【課題】基板表面に形成されたレジスト膜の周縁部を短時間にて除去可能にすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】冷却プレート８１に保持された基板Ｗの表面の全面にはほぼ均一な厚さにてレジスト膜ＲＦが形成されている。フラッシュ照射部６０は、投光光学系６１を備えており、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を集光してレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみに一括照射する。フラッシュ光照射により周縁部ＲＦＥはガラス転移点Ｔｇ以上に加熱され、脱保護反応によって現像液に溶解可能となる。フラッシュ光照射によるレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であり、しかも周縁部ＲＦＥの全体に一括してフラッシュ光が照射されるため、その周縁部ＲＦＥを短時間にて除去可能とすることができる。 （もっと読む）

【課題】現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇに形成された感光膜を複数の大ブロックＢ１に分割し、前記大ブロックを複数の小ブロックＢ２に分割するステップと、前記大ブロック内の小ブロック毎に、段階的に異なる照射照度を設定するステップと、複数の発光素子Ｌに対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップと、前記感光膜を現像処理するステップと、前記小ブロック毎に、前記感光膜の残膜厚を測定し、前記小ブロックに設定された照度と残膜厚との相関データを得るステップと、前記相関データに基づき前記大ブロック毎に設定された感光膜の目標残膜厚から、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ加工技術を立体サンプルに拡張する際に、均一な光照射を
サンプル基板平面に施す露光方法では、レジスト膜厚の不均一と界面反射の問題に対処で
きないため、露光エネルギ密度が立体上に用意されるレジストに対して適切な値から外れ、
場所によるオーバードーズやアンダードーズからなる露光ムラや、反射光による異常パタ
ーンが生じる課題があった。
【解決手段】 液浸露光の液体に、光減衰の機能を加えることにより、立体サンプル上の
レジスト膜に到達する光強度を、立体の上部にも底部にも適正な値にでき、サンプル表面
上の全体に適正な露光強度分布を形成できるので、反射光による異常パターンの発生を確
実に低減できる。 （もっと読む）

【課題】マッピング情報を活用できる基板処理システムを提供する。
【解決手段】マッピング情報を活用できる基板処理システムは、複数枚のウエハを収納したポッドのキャリア識別子を認識する主制御部と、ウエハを搬送する動作制御部を主制御部からの指示に従って制御する搬送制御部と、ポッドのスロットにおけるウエハの有無を検知するマッピング装置と、を備えており、主制御部はキャリア識別子にマッピング装置の検知結果を含むマッピング情報を関連付けて蓄積してキャリア識別子−マッピング情報蓄積テーブル９１を作成する。テーブル９１に基づいて特定キャリア履歴ファイル９２を抽出することにより、マッピング情報を活用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されるチップサイズが小さくなっても、基準となる有効チップ領域の位置を目視、顕微鏡などにより認識することを容易とすること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィの工程において、縮小投影型露光装置を用いた基準露光工程において、有効基準チップ領域に隣接する無効基準チップ領域を含み、かつ有効チップ領域および有効基準チップ領域を含まない露光範囲で、チップ領域のパターンとは異なるレジストパターンを形成するように露光を行う。これにより、周辺露光装置における周辺領域の露光において、有効基準チップ領域に隣接した無効基準チップ領域、その他無効チップ領域が残存していても、形成されるパターンの違いから有効基準チップ領域の位置を目視、顕微鏡などによっても容易に認識することができる。 （もっと読む）

【課題】高ＮＡ化のための液浸露光において、操作の煩雑性、露光光通過過程での光学的性質のみだれが生じる可能性、液浸用液体と露光レンズとの相互作用等の問題があった。又Ｆ_２エキシマレーザー光に対する液浸用液体は、現在実用化されていない。
【解決手段】露光対物レンズ内面の使用露光光源の一部の光の露光を受ける最表面側の露光対物レンズ表面の反射光量の測定でもって、又露光を受ける最表面側の露光対物レンズ表面の汚れ付着防止のため、露光対物レンズと露光を受ける最表面間に気体を吹きこみ、そのことによって生じるウエハにかかる圧力で、露光対物レンズと露光を受ける最表面間の距離を計測し、露光対物レンズ表面と露光最表面間の距離を使用露光光の波長以下に保つ。 （もっと読む）

