【課題】対象物に対するパターンの描画位置を高い精度でコントロールできる技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、光学ヘッド部から、光学ヘッド部に対して相対的に移動する対象物（例えば、基板）に対して光を照射して、基板Ｗにパターンを描画する。ここで、光学ヘッド部が、光源からの光を、パターンデータに基づいて空間変調する空間変調ユニット４４と、空間変調ユニット４４において空間変調された光の経路を、空間変調ユニット４４の空間変調の単位（具体的には、例えば、空間光変調素子４４１１の画素単位）よりも細かい精度でシフトさせる光路補正部４５とを備える。 （もっと読む）

【課題】透明導電部をパターン状に形成し、これに対応するようにパターン状の機能層を積層する際に、精度良くアライメントすることが可能なアライメントマーク付き基板を提供する。
【解決手段】基板１１と、上記基板１１上に形成され、表面に凹部状に形成されたアライメント用凹部１３を有するアライメントマーク層１２と、を有することを特徴とするアライメントマーク基板１０で、アライメントマーク層１２上に透明電極または透明半導体等の透明導電部２１を形成し、さらに透明導電部２１上に機能層２２を形成する際に、アライメント用凹部１３を基準とすることにより上記透明導電部２１が透明なものであっても正確にアライメントすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板に局所的でない歪が発生している場合でも、基板の広い領域の歪みの傾向をとらえて的確にその変位を算出できる変位算出方法、描画装置を提供する。
【解決手段】 アライメントマークＭ１１〜Ｍ１４、Ｍ２１〜Ｍ２４、Ｍ３１〜Ｍ３４、Ｍ４１〜Ｍ４４、の各位置におけるＸ方向のずれ量ΔＸを算出し、そのずれ量から第１スプライン曲線ＳＬ１を描き、評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＸ位置（Ｘ＝ｘｅ）における補正値ΔＸ１〜ΔＸ４を算出する。ΔＸ１〜ΔＸ４から第１副スプライン曲線ＳＬ１Ｓを描き評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＹ位置（Ｘ＝ｙｅ）における補正値ΔＸｅを算出し、Ｘ方向の補正量とする。Ｙ方向の補正量も同様に算出する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、モールドの製造に複雑な工程を要することなく、モールド材と同じ材料からなるアライメントマークを直接光学的に識別することを可能とし、高いアライメント精度で位置合わせすることができるインプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ステップアンドリピート方式のインプリントにおいて、モールド側アライメントマークを、モールドの転写領域と同一面上であって、溝構造を隔てた位置に形成し、インプリントしようとしている被転写領域内の基板側アライメントマークではなく、前記被転写領域に対して上下、左右、対角に接する被転写領域内の基板側アライメントマークとアライメントすることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行う。
【解決手段】複数の半導体素子パターン１２と、半導体素子パターン１２から、複数の半導体素子パターン１２のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３とを有するレチクル１１を用いて、半導体基板上のフォト・レジストに露光し、識別用パターン１３の転写パターンを用いて、特定半導体素子パターン１２Ａの転写パターンの検査を行う。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの配置制約を緩和し、アライメントマークを容易に配置しうるとともに、製品チップの収率低下を抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたアライメントマーク上に、前記アライメントマークのマーク機能領域内にパターンのエッジを有し、前記アライメントマークが露光装置の画像検出器により前記アライメントマークとして認識されるのを阻害する阻害パターンを配置する。 （もっと読む）

【課題】基板上の正確な露光位置を容易に計測できる露光位置計測方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷＡの裏面側でウエハＷＡのｘ軸方向の直径上に並ぶよう形成された裏面マークＰｘおよびウエハＷＡの裏面側でウエハＷＡのｙ軸方向の直径上に並ぶよう形成された裏面マークＰｙを、ウエハＷＡの裏面側から検出する検出ステップと、裏面マークＰｘ，Ｐｙの検出結果に基づいてウエハＷＡ上の露光位置の座標を算出する座標算出ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】除振対象である吊下げ対象物のアライメントが当初からずれても、そのずれを解消できる物体吊下げ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一端側が鏡筒フレーム３１に繋がれ、他端側が連結位置で投影光学系鏡筒３０に繋がれる３本のワイヤ３２と、３本のワイヤ３２の各々の連結位置を、投影光学系鏡筒３０に対して、水平方向と鉛直方向に独立して変位させるアライメント調整機構３３と、を備える。このアライメント調整機構３３は、３本のワイヤ３２の各々の連結位置を、投影光学系鏡筒３０に対して、水平方向に変位させる水平方向調整部５０と、鉛直方向に変位させる鉛直方向調整部６０と、を備える。そして、水平方向調整部５０が連結位置を水平方向に変位させるのに伴って鉛直方向調整部６０が水平方向に変位し、鉛直方向調整部６０が連結位置を鉛直方向に変位させるのに伴って水平方向調整部５０が鉛直方向に変位する。 （もっと読む）

