【課題】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することを可能とする。
【解決手段】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成方法において、基板３上にレジスト膜２を形成し、可変成形電子線ＥＢによりレジスト膜２に描画パターンを描画した後、レジスト膜２のレジスト非溶解部の膜減り率が２０％以下となるように、レジスト膜２にパドル現像を実施する。 （もっと読む）

【課題】処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理装置１０において、基板を保持する基板保持部３０、４０と、基板保持部３０、４０に保持されている基板に処理液を供給する処理液供給部７０と、基板にリンス液を供給するリンス液供給部８０と、基板のみが吸収する波長領域の光を発光し、発光した光を基板に照射する発光素子１１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】基体に対して低温の流体を供給して処理した結果、当該基体の温度が雰囲気露点温度を下回ってしまう場合であっても、当該基体に結露が生じるのを防止して、パターン倒れ等の不具合発生を未然に回避できるようにする。
【解決手段】処理対象となる基体２を保持する保持部１２と、前記保持部１２が保持する前記基体２に対して当該基体２を処理する流体２１の供給を行う流体供給部２０と、前記流体２１による処理がされて雰囲気露点温度より低温状態にある前記基体２に対して当該基体２を雰囲気露点温度より高温状態にする結露防止媒体３１の供給を行う媒体供給部３０と、を備えて流体供給装置１を構成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に供給される現像液の温度変動に起因した現像ムラ等が生じていた。
【解決手段】被処理基板６に現像液１１を供給して現像処理するレジスト現像装置１の構成として、恒温状態に制御された現像液を貯留する貯留部４と、被処理基板６を保持する保持部８と、貯留部４に貯留された現像液を流すための流路を形成するとともに、この流路に沿って流れた現像液を吐出する吐出部１４を有し、保持部８に保持された被処理基板６に向けて吐出部１４から現像液を吐出することにより、現像液を被処理基板６に供給する供給管５と、供給管５の吐出部１４から吐出する現像液が被処理基板６に到達しないように現像液を遮断する遮断部材２６と、現像液を遮断する遮断位置と前記現像液を遮断しない非遮断位置との間で遮断部材２６を移動させる移動手段（２７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一性高くパターンを形成することができる現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板の表面に現像液を供給し、前記レジストを現像するための現像液供給部と、基板上において予め設定されている特定の領域に、現像液を加熱して現像液とレジストとの反応の度合を高めるために、基板の材料の波長吸収領域を含む輻射光を照射する輻射光照射部と、基板の表面に洗浄液を供給して現像液を除去する洗浄液供給部と、を備えるように現像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト現像装置などの液体供給装置では、実際に基体に供給される液体の温度変動が、処理の安定性を阻害する要因になっていた。
【解決手段】本発明のレジスト現像装置１は、恒温状態に制御された現像液１１を貯留する密閉型の貯留部４と、この貯留部４に貯留された現像液１１を供給すべき被処理基板６を保持する保持部８と、貯留部４の内部から当該貯留部４の外部へと導出するように配管されるとともに、当該導出部分が保持部８に臨む位置まで配管され、この保持部８に保持された被処理基板６に向けて貯留部内の現像液１１を供給する供給管５と、この供給管５の配管途中に付属して設けられた付属部材としての開閉弁１５とを備え、この開閉弁１５が貯留部４の内部に配置された構成となっている。 （もっと読む）

【課題】処理液の温度を一定に保つ。
【解決手段】被処理基板１に対して液体８を吐出散布することによる処理を行うための液体供給装置であって、前記液体を貯留する液体貯留部１０と、前記液体貯留部１０と基端で連通した液体供給用配管７と、前記液体供給用配管７の末端に設けられる液体吐出部１４と、前記液体を所望所定の温度に調整するために前記液体供給用配管７の一部設けられる液体温度制御部１２と、前記液体温度制御部１２から見て液体供給の下流側にあって、かつ、前記液体吐出部１４から見て液体供給の上流側にあり、前記液体吐出部１４に隣接して設けられる弁部１５とを有し、さらに、前記弁部１５は第１〜第４の弁を有する。第２の弁により、大気開放口１５２とそれに通じる連通方向並びに当該連通方向を開閉する。第３の弁により、残留液体排出口１５１に通じる連通方向並びに当該連通方向を開閉する。 （もっと読む）

