処理装置、処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
【課題】低温の処理液を用いた処理処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行う。
【解決手段】現像処理装置１は、基板を保持する保持部材と、基板上に現像液、リンス液、処理液を供給する複合ノズル体４２と、保持部材上から退避した複合ノズル体４２を待機させるノズルバス４４とを有している。ノズルバス４４内には、複合ノズル体４２の先端部が収容される。ノズルバス４４は、待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられ、当該複合ノズル体４２においてノズルバス４４から露出した露出部を覆うように水平方向に延伸する一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、複合ノズル体４２の露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する。
【解決手段】現像処理装置１は、基板を保持する保持部材と、基板上に現像液、リンス液、処理液を供給する複合ノズル体４２と、保持部材上から退避した複合ノズル体４２を待機させるノズルバス４４とを有している。ノズルバス４４内には、複合ノズル体４２の先端部が収容される。ノズルバス４４は、待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられ、当該複合ノズル体４２においてノズルバス４４から露出した露出部を覆うように水平方向に延伸する一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、複合ノズル体４２の露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置、処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成している。このフォトリソグラフィー処理では、所定のパターンが形成されたマスク用の基板を用いてウェハの露光処理が行われている。
【０００３】
マスク用の基板に所定のパターンを形成する際にもフォトリソグラフィー処理が行われる。すなわち、先ず、基板上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、基板上に所定のレジストパターンが形成される。その後、このレジストパターンをマスクとして基板のエッチング処理が行われ、そのレジスト膜の除去処理などが行われて、基板に所定のパターンが形成される。
【０００４】
基板に所定のパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該パターンの微細化が求められている。そこで、上述した現像処理を基板面内で均一に行うことが要求されている。しかしながら、従来の現像処理では常温の現像液を基板上に供給しているため、現像速度が速く、現像液が基板上のレジスト膜に接触した時点から当該レジスト膜の現像が始まる。このため、基板面内で均一にレジスト膜を現像することができなかった。
【０００５】
そこで、現像処理の現像速度を遅くするため、低温、例えば５℃の現像液をノズルから基板上に供給することが提案されている。また、かかる低温の現像液を用いる場合、現像液の温度が周囲の雰囲気の温度よりも低くなる。そこで、現像液を供給するノズルが結露するのを防止するため、ノズルを断熱材で被覆すると共に、断熱材で被覆されないノズルの先端部に対して乾燥空気若しくは周囲の空気より湿度が低い気体を供給することも提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１４２３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されたように、ノズルの先端部に気体を供給する気体供給手段を直接設けると、ノズル自体が大型化する。また、ノズルは基板を保持する保持部材上方とノズルを待機させるノズルバスとの間を移動可能になっているが、ノズルが大型化することによって、ノズルを移動させる移動機構等も大掛かりなものになる。
【０００８】
また、通常、ノズルが現像液等を供給するために基板保持部材上方とノズルバスとの間を移動する時間よりも、ノズルバス内で待機している時間の方が長く、このノズルの待機中に結露が発生する場合があった。ノズルの待機中に結露が発生すると、ノズルに付着した水滴が基板上に落ち、その結果、現像むらが生じて、基板面内で均一にレジスト膜を現像することができなくなってしまう。したがって、このノズルの待機中に効果的に結露を防止する必要がある。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、現像液をはじめとする低温の各種の処理液を用いた処理において、当該処理液を供給する処理液ノズルの結露の発生を防止し、前記処理液による処理を基板面内で均一に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置であって、基板を保持する保持部材と、基板上に前記処理液を供給する処理液ノズルと、前記保持部材上方から退避した前記処理液ノズルの先端部を収容して、当該処理液ノズルを待機させるノズルバスと、前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸し、前記露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する一対のパージガスノズルと、を有することを特徴としている。なお、常温とは例えば２３℃である。
【００１１】
本発明によれば、処理液ノズルがノズルバスで待機中に、当該処理液ノズルの露出部に対して一対のパージガスノズルから水分を含まないパージガスを供給している。このため、常温より低い所定の温度の処理液を用いた場合であっても、処理液ノズルが結露するのを防止することができ、結露した水滴が基板上に滴下されるのを防止することができる。したがって、処理を基板面内で均一に行うことができる。しかも、本発明によれば一対のパージガスノズルを設けるだけで処理液ノズルの結露を防止できるので、処理装置を従来よりも簡素化して、製造コストも低廉化することができる。なお、処理液ノズルから処理液を供給して基板の処理を行う時間は、処理液ノズルがノズルバスで待機する時間に比して極めて短時間であるため、当該処理液による処理中に処理液ノズルが結露することはない。
【００１２】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、前記処理液供給管において、内側の配管内には前記処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。
【００１３】
前記ノズルバスの上端には、前記処理液ノズルと当接して前記ノズルバスの内部を密閉するシール部材が設けられていてもよい。
【００１４】
前記処理装置は、基板上に前記所定の温度以下のリンス液を供給するリンス液ノズルを有し、前記処理液ノズル及び前記リンス液ノズルは、一の支持部材に支持されていてもよい。かかる場合、前記リンス液ノズルには、前記リンス液を供給し且つ２重管構造を有するリンス液供給管が接続され、前記リンス液供給管において、内側の配管内にはリンス液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。
【００１５】