【課題】 投影光学系の球面収差を良好に補正することができ、ひいてはマスクのパターンを感光性基板上に正確に転写する。
【解決手段】 投影光学系（ＰＬ）を介してマスク（Ｍ）のパターンを感光性基板（Ｗ）に投影露光する露光装置は、光軸（ＡＸ）方向に移動可能にマスクを保持するマスクステージ（ＭＳ）と、投影光学系の光路中においてマスクの近傍の位置に配置されて光路中の気体とは異なる屈折率の媒質からなる媒質部を有し、この媒質部の光軸と平行な方向（Ｚ方向）に沿った光路長を変化させる光路長可変部材（１）と、投影光学系の高次球面収差を補正するために、光路長可変部材における媒質部の光路長の変化とマスクステージの光軸方向の移動とを連動させる制御部（ＣＲ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】磨耗量低減、汚染防止、アライメント精度向上、又は飛び出し防止の機能を備えた基板保持部材、基板搬送アーム及び基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置の基板搬送アームに取り付けられ、基板の周縁を載置して基板を保持する基板保持部材４であって、基板の裏面に当接して基板を保持する裏面保持部５と、基板の端面に当接する端面当接部６とを有する。端面当接部６は、Ｒ形状を有し、基板の端面に当接して基板のずれを規制するＲ形状部８と、Ｒ形状部８の上方側に設けられ、庇状に形成されたオーバーハング部８１とを含む。 （もっと読む）

【課題】 スタンパと被転写体との間に気泡が残存せず、スタンパの微細パターンを被転写体に正確に転写することができる微細構造転写方法及び微細構造転写装置を提供する。
【解決手段】 本発明の微細構造転写方法は、スタンパの一方の面側に形成された微細パターンを、被転写体の一方の面側に塗布されたレジスト層に押圧することにより前記微細パターンを前記レジスト層に転写することからなる微細構造転写方法において、前記スタンパを前記被転写体に押圧する前に、前記スタンパと前記被転写体との間の空間内雰囲気を前記レジストの蒸気で置換することを特徴とする。本発明の微細構造転写装置は、少なくとも、スタンパと、レジスト層が塗布された被転写体を載置するためのステージとを有する微細構造転写装置において、前記レジスト層を加熱し、蒸発させるための装置を有するか、又は前記スタンパと前記被転写体との間の空間内に前記レジストの蒸気を供給する装置を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光部の面積が光透過部の面積よりも大きいパターンを露光するような場合に、感光材料の現像後に得られるパターンの精度を向上する。
【解決手段】フォトレジストが塗布され、マスクＭのパターンを介して露光されるウエハＷを処理する処理装置３２であって、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、ウエハステージＷＳＴで保持されたウエハＷのフォトレジストの現像液に対する撥液性を低下させるために、ウエハＷの全面を露光用の照明光ＩＬで照明する調整用露光光学系３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板が露光光に対する透過性を必要とせず、露光光源を内蔵し、インプリントモールドと樹脂パターンとの剥離性に優れ、繰り返し光インプリント法を行っても剥離性が低下することのないインプリントモールド及びその製造方法並びに光インプリント法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成された発光層と、発光層上に形成された上部電極と、上部電極上に形成された保護層と、保護層上に発光層から放射される発光波長を透過しない材料で形成され、凹凸部を有する遮光パターン部と、を備えることを特徴とするインプリントモールド。 （もっと読む）

【課題】導管を備える流体ハンドリング構造が提供される。
【解決手段】導管は流体を（ｉ）投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間、及び／又は（ｉｉ）空間から半径方向外側に基板及び／又は基板テーブルの上面に供給するように構成されている。流体は、第１相流体と第２相流体とを含む。導管は第１相流体を通過させる第１相流体の開口と第２相流体を通過させる第２相流体の開口との少なくとも２つの開口を備える。また、このような導管を備えるテーブルとリソグラフィ装置並びに導管を使用する方法が開示される。 （もっと読む）

