【課題】 長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、基板の加熱に起因するドラムからの基板の浮きを防止し、ドラムからの浮きに起因する基板の熱ダメージを抑制した機能性フィルムを安定して製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 ドラムに巻きかかっている基板の非製品領域に当接して、基板と共に搬送されつつ、基板を幅方向の外側に付勢する付勢手段を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱方式を使用した基板処理装置を構成する被誘導体の破損を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、サセプタ２１８Ｈの上段にさらに、少なくとも、ダミーサセプタＤＭＹ１が配置され、または、サセプタ２１８Ｌの下段に、さらに、少なくとも、ダミーサセプタＤＭＹ３が配置されている。これらのダミーサセプタＤＭＹ１、ＤＭＹ３には、ウェハ２００が搭載されておらず、サセプタ２１８Ｈもしくはサセプタ２１８Ｌに載置されたウェハ２００を加熱する。 （もっと読む）

本発明は、各々が少なくとも１つの処理対象面を有する少なくとも２つの多層体、ならびに多層体を位置決めするための少なくとも１つの装置を含む、多層体配列に関し、装置は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして処理対象面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように構成されており、そこで処理が行われる。本発明はさらに、このような多層体配列を用いて多層体を処理するシステム、ならびに多層体を処理する方法にも関し、多層体は、それぞれの処理対象面が互いに向かい合っており、そうして表面の間に設けられた準閉鎖処理空間を形成するように設けられており、そこで処理が行われる。
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−プロセス空間雰囲気圧のプロセス空間雰囲気を用意することと、−プロセス空間雰囲気圧とは異なる外部雰囲気圧の外部雰囲気を用意することと、−外部雰囲気がプロセス空間雰囲気に開口連通する通路であって、外部雰囲気とプロセス空間雰囲気との間での基板の交換が可能である通路を設けることと、−この通路の少なくとも一部を通って延在する交換用流体の流れを生じさせるように、少なくとも１つの交換用流体注入点において交換用流体を通路に注入することと、を含む方法であって、この流れの方向は、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より大きい場合は、外部に向かい、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より小さい場合は、プロセス空間に向かう、方法。 （もっと読む）

薄膜材料堆積のための流体搬送システムは流体分配マニホールド及び基板輸送機構を有する。流体分配マニホールドは複数の長いスロットを有する出力面を有する。流体分配マニホールドの出力面は、長いスロットが基板の第１の表面と対向し、基板の第１の表面に近接して位置付けられるように、基板の第１の表面に対向して位置付けられる。基板輸送機構は、ある方向に基板が移動するようにし、流体分配マニホールドの出力面に近接した領域において基板の第２の表面と接するフレキシブルな機構を有する。
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【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器内に設けられて処理すべき被処理体を載置するための載置台構造において、被処理体を載置して支持すると共に被処理体を加熱する加熱手段が設けられた誘電体よりなる載置台と、処理容器の底部側より起立させて設けられ、上端部が載置台の下面に接合されると共に下端部が開放された複数の保護支柱管と、保護支柱管内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電棒と、処理容器の底部側に設けられると共に、保護支柱管内に連通されたパージガス流通用気密室と、パージガス流通用気密室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。これにより、載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止する。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】排気の偏りが無く、かつ、メンテナンスが容易となるように基板支持台を支持するプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０において、対向する真空チャンバ１１の側壁１１ａを貫通する貫通孔１２ｃを内部に有し、真空チャンバ１１の中心を通って横断する支持梁１２を真空チャンバ１１と一体に形成し、支持梁１２の上面の中央部に、基板支持台１３を取り付ける上面開口部１２ａを設け、真空側と大気側とをシールする第１シール部材を介して、上面開口部１２ａに円筒状の基板支持台１３を取り付けた。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル被覆されたシリコンウェハのグローバル及びローカルフラットネスを実現する方法を提供する。
