【課題】基板の一方の面に選択的に所望の膜を形成できる半導体製造装置、およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ホットウォール型加熱方式のプロセスチャンバ１０５内で、上下のガス供給口に設けられたプレート１０２、１０３からガス供給を行い、ウェハ状の基板１０１を浮遊保持した状態で裏面にのみ成膜を行う。基板１０１の上面側には常に不活性ガスを流し、裏面側には２種類以上の原料ガスを交互に供給し、基板１０１の裏面上で基板１０１に吸着した原料ガス同士を反応させることで成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶ウェハを高温で加熱処理した後にウェハ裏面の表面粗さが悪化することを効果的に抑制することができるウェハ保持方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素ウェハ１１をウェハ保持具に保持して加熱するに当たり、ウェハ保持具２１のウェハ保持面２１ａと炭化ケイ素ウェハ１１の裏面との隙間形成を防止する手段を用いること。 （もっと読む）

【課題】処理チェンバーにワークを搬入・搬出する操作を効率化し、ワークの処理効率を向上させる処理装置および処理方法を提供する。
【解決手段】第１の給排口と第２の給排口とが設けられた処理チェンバー１０を備える処理装置であって、前記第１の給排口を介してワーク３０を給排する操作を行う第１の搬送機構と、前記第２の給排口を介してワーク３０を給排する操作を行う第２の搬送機構と、前記第１の搬送機構により搬入されて処理されたワーク３０ａを前記第２の搬送機構に受け渡し、前記第２の搬送機構により搬入されて処理されたワーク３２ａを第１の搬送機構に受け渡す交換手段と、前記第１の搬送機構と第２の搬送機構を駆動し、前記第１の給排口と前記第２の給排口から交互に未処理のワークを前記処理チェンバーに供給して処理する制御部２２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大幅なコスト増大を招くことなく処理室間でのガス混合を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に所定の処理を施すための複数の処理室２４０、基板Ｗを予熱するための予熱室２３０、基板Ｗを冷却するための冷却室２５０、及び前記各室間での基板Ｗの搬送を行うための共通搬送室２２０を備えた基板処理装置において、各処理室２４０はゲートバルブ２４１を介して共通搬送室２２０と連通可能に接続され、予熱室２３０及び冷却室２５０は共通搬送室２２０と常時連通した状態で接続されており、更に、冷却室２５０内へパージガスを導入するためのパージガス導入手段２５１，２８２，２８０と、冷却室２５０内に導入されたパージガスを共通搬送室２２０内を通過させた上で外部に排出する排気手段２３１，２２２，４０１とを設ける。 （もっと読む）

【課題】冷却速度、昇温速度が速く、均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】チャンバー内に収容され、ウエハを処理するためのウエハ保持体であって、ウエハの載置面を有し、材料の主成分がＡｌ−Ｃ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｃ、Ｃｕ、Ａｌからなる群から選ばれた少なくとも一種である載置台と、載置台よりも熱伝導率が低く、載置台を載置面の反対側から支持し、載置台に気密に結合される筒状支持体と、載置台と筒状支持体との間に形成される空隙部と、空隙部内に収容される冷却モジュールおよび発熱体を備え、載置台は、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、空隙部は、チャンバー内の雰囲気と遮断され、冷却モジュールは載置台に設けられ、発熱体は冷却モジュールの載置台とは反対側の面に設けられていることを特徴とするウエハ保持体。 （もっと読む）

【課題】冷却速度、昇温速度が速く、均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】チャンバー内に収容され、ウエハを処理するためのウエハ保持体であって、ウエハの載置面を有し、材料の主成分がＡｌ−Ｃ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｓｉ−ＳｉＣ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｃ、Ｃｕ、Ａｌからなる群から選ばれた少なくとも一種である載置台と、載置台よりも熱伝導率が低く、載置台を載置面の反対側から支持し、載置台に気密に結合される筒状支持体と、載置台と筒状支持体との間に形成される空隙部と、空隙部内に収容される冷却モジュールおよび発熱体を備え、載置台は、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、空隙部は、チャンバー内の雰囲気と遮断され、冷却モジュールは載置台に設けられ、発熱体は載置台と冷却モジュールとの間に設けられていることを特徴とするウエハ保持体。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバ内で使用される被加熱型の基板支持プレートを改良すること、特に熱特性を向上させることにある。
【解決手段】 本発明の基板支持プレート１３６は、加熱要素５４，５６を受け入れるための溝９０，１００を有している。加熱要素５４，５６は、外被２００と、ヒータコイル２０２と、熱伝導充填材料２０４とから構成されている。この加熱要素５４，５６は溝９０，１００内に配置された後、圧縮されて熱伝導充填材料がヒータコイルの回りで圧密化されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やす。
【解決手段】複数枚の被処理基板ｗを基板保持具１０に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具１０を熱処理炉３内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す。上記基板保持具１０は、複数本の支柱２８に被処理基板の周縁部を支持する基板支持部３０を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された２つの保持具構成体１０ａ，１０ｂからなる。一方の保持具構成体１０ａには表面を上面にした被処理基板を、他方の保持具構成体１０ｂには裏面を上面にした被処理基板をそれぞれ搭載した後、２つの保持具構成体を相対的に上下方向に移動し、これにより、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるようにし、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔ｐａに、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い間隔ｐｂにする。 （もっと読む）

