【課題】スプレノズルの先端部付近に残留した薬液の被処理膜上への滴下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スプレノズル２０と、スプレノズル２０を支持部材１２に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構２１と、基材Ｗを回転させる回転駆動部１４とを備える。ノズル移動機構２１は、待機位置よりも上方の第１の上方位置から第２の上方位置まで基材Ｗに近づく方向へ水平移動させ、第２の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構２１は、ウエハＷ上の吐出位置にスプレノズル２０を水平移動させる。 （もっと読む）

【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板１に対する処理を行う処理装置１において、被処理基板Ｗを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部２、３には、被処理基板Ｗの側周面を規制する規制部材５２と、回動軸５１３周りに回動自在であり、被処理基板Ｗを規制部材５２側に押し付けて保持する可動部材５１と、当該可動部材５１を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸５１３には、被処理基板Ｗの中央部寄りの位置側に回動軸５１３を付勢する付勢力が付与され、ガイド部５１７に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Ｗを保持する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの現像工程において、半導体ウエハの裏面への汚れの付着を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ（半導体ウエハ）の表面に塗布されたフォトレジストを現像した後（ステップＳ１１）、ウエハが回転している状態で、フォトレジストに第１のリンス液を吐出しながら、ウエハの裏面に第２のリンス液を吐出することにより、フォトレジストとウエハの裏面とを洗浄する（ステップＳ１２、Ｓ１３）。その後、ウエハが回転している状態で、第１のリンス液の吐出と第２のリンス液の吐出とを停止させて（ステップＳ１４、Ｓ１５）ウエハを乾燥させた後、ウエハの回転加速度を制御しながら、ウエハの回転を減速して停止させる（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】基板裏面に付着したゴミに起因する露光時のミスアライメントを防止し、基板処理面から発生した溶解生成物などや汚れが基板裏面を汚染することを防止する。
【解決手段】基板Ｇを回転可能に保持する回転基台２と、回転基台と共に回転可能で、回転基台に保持された基板の外周部を囲み、基板の表面上から連続する液膜を形成するための助走ステージ３と、基板と一定の隙間を有して対向する平面を有する平面部４と、基板の表面に沿って移動して、基板に対する現像液の供給と吸引を同時に行うノズルヘッド５とを設ける。平面部は、基板裏面と一定の隙間を有して保持され、隙間に液体を供給する複数の液体供給孔４０と、複数の液体供給孔の間に挟まれるように設けられ、液体を吸引排出するための吸引排出孔４１とを備える。液体供給孔及び吸引排出孔に接続される管路４２ａ，４２ｂに介設される流路開閉バルブＶ１，Ｖ２を制御部６５により開閉制御する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】基板載置部を備えた基板保持部材に基板を載置して吸着保持するにあたって、基板との摺動による基板載置部の劣化を抑えることのできる基板保持部材を提供すること。また、基板載置部上の基板の表面に対して上方側から処理液を供給して液処理を行う場合には、処理液による基板載置部の劣化を抑えること。
【解決手段】テーブル１１を構成する樹脂内にその端部がテーブル１１の表面から外側に突き出るように成形されたカーボンファイバー２４が埋設されるように、少なくともウェハＷを吸着保持する保持面を覆うようにダイヤモンドライクカーボン膜２５を成膜する。また、テーブル１１上に吸着保持したウェハＷの表面に処理液を供給して液処理を行う場合には、ウェハＷの表面と連通するテーブル１１の側周面及び裏面にフッ素を含むダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の溶解生成物を好適に除去することができる基板処理装置および現像処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転可能に保持する保持部１１と、現像液に気泡が混合された気泡含有現像液を基板に供給する第１現像液ノズル１３と、前記第１現像液ノズル１３によって基板Wに気泡含有現像液を供給させて基板Wを現像させる制御部１９と、を備える。気泡含有現像液に混在している気泡は、その界面エネルギーによってレジスト膜の溶解生成物を移動させることができる。このため、気泡含有現像液を基板に供給することで、レジスト膜を溶解しつつ、溶解した溶解生成物を基板から好適に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法に関し、特にウェハを保持する保持部材に溝を設けることにより、処理液の液溜まりを抑制することが可能なウェハ処理装置及び半導体装置の製造方法である。