前記処理装置は、前記基板上のリンス液の表面張力を低下させ且つ前記所定の温度の他の処理液を基板上に供給する他の処理液ノズルを有し、前記処理液ノズル、前記リンス液ノズル及び前記他の処理液ノズルは、一の支持部材に支持されていてもよい。かかる場合、前記他の処理液ノズルには、前記他の処理液を供給し且つ２重管構造の他の処理液供給管が接続され、前記他の処理液供給管において、内側の配管内には他の処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。なお、他の処理液には例えばイソプロピルアルコールが用いられる。
【００１６】
前記処理液ノズルには、前記処理液の温度を測定する温度センサが設けられていてもよい。
【００１７】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であるのが好ましい。
【００１８】
前記した処理液は、露光後の基板を現像する際に使用される現像液であってもよい。
【００１９】
別な観点による本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する方法であって、保持部材に保持された基板上に処理液ノズルから前記処理液を供給して、基板を処理する処理工程と、その後、前記処理液ノズルを前記保持部材上方からノズルバスに移動させ、当該ノズルバス内に前記処理液ノズルの先端部を収容して当該処理液ノズルを待機させる待機工程と、を有し、前記待機工程において、前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸する一対のパージガスノズルから、前記露出部に対して、水分を含まないパージガスを供給することを特徴としている。
【００２０】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、前記処理工程及び前記待機工程において、前記処理液供給管の内側の配管内に処理液を流し、前記内側の配管と外側の配管との間に水分を含まないパージガスを流してもよい。
【００２１】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であるのが好ましい。
【００２２】
これらの方法においても、前記した処理液は、露光後の基板を現像する際に使用される現像液であってもよい。
【００２３】
また別な観点による本発明によれば、前記処理方法を処理装置によって実行させるために、当該処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２４】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、低温の処理液を用いた処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】保持部材の構成の概略を示す平面図である。
【図３】本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図４】複合ノズル体の斜視図である。
【図５】複合ノズル体の縦断面図である。
【図６】複合ノズル体とノズルバスの斜視図である。
【図７】複合ノズル体がノズルバスに待機している状態を示す説明図である。
【図８】現像処理の各工程を示したフローチャートである。
【図９】他の実施の形態にかかる複合ノズル体の斜視図である。
【図１０】他の実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理装置しての現像処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。なお、現像処理装置１で用いられる現像液の温度は、常温（２３℃）より低い所定の温度、例えば１℃〜１０℃であり、本実施の形態においては例えば３℃である。また、本実施の形態では、基板として上述したマスク用の基板Ｇを現像処理する場合について説明する。この基板Ｇは、平面視において例えば四角形状を有し、例えばガラスからなる。また、基板Ｇ上には、現像処理装置１に搬入される際に予めレジスト膜が形成されている。
【００２８】
次に上述した現像処理装置１の構成について説明する。現像処理装置１は、図１に示すように側面に基板Ｇの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１０を有している。処理容器１０は内部を密閉可能であり、本実施の形態では、当該内部の雰囲気の温度は常温（２３℃）より低い、例えば１５℃に維持されている。
【００２９】
処理容器１０の内部には、基板Ｇを保持して回転させる保持部材２０が設けられている。保持部材２０は、図２に示すように内部に基板Ｇを収容する収容部２１を有している。収容部２１の開口した下面には、収容部２１を支持する支持フレーム２２が設けられている。支持フレーム２２は後述するシャフト２４を中心に十字状に配置され、収容部２１に収容された基板Ｇの下面を支持することができる。収容部２１の内周は、基板Ｇの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部２１の外周は、略円形の平面形状を有している。ここで、現像処理装置１の処理容器１０への基板Ｇの搬入出には搬送アームＡが用いられる。搬送アームＡには、基板Ｇの角部を保持する保持部Ｂが例えば４箇所に設けられている。この搬送アームＡから収容部２１に基板Ｇを受け渡す際に、搬送アームＡの保持部Ｂが収容部２１と干渉するのを避けるため、収容部２１の外周には切欠き部２３が４箇所に形成されている。
【００３０】
保持部材２０の支持フレーム２２は、図１に示すようにシャフト２４に取付けられている。保持部材２０の下方には、このシャフト２４を介して回転駆動部２５が設けられている。この回転駆動部２５により、保持部材２０は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
【００３１】
保持部材２０の下方側には上方に突起したガイドリング３０が設けられており、このガイドリング３０の外周縁は下方側に屈曲して延びている。また、保持部材２０、保持部材２０に保持された基板Ｇ及びガイドリング３０を囲むようにカップ３１が設けられている。
【００３２】
カップ３１は、上面に保持部材２０が昇降できるように基板Ｇよりも大きい開口部が形成されていると共に、側周面とガイドリング３０の外周縁との間に排出路をなす隙間３２が形成されている。カップ３１の下方側は、ガイドリング３０の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。カップ３１の底部の内側領域には排気口３３が形成されており、この排気口３３には排気管３３ａが接続されている。さらにカップ３１の底部の外側領域には排液口３４が形成されており、この排液口３４には排液管３４ａが接続されている。
【００３３】
保持部材２０の下方であって、ガイドリング３０上には、基板Ｇの裏面に向けてリンス液を噴射するバックリンスノズル３５、３５が例えば２箇所に設けられている。バックリンスノズル３５には、例えば３℃のリンス液を供給する供給管３６が接続されている。供給管３６は２重管構造を有している。供給管３６の内側配管内には例えば３℃のリンス液が流通し、内側配管と外側配管との間には水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、供給管３６が結露するのを防止している。なおリンス液は、図１に示したように、リンス液供給源３７から供給管３６へと供給され、前記パージガスは、パージガス供給源３８から供給管３６へと供給される。
【００３４】
