【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。続いて、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 （もっと読む）

【課題】現像処理後の基板を確実に乾燥させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】リンス液によって基板Ｗの上の現像液が洗い流された後、基板Ｗの回転速度が低下し、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。その後、基板Ｗの回転速度が上昇する。基板Ｗの回転速度の上昇により、遠心力が張力よりもやや大きくなることにより、液層Ｌは、周縁部の厚みが厚くなるとともに中心部の厚みが薄くなった状態で基板Ｗ上に保持される。続いて、ガス供給ノズル７５から液層Ｌの中心部に向けてガスが吐出され、液層Ｌの中心部にホールＨが形成される。それにより、液層Ｌの周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が消滅する。また、ガスの吐出とともに基板Ｗの回転速度がさらに上昇する。それにより、液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】基板を現像するにあたり、レジストパターンの形状のばらつきや現像欠陥を抑えることができる現像方法及び現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板の中心部に現像液の濡れ性を高めるために現像能力の無い表面処理液を供給する工程と、前記基板を鉛直軸周りに回転させて、遠心力によりこの表面処理液を基板の周縁部へ展伸させて基板表面に表面処理液の液膜を形成する第１のプリウエット工程と、前記液膜の形成後、基板を鉛直軸回りに回転させながら、基板の中心部に現像液を供給し、遠心力によりこの現像液を基板の周縁部へ展伸させて基板表面に現像液の液膜を形成する第２のプリウエット工程と、行うことでその後に供給される現像液を基板全体に行き渡らせる。 （もっと読む）

【課題】基板処理におけるスループットを十分に向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７では、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。現像処理ブロック１３は、現像処理部６０ａ，６０ｂおよび第５のセンターロボットＣＲ５を含み、現像処理部６０ａ，６０ｂは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向して設けられる。 （もっと読む）

【課題】既存の基板処理システムに新たに作成された処理レシピが対応できるか否かを判断し、できる限り既存の基板処理ユニットの処理部を活用できるようにすること。
【解決手段】被処理基板に処理を施す処理ユニットにおける処理部の駆動手段の駆動制御、処理液供給ノズルからの処理液の吐出及び処理液供給手段の動作等を制御する処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成手段１００と、処理レシピに従って駆動手段、処理液供給ノズルの移動機構及び処理液供給手段の駆動制御を行うコントローラと、レシピ作成手段で作成された処理レシピを構成する処理パラメータとは別に作成された処理パラメータを有する処理レシピを格納するＵＳＢキー２００と、を具備し、ＵＳＢキーに格納された処理パラメータとレシピ作成手段で作成される処理レシピとを比較し、ＵＳＢキーに格納された処理レシピが実行可能か否かの判断を行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板の周囲の雰囲気が当該基板の周縁部に巻き込まれることを抑制することができる基板処理装置、基板乾燥方法および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に薬液処理が行われた後、遮断板４の対向面１４がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に近接された状態で、ＤＩＷによるリンス処理がウエハＷの表面に行われる（図４（ｂ）参照）。このとき、ウエハＷの表面の周縁部には、対向面１４からウエハＷ側に突出するように遮断板４の周縁部に取り付けられたスポンジ部材２６の先端縁が対向しており、ウエハＷと遮断板４との間の空間にその周囲の雰囲気が巻き込まれることが抑制されている。リンス処理が行われた後は、前記空間が窒素ガス雰囲気に維持されたまま、所定の高回転速度でウエハＷが回転されて当該ウエハＷが乾燥する（図４（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ法にてパターンを形成する製造ラインにて、２種の現像液を切替えず、切替え操作のロスをなくし、また、品質への悪影響のない、ネガ型現像装置とポジ型現像装置を並列した現像装置を提供する。
【解決手段】１）現像装置がネガ型現像装置６０Ｎとポジ型現像装置６０Ｐで構成され、２）露光装置からネガ型現像装置或いはポジ型現像装置へ基板を移載する振り分け移載機構Ｒ１、３）ネガ型現像装置或いはポジ型現像装置からポストベーク装置へ基板を移載する振り戻し移載機構、４）振り分け移載機構及び振り戻し移載機構Ｒ２を制御する制御機構を具備する。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】基板処理装置５００は、インターフェースブロック１５を備える。インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。インターフェースブロック１５は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を含む。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われ、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】第１に、基板の接触角が大きいことに起因する現像欠陥の発生を防止することができる現像装置および現像方法を提供することを目的とする。また、第２に、基板に現像処理を行う時間を短縮することができる現像装置および現像方法を提供する。
【解決手段】 現像液とリンス液と窒素ガスとを吐出する一体ノズル１１を、平面視で基板Ｗの回転中心Ｃ付近に配置する。制御部５１は、電磁開閉弁２５、３３ａ、３３ｂ、３９を操作することで、現像過程では基板を回転させつつ現像液の供給を継続し、リンス過程では現像液の供給を終了した直後にリンス液の供給を開始して、現像過程の期間を短縮する。また、リンス過程が終了した直後に窒素ガスの供給を開始して乾燥過程に移行する。これにより、基板Ｗの基板の接触角が大きくても、リンス液の粒が発生することを抑制して現像欠陥を防止する。 （もっと読む）