【課題】 均熱性に優れると同時に、スループット向上の要求を満たし得る冷却速度及び昇温速度を達成でき、特に冷却速度に優れている半導体製造装置用ウエハ保持体、並びにそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置用ウエハ保持体は、ウエハを加熱するための抵抗発熱体１と、抵抗発熱体１を挟み込む上側冷却モジュール２ａと下側冷却モジュール２ｂとを有し、筒状支持部材３で支持されている。冷却モジュール２ａ、２ｂは、内部に冷媒用の流路を有するか、若しくは流路となる冷却管を備えていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理チャンバにおいて複数の基板を処理するための装置および方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理チャンバの内部容積に複数の基板２２１を位置決めするステップであって、該複数の基板が略平行に配列されており、また該複数の基板の少なくとも一部が、デバイス側面２２２を下方に向けて位置決めされているステップと、１つ以上の処理ガスを該複数の基板全体に流すステップとを備える、該複数の基板を処理するための方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハの裏面に成膜された膜質の違いや、あるいはウェハの反りの差により、搬送中にウェハが滑ることによって、搬送アーム上におけるウェハの位置ずれを抑えること。
【解決手段】ウェハを搬送するための搬送アーム上に、ウェハを傾かせるパルスモーターと、ウェハの滑落を検知するセンサと、を設けて、この搬送アーム上においてウェハを傾かせて、ウェハが滑ったときには、センサによりこのウェハの滑落を検知して、その時のウェハの傾斜角度としきい値とを比較して、しきい値以下の場合には、遅い速度で搬送するようにして、しきい値よりも大きい場合には速い速度で搬送する。 （もっと読む）

【課題】状況に応じて択一的使用が可能な被処理体の支持機構を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを移載するための被処理体の支持機構において、複数の昇降アクチュエータ４６、４８の昇降ロッド５０、５２に個別に連結されて昇降可能になされた複数の昇降ベース３８、４０と、各昇降ベースより起立されてその先端が被処理体を支持する複数のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ、４０Ａ〜４０Ｃと、昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部６８とを備え、各昇降ベースのリフトピンは水平座標における実質的に同一領域にある被処理体を支持可能であり、昇降制御部は各昇降ベースのリフトピンが択一的に被処理体を支持するように昇降アクチュエータを制御する。これにより、リフトピンをグループ毎に状況に応じて択一的使用が可能とする。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバ（１１）と、プラズマを形成する第１の電極（５）および対向電極（７）が対向する２つの壁となっている処理室（９）と、ガス状の材料を処理室へ供給しまた処理室から取り出す手段と、ロードないしアンロードのための開口部とを有している、フラットな基板の処理装置に関する。本発明によれば、距離変更装置（４１，４２）により、２つの電極間の相対距離が、ロードないしアンロードの際には第１の大きい距離へ、処理を実行する際には第２の小さい距離へ変更され、対向電極に属する基板収容装置により、基板の処理すべき表面が、処理のあいだ法線方向に対して０°〜９０°の範囲、有利には１°，３°，５°，７°，９°，１１°，１３°，１５°，１７°，２０°，２５°，３０°，４０°，４５°の角度αで下向きにされる。
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【課題】処理容器の構造を複雑化させることなくガスの使用効率及び製品のスループットを高く維持し、装置全体のコストを低下させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】所定の薄膜を形成するための成膜装置において、縦型円筒体状の処理容器２４と、被処理体Ｗを複数段に保持する保持手段３２と、処理容器の一側に、処理容器の半径方向の外側に向けて突出され且つ高さ方向に沿って設けられたプラズマ用ボックス部５０と、このボックス部内に活性化対象ガスを供給する活性化対象ガス供給手段６６と、このガスを活性化する活性化手段５６と、活性化の対象でない活性化非対象ガスを供給する活性化非対象ガス供給手段７４とを備え、処理容器を、プラズマ用ボックス部を設けた部分における容器内壁と被処理体のエッジ部との間の間隔が他の部分における容器内壁と被処理体のエッジ部との間の間隔よりも狭くなるように偏芯させて設ける。 （もっと読む）