【解決手段】第１工程において水素雰囲気下で、第２工程及び第３工程においてこの水素雰囲気にエッチング媒体を添加しながら前処理し、引き続きエピタキシャル層を設け、その際、第１工程の間及び第２工程の間の水素流速、第２工程及び第３工程の間にエッチング媒体の流速は特定の速度であり、更に第２工程の間の反応器チャンバー中の平均温度は特定の温度であり、加熱エレメントの出力を特定の領域間で特定の温度差が存在するように制御し、第３工程の間に水素流速を特定速度に減少させるエピタキシャルに被覆されたシリコンウェハの第１の製造方法。第２の方法は、第３の前処理工程の間にエッチング媒体の流速を１．５〜５ｓｌｍに増加させ、その一方で水素流速は第３の前処理の間に減少させる必要はない。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】温度測定装置において、熱の影響を受けることなく、真空環境下において複雑に移動する被測定物の温度を正確に測定できるようにする。
【解決手段】装置本体３１と、これを固定状態で収容する内装ケース３３と、内面寸法が内装ケース３３の外面寸法よりも大きく形成されて、内装ケース３３との間に隙間が形成されるように内装ケース３３を収容する外装ケース３５と、外装ケース３５の外側に配されると共に内装ケース３３及び外装ケース３５の挿通孔３３ｃ，３５ｃを介して装置本体３１に電気配線された温度計３７と、外装ケース３５内において内装ケース３３を非接触状態で浮遊させる浮遊手段４９とを備える温度測定装置５を提供する。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを高効率で冷却するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面を支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、基板吸着電極４０とトレイ吸着電極２０２を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入される。トレイ１５がトレイ支持面２８に載置されると、基板載置部２９Ａ〜２９Ｄの上端面である基板載置面に基板２が載置される。基板２は基板吸着電極４０により基板載置面に静電吸着され、トレイ１５はトレイ吸着電極２０２によりトレイ支持面に静電吸着される。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層とチャネル層との密着性が良好な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物をチャネルに用いた電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層とチャネル層との間の界面が良好な構造を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に、ゲート電極５と、ゲート絶縁層６と、チャネル層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、を有し、前記ゲート絶縁層６及び前記チャネル層４は、ガリウム（Ｇａ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも構成元素とする層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】薄膜担持体上に形成した薄膜を基板表面に転写する薄膜形成装置において、薄膜担持体や薄膜を損傷することなく基板への薄膜の転写を行う。
【解決手段】基板Ｗを下面周縁部で保持する爪部材３４５は、先端を薄刃状に、かつ下面を平らに形成されている。薄膜担持体であるシートフィルムＦを載置する第２プレート５４の上面（担持体載置面）５４２の直径Ｒ4は、爪部材３４５との当接部位を除いた基板下面の直径Ｒ3よりも小さく、かつ周縁部はテーパー加工されている。シートフィルムＦの周縁部を狭持するリング体ＲＦを下方へ押し下げることにより、担持体載置面５４２よりも外側では基板Ｗ下面とシートフィルムＦとの間に隙間ＥＳが生じる。この隙間に爪部材３４５が入り込むようにすることで、シートフィルムＦとの接触が回避される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、処理中に半導体基板を支持するか、位置決めするか、または回転させる装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、サセプタの基板受取り表面上に基板を位置決めすることと、１つまたは複数の回転ポートから流体の流れを送達することによってサセプタおよび基板を回転させることとを含む基板処理方法を提供する。
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【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、接続端子における放電を防止するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。
【解決手段】基板Ｗを静電的に吸着すると共に基板Ｗにバイアスを印加する静電チャック１３を、真空チャンバ内の支持台１０上面に設けたプラズマ処理装置の基板支持台において、支持台１０上面にＯリング１２を設け、Ｏリング１２の外周側を真空チャンバとして密閉すると共に、静電吸着電圧供給及びバイアス電力供給を共用する共用接続端子１７をＯリング１２の内周側の大気側に配置した。 （もっと読む）