【解決手段】本発明に係るウェハ処理装置は、回転台６ａ、６ｂと、回転台を回転させる回転軸５と、回転台６ａ上に取り付けられ、ウェハ１０の外縁を保持する固定チャックピン１と、固定チャックピン１に設けられた溝２ａと、回転台６ａ、６ｂの上方に設けられた処理液を吐出するノズル１１と、を具備し、固定チャックピン１におけるウェハ１０の外縁との接触面３は、ウェハ１０の外縁に沿うように形成されており、溝２ａの開口部は接触面３に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理を行う基板に対して歩留りが低下するのを防止できる基板処理装置、基板処理方法、及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる基板処理装置１００は、基板１０１に処理液を供給してスピン処理を行う基板処理装置１００であって、基板１０１を保持して回転させる吸着ステージ１０２と、吸着ステージ１０２上に載置された基板１０１を支持する支持ピン１０３と、支持ピン１０３が複数設けられたリング１０４と、リング１０４を上下に移動させるベローズバルブ１０５と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗの上面に遮断板４の下面を対向させた状態で、基板Ｗと遮断板４との間に処理液を供給して、基板Ｗと遮断板４との間を処理液によって液密にする。そして、基板Ｗと遮断板４との間が処理液によって液密にされた状態で、基板Ｗと遮断板４とを鉛直軸線まわりに相対回転させる。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウェーハＷ等の下面周縁部のみを吸着しても撓みが発生し難い回転処理装置を提供する。
【構成】 吸引チャック５の上部形状は周縁部が内側部よりも高くなった皿状をなし、周縁部の上面には半導体ウェーハＷの製品とならない外縁部分を吸着するための吸引溝９が形成されている。この吸引溝９上に半導体ウェーハＷの下面周縁部の製品にならない部分が載置されるようにする。そして、吸引溝９を介して半導体ウェーハＷの下面周縁部を吸引する。吸引溝９は平面視で円形状をなすように形成されているため、半導体ウェーハＷの下面周縁部の全周が吸引され、撓みが発生し難い。 （もっと読む）

【課題】クランプピンを伝って薬液が機構部に侵入しないウェハステージを提供すること。
【解決手段】本発明のウェハステージ１０は、複数のクランプピン２０によってウェハ３０を載置面に位置決めし、載置面の周囲に形成した複数の凹部１２と、凹部１２の底面１２Ａに対応する下部に配置した回動源１３と、回動源１３を回動させる駆動体１４とを備え、回動源１３の上部に能動側磁石１５を設け、クランプピン２０の内部下部に受動側磁石１６を設け、能動側磁石１５と受動側磁石１６との磁気結合によってクランプピン２０が回動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に温度を制御して、温度調節機構に接する部分の温度の偏差を小さく保つことができる温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】冷却ジャケット６は、冷却流路６１と、ヒートレーン６２とを備える。ヒートレーン６２は、受熱部６３と、放熱部６４と、その間を折り返しながら往復する環状の細管に２相凝縮性作動流体（以下、作動液と称する）を封入して構成される。放熱部６４は冷却流路６１で冷却される部分、受熱部６３は放熱部６４より温度が高い部分である。受熱部６３では熱を受け作動液が核沸騰により自励振動し、循環しながら顕熱を輸送する。また、受熱部６３では液相が熱を吸収し気相へ相が転移し、放熱部６４では気相が熱を放し冷却され凝縮し液相へ相が転移し、気液の相転移により潜熱を輸送する。受熱部６３と放熱部６４の間で熱の輸送が行われ、短時間で温度を均一にする。 （もっと読む）

【課題】上カバーが熱膨張を生じても、その上カバーに挿通される保持部材が上カバーにより押圧されることを防止する。