図３に示すようにカップ３１のＸ方向負方向（図３の下方向）側には、Ｙ方向（図３の左右方向）に沿って延伸するレール４０が形成されている。レール４０は、例えばカップ３１のＹ方向負方向（図３の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図３の右方向）側の外方まで形成されている。レール４０には、アーム４１が取り付けられている。
【００３５】
アーム４１には、基板Ｇ上に各種液を供給する複合ノズル体４２が支持されている。アーム４１は、ノズル駆動部４３により、レール４０上を移動自在である。これにより、複合ノズル体４２は、カップ３１のＹ方向正方向側の外方に設置されたノズルバス４４からカップ３１内の基板Ｇの中心部上方まで移動できる。また、アーム４１は、ノズル駆動部４３によって昇降自在であり、複合ノズル体４２の高さを調整できる。
【００３６】
複合ノズル体４２は、図４に示すように例えば基板Ｇ上に現像液を供給する現像液ノズル５０と、基板上Ｇ上にリンス液を供給するリンス液ノズル５１と、基板Ｇ上に、本発明の他の処理液としての処理液を供給する、他の処理液ノズルとしての処理液ノズル５２とを有する。リンス液ノズル５１及び処理液ノズル５２は、固定部材５３を介して現像液ノズル５０に固定されている。なお、本実施の形態では、現像液に有機系の現像液が用いられる。また、リンス液にも有機系の現像液が用いられる。さらに、本発明の他の処理液としての処理液にはイソプロピルアルコールが用いられる。
【００３７】
現像液ノズル５０の下端面には、スリット状の供給口６０が形成されている。現像液ノズル５０は、供給口６０から保持部材２０に保持された基板Ｇに向けて斜め下方に帯状に現像液を吐出できる。現像液ノズル５０には、当該現像液ノズル５０に現像液を供給する現像液供給管６１が接続されている。現像液供給管６１は２重管構造を有している。現像液供給管６１の内側配管６２内には、図５に示すように例えば３℃に温度調節された現像液が流通する。この内側配管６２は、供給口６０に連通している。また、内側配管６２と外側配管６３との間には、水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、現像液供給管６１が結露するのを防止している。現像液は、現像液供給源６４から現像液供給管６１の内側配管６２へと供給される。またパージガスは、パージガス供給源６５から内側配管６２と外側配管６３の間に供給される。パージガス供給源６５を設けず、前出パージガス供給源３８から供給するようにしてもよい。なお、現像液ノズル５０には例えばテフロン（登録商標）が用いられる。
【００３８】
リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２の下端面には、図４に示すように略円形の供給口７０、７１がそれぞれ形成されている。リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２からリンス液と、他の処理液としての処理液が供給される基板Ｇ上の位置は、現像液ノズル５０から現像液が供給される基板Ｇ上の位置とほぼ一致している。リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２には、これらリンス液ノズル５１と処理液ノズル５２にリンス液と処理液を供給する、リンス液供給管及び他の処理液供給管としての液供給管７２が接続されている。液供給管７２は、２本の内側配管７３、７４を内部に備えた２重管構造を有している。第１の内側配管７３内には、図５に示すように例えば３℃に温度調節されたリンス液が流通する。第１の内側配管７３は、リンス液ノズル５１に接続されている。第２の内側配管７４内には、例えば３℃に温度調節された処理液が流通する。第２の内側配管７４は、処理液ノズル５２に接続されている。また、内側配管７３、７４と外側配管７５との間には、水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、液供給管７２が結露するのを防止している。リンス液は、リンス液供給源７６から、第１の内側配管７３へと供給される。
【００３９】
現像液ノズル５０は、図４に示すようにその上端部を支持部材８０に支持されている。また、リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２は、この支持部材８０を貫通して配置されている。支持部材８０の一の側面には、図５に示すように現像液の温度を測定する温度センサ８１を設けるための継手８２が接続されている。また、支持部材８０の他の側面は、図３に示したアーム４１に支持されている。
【００４０】
支持部材８０の上面には、通気部材８３が設けられている。通気部材８３には、現像液供給管６１内のパージガスが流入する第１のガス室８４と、液供給管７２内にパージガスを流出させる第２のガス室８５とが形成されている。第１のガス室８４と第２のガス室８５との間には、パージガスが流通する流通口８６が形成されている。したがって、現像液供給管６１内を流通するパージガスは、第１のガス室８４、流通口８６、第２のガス室８５を経由して液供給管７２内に流入する。すなわち、通気部材８３は、現像液供給管６１内と液供給管７２内でパージガスが循環するように構成されている。
【００４１】
複合ノズル体４２は、基板Ｇに処理を行わないとき、図６に示すようにノズルバス４４で待機している。複合ノズル体４２は、その先端部がノズルバス４４内に収容される。そして、複合ノズル体４２の支持部材８０、継手８２及び通気部材８３は、ノズルバス４４から露出し処理容器１０内の雰囲気に晒されている。なお、本実施の形態では、これら支持部材８０、継手８２及び通気部材８３が本発明における露出部を構成している。
【００４２】
ノズルバス４４は、バス本体９０を有している。バス本体９０の上面には、上述したように複合ノズル体４２の先端部を収容する収容部９１が設けられている。図７に示すように収容部９１の上面には、複合ノズル体４２と当接してノズルバス４４の内部を密閉するためのシール部材９２が環状に設けられている。シール部材９２には、例えば樹脂製のＯリングが用いられる。
【００４３】
また、ノズルバス４４は、図６に示すように一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、バス本体９０の上面に設けられたパージガス供給源９４に接続されている。一対のパージガスノズル９３、９３は、ノズルバス４４で待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられている。パージガスノズル９３は、上述したようにノズルバス４４から露出した支持部材８０、継手８２及び通気部材８３を覆うように水平方向に延伸している。そして図７に示すように、パージガスノズル９３の長手方向に形成された複数の供給口（図示せず）から、支持部材８０、継手８２及び通気部材８３に水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが供給される。このパージガスによって、支持部材８０、継手８２及び通気部材８３が結露するのを防止している。なお、ノズルバス４４内にも水分を含まない常温のパージガスが供給されており、待機中の複合ノズル体４２の先端部の結露が防止される。
【００４４】
なお、上述した現像液供給管６１、液供給管７２及び供給管３６は、それぞれ液供給装置（図示せず）に接続されている。液供給装置内では、現像液ノズル５０に供給される現像液、リンス液ノズル５１及びバックリンスノズル３５に供給されるリンス液、処理液ノズル３６に供給される処理液が、それぞれ３℃に温度調節される。
【００４５】