【課題】サセプタの隙間に起こる寄生成長を抑制するために、基板の間にあるサセプタの上面の空きを最小化する。
【解決手段】本発明は複数の基板（３）をコーティングするための装置に関する。複数の基板（３）は、プロセスチャンバーに結合されるサセプタ（１）の支持面（２）上に規則的に配置される。支持面（２）上に各基板（３）の端のかみ合いのために隣接側面が形成される。サセプタ（１）の表面の空きを最小に削減するために、側壁（５）によって定義される隣接側面は、支持面（２）から突出し、お互いにある距離を置いて配置される直立部分（４）によって形成されることが提案される。直立部分（４）は、ハチの巣状構造の頂点に配置され、実質的に内側に曲がった辺を持つ正三角形と一致する輪郭を持つ。 （もっと読む）

【課題】加工対象においてレーザ加工を精度よく行なうことが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】加工用レーザを照射するためのレーザ光源と、加工用レーザをＸＹ方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をＸＹ方向に移動させるＸＹステージとを備えたレーザ加工装置によって、ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工する。加工対象において、ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を、ガルバノミラーの走査可能範囲内に収まる図形によって複数に分割し、ＸＹステージを移動することにより、ガルバノミラーの走査可能範囲内に複数に分割した図形を移動し、ガルバノミラーにより加工用レーザを走査し、分割した図形に対し加工用レーザを照射することによりレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができる縦型反応炉半導体製造システム及びそれを使用するロット単位ウェハ運送処理方法を提供する。
【解決手段】工程条件を入力し、モニターウェハの使用有無をチェックし、ロット投入個数及びトラックイン命令を発生するオペレーターインターフェースサーバ１０と、オペレーターインターフェースサーバ１０から命令を受けて工程装置を制御し、前記工程装置から発生されるデータを収集しオペレーターインターフェースサーバ１０に提供し、オペレーターインターフェースサーバ１０からトラックイン命令が入力されるときに１バッチに該当するウェハキャリヤがすべて収納される前にロット単位でウェハキャリヤを移送するように制御するホストコンピューター１４と、ホストコンピューター１４の制御命令によりロット単位でウェハキャリヤを移送しウェハボートに前記ウェハが収納されるようにする工程装置１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を支持具に装填する工程と、基板を装填した支持具２１７を処理室２０１内に搬入する工程と、処理室内で支持具に装填された基板を熱処理する工程と、熱処理後の基板を装填した支持具を処理室内から搬出する工程と、処理室内より搬出した支持具から熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、熱処理後の基板を回収する工程は、基板の温度が、基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応中にウェハに付着するシリコン生成物によるウェハとサセプタの貼りつきを低減させる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０２と、チャンバ１０２内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部１０８と、チャンバ１０２に収容され、気相成長反応が行なわれるウェハ１０１を載置するサセプタ１０３を有するホルダ１０４と、ウェハ１０１を所定の温度に加熱するヒータ１０５と、ホルダ１０４内にエッチング性ガスを供給するエッチング性ガス供給部１０６と、エッチング性ガスをホルダ１０４内から排気するホルダ内ガス排気部１１２と、チャンバ１０２内のガスをチャンバ１０２外へと排気するチャンバ内ガス排気部１０９とを備えることを特徴とする。これにより気相成長反応中にウェハ１０１の裏面にシリコン生成物を付着させず、ウェハ１０１とサセプタ１０３との貼りつきを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】ツーボートシステムでありながら地震等の外力によるボート搬送機構上のボートの転倒を簡単な構造で防止することができる縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法を提供する。
【解決手段】熱処理炉５と、該熱処理炉５の炉口５ａを閉塞する蓋体１７と、該蓋体１７上に保温筒１９を介して載置され多数の基板ｗを多段に保持する基板保持具４と、上記蓋体１７を昇降させて基板保持具４を熱処理炉５内に搬入・搬出する昇降機構１８と、上記基板保持具４が熱処理炉５内にあるときにもう一つの基板保持具４を基板ｗの移載のために載置する保持具載置台と、該保持具載置台と上記保温筒１９との間で基板保持具４の搬送を行う保持具搬送機構２３とを備えた縦型熱処理装置１において、上記保持具搬送機構２３に基板保持具４の転倒を規制する転倒規制部材を設けている。 （もっと読む）