【課題】 種々な処理サイクルの後でも変形や反りに耐え且つ浸食に耐えるような、基板処理チャンバにて使用されるリングアセンブリを提供する。
【解決手段】 基板処理チャンバにおいて使用され、環状棚及び内側周辺側壁を備える基板支持体のためのリングアセンブリ２０が提供される。１つの変形例においては、リングアセンブリ２０は、（ｉ）上記支持体の環状棚に乗る水平脚及び上記支持体の内側周辺側壁に当接する垂直脚を備えるＬ字形分離リング２９と、（ii）上記分離リングの水平脚に重なる重複棚を有する環状バンドを備える堆積リング２６とを備える。別の変形例では、堆積リングは、上記支持体の環状棚を取り巻きそれに重なる絶縁環状バンドを備える。 （もっと読む）

【課題】処理容器内に搬入された基板と載置台との間に位置ずれが生じていても正しい位置にて基板を載置することが可能な基板処理装置等を提供する。また、処理が終了した後に載置台から離脱した基板に生じる位置ずれに対していち早く対応をとることが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ウエハＷ（基板）が外部の搬送装置から載置台３に受け渡される前に、検知ヘッド部２２を退避位置から検知位置まで移動させて、搬送装置６によりウエハＷが保持されている現在位置と受け渡しが行われる予定位置との位置ずれ情報を得る。そして、この位置ずれ情報に基づいてウエハＷの現在位置と予定位置との位置ずれ量が許容範囲内に収まるように、搬送装置６によりウエハＷの受け渡し位置を修正させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の主な課題は、成膜処理中、ボートを安定して磁気浮上させて、ボートに外部振動が伝達されないようにした縦型成膜装置を提供することである。
【解決手段】本発明の縦型成膜装置１００は、ボート１４の下面／上面には、それぞれ下部永久磁石１０１／上部永久磁石１０３が取り付けられ、ボート台１３には、下部電磁石制御部１０５に電気接続された下部電磁石１０２が内蔵され、反応管５の外部上方には、上部電磁石制御部１０６に電気接続された上部電磁石１０４が配置され、これら上部／下部永久磁石１０３，１０１および上部／下部電磁石１０４，１０２は、ウェーハ２を収納するボート１４の重心を含む鉛直線上に配列され、ボート１４をボート台１３から浮上させるボート浮上手段を構成している。 （もっと読む）

【課題】均一なガスフローパターンにより均一な堆積フィルムを生じる半導体処理システムを提供する。
【解決手段】 半導体基板を処理するために、リモートコントロールされ、基板ホルダのスロット内に挿入されたセンサシステム１００が、リアクター等のバッチリアクター内において、ウェハボート等の基板ホルダのアライメントを測定するために用いられる。センサシステム１００は、コントローラと通信するためのトランシーバと、プロセスチャンバ外部のデータ収集ユニットとを備える。さらに、センサシステム１００は、センサからプロセスチャンバの壁まで距離を測定するための距離センサ１２０を備える。センサは、プロセスチャンバの周囲３６０°に渡る範囲の測定を得るために回転される。プロセスチャンバ内の基板ホルダのアライメントは、回転角と、測定された距離又は距離センサ１２０によって受信された信号との関係に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるエピタキシャル膜にパーティクルが付着することを防止する。
【解決手段】基板７が配置され、該基板７の表面に結晶を成長させる成長容器１と、成長容器内に配置され、基板７を保持するサセプタ４と、成長容器１内でサセプタ４と対向するように配置され、基板７およびサセプタ４を加熱する加熱部５と、成長容器１内でサセプタ４における加熱部５の反対側に配置された遮熱部２とを備えるＣＶＤ装置において、遮熱部２が、結晶の成長温度以上の融点を有する高融点金属またはその合金からなる遮熱板２ａを少なくとも含む１以上の遮熱板２ａ〜２ｃを有しているようにする。遮熱板２ａ〜２ｃが複数であり、サセプタ４および遮熱板２ａ〜２ｃとの間隔と、遮熱板２ａ〜２ｃ同士の間隔を、加熱部５により基板７およびサセプタ４が加熱されている際の遮熱板２ａ〜２ｃが配置される部位の温度が、高温になるにしたがって小さくする。 （もっと読む）