【課題】 処理レシピ実行プログラムの完成度を速やかに向上させることのできる基板処理システム、基板処理方法、検証プログラム、及び検証プログラムを記録した記録媒体を提供する。
【解決手段】 コンピュータ５０と、処理レシピデータ１５を記録した記憶手段５１と、前記記憶手段５１に記録され、前記コンピュータ５０に、前記処理レシピデータ１５に従い基板処理装置１を動作させるレシピ実行プログラム１６と、前記記憶手段５１に記録され、前記コンピュータ５０に、前記レシピ実行プログラム１６の前記基板処理装置１への動作命令をログデータとして出力させるログ出力プログラム１９と、前記記憶手段５１に記録され、前記コンピュータ５０に、前記ログ出力プログラム１９により出力されたログデータと前記処理レシピデータ１５に記載の処理内容とを比較させる比較チェックプログラム１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 複数のユニットを備えた基板の処理システムにおいて，多様な基板の処理レシピに柔軟に対応し，基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減する。
【解決手段】 第１のブロックと第３のブロックには，複数の熱処理ユニットが積層され，上下の熱処理ユニットは組になって一体化されている。第２のブロックには，複数の液処理ユニットが水平方向に配列されている。第１と第３のブロックの熱処理ユニットには，搬送装置が設けられている。各組の双方の熱処理ユニットは上下動自在であり，同じ熱処理ユニットとの間でウェハＷを授受できる。第２のブロックの液処理ユニットは水平方向に移動自在であり，隣り合う２つの液処理ユニットは同じ熱処理ユニットとの間でウェハＷを授受できる。第１と第３のブロックの熱処理ユニットと第２のブロックの液処理ユニットが相対的に移動して，ブロック間でウェハＷを搬送できる。 （もっと読む）

【課題】 複数のユニットを備えた基板の処理システムにおいて，多様な基板の処理経路に柔軟に対応し，基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減する。
【解決手段】 処理ステーション３の第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３には，上下動自在な複数の熱処理ユニットが積層される。第２のブロックＢ２には，水平方向に移動自在な複数の液処理ユニットが水平方向に配列される。第１と第３のブロックの熱処理ユニットには，第２のブロックＢ２の液処理ユニットにウェハＷを搬送する搬送装置が設けられる。第１のブロックＢ１の熱処理ユニットと第２のブロックＢ２の液処理ユニットが相対的に移動して，第１のブロックＢ１のウェハＷが第２のブロックＢ２に搬送され，第２のブロックＢ２の液処理ユニットと第３のブロックＢ３の熱処理ユニットが相対的に移動して，第２のブロックＢ２のウェハＷが第３のブロックＢ３に搬送される。 （もっと読む）

【課題】 複数のユニットを備えた基板の処理システムにおいて，多様な基板の処理レシピに柔軟に対応し，基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減する。
【解決手段】 処理ステーション３の第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３には，複数の熱処理ユニットが積層される。第２のブロックＢ２には，複数の液処理ユニットが水平方向に配列される。第１と第３のブロックの熱処理ユニットには，第２のブロックＢ２の液処理ユニットにウェハＷを搬送する搬送装置が設けられる。第１及び第３のブロックの熱処理ユニットは上下動自在であり，第２のブロックＢ２の液処理ユニットは水平方向に移動自在である。第１及び第３のブロックと第２のブロックＢ２との間でウェハＷを搬送する際には，第１及び第３のブロックのユニットと第２のブロックＢ２のユニットが相対的に移動し，搬送装置によってウェハＷが搬送される。 （もっと読む）