以上の現像処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、現像処理装置１における基板Ｇの現像処理を実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００４６】
本実施の形態にかかる現像処理装置１は以上のように構成されている。次に、その現像処理装置１で行われる現像処理について説明する。図８は、この現像処理の主な処理フローを示している。
【００４７】
先ず、基板Ｇが搬送アームＡに保持され現像処理装置１に搬送される。現像処理装置１に搬入された基板Ｇは、保持部材２０に保持される。このとき、現像処理装置１内の雰囲気の温度は例えば１５℃に調節されている。続いて、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方まで移動させると共に、基板Ｇを回転させる。そして、回転中の基板Ｇの表面にリンス液ノズル５１から例えば３℃のリンス液を供給する共に、基板Ｇの裏面にバックリンスノズル３５から例えば３℃のリンス液を噴射する。こうして、基板Ｇが約３℃に冷却される（図８のステップＳ１）。
【００４８】
その後、リンス液ノズル５１及びバックリンスノズル３５からのリンス液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上に現像液ノズル５０から例えば３℃の現像液を供給する。供給された現像液は遠心力により基板Ｇ上で拡散し、基板Ｇ上のレジスト膜が現像される（図８のステップＳ２）。このとき、予め基板Ｇが約３℃に冷却されているので、現像速度を十分に遅くできる。したがって、現像処理を基板面内で均一に行うことができ、基板Ｇ上に所定のレジストパターンを形成することができる。
【００４９】
その後、現像液ノズル５０からの現像液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上にリンス液ノズル５１から例えば３℃のリンス液を供給する。このリンス液により、基板Ｇの表面が洗浄される（図８のステップＳ３）。
【００５０】
その後、リンス液ノズル５１からのリンス液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上に処理液ノズル５２から例えば３℃の処理液を供給する。ここで、ステップＳ３で基板Ｇ上にリンス液を供給すると、いわゆるパターン倒れが起こり易くなる。パターン倒れは、リンス液の表面張力によってレジストパターンが引っ張られて倒れる現象であり、特に微細なレジストパターンを形成する際に顕著に発生する。本実施の形態では、処理液であるイソプロピルアルコールを基板Ｇ上に供給してレジストパターン上に残存するリンス液の表面張力を低下させ、パターン倒れを防止することができる。こうして、処理液によって基板Ｇの表面処理が行われる（図８のステップＳ４）。
【００５１】
その後、処理液ノズル５２からの処理液の供給を停止し、引き続き基板Ｇを回転させて処理液を振り切り乾燥させる。その後、基板Ｇの回転を停止すると共に、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方からノズルバス４４に移動させる。
【００５２】
このように現像処理３０における処理が終了すると、基板Ｇは保持部材２０から搬送アームＡに受け渡され現像処理装置１から搬出される。こうして、現像処理装置１における一連の現像処理が終了する。
【００５３】
一方、ノズルバス４４に移動した複合ノズル体４２は、その先端部がノズルバス４４に収容される。このように複合ノズル体４２がノズルバス４４に待機中、一対のパージガスノズル９３、９３から複合ノズル体４２の露出部、すなわち支持部材８０、継手８２及び通気部材８３に対してパージガスが供給される（図８のステップＳ５）。また、ノズルバス４４の内部にもパージガスが供給される。こうして、待機中の複合ノズル体４２の結露が防止される。また、この複合ノズル体４２の待機中、現像液供給管６１と液供給管７２内にはそれぞれパージガスが流通し、これら現像液供給管６１と液供給管７２の結露が防止される。
【００５４】
そして、次の基板ＧＮ（なお、符号「ＧＮ」は図中には登場しないが、先に処理に付された基板Ｇと区別するために文章中で用いている）が現像処理装置１に搬入され所定の現像処理が行われる前に、待機中の複合ノズル体４２の現像液ノズル５０から現像液供給管６１内に残存する現像液がノズルバス４４内に排出され廃棄される（図８のステップＳ６）。この現像液の排出は、複合ノズル体４２の待機中、現像液供給管６１内の現像液の温度は上昇して３℃以上になっているため行われる。その後、液供給装置（図示せず）から３℃に温度調節された現像液が現像液ノズル５０に供給され、現像液ノズル５０において現像液のダミー吐出が行われる（図８のステップＳ７）。このダミー吐出は、現像液ノズル５０から供給される現像液の温度を３℃に安定させるために行われる。なお、同様にリンス液ノズル５１と処理液ノズル５２においても、ステップＳ６における液供給管７２内のリンス液と処理液の排出、ステップＳ７におけるダミー吐出がそれぞれ行われる。
【００５５】
その後、一対のパージガスノズル９３、９３からのパージガスの供給を停止する（図８のステップＳ８）。続いて、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方まで移動させた後、基板ＧＮに対して、リンス液による基板ＧＮの冷却（図８のステップＳ１）、現像液による基板ＧＮ上のレジスト膜の現像（図８のステップＳ２）、リンス液による基板ＧＮの表面の洗浄（図８のステップＳ３）、処理液による基板ＧＮの表面処理（図８のステップＳ４）が順次行われる。その後、基板Ｇは保持部材２０から搬送アームＡに受け渡され現像処理装置１から搬出される。こうして、基板ＧＮに対する一連の現像処理が終了する。
【００５６】
以上の実施の形態によれば、ステップ５において複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機中に、当該複合ノズル体４２の露出部に対して一対のパージガスノズル９３、９３から水分を含まないパージガスを供給している。このため、現像処理装置１で用いられる現像液、リンス液、処理液の温度が常温より低い温度の３℃であっても、複合ノズル体４２が結露するのを防止することができ、結露した水滴が基板Ｇ上に滴下されるのを防止することができる。したがって、現像処理を基板面内で均一に行うことができる。なお、複合ノズル体４２から現像液、リンス液、処理液を供給して基板Ｇの現像処理を行う時間は、複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機する時間に比して極めて短時間であるため、当該現像液処理中に複合ノズル体４２が結露することはない。
【００５７】
また、現像液供給管６１は２重管構造を有し、内側配管６２と外側配管６３との間には水分を含まないパージガスが流通している。同様に、液供給管７２も２重管構造を有し、内側配管７３、７４と外側配管７５との間には水分を含まないパージガスが流通している。したがって、これら現像液供給管６１と液供給管７２の結露を防止することができる。
【００５８】
また、ノズルバス４４の収容部９１の上面には、複合ノズル体４２と当接してノズルバス４４の内部を密閉するためのシール部材９２が設けられている。このため、複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機中、当該ノズルバス４４内に水分を含まないパージガスを充満させることができる。したがって、複合ノズル体４２の先端部の結露を確実に防止することができる。また、ステップＳ６において複合ノズル体４２から現像液、リンス液及び処理液が排出される際や、ステップＳ７において複合ノズル体４２から現像液、リンス液及び処理液のダミー吐出が行われる際に、これら現像液、リンス液及び処理液がノズルバス４４から処理容器１０に流出するのを防止することができる。