【課題】詳細かつ正確な検査用マークの測定を容易に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５が形成され、第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５は、第１および第２の重ね合わせ検査マークを識別するための補助マーク１８を含む。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板の配線パターンを露光パターンに変換する場合に、より高精度な露光を可能にすること。
【解決手段】 基準アライメントマークＡ１〜Ａ９が格子状に配置されているプリント基板１を露光する場合は、４個の基準アライメントマークで構成される最小の格子を１個の補正領域Ｈ１〜Ｈ４として定め、指定された設計配線パターンを基本図形で構成される第１の配線パターンに分割し、第１の配線パターンのうちで隣接する２つの補正領域に跨るものがある場合は、当該第１の配線パターンをそれぞれの補正領域の境界線上で分割して第２の配線パターンとし、基準アライメントマークＡ１〜Ａ９の設計上の座標値と、計測したアライメントマークＡｈ１〜Ａｈ９の実際の座標値とから、補正領域毎に補正係数を生成して第３の配線パターンを生成し、第３の配線パターンをラスタデータである第１の露光パターンに変換して露光パターンを生成し、プリント基板１を露光する。 （もっと読む）

【課題】
例えば、ステージの移動中のアライメント計測が可能でスループットの点で有利な露光装置を提供する。
【解決手段】
基板（３６）を保持して移動するステージ（３０）と、前記ステージ（３０）上のマーク（６１）の像を検出するラインセンサ（６０ａ，６０ｂ）と、前記ラインセンサ（６０ａ，６０ｂ）の長手方向と直交する方向に前記ステージ（３０）を移動させながら前記ラインセンサ（６０ａ，６０ｂ）により前記像を検出するように前記ステージ（３０）および前記ラインセンサ（６０ａ，６０ｂ）を制御し、前記ラインセンサ（６０ａ，６０ｂ）の出力に基づいて、前記ステージ（３０）上の前記マーク（６１）の位置を算出する処理部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングシステムにおけるアライメント欠陥を克服するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】ダブルパターニングプロセスを使用して半導体ウェーハが位置合わせされる。第１の光学特性を有する第１のレジスト層が堆積され、かつ、少なくとも１つのアライメントマークが形成される。第１のレジスト層が現像される。第１のレジスト層の上に第２の光学特性を有する第２のレジスト層が堆積される。第１および第２のレジスト層ならびにアライメントマークの組合せは、アライメントマークに入射する所定の波長の放射によって、第１および第２の光学特性の関数としての第１の次数またはより高い次数の回折が生成される特性を有している。 （もっと読む）

【課題】パターンの描画を精度よく、かつ、効率よく行う。
【解決手段】パターン描画装置１は、描画ヘッド４１を支持するヘッド支持部１２と、アライメントカメラ５１，５２を支持するカメラ支持部１３，１４との間の主走査方向の距離の変動を取得する測定部７１を備える。複数の基板９に対するパターンの描画の際には、描画ヘッド４１およびアライメントカメラ５１，５２の間の主走査方向における距離としてパターン描画時に参照される参照距離が準備され、各基板９に対するパターン描画時に、測定部７１により、ヘッド支持部１２およびカメラ支持部１３，１４の間の主走査方向における距離の変動が、描画ヘッド４１およびアライメントカメラ５１，５２の間の主走査方向における距離の変動として取得され、測定部７１からの出力に従って参照距離が初期値から更新される。これにより、パターンの描画を精度よく、かつ、効率よく行うことが実現される。 （もっと読む）