【課題】非連続的に基体に対して処理を行う場合においても、比較的簡素な設備で温度制御された液体を供給し、基体に対する処理を安定且つ均一に行う。
【解決手段】液体を貯留する液体貯留部６と、前記液体貯留部６と連通した液体供給用の通液部７と、前記通液部７に設けられる液体吐出部９と、前記液体を所定の温度に調整するために、前記液体貯留部６及び／又は前記通液部７の少なくとも一部に設けられる温度調整部８と、前記温度調整部８が前記通液部７に設けられる場合は前記液体吐出部９と前記温度調整部８との間に位置する部分の前記通液部７に設けられる弁部１０と、を有し、前記弁部１０は、通液部外への開放口１７に通じる連通方向を有しており、更に前記弁部１０は、前記開放口１７よりも液体供給の上流側の部分の通液部を弁で閉じ、前記開放口１７側に設けられた弁を開き、前記液体吐出部９と前記開放口１７とを連通させる機構を有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理システムの加熱装置を昇温するにあたり、三相交流電源の各相の線間電流の平衡を維持しつつ、基板処理システムの起動時間が長くなることを防止する。
【解決手段】ウェハを処理する塗布現像処理システムは、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序にしたがって複数の加熱装置４０ａ〜４０ｄを昇温する際に、各加熱装置４０ａ〜４０ｄが接続された各相の線間電流値を監視し、加熱装置４０ａ〜４０ｄの昇温中に線間電流値が制限値を上回り加熱装置の昇温が制限された相が生じた際に、昇温が制限された相以外の相における、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序において次順以降に昇温される加熱装置の昇温の可否を判断し、昇温が制限された相に接続された加熱装置を飛ばして、昇温が制限された相以外の相に接続された昇温可能な加熱装置の昇温を行う。 （もっと読む）

【課題】現像液を温度制御するために使用される冷却水の量を低減する現像装置を提供する。
【解決手段】露光処理されたガラス基板を搬入する受取部と、現像処理する現像槽と、ガラス基板に残った現像液を除去するための水置換槽と、ガラス基板を洗浄処理する洗浄槽と、洗浄処理されたガラス基板を搬出する払出部と、を備え、かつ、現像槽に供給する現像液を貯蔵する現像液貯蔵タンクと、洗浄用水を貯蔵する純水貯蔵タンクと、洗浄用水を純水貯蔵タンクから洗浄槽に供給する供給系統と、洗浄用水を洗浄槽から排水する洗浄用水の排水系統と、現像液貯蔵タンク内の現像液を加温する加温手段と、冷却用水を循環して、現像液貯蔵タンク内の現像液を冷却する循環冷却系統と、を備えており、しかも、洗浄用水の供給系統と洗浄用水の排水系統の両方またはいずれかに、現像液貯蔵タンクを経由して、その中の現像液を冷却する経路を有することを特徴とする現像装置。 （もっと読む）

【課題】低温の処理液を用いた処理処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行う。
【解決手段】現像処理装置１は、基板を保持する保持部材と、基板上に現像液、リンス液、処理液を供給する複合ノズル体４２と、保持部材上から退避した複合ノズル体４２を待機させるノズルバス４４とを有している。ノズルバス４４内には、複合ノズル体４２の先端部が収容される。ノズルバス４４は、待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられ、当該複合ノズル体４２においてノズルバス４４から露出した露出部を覆うように水平方向に延伸する一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、複合ノズル体４２の露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】現像液の使用量を抑えると共に速やかに基板表面全体に現像液の液膜を形成する現像装置を提供すること。
【解決手段】処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置するための温調プレートと、前記処理容器内にミスト及び蒸気を含む雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための第１の温度調整部と、を備えるように現像装置を構成し、前記処理容器の内壁は、前記蒸気が当該内壁に結露しにくい温度に維持されるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板表面全体に均一性高く現像液の液膜を形成すると共に高いスループットが得られる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給する蒸気供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための温度調整部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。現像モジュールと洗浄モジュールとで並行して処理を行えるので、高いスループットが得られる。 （もっと読む）