【００５９】
また、現像液ノズル５０、リンス液ノズル５１、処理液ノズル５２は、一体の複合ノズル体４２として設けられるため、レール４０やアーム４１、ノズル駆動部４３を複数設ける必要がない。したがって、現像処理装置１を簡素化して小型化でき、現像処理装置１の製造コストも低廉化することができる。
【００６０】
また、現像液ノズル５０には温度センサ８１が設けられているので、現像液ノズル５０から基板Ｇ上に供給される直前の現像液の温度を測定できる。このため、基板Ｇ上の現像液の温度を確実に３℃に維持することができ、現像処理を適切に行うことができる。
【００６１】
以上の実施の形態では、ステップＳ１で基板Ｇを冷却するために用いられるリンス液の温度は所定の温度、例えば３℃であったが、当該リンス液の温度を３℃よりも低くしてもよい。かかる場合、ステップＳ３で基板Ｇを洗浄するために用いられるリンス液の温度は３℃であるため、複合ノズル体４２には、図９に示すように他のリンス液ノズル１１０が別途設けられる。すなわち、リンス液ノズル５１から基板Ｇに供給されるリンス液の温度は３℃よりも低く、他のリンス液ノズル１１０から基板Ｇに供給されるリンス液の温度は３℃である。
【００６２】
他のリンス液ノズル１１０は、リンス液ノズル５１及び処理液ノズル５２と共に固定部材５３を介して現像液ノズル５０に固定されている。他のリンス液ノズル１１０の下端面には、略円形の供給口１１１が形成されている。他のリンス液ノズル１１０には、上述した液供給管７２が接続されている。液供給管７２内には、２本の内側配管７３、７４に加えて、内部に３℃のリンス液が流通する内側配管１１２が設けられている。この内側配管１１２が他のリンス液ノズル１１０に接続されている。なお、複合ノズル体４２のその他の構成については、図４で示した複合ノズル体４２の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
かかる場合、図８のステップＳ２において、基板Ｇにリンス液ノズル５１から３℃より低い温度のリンス液が供給され、基板Ｇが冷却される。そして、ステップＳ４において、基板Ｇ上に他のリンス液ノズル１１０から３℃のリンス液が供給され、基板Ｇの表面が洗浄される。なお、その他の処理工程については、図８に示した工程と同様であるので説明を省略する。
【００６４】
本実施の形態によれば、ステップＳ２において３℃より低い温度のリンス液が供給されるので、基板Ｇをより迅速に約３℃まで冷却することができる。したがって、基板Ｇの現像処理のスループットを向上させることができる。
【００６５】
以上の実施の形態では、リンス液ノズル５１、処理液ノズル５２、他のリンス液ノズル１１０は、一の液供給管７２に接続されていたが、それぞれ個別のリンス液供給管、処理液供給管に接続されていてもよい。かかる場合、それぞれのリンス液供給管、処理液供給管は２重管構造を有し、上記現像液供給管６１と同様の構成を有している。すなわち、リンス液供給管又は処理液供給管の内側配管内にはリンス液又は処理液がそれぞれ流通し、内側配管と外側配管との間には水分を含まない常温のパージガスが流通している。このパージガスによって、リンス液供給管と処理液供給管の結露を防止することができる。
【００６６】
以上の実施の形態の現像液ノズル５０には、種々の形状のノズルを用いることができ、例えば図１０に示す現像液ノズル１２０を用いてもよい、また、かかる場合、現像液ノズル１２０は複合ノズル体４２から別途独立して設けられてもよい。現像液ノズル１２０は、基板Ｇの一辺寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。現像液ノズル１２０の下面には、長手方向に沿って一列に形成された複数の吐出口（図示せず）が形成され、各吐出口から一様に現像液を吐出できる。
【００６７】
現像液ノズル１２０は、アーム１２１に支持されている。アーム１２１は、ノズル駆動部１２２により、Ｙ方向に沿って延伸するレール１２３上を移動自在である。これにより、現像液ノズル１２０は、カップ３１のＹ方向正方向側の外方に設置されたノズルバス１２４からカップ３１のＹ方向負方向側まで移動できる。また、アーム１２１は、ノズル駆動部１２２によって昇降自在であり、現像液ノズル１２０の高さを調整できる。
【００６８】
ノズルバス１２４は、図６に示したノズルバス４４と同様の構成を有している。すなわち、現像液ノズル１２０の先端部はノズルバス１２４に収容され、ノズルバス１２４の一対のパージガスノズル９３、９３はノズルバス１２４から露出した現像液ノズル１２０の露出部を覆うように水平方向に延伸している。かかる場合でも、一対のパージガスノズル９３、９３から供給されたパージガスによって、現像液ノズル１２０の露出部の結露を防止することができる。
【００６９】
また、以上の実施の形態では、マスク用の基板Ｇの現像処理について説明したが、本発明は、基板が例えば半導体ウェハやＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の場合にも適用できる。また、近年、基板により微細なパターンを形成するため、基板にフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いることが提案されている。このインプリトという方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレートを基板上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである。本発明は、このようなテンプレートに現像処理を行う場合にも適用できる。さらに、このテンプレートは例えばホルダに保持されて本発明の現像処理が行われてもよい。
【００７０】
また、以上の実施の形態では、有機系の現像液と有機系のリンス液を用いて基板Ｇを現像処理する場合について説明したが、本発明は、アルカリ性の現像液と純水のリンス液を用いて基板を現像処理する場合にも適用できる。
【００７１】
また、以上の実施の形態では、基板を処理する処理液として、現像液を用いて基板Ｇを現像処理する場合について説明したが、本発明は、現像液以外の処理液を用いて基板を処理する場合にも適用できる。その場合、たとえば、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、フッ酸、オゾン水、炭酸水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの処理液を用いて基板を処理することができ、たとえば基板に対する洗浄、エッチング、酸化膜形成の処理等にも適用可能である。この場合、たとえば、前記処理液を供給するノズルから常温より低い所定の温度にした前記処理液を供給する際、結露によってノズルに付着した水滴が基板上に落ち、その結果、落ちた水滴が基板上でウォーターマークとなってパーティクルの原因となることを防止できる。さらにまた結露によって生じた水滴が基板上の処理液と混合して、濃度変化を起こして所期の処理が得られないといった事態も防止することができる。
【００７２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する際に有用である。
【符号の説明】
【００７４】
１ 現像処理装置
１０ 処理容器
２０ 保持部材
３５ バックリンスノズル
４２ 複合ノズル体
