６０は周辺全体に圧力を印加することによって圧縮される。さらに別の実施形態において、第１および第２のプレート３２０，３６０の圧縮は、高温で実行される。 （もっと読む）