【課題】 露光パターンの線幅精度の悪化を抑制する露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の波長を有し、パルス発振された第１照明光と、第１の波長とは異なる第２の波長を有し、パルス発振された第２照明光とをマスクへ照射する照射ユニットを備え、照射ユニットは、第１照明光がマスクに照射されるタイミングと、第２照明光がマスクに照射されるタイミングとが所定時間ずれるように、第１照明光と第２照明光との照射のタイミングを設定する遅延設定部を含む露光装置。 （もっと読む）

【課題】ステップアンドリピート露光におけるつなぎ部の基板パターンの精度を改善し、ウエハ基板上の基板パターンの均一性を改善する。
【解決手段】レクチル２１のマスクパターン６１でウエハ基板４１を繰り返し露光し、多数のドットパターン１０１が所定のピッチで複数方向に周期性を有して配置された基板パターン８１を製造する方法であって、マスクパターン６１で既に露光したウエハ基板上の露光領域Ａ（及び／又はＢ）に、マスクパターン６１を重複させて露光する多重露光工程を含み、多重露光工程では、ウエハ基板４１上の露光領域Ａに対して、マスクパターン６１を、ドットパターンのピッチの整数倍だけシフトさせるとともに、既にした露光を含む２回以上の露光を、露光の重複数に応じて減少させた光量で行うことを特徴とする基板パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】露光された感光性樹脂材料の発泡現象を抑制できる基板処理システム及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、洗浄装置２１、レジスト塗布装置２２、周辺露光装置２３、基板搬送機構３０及びシステムコントローラ１０を備える。システムコントローラ１０は、レジスト塗布装置２２でレジスト膜が形成された時から、周辺露光装置２３による露光工程が開始されるまでの基板Ｗの待ち時間を監視する待ち時間監視部１０Ｂと、待ち時間が制限時間を超えたとき、基板搬送機構３０に基板Ｗを洗浄装置２１に搬送させるプロセス制御部１０Ａとを有する。プロセス制御部１０Ａは、洗浄装置２１によりレジスト膜が除去された基板Ｗをレジスト塗布装置２２に搬送させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メインパターン領域内にマーク類を形成することなく、Ｎ×Ｎショットのサイズの半導体チップを製造することが可能な、半導体チップの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、チップ領域５の寸法がイメージフィールドよりも大きい半導体チップの製造方法であって、（ａ）メインパターン５ａを形成するメインマスク１と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの上下に位置する部分を形成する上下マスク２と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの左右に位置する部分を形成する左右マスク３と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの角部に位置する部分を形成する隅マスク４を準備する工程と、（ｂ）メインマスク１、上下マスク２、左右マスク３、隅マスク４を組み合わせてチップ領域５を含むショット配列を形成する工程と、（ｃ）当該ショット配列に従いマスク毎に露光する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光パターン形成用領域を複数回に分けて露光する場合、又は複数の露光パターン形成用領域を同時若しくは連続的に露光する場合に、露光位置の確認が容易な露光方法及び露光位置の確認方法を提供する。
【解決手段】露光対象部材２は、露光パターン形成用領域及びその周囲の少なくとも一部の非パターン形成領域を備えている。この露光対象部材２の非パターン形成領域における露光パターンの延長上にある領域に露光光の照射により変色する光変色材料を塗布するか、又は露光光の照射により変色する光変色部材を貼付し、マスクに透過させた露光光を露光対象部材に照射する際に、露光パターン形成用領域の他に、光変色材料又は光変色部材からなる光変色領域２２にも照射してこれを変色させる。そして、この光変色領域２２の変色により、露光パターン形成領域における露光位置を確認し、露光不良の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】隣接する露光パターンのつなぎ部のオーバー露光を簡単な方法で抑制する。
【解決手段】被露光体上にフォトマスクのマスクパターンを通して光源光を照射し、互いに隣接する露光パターンの端部領域を重ね合わせてつなぎ露光する露光方法であって、前記露光パターンの前記端部領域の露光量を前記露光パターンの中央寄りから隣接端部に向かって漸減させてつなぎ露光するものである。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンの寸法のばらつきを抑え、ホールパターンの未開口の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、第１と第２のレジストパターン形成工程を含む。第１のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域に、開口パターン１１１を有する第１のレジストパターン１１を形成する。第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。