４４ ノズルバス
５０ 現像液ノズル
５１ リンス液ノズル
５２ 処理液ノズル
６１ 現像液供給管
６２ 内側配管
６３ 外側配管
７２ 液供給管
７３ 第１の内側配管
７４ 第２の内側配管
７５ 外側配管
８０ 支持部材
８１ 温度センサ
８３ 通気部材
９０ バス本体
９１ 収容部
９２ シール部材
９３ パージガスノズル
１１０ 他のリンス液ノズル
１２０ 現像液ノズル
１００ 制御部
Ｇ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置、処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成している。このフォトリソグラフィー処理では、所定のパターンが形成されたマスク用の基板を用いてウェハの露光処理が行われている。
【０００３】
マスク用の基板に所定のパターンを形成する際にもフォトリソグラフィー処理が行われる。すなわち、先ず、基板上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、基板上に所定のレジストパターンが形成される。その後、このレジストパターンをマスクとして基板のエッチング処理が行われ、そのレジスト膜の除去処理などが行われて、基板に所定のパターンが形成される。
【０００４】
基板に所定のパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該パターンの微細化が求められている。そこで、上述した現像処理を基板面内で均一に行うことが要求されている。しかしながら、従来の現像処理では常温の現像液を基板上に供給しているため、現像速度が速く、現像液が基板上のレジスト膜に接触した時点から当該レジスト膜の現像が始まる。このため、基板面内で均一にレジスト膜を現像することができなかった。
【０００５】
そこで、現像処理の現像速度を遅くするため、低温、例えば５℃の現像液をノズルから基板上に供給することが提案されている。また、かかる低温の現像液を用いる場合、現像液の温度が周囲の雰囲気の温度よりも低くなる。そこで、現像液を供給するノズルが結露するのを防止するため、ノズルを断熱材で被覆すると共に、断熱材で被覆されないノズルの先端部に対して乾燥空気若しくは周囲の空気より湿度が低い気体を供給することも提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１４２３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されたように、ノズルの先端部に気体を供給する気体供給手段を直接設けると、ノズル自体が大型化する。また、ノズルは基板を保持する保持部材上方とノズルを待機させるノズルバスとの間を移動可能になっているが、ノズルが大型化することによって、ノズルを移動させる移動機構等も大掛かりなものになる。
【０００８】
また、通常、ノズルが現像液等を供給するために基板保持部材上方とノズルバスとの間を移動する時間よりも、ノズルバス内で待機している時間の方が長く、このノズルの待機中に結露が発生する場合があった。ノズルの待機中に結露が発生すると、ノズルに付着した水滴が基板上に落ち、その結果、現像むらが生じて、基板面内で均一にレジスト膜を現像することができなくなってしまう。したがって、このノズルの待機中に効果的に結露を防止する必要がある。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、現像液をはじめとする低温の各種の処理液を用いた処理において、当該処理液を供給する処理液ノズルの結露の発生を防止し、前記処理液による処理を基板面内で均一に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置であって、基板を保持する保持部材と、基板上に前記処理液を供給する処理液ノズルと、前記保持部材上方から退避した前記処理液ノズルの先端部を収容して、当該処理液ノズルを待機させるノズルバスと、前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸し、前記露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する一対のパージガスノズルと、を有することを特徴としている。なお、常温とは例えば２３℃である。
【００１１】
本発明によれば、処理液ノズルがノズルバスで待機中に、当該処理液ノズルの露出部に対して一対のパージガスノズルから水分を含まないパージガスを供給している。このため、常温より低い所定の温度の処理液を用いた場合であっても、処理液ノズルが結露するのを防止することができ、結露した水滴が基板上に滴下されるのを防止することができる。したがって、処理を基板面内で均一に行うことができる。しかも、本発明によれば一対のパージガスノズルを設けるだけで処理液ノズルの結露を防止できるので、処理装置を従来よりも簡素化して、製造コストも低廉化することができる。なお、処理液ノズルから処理液を供給して基板の処理を行う時間は、処理液ノズルがノズルバスで待機する時間に比して極めて短時間であるため、当該処理液による処理中に処理液ノズルが結露することはない。
【００１２】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、前記処理液供給管において、内側の配管内には前記処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。
【００１３】
前記ノズルバスの上端には、前記処理液ノズルと当接して前記ノズルバスの内部を密閉するシール部材が設けられていてもよい。
【００１４】
前記処理装置は、基板上に前記所定の温度以下のリンス液を供給するリンス液ノズルを有し、前記処理液ノズル及び前記リンス液ノズルは、一の支持部材に支持されていてもよい。かかる場合、前記リンス液ノズルには、前記リンス液を供給し且つ２重管構造を有するリンス液供給管が接続され、前記リンス液供給管において、内側の配管内にはリンス液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。
【００１５】
前記処理装置は、前記基板上のリンス液の表面張力を低下させ且つ前記所定の温度の他の処理液を基板上に供給する他の処理液ノズルを有し、前記処理液ノズル、前記リンス液ノズル及び前記他の処理液ノズルは、一の支持部材に支持されていてもよい。かかる場合、前記他の処理液ノズルには、前記他の処理液を供給し且つ２重管構造の他の処理液供給管が接続され、前記他の処理液供給管において、内側の配管内には他の処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していてもよい。なお、他の処理液には例えばイソプロピルアルコールが用いられる。
【００１６】
前記処理液ノズルには、前記処理液の温度を測定する温度センサが設けられていてもよい。
【００１７】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であるのが好ましい。
【００１８】
前記した処理液は、露光後の基板を現像する際に使用される現像液であってもよい。
【００１９】
別な観点による本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する方法であって、保持部材に保持された基板上に処理液ノズルから前記処理液を供給して、基板を処理する処理工程と、その後、前記処理液ノズルを前記保持部材上方からノズルバスに移動させ、当該ノズルバス内に前記処理液ノズルの先端部を収容して当該処理液ノズルを待機させる待機工程と、を有し、前記待機工程において、前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸する一対のパージガスノズルから、前記露出部に対して、水分を含まないパージガスを供給することを特徴としている。