【課題】載置台を固定した部材を容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来るリフタ及び被処理体の処理装置を提供する。
【解決手段】リフタ９の一対のリフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６に連結部９７，９７を介して連結されている。リフタアーム９１は、連結部９７の支持板９７ａの一端部に突設されており、支持板９７ａの他端部及び該他端部の下側に連結された連結板９７ｂには、固定ねじ９７ｅが貫通され、昇降軸９６の上端部にねじ止めされている。カバー９７ｄは、２枚の支持板９７ａを突き合わせた状態で、支持板９７ａ，９７ａを連結する。カバー９７ｄを外して、固定ねじ９７ｅを緩めることで、支持板９７ａが昇降軸９６に対して回転する。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化、コストの低減及び検出速度の向上を図り、被処理体及び保持具の損傷を最小限に抑制する。
【解決手段】熱処理炉３と、被処理体ｗを上下方向に多段に保持して熱処理炉３に搬入搬出される保持具９と、昇降及び旋回可能な基台２５上に被処理体ｗを支持する複数枚の基板支持具２０を進退可能に有し、被処理体ｗを所定間隔で収納する収納容器１６と保持具９との間で被処理体ｗの移載を行う移載機構２１と、該移載機構２１を制御するコントローラ５２とを備え、コントローラ５２が、移載機構２１を駆動するモータ５０にフィードバックされる位置、速度、電流の情報を監視し、該情報と予め設定された正常駆動時の情報とを比較して移載機構２１の衝突時の異常駆動を検出し、該異常駆動を検出した時に移載機構２１の駆動を停止すると共に異常駆動の発生を通報するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成する重合膜の膜厚の分布を、容易かつ確実に制御できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバー２と、膜を形成する基板１０を保持する静電チャック（保持手段）３と、チャンバー２内に膜材料を含むガスを供給するガス供給手段４と、静電チャック３との間に電界を付与する電界付与手段５と、チャンバー２内を減圧する減圧手段６とを備えている。この成膜装置１は、電界を付与することにより、膜材料を含むガスをプラズマ化するとともに、膜材料を重合して、基板１０の表面に重合膜を形成する。また、静電チャック３は、基板１０を保持する保持部３１と、保持部３１内に埋設された複数の吸着用電極と、これらの吸着用電極に電圧を印加する電源３３とを有している。そして、成膜装置１は、複数の吸着用電極に印加する電圧の値を異ならせることにより、形成される重合膜の厚さの分布を制御するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】サセプタの熱歪みにより生じる回転不具合を解消し、メンテナンス性や経済性の向上が図れる気相成長装置を提供する。
【解決手段】加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタ１１に、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材２１を転動部材（ボール２２）を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材２１を回転させ、該基板保持部材に保持された基板１２をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記サセプタと前記転動部材との間に転動部材をガイドするガイド部材２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理効率の低下を伴うことなく、処理空間内で発生するパーティクルが処理に影響を与えることを抑制できる気相成長装置および気相成長装置を用いた処理方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置は、被処理基板２が載置される載置面を含むサセプタ３と、被処理基板２を収容する内部空間６を形成し、内部空間６にガス流れが形成される反応管３２とを備える。反応管３２は、内部空間６に面する表面３４ａおよび３５ａを有する回転プレート３４および３５を含む。回転プレート３４および３５は、少なくとも被処理基板２よりもガス流れの下流側であってサセプタ３の近傍に位置する箇所とその他の箇所との間で、表面３４ａおよび３５ａが入れ替わるように動作する。 （もっと読む）