【課題】低温の現像液を用いた現像処理を基板面内で均一に行い、基板上に所定のパターンを適切に形成する。
【解決手段】先ず、冷却装置において、１５℃に温度調節された冷却板に基板を載置して冷却する（ステップＳ１）。その後、現像装置において、３℃のリンス液を基板に供給して、基板を冷却する（ステップＳ２）。その後、基板上に３℃の現像液を供給し、基板上のレジスト膜を現像して当該レジスト膜にレジストパターンを形成する（ステップＳ３）。その後、基板上に３℃のリンス液を供給して、基板の表面を洗浄する（ステップＳ４）。その後、基板上に３℃の処理液を供給して、基板のレジストパターン上のリンス液の表面張力を低下させる（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理動作中に流体を分配する装置。
【解決手段】当該装置は、複数の流体源に結合された複数の分配ノズルを備える中央流体分配バンクと、中央流体分配バンクの第１の側に位置された第１の処理チャンバとを含む。また、当該装置は、中央流体分配バンクの第２の側に位置された第２の処理チャンバと、中央流体分配バンクと第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとの間で並進するようになっている分配アームとを含む。さらに、当該装置は、第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとの間に位置された分配アームアクセスシャッタを含む。 （もっと読む）

【課題】液浸保護膜、又は撥水性レジストを含め、広範な種類の膜が成膜された基板を露光し、現像する場合にも、基板表面内でのＣＤ値の均一性を向上させることができ、処理時間を短縮することができる現像処理方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストが塗布され露光された後の基板を回転させながら現像処理する現像処理方法において、基板Ｗの上方に配置された現像液ノズル４ｂを基板Ｗの中心側から外周側へ移動させ、現像液ノズル４ｂから基板Ｗの表面に現像液Ｄを供給する現像液供給ステップと、基板Ｗの上方に配置された第１のリンス液ノズル４ｃを基板Ｗの中心側から外周側へ移動させ、第１のリンス液ノズル４ｃから基板Ｗの表面に第１のリンス液Ｒを供給する第１のリンス液供給ステップとを有し、第１のリンス液ノズル４ｃが現像液ノズル４ｂよりも基板Ｗの中心側に配置された状態を保ったまま、第１のリンス液供給ステップを現像液供給ステップと同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上のＥＵＶ用レジスト膜に所定のレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】ウェハＷ上にＥＵＶ用レジスト膜が形成された後、ウェハＷ上のＥＵＶ用レジスト膜にＥＵＶが照射され、当該ＥＵＶ用レジスト膜に所定のパターンが選択的に露光される。その後、２．３８質量％未満の濃度であって、供給機器群１３８で５℃以上かつ２３℃未満の温度に調節された現像液が、現像液ノズル１３３からウェハＷ上のＥＵＶ用レジスト膜に供給され、当該ＥＵＶ用レジスト膜が現像される。このとき、現像処理時間は１０秒以上かつ３０秒未満である。その後、純水ノズル１４０からウェハＷ上に純水が供給され、当該ウェハＷが洗浄される。このとき、純水の供給時間は３０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒壊を抑制する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、レジスト膜を露光する露光工程と、露光工程の後、基板を処理室２０内に収容し、処理室２０の外部で生成したイオンを含むガスを処理室２０内に導入し、イオンを含む雰囲気中でレジスト膜に現像液を供給しレジスト膜を現像する現像工程と、現像工程の後、イオンを含む雰囲気に維持された処理室２０内でレジスト膜にリンス液を供給しレジスト膜を洗浄するリンス工程と、リンス工程の後、レジスト膜を乾燥する乾燥工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンを細くできる技術に寄与する現像装置であって、モジュール数（現像装置の数）を削減すること。
【解決手段】載置台上の基板に対して例えば共通のノズルから常温現像液とレジストパターンの表層部を改質するための高温現像液とを切り替えて供給できるようにする。常温現像液用の供給路と高温現像液用の供給路とを切り替えて両現像液を順次吐出するようにしてもよいが、常温温調用の供給路と高温温調用の供給路とを合流させ、前者の供給路から常温現像液を供給した後、両供給路の流量比を調整して、その混合液を高温現像液として供給してもよい。また高温現像液の供給時間は現像液の温度を安定化させるために常温現像液の供給時間よりも長く、また現像液の消費量削減のために高温現像液の供給流量を常温現像液の供給流量よりも少なくする。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性及びマスクエラーファクターをさらに向上させることができるレジストパターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】レジストパターンの製造方法であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂（Ａ）と酸発生剤（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を、基体上に塗布してレジスト膜を得る工程と、レジスト膜を温度Ｔ_PBでプリベーク（ＰＢ）する工程と、プリベークしたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を温度Ｔ_PEBでポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）する工程と、ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程とを含み、８５℃＜Ｔ_PEB、Ｔ_PEB＜Ｔ_PB、且つＴ_PB＜１００℃であることを特徴とする製造方法。 （もっと読む）