【００２０】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、前記処理工程及び前記待機工程において、前記処理液供給管の内側の配管内に処理液を流し、前記内側の配管と外側の配管との間に水分を含まないパージガスを流してもよい。
【００２１】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であるのが好ましい。
【００２２】
これらの方法においても、前記した処理液は、露光後の基板を現像する際に使用される現像液であってもよい。
【００２３】
また別な観点による本発明によれば、前記処理方法を処理装置によって実行させるために、当該処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２４】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、低温の処理液を用いた処理において、処理液ノズルの結露の発生を防止し、処理を基板面内で均一に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】保持部材の構成の概略を示す平面図である。
【図３】本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図４】複合ノズル体の斜視図である。
【図５】複合ノズル体の縦断面図である。
【図６】複合ノズル体とノズルバスの斜視図である。
【図７】複合ノズル体がノズルバスに待機している状態を示す説明図である。
【図８】現像処理の各工程を示したフローチャートである。
【図９】他の実施の形態にかかる複合ノズル体の斜視図である。
【図１０】他の実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理装置しての現像処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。なお、現像処理装置１で用いられる現像液の温度は、常温（２３℃）より低い所定の温度、例えば１℃〜１０℃であり、本実施の形態においては例えば３℃である。また、本実施の形態では、基板として上述したマスク用の基板Ｇを現像処理する場合について説明する。この基板Ｇは、平面視において例えば四角形状を有し、例えばガラスからなる。また、基板Ｇ上には、現像処理装置１に搬入される際に予めレジスト膜が形成されている。
【００２８】
次に上述した現像処理装置１の構成について説明する。現像処理装置１は、図１に示すように側面に基板Ｇの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１０を有している。処理容器１０は内部を密閉可能であり、本実施の形態では、当該内部の雰囲気の温度は常温（２３℃）より低い、例えば１５℃に維持されている。
【００２９】
処理容器１０の内部には、基板Ｇを保持して回転させる保持部材２０が設けられている。保持部材２０は、図２に示すように内部に基板Ｇを収容する収容部２１を有している。収容部２１の開口した下面には、収容部２１を支持する支持フレーム２２が設けられている。支持フレーム２２は後述するシャフト２４を中心に十字状に配置され、収容部２１に収容された基板Ｇの下面を支持することができる。収容部２１の内周は、基板Ｇの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部２１の外周は、略円形の平面形状を有している。ここで、現像処理装置１の処理容器１０への基板Ｇの搬入出には搬送アームＡが用いられる。搬送アームＡには、基板Ｇの角部を保持する保持部Ｂが例えば４箇所に設けられている。この搬送アームＡから収容部２１に基板Ｇを受け渡す際に、搬送アームＡの保持部Ｂが収容部２１と干渉するのを避けるため、収容部２１の外周には切欠き部２３が４箇所に形成されている。
【００３０】
保持部材２０の支持フレーム２２は、図１に示すようにシャフト２４に取付けられている。保持部材２０の下方には、このシャフト２４を介して回転駆動部２５が設けられている。この回転駆動部２５により、保持部材２０は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
【００３１】
保持部材２０の下方側には上方に突起したガイドリング３０が設けられており、このガイドリング３０の外周縁は下方側に屈曲して延びている。また、保持部材２０、保持部材２０に保持された基板Ｇ及びガイドリング３０を囲むようにカップ３１が設けられている。
【００３２】
カップ３１は、上面に保持部材２０が昇降できるように基板Ｇよりも大きい開口部が形成されていると共に、側周面とガイドリング３０の外周縁との間に排出路をなす隙間３２が形成されている。カップ３１の下方側は、ガイドリング３０の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。カップ３１の底部の内側領域には排気口３３が形成されており、この排気口３３には排気管３３ａが接続されている。さらにカップ３１の底部の外側領域には排液口３４が形成されており、この排液口３４には排液管３４ａが接続されている。
【００３３】
保持部材２０の下方であって、ガイドリング３０上には、基板Ｇの裏面に向けてリンス液を噴射するバックリンスノズル３５、３５が例えば２箇所に設けられている。バックリンスノズル３５には、例えば３℃のリンス液を供給する供給管３６が接続されている。供給管３６は２重管構造を有している。供給管３６の内側配管内には例えば３℃のリンス液が流通し、内側配管と外側配管との間には水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、供給管３６が結露するのを防止している。なおリンス液は、図１に示したように、リンス液供給源３７から供給管３６へと供給され、前記パージガスは、パージガス供給源３８から供給管３６へと供給される。
【００３４】
図３に示すようにカップ３１のＸ方向負方向（図３の下方向）側には、Ｙ方向（図３の左右方向）に沿って延伸するレール４０が形成されている。レール４０は、例えばカップ３１のＹ方向負方向（図３の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図３の右方向）側の外方まで形成されている。レール４０には、アーム４１が取り付けられている。
【００３５】
アーム４１には、基板Ｇ上に各種液を供給する複合ノズル体４２が支持されている。アーム４１は、ノズル駆動部４３により、レール４０上を移動自在である。これにより、複合ノズル体４２は、カップ３１のＹ方向正方向側の外方に設置されたノズルバス４４からカップ３１内の基板Ｇの中心部上方まで移動できる。また、アーム４１は、ノズル駆動部４３によって昇降自在であり、複合ノズル体４２の高さを調整できる。
【００３６】
複合ノズル体４２は、図４に示すように例えば基板Ｇ上に現像液を供給する現像液ノズル５０と、基板上Ｇ上にリンス液を供給するリンス液ノズル５１と、基板Ｇ上に、本発明の他の処理液としての処理液を供給する、他の処理液ノズルとしての処理液ノズル５２とを有する。リンス液ノズル５１及び処理液ノズル５２は、固定部材５３を介して現像液ノズル５０に固定されている。なお、本実施の形態では、現像液に有機系の現像液が用いられる。また、リンス液にも有機系の現像液が用いられる。さらに、本発明の他の処理液としての処理液にはイソプロピルアルコールが用いられる。