第２と第３の開口パターン１１２は、１本おきの活性領域３上に配列した形状を有するが、互いに異なる活性領域３上に形成される。そして、先に行う第１または第２のレジストパターン形成工程では、後のリソグラフィ処理で耐性を有するレジストの不溶化処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】光学条件及びレジスト種に依存することなくスリミング量を精度よく制御することができるとともに、スリミングに伴うレジスト高さの減少を生じさせることの無い半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に対して露光、現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを細めるスリミング工程と、細めたレジストパターンの側壁部にマスク材層を形成する工程と、細めたレジストパターンを除去する工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、スリミング工程は、基板に膨張剤を塗布する塗布工程と、膨張剤を膨張させる工程と、膨張させた膨張剤を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＥによるダブルパターニングの２回目の現像処理において、２回目のレジストパターンの線幅を精度良く制御でき、１回目のレジストパターンの線幅も精度良く制御できる現像処理方法を提供する。
【解決手段】第１のレジストパターンが形成されている基板の表面にレジスト膜を成膜し、露光した後、第２のレジストパターンを形成するために、現像処理する現像処理方法であって、基板を静止させた状態で、第１の時間ｔ１の間、基板を現像処理する第１の工程Ｓ１９５と、基板を回転させながら、第２の時間ｔ２の間、基板を現像処理する第２の工程Ｓ１９６とを有する。第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との時間比率は、第１のレジストパターンの線幅ＣＤ１が第１の所定値ＣＤ１ｔに等しくなるように調整され、第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との合計時間Ｔは、第２のレジストパターンの線幅ＣＤ２が第２の所定値ＣＤ２ｔに等しくなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】チップパターンを複数の領域に分け、各領域を別々に露光し繋ぎ合わせる分割露光を行なう際に、各領域間の繋ぎ合わせ精度を高精度にする。
【解決手段】分割パターン領域を露光する際に位置合せを行なうアライメントマークの形成を、先行の分割露光領域の外周近傍にＸ方向用Ｙ方向用を１対とするアライメントマークを少なくとも１対以上設け、後行の分割露光領域は先行の分割露光領域の外周近傍にある少なくとも１対のアライメントマークを含む重複領域を持ち、後行の露光領域から見た前記アライメントマーク座標で位置合せを行なうことを繰り返すことにより、チップパターンの全ての分割パターン領域用のアライメントマークを設ける。さらに、重ね合わせ層の露光において、高配置精度で設けた各分割パターン領域露光用アライメントマークに対して、ダイ・バイ・ダイ・アライメント法を用いて位置合せを行なう。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＥによるダブルパターニングにおいて、１回目のパターニング処理により１回目のレジストパターンを形成した後、２回目のパターニング処理を行う前に、１回目のレジストパターンを溶解又は変質させずに、基板の周縁部に対して容易に疎水化処理を行うことができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に表面処理剤を塗布する塗布工程Ｓ１５１と、塗布工程Ｓ１５１の後、基板の周縁部における基板の表面から表面処理剤を除去する第１の除去工程Ｓ１５２と、第１の除去工程Ｓ１５２の後、塗布されている表面処理剤により第１のレジストパターンの表面を表面処理するとともに、周縁部における基板の表面を疎水化処理する処理工程Ｓ１５３と、処理工程Ｓ１５３の後、表面処理されている第１のレジストパターンの表面に残存する表面処理剤を除去する第２の除去工程Ｓ１５４とを有する。 （もっと読む）

【課題】液体洗浄後の乾燥工程においてにパターン倒壊が発生しないラインアンドスペース構造を形成することができる。
【解決手段】略平行な複数の凸条体を基板に形成し、該基板に形成された凸条体の表面に膜を形成し、成膜後に前記凸条体を除去するパターン形成方法であって、略平行な複数の第１凸条体と、該複数の第１凸条体の端部に接続した又は前記複数の第１凸条体に交差した複数の第２凸条体とを基板に形成し、該基板に形成された前記複数の第２凸条体における前記第１凸条体との接続箇所又は交差箇所を切断し、前記第１及び第２凸条体の表面にそれぞれ膜を形成し、成膜後に前記第１及び第２凸条体を除去する。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト組成物を用い、パターニングを２回以上行って支持体上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、２回目のパターニングが、１回目のパターニングで形成した第一のレジストパターンに与えるダメージを低減できるレジストパターン形成方法、および該レジストパターン形成方法における第一のレジストパターン形成用として有用なレジスト組成物の提供。