【解決手段】スピンベース６の上カバー２１には、複数の貫通孔２７が形成されている。各貫通孔２７には、保持部材７が挿通されている。また、各貫通孔２７内には、上カバー２１と保持部材７との間をシールするためのシール部材５２がその内周に沿って配置されている。そして、水平方向において、保持部材７とシール部材５２との間にギャップが形成されている。また、シール部材５２は、上方に向けて突出する環状の突出部５３を有している。一方、保持部材７（シール押さえ部材５４）は、環状のシール当接面５９を有している。環状の突出部５３は、環状のシール当接面５９に下方から当接する。シール当接面５９は、水平方向において、突出部５３よりも大きい幅を有している。 （もっと読む）

【課題】基板の処理不良を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理部のスピンチャック２１には、スピンベース２２が回転可能に設けられている。スピンベース２２上には、基板Ｗを保持するための複数の保持部２３が設けられている。各保持部２３は、保持部材５２および支持ピン８１を有する。基板Ｗに処理液（薬液）が供給される際には、基板Ｗが支持ピン８１上に支持された状態でスピンベース２２が約３００ｒｐｍで回転される。基板Ｗにリンス液が供給される際には、基板Ｗが保持部材５２により保持された状態でスピンベース２２が約１０００ｒｐｍで回転される。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】基板を吸着する吸引力を急速に発生させることにより吸着時間を短縮し、塗布装置全体としてのタクトタイムを向上させることができる塗布装置を提供する。
【解決手段】ステージの表面に形成された吸引孔に吸引力を発生させて基板をステージの表面に吸着させて保持させる基板保持手段と、基板に対して相対的に移動しつつ塗布液を吐出する塗布ユニットと、を備える塗布装置において、基板保持手段の吸引孔には、吸引力を発生させる吸引力発生装置と接続されるメイン配管及びサブ配管が連通して接続されており、メイン配管には、メイン配管経路を開閉するメインバルブが設けられ、サブ配管には、サブ配管経路を開閉するサブバルブが設けられるとともに、このサブバルブよりも吸引力発生装置側に所定容量を有する貯留部を備える貯留タンクが設けられ、貯留部は、一定区間におけるサブ配管の容量と比べて大きい容量を有して構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の塗布処理回数が増加した場合でも、当該基板上に形成される塗布膜の膜厚を均一にする。
【解決手段】ウェハＷは、スピンチャックに保持される接触部６０とその外側の外周部６１がそれぞれ異なる温度で調整される。接触部６０の温度は、ウェハＷがスピンチャックに保持される際に、接触部６０とスピンチャックの温度が同じ温度になるように調整される。外周部６１の温度は、ウェハＷ上のレジスト膜の膜厚が均一になるように調整される。その後、温度調節されたウェハＷは、スピンチャックに保持されて回転され、回転中のウェハＷ上にレジスト液が塗布されて均一な膜厚のレジスト膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】処理液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理する。
【解決手段】基板Ｗを第１回転速度（例えば１０００ｒｐｍ）で回転させる一方、薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfにフッ酸を第１流量、例えば２（Ｌ／ｍｉｎ）で基板表面Ｗfに供給する。これにより、厚みＴ1のフッ酸液膜２７が基板表面Ｗf全体に形成され、基板表面Ｗf全体がフッ酸と馴染んだ状態となる。次に、薬液吐出ノズル４からのフッ酸の吐出流量を２（Ｌ／ｍｉｎ）に保ったまま、基板Ｗの回転速度を、第１回転速度よりも低速の第２回転速度、例えば１０ｒｐｍに減速する（第２工程）。このように回転速度を減速することにより、基板表面Ｗf上に厚さＴ2（＞Ｔ1）の液盛り２８が形成される。また、液盛り形成後の第３工程において、フッ酸をさらに継続してノズル４から吐出させて液盛り状態を継続して常にフレッシュなフッ酸が補給される。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部分のチッピングやウェハ割れの発生を抑制することができるスピン処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェハ搬送アームにより、ウェハＷの中央部と複数のウェハエッジ近傍部を真空吸着することによって、ウェハエッジを他の物体に接触させずに、ウェハＷをウェハカセットからスピンチャック２９へ搬送する。その際、非接触型センサにより、ウェハＷの中心とスピンチャック２９の回転の中心とのずれ量を検出し、そのずれ量を相殺するようにＸＹステージ３５によりスピンチャック２９の回転軸３２を移動させ、ウェハ搬送アームからスピンチャック２９にウェハＷを移す際にウェハＷの中心をスピンチャック２９の回転の中心に一致させる。 （もっと読む）