【課題】
薄膜太陽電池等の製造に用いられる両面放電型のプラズマＣＶＤ装置において、同時に搬入搬出される２枚の基板に、安定して均一な堆積膜を形成することが可能、即ち、両側のプラズマをアンバランス無く、均一に生成することが可能な高周波プラズマ発生用電源、該電源を用いたプラズマＣＶＤ装置及び方法を提供すること。
【解決手段】
両面放電型のプラズマ源に、互いに独立の関係にある２つの高周波電源の出力を供給することにより、両側のプラズマをアンバランス無く、均一に生成することを可能とする。該２つの高周波電源として、パルス変調型電源及びそれぞれに中心周波数の異なるバンドパスフイルターを有する２周波数型電源を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来、光通信用の半導体レーザーは発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物が求められているが、現在、制御機器の分解能不足、加熱機構の再現性の悪さ等により、半導体レーザー製造装置で製造条件を調整して発振波長に微小な差を付ける事が解決困難であった。そこで課題は、光通信用の半導体レーザーで発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物を作り分ける方法及び装置を供する事にある。
【解決手段】 従来の半導体レーザー製造装置での製造条件にサセプターを傾けると言う条件を加えて上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式であっても、処理するウエハの枚数に応じた最小限の処理ガス量で処理を可能にした処理装置とする。
【解決手段】仕切板２１をチャンバ１の上下方向に移動させることで、処理するウエハ８の枚数に応じた一方側の領域４ａを設定し、３方弁１３により、一方側の領域４ａの処理室４に開口する供給配管１１から処理ガスを供給し、他方側の領域４ｂの処理室４に開口する供給配管１１からＮ_２ガスを供給し、処理する枚数のウエハ８に応じた量の処理ガスを使用して処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板温度の均一性を向上する熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板９に加熱を伴う処理を行う熱処理装置において、基板９に光を照射するランプ群、および、基板９を支持する円環状の補助リング３１が設けられる。補助リング３１は内周面３１０に内側に突出する円環状の支持部３１１を有し、支持部３１１が基板９の外縁部９１を下方より当接して支持する。熱処理装置では、ランプ群が互いに独立して電力が供給される複数の小グループに分けられており、複数の小グループに主に補助リングに向けて光の照射を行う小グループが含まれ、さらに、基板９と支持部３１１とが当接する幅である支持幅Ｗ、および、支持部３１１の厚みである支持部厚Ｔが所定の条件を満たすように決定される。これにより、加熱される基板温度の均一性が向上される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置におけるキズ・ダストの発生を抑え、歩留りを向上させることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハを熱処理装置に搬入する工程と、前記ウェーハを、前記熱処理装置内に、非接触で保持しながら昇温する工程と、前記ウェーハを熱処理する工程と、前記ウェーハを、前記熱処理装置内で、非接触で保持しながら降温する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの歩留まりを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置としてのプラズマ処理装置１０は、載置されたウエハＷを静電気的に吸着する載置台３５を具備する。プラズマ処理装置１０は、ウエハＷの温度を測定する温度測定装置２００、及び予め設定されたパラメータに基づいて目標温度と実質的に等しくなるようにウエハＷの温度調節を直接的又は間接的に行う制御装置４００に接続される。制御装置４００は、ウエハＷの温度を測定された温度に基づいて自動的に制御する。 （もっと読む）

【課題】ボートの倒れを確実に防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを保持するボート４１、４２と、ボートを支持して処理室に対して搬入搬出するためのシールキャップの上でボート４１，４２が載置されるボート台と、ボート４１，４２を移載用ボート載置台とボート台と待機用ボート載置台６９との間で搬送するボート交換装置とを備えた縦型拡散ＣＶＤ装置において、ボート交換装置の第一ボート受座７９と第二ボート受座とにボート移動抑制装置８０を設置する。ボート４１，４２の搬送に際して、ボート移動抑制装置８０の載置面凸部８１をボート４１，４２の下面凹部４３に挿入し、側面凸部８２をボート４１，４２の側面凹部４５に挿入することにより、搬送中のボート４１，４２の倒れを確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板保持具と処理室の芯合せが簡単に行えると共に後発的に生じた芯ずれに対しても、分解、再組立てを行うことなく簡単に調整が行える基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納し、開口部を有する処理管１３と、前記開口部を介して連通された予備室１４と、処理中基板を保持する基板保持具１７と、前記予備室内に配置され前記基板保持具を載置する載置部１９と、前記予備室外に設けられた昇降手段１８と、該昇降手段と前記載置部とを連結する昇降シャフト３６と、前記昇降手段と前記昇降シャフトの傾きを調整する傾き調整手段とを具備した。 （もっと読む）

【課題】ウエハの上面外周部及び側面部への膜形成を防止し、さらに均一な膜厚及び均一な特性を有する膜を形成するプラズマCVD成膜装置及び方法を与える。
【解決手段】直径Dw及び厚さTwを有するウエハ上に薄膜を形成するためのプラズマCVD装置１は、真空チャンバ６と、シャワープレート２１と、ウエハ４の外周上面を覆うためのマスク上部と、ウエハ４の側面部を覆うためのマスク側部を有するマスク２２を含む。マスク側部はDw+αの内径を有し、マスク上部はマスク上部の底面とトッププレート３のウエハ支持面との間にTw+βのクリアランスで配置され、ここでαはゼロ以上であり、βはゼロ以上である。 （もっと読む）