【解決手段】１回目のパターニングの際、化学増幅型レジスト組成物として、熱塩基発生剤を含有するレジスト組成物を使用して第一のレジストパターンを形成した後、２回目のパターニングを行う前に、第一のレジストパターンを、前記熱塩基発生剤から塩基が発生するベーク条件にてベークするハードベーク工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＴの増加を抑えることのできる、半導体集積回路のレイアウト装置を提供する。
【解決手段】色分けスタンダードセルデータに基づいて、前記複数のパターン部分のなかからセルの外周部に配置された外周パターン部分を識別し、前記外周パターン部分が他のパターンの形成に影響を与える範囲を示す制約エリアを設定し、前記制約エリアを前記各フォトマスクと対応付けて示す制約データを生成し、前記制約データを前記スタンダードセルと対応付けて前記セルライブラリに登録する、制約データ生成部と、セルライブラリを参照し、半導体チップ上に複数の前記スタンダードセルをレイアウトし、チップレイアウトデータを生成する、チップ配置設計部と、前記チップレイアウトデータ及び前記制約データを取得し、前記チップレイアウトデータにおいて、同一のフォトマスクにおいて前記制約エリアが重なるか否かを判定する、色分け隣接評価部と、前記制約エリアが重なった場合に、前記チップレイアウトデータを修正する、隣接配置修正部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高精度のレジストパターンを得るとともに、レジストへの電子線の描画時間を短縮する。
【解決手段】ナノインプリントモールドの製造方法は、基材１０１上に、凹凸パターンが形成されるパターン領域１０１Ａと非パターン領域１０１Ｂとを設定し、少なくとも前記非パターン領域１０１Ｂ上にポジ型レジスト１０２からなるポジ型レジスト層を形成して、該ポジ型レジスト層に露光、現像を行いポジ型レジストパターン１０３を形成した後、前記パターン領域１０１Ａ上にネガ型レジスト１０４からなるネガ型レジスト層を形成して、該ネガ型レジスト層に電子線により露光、現像を行いネガ型レジストパターン１０５を形成し、前記ネガ型レジストパターン１０５及び前記ポジ型レジストパターン１０３をエッチングマスクとして、前記基材をエッチングして前記凹凸パターン１０８を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精細なパターンの描画を高速に行う。
【解決手段】光ビーム照射装置２０に、複数のミラーを直交する二方向に配列した複数の空間的光変調器（ＤＭＤ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ）と、描画データに基づいて各空間的光変調器（ＤＭＤ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ）を駆動する駆動回路（ＤＭＤ駆動回路２７）と、各空間的光変調器（ＤＭＤ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ）により変調された光ビームを合成して照射する光学系とを設ける。複数の光源２１ａ，２１ｂ，２１ｃから発生した光ビームを光ビーム照射装置２０へ供給し、描画データを光ビーム照射装置２０の駆動回路（ＤＭＤ駆動回路２７）へ供給し、描画データに基づき、複数の光源２１ａ，２１ｂ，２１ｃから供給した光ビームを、複数の空間的光変調器（ＤＭＤ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ）により変調して、チャック１０に支持された基板１へ照射する。 （もっと読む）

【課題】十分に高精度なパターンの重ね合わせ（位置合わせ）を実現する。
【解決手段】パターンＰＡを非走査方向（Ｘ軸方向）に関して複数の部分パターンＰＡａ，ＰＡｂに分割し、部分パターンＰＡａ，ＰＡｂの像（部分像）のそれぞれについて像の形成状態を調整するとともに、部分像のうちの互いに隣接する部分像を繋ぎ合わせて、ウエハＷ上に形成する。この場合、パターン全体の像を一度の露光で物体上に形成する場合に比べて、複数の部分パターンの像それぞれの形成状態がより最適となるように調整できる。この結果、十分に高精度なパターンの重ね合わせ（位置合わせ）を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】近接配置される少なくと２つの微細ホールパターンを、ドライエッチング耐性が十分得られる膜厚に形成する。
【解決手段】光酸発生剤を含む第１レジストにスリット状開口部３ａを形成し、第１レジスト上に酸の作用により架橋反応を生じさせる架橋剤を含む第２レジストを形成し、第１レジストのスリット状開口部と交差する開口パターンを備えたマスクを介して露光することで、露光領域に酸を発生させ、第２レジストを架橋させ、架橋した第２レジスト５Ａによりスリット状開口部を少なくとも２つに分断する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】被露光基板に対してフォトマスクを介した露光を行った後、フォトマスクを例えば光軸を回転中心として所定角度に亘り回転させて再度露光を行う装置を提供する。
【解決手段】
感光性樹脂を塗布した被露光基板を保持する基板保持部１１と、パターン露光を行うためのフォトマスク１８を被露光基板２に対向させつつその上面側に微小間隔をあけて保持する平板状マスクホルダ１６と、平板状マスクホルダ１６の周縁が載置されるホルダ載置台１３とを備え、平板状マスクホルダ１６は、中央に形成された貫通孔３３にフォトマスク１８を嵌め込むことによりこれを周囲から保持可能とされ、ホルダ載置台１３上において光軸方向を回転中心として回転させることにより、その嵌め込まれたフォトマスクを被露光基板２に対して回転自在に構成している。 （もっと読む）