【解決手段】 高スループット且つ低コストのサブミクロン３Ｄ構造製品を製造するための３Ｄ鋳型を製造するプロセスが開示される。このプロセスは、２光子レーザリソグラフィと３Ｄ書き込み技術との使用を統合して、３Ｄ構造製品の各層の３Ｄ鋳型を作り、次に、ナノインプリントを使用して、その層の上記３Ｄ鋳型から３Ｄ構造の各層のポリマー薄膜シートを形成する。次に、ポリマー薄膜シートの各層は、サブミクロン３Ｄ構造製品に製造される。高スループット且つ低コストのサブミクロン３Ｄ構造製品の各層の３Ｄ鋳型がさらに使用されて、マスタ鋳型が作られ、次に、マスタ鋳型を使用して、３Ｄ構造の各層のポリマー薄膜シートが形成されて、サブミクロン３Ｄ構造製品が製造される。このプロセスを使用する適用例も開示される。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜の有効面積を向上させつつ、露光処理後に基板の周縁部上のレジスト膜を完全に除去する。
【解決手段】ウェハ上にレジスト液を塗布し、ウェハの全面にレジスト膜を形成する（工程Ｓ１）。その後、プリベーク処理を行った後（工程Ｓ２）、ウェハ上のレジスト膜を露光処理する（工程Ｓ３）。その後、ウェハの周縁部上のレジスト膜に溶剤を供給し、この周縁部上のレジスト膜を除去する（工程Ｓ４）。その後、露光後ベーク処理を行った後（工程Ｓ５）、ウェハ上のレジスト膜を現像する（工程Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】光学系の特性を適正に維持する。
【解決手段】射出口に１つの光学素子を有するハウジングと、光源の近傍に配置され光源の光量を測定する第１光量センサ４１と、基板の周辺で光学素子を経由した光量を測定する第２光量センサ４５と、ハウジング外の温度及び湿度を測定する周囲温湿度センサ（ＭＴ１）と、ハウジング内の温度及び湿度を測定する内部温湿度センサ（ＭＴ２，ＭＴ３）と、ハウジング内の空調を行う空調部５０と、第１光量センサに基づいて光源の寿命期間を判定する第１判定部９７と、光源が寿命期間内であった場合に第１判定部が第２光量センサに基づいて光学素子の特性の良否を判定する第２判定部９８と、周囲温湿度センサ及び内部温湿度センサに基づいて空調部の設定変更が必要か否かを判定する第３判定部９９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ナノスコーピックチップを用いてインクが基板に移される高解像直接パターニング技術の改良。
【解決手段】 本発明は、ディップペン・ナノリソグラフィを用いて、ブロックコポリマーおよび無機前駆体を有する溶液を基板上に付着させる段階を含む、基板上に有機／無機複合ナノ構造を製造する方法を含む。ナノ構造は、1ミクロン未満の幅／直径を有するラインおよび／またはドットのアレイを含む。本発明は、高さ以外のナノスケール直径を有する無機／有機複合ナノスケール領域を含む装置を含む。 （もっと読む）

【課題】露光する光の波長の長さに関わらず、例えば可視光波長であったとしても、ナノメートル（好ましくは、シングルナノメートル）の加工分解能を実現するフォトリソグラフィ技術を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板に２以上のナノ金属微粒子が配置されたプラズモン共鳴を生じる金属構造体であって、前記ナノ金属微粒子同士のギャップが３０ｎｍ以下である、金属構造体を準備するステップ；基板表面に成膜された、波長Ｘの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ；前記金属構造体をマスクとして、前記フォトレジスト膜に、前記波長Ｘよりも長い波長Ｙの光を露光するステップを含む、３０ｎｍ以下のナノパターンを含むフォトレジスパターンを作製する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の縁の膜質が縁以外の膜質と同じ状態で液浸露光できると共に、レジスト膜の縁を効果的に除去できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、被加工膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をベークし、レジスト膜を液侵露光し、レジスト膜をポストエクスポージャベークし、レジスト膜を現像し、ポストエクスポージャベークした後にレジスト膜の縁を除去することを特徴とする。また、基板処理装置は、被加工膜上に形成されたレジスト膜の縁を周辺露光する周辺露光装置と、周辺露光するのと同時に、または周辺露光した後であって現像する前に、レジスト膜の縁を加熱する加熱装置と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容器洗浄に要する時間を短縮し、容器洗浄終了後、通常の基板の処理再開時に、フォトレジスト膜の膜厚の変動を抑えることのできる基板処理装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】容器と、容器内で基板を保持し回転させる基板回転機構と、基板回転機構に保持された基板上に処理液を供給する処理液供給機構と、処理液が付着した容器を洗浄する容器洗浄を行う際に、容器洗浄に用いる容器洗浄基板９４を基板回転機構上に供給する基板供給機構と、容器洗浄基板９４を常温に制御するための基板温度制御機構９３とを備えることを特徴とする基板処理装置において、基板温度制御機構９３は、容器洗浄基板９４を常温に制御するための第１の基板温度制御機構９５と、容器洗浄基板９４を基板回転機構上に供給する直前に容器洗浄基板９４を常温より低い温度に制御するための第２の基板温度制御機構９６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣接するショット間におけるパターン同士を精度良くつなぐことが可能となるナノインプリント方法等を提供する。
【解決手段】ナノインプリント方法であって、基板１０２上に、１回目のナノインプリントが行われる領域に樹脂との親和性が高い第１のパターニング領域１０６を形成する工程と、２回目のナノインプリントが行われる領域に樹脂との親和性が低い第２のパターニング領域１０７を形成する工程と、前記第１のパターニング領域に樹脂を塗布し、ナノインプリントによりモールド３０１のパターンを前記樹脂に転写する工程と、前記第２のパターニング領域を樹脂との親和性が高い領域に改質した後、該改質した領域に樹脂を塗布し、ナノインプリントにより前記第１のパターニング領域及び第２のパターニング領域に形成されたパターン同士をつないで加工する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）