【課題】第１面の回路パターンに合わせて第２面にパターンを露光する場合半導体基板が８００ｎｍより厚くなっても第２面側からアライメントマークを検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板１０の第１面Ｓ１に第１及び第２アライメントマーク用溝を形成して半導体基板と異なる材料で埋め込んで第１及び第２アライメントマーク１２，１３を形成し、第１アライメントマークにより位置合わせして半導体基板の第１面に第１素子を形成し、半導体基板の第１面に支持基板４０を貼り合わせ、支持基板と半導体基板の貼り合わせ体を所定の軸で反転させ、少なくとも半導体基板の第２面Ｓ２側からアライメント光を照射したときに得られる反射光によって第２アライメントマークの位置を検出できる膜厚となるまで半導体基板の第２面側から半導体基板を薄膜化し、第２アライメントマークにより位置合わせして半導体基板の第２面に第２素子（１５）を形成する。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ補正時に生じる極めて微小な誤差を明確化し、この誤差を修正したより正確な重ね合わせ補正を可能として、半導体装置に対する更なる微細化及び高集積化の要請に十分に応え、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】回転シフトの補正時に微小な並進シフトが生じることを見出し、この並進シフト成分を加味して回転シフトの補正を行う。即ち、縮小投影露光法を用いて半導体基板２１上の転写パターンへレチクル２０上のマスクパターンの投影像を重ね合わせる際に、半導体基板上の転写パターンにおける露光ショット領域の並進シフトの測定値に応じて、露光ショット領域の回転シフトを補正する。 （もっと読む）

【課題】露光装置のチャンバーの内部と外部との間に温度差が存在する場合においても、より正確に投影光学系の投影倍率を補正する。
【解決手段】露光装置は、チャンバーの内部で原版のパターンを投影光学系によって基板に投影し該基板を露光する。露光装置は、前記原版の変形量を求めるための計測を行う計測部と、前記チャンバーの内部の温度における前記原版の形状を基準とする前記原版の変形量と前記原版が露光光を受ける時間との関係を示す情報と、前記チャンバーに搬入され露光に使用される前の状態において前記計測部が計測を行うことによって得られた計測値に基づいて決定される前記原版の露光前の変形量と、前記原版が露光光を受ける時間とに基づいて、前記原版の予測変形量を演算し、前記予測変形量を補正するように前記投影光学系の投影倍率を補正する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】１つの露光マスクを用いてダブルパターニングによる微細なパターンを高精度で形成することができ、かつ、合わせずれの検出を行うことのできる露光用マスク及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された複数のブロックが、少なくとも１方向に沿って所定のブロック間隔を設けて配列され、かつ、前記パターンが所定ピッチで同一のパターンが繰り返し形成されたものからなる露光用マスクであって、第１合わせ検査マークと、当該第１合わせ検査マークから前記ブロックの配列方向に沿って、前記ブロック間隔１つ分の距離に応じた距離ずれた位置に設けられた第２合わせ検査マークとを具備する。 （もっと読む）

【目的】下層工程をスキャナ型の露光装置で行い、上層工程を一括型露光装置で行うハイブリッド処理において、ショット形状歪みの直交成分や面内方向の倍率差を補正することが可能であり、重ね合わせ精度の高いアライメント方法を提供する。
【解決手段】レチクルの回路パターンの周囲の、走査露光によって二重露光される領域内であって回路パターンに関して互いに対応する位置に、各々が第１及び第２のマークからなる複数のマーク対を設け、上記レチクルを用いて第１露光工程を行い、形成された複数のマーク対から線形歪みを算出して記憶する予備的ステップと、上記レチクルを用い、当該記憶された上記線形歪みに応じて、上記走査露光における露光ショットの線形度を変化させて上記第１露光工程を実行する第１露光ステップと、上記第２露光工程を実行する第２露光ステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】不均一なレチクル加熱を補正する方法があること。
【解決手段】方法は、放射ビームを調節すること、パターン付き放射ビームを形成するためにパターン像領域及びレチクルマークを有するレチクルによって放射ビームにパターンを与えること、及び、投影システムによってパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することを含む。方法は、レチクルの空間像を生成するために放射ビームでレチクルマークを照明すること、イメージセンサに空間像を投影すること、イメージセンサからイメージデータを収集すること、イメージデータから空間像の位置パラメータを取得すること、及び、投影システムの倍率設定の推定補正値によって、照明に誘発されたレチクルの熱膨張を補償することにより空間像の必要な位置からの位置パラメータの任意の偏差を補正することをさらに含み、推定補正値は、レチクルの時間熱膨張の予測から計算される。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置のステージ位置を較正する較正方法提供する。
【解決手段】概ね第一方向に延在する少なくとも１本の線によって形成された延在パターンの特性を検出する検出方法。延在パターンは、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴ上に形成され、好ましくは線の幅の少なくとも５０倍の長さにわたって延在する。延在パターンは焦点感応性である。検出方法は、基板テーブルＷＴを第一方向に移動させ、その第一方向に沿って延在パターンの特性を測定することを含む。特性は、第一方向に対して直角の第二方向における延在パターンの物理的特性の結果であることがある。次のステップでは、延在パターンの測定位置から基板テーブル位置の較正を導出することができる。 （もっと読む）