【課題】異なる並行処理部を通る基板間の処理結果のバラツキを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板をインデクサブロックから払い出す前にモードの選択が行われる。ここで「処理順番優先モード」が選択された場合には、基板払い出し前に当該基板の搬送系路の設定が行われる（ステップＳ２）。搬送系路の設定は、各並行処理を行う複数の並行処理部のうちのいずれに処理対象となる基板を搬送するかを決定することによって実行される。次に、設定された搬送系路に基づいて、その搬送系路に含まれる各基板処理部に設定されている処理条件の調整が行われる（ステップＳ３）。その後、未処理の基板が払い出され（ステップＳ４）、設定された搬送系路に沿って搬送されて処理される（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】スループットの良好な基板処理システムを提供することを目的とする。
【解決手段】基板処理システム２においては、塗布モジュール１０ａ、露光装置２０ａ、現像モジュール３０、露光装置２０ｂ、塗布モジュール１０ｂが順に並んで配置されている。レジスト塗布、露光、現像といった一連の基板処理を行う際に、塗布モジュール１０ａから露光装置２０ａを経て現像モジュール３０への搬送方向および塗布モジュール１０ｂから露光装置２０ｂを経て現像モジュール３０への搬送方向の２通りの一方通行搬送が行われる。塗布モジュール１０ａと露光装置２０ａの間の基板の搬送と、露光装置２０ａと現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがなく、同様に、塗布モジュール１０ｂと露光装置２０ｂの間の基板の搬送と、露光装置２０ｂと現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがないため、スループットが向上する。 （もっと読む）

【課題】裏面異物を低減し、ウェハに対する載置台からの異物転写の少ない、プラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料台２の基板１外周部に対応する位置に表面が滑らかな環状の漏洩防止面３を設け、さらに前記基板外周部に対応する位置と該基板の中心に対応する位置の間に、該基板との接触保持部２０を複数個設け、前記環状の漏洩防止面及び接触保持部と基板裏面とを接触させて係止する静電吸着手段を設けた。基板１は環状の漏洩防止面３及びその内側に位置する接触保持部２０により冷却面と接する。しかし、残りの大部分の領域において、基板裏面と冷却面が接触していない。 （もっと読む）

【課題】 カセットステーションとプロセスステーションとの間で搬送機構を介して基板のやりとりを行うシステムにおいてタクトタイムの大幅な改善を実現する。
【解決手段】 搬入ユニット（ＩＮ）１２０および洗浄プロセス部２５には、棒状のコロ１６０を所定のピッチで配置してなる第１の搬送路１６２が敷設されている。搬入ユニット（ＩＮ）１２０には、搬送ユニット２０の搬送機構２２から一度に２枚の基板Ｇ_i，Ｇ_i+1を水平状態で同時に受け取って一時的に支持する一時支持部１６８と、この一時支持部１６８から基板Ｇ_i，Ｇ_i+1を順番に１枚ずつ搬送路１６２上の所定位置にローディングする移載機構１７０とが設けられている。 （もっと読む）

スピン塗布によりレジストの被膜を形成する場合、無駄となってしまうレジスト材料が存在し、さらに、必要に応じて端面洗浄の工程が増えてしまう。また、真空装置を用いて、基板上に薄膜を成膜する際には、チャンバー内を真空にする特別な装置や設備が必要で、製造コストが高くなってしまう。本発明は、絶縁表面を有する基板上に、ＣＶＤ法、蒸着法又はスパッタ法により選択的に導電層を形成するステップと、前記導電層に接するように、組成物を吐出してレジストマスクを形成するステップと、前記レジストマスクを用いて、大気圧又は大気圧近傍下で、プラズマ発生手段により前記導電層をエッチングするステップと、大気圧又は大気圧近傍下で、前記プラズマ発生手段により前記レジストマスクをアッシングするステップを有することを特徴とする。上記特徴により、材料の利用効率を向上させて、製造コストの低減を実現する。
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