【００３７】
現像液ノズル５０の下端面には、スリット状の供給口６０が形成されている。現像液ノズル５０は、供給口６０から保持部材２０に保持された基板Ｇに向けて斜め下方に帯状に現像液を吐出できる。現像液ノズル５０には、当該現像液ノズル５０に現像液を供給する現像液供給管６１が接続されている。現像液供給管６１は２重管構造を有している。現像液供給管６１の内側配管６２内には、図５に示すように例えば３℃に温度調節された現像液が流通する。この内側配管６２は、供給口６０に連通している。また、内側配管６２と外側配管６３との間には、水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、現像液供給管６１が結露するのを防止している。現像液は、現像液供給源６４から現像液供給管６１の内側配管６２へと供給される。またパージガスは、パージガス供給源６５から内側配管６２と外側配管６３の間に供給される。パージガス供給源６５を設けず、前出パージガス供給源３８から供給するようにしてもよい。なお、現像液ノズル５０には例えばテフロン（登録商標）が用いられる。
【００３８】
リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２の下端面には、図４に示すように略円形の供給口７０、７１がそれぞれ形成されている。リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２からリンス液と、他の処理液としての処理液が供給される基板Ｇ上の位置は、現像液ノズル５０から現像液が供給される基板Ｇ上の位置とほぼ一致している。リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２には、これらリンス液ノズル５１と処理液ノズル５２にリンス液と処理液を供給する、リンス液供給管及び他の処理液供給管としての液供給管７２が接続されている。液供給管７２は、２本の内側配管７３、７４を内部に備えた２重管構造を有している。第１の内側配管７３内には、図５に示すように例えば３℃に温度調節されたリンス液が流通する。第１の内側配管７３は、リンス液ノズル５１に接続されている。第２の内側配管７４内には、例えば３℃に温度調節された処理液が流通する。第２の内側配管７４は、処理液ノズル５２に接続されている。また、内側配管７３、７４と外側配管７５との間には、水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが流通する。このパージガスにより、液供給管７２が結露するのを防止している。リンス液は、リンス液供給源７６から、第１の内側配管７３へと供給される。
【００３９】
現像液ノズル５０は、図４に示すようにその上端部を支持部材８０に支持されている。また、リンス液ノズル５１と処理液ノズル５２は、この支持部材８０を貫通して配置されている。支持部材８０の一の側面には、図５に示すように現像液の温度を測定する温度センサ８１を設けるための継手８２が接続されている。また、支持部材８０の他の側面は、図３に示したアーム４１に支持されている。
【００４０】
支持部材８０の上面には、通気部材８３が設けられている。通気部材８３には、現像液供給管６１内のパージガスが流入する第１のガス室８４と、液供給管７２内にパージガスを流出させる第２のガス室８５とが形成されている。第１のガス室８４と第２のガス室８５との間には、パージガスが流通する流通口８６が形成されている。したがって、現像液供給管６１内を流通するパージガスは、第１のガス室８４、流通口８６、第２のガス室８５を経由して液供給管７２内に流入する。すなわち、通気部材８３は、現像液供給管６１内と液供給管７２内でパージガスが循環するように構成されている。
【００４１】
複合ノズル体４２は、基板Ｇに処理を行わないとき、図６に示すようにノズルバス４４で待機している。複合ノズル体４２は、その先端部がノズルバス４４内に収容される。そして、複合ノズル体４２の支持部材８０、継手８２及び通気部材８３は、ノズルバス４４から露出し処理容器１０内の雰囲気に晒されている。なお、本実施の形態では、これら支持部材８０、継手８２及び通気部材８３が本発明における露出部を構成している。
【００４２】
ノズルバス４４は、バス本体９０を有している。バス本体９０の上面には、上述したように複合ノズル体４２の先端部を収容する収容部９１が設けられている。図７に示すように収容部９１の上面には、複合ノズル体４２と当接してノズルバス４４の内部を密閉するためのシール部材９２が環状に設けられている。シール部材９２には、例えば樹脂製のＯリングが用いられる。
【００４３】
また、ノズルバス４４は、図６に示すように一対のパージガスノズル９３、９３を有している。一対のパージガスノズル９３、９３は、バス本体９０の上面に設けられたパージガス供給源９４に接続されている。一対のパージガスノズル９３、９３は、ノズルバス４４で待機中の複合ノズル体４２を挟んで設けられている。パージガスノズル９３は、上述したようにノズルバス４４から露出した支持部材８０、継手８２及び通気部材８３を覆うように水平方向に延伸している。そして図７に示すように、パージガスノズル９３の長手方向に形成された複数の供給口（図示せず）から、支持部材８０、継手８２及び通気部材８３に水分を含まない常温のパージガス、例えば空気や窒素ガスが供給される。このパージガスによって、支持部材８０、継手８２及び通気部材８３が結露するのを防止している。なお、ノズルバス４４内にも水分を含まない常温のパージガスが供給されており、待機中の複合ノズル体４２の先端部の結露が防止される。
【００４４】
なお、上述した現像液供給管６１、液供給管７２及び供給管３６は、それぞれ液供給装置（図示せず）に接続されている。液供給装置内では、現像液ノズル５０に供給される現像液、リンス液ノズル５１及びバックリンスノズル３５に供給されるリンス液、処理液ノズル３６に供給される処理液が、それぞれ３℃に温度調節される。
【００４５】
以上の現像処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、現像処理装置１における基板Ｇの現像処理を実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００４６】
本実施の形態にかかる現像処理装置１は以上のように構成されている。次に、その現像処理装置１で行われる現像処理について説明する。図８は、この現像処理の主な処理フローを示している。
【００４７】
先ず、基板Ｇが搬送アームＡに保持され現像処理装置１に搬送される。現像処理装置１に搬入された基板Ｇは、保持部材２０に保持される。このとき、現像処理装置１内の雰囲気の温度は例えば１５℃に調節されている。続いて、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方まで移動させると共に、基板Ｇを回転させる。そして、回転中の基板Ｇの表面にリンス液ノズル５１から例えば３℃のリンス液を供給する共に、基板Ｇの裏面にバックリンスノズル３５から例えば３℃のリンス液を噴射する。こうして、基板Ｇが約３℃に冷却される（図８のステップＳ１）。
【００４８】
その後、リンス液ノズル５１及びバックリンスノズル３５からのリンス液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上に現像液ノズル５０から例えば３℃の現像液を供給する。供給された現像液は遠心力により基板Ｇ上で拡散し、基板Ｇ上のレジスト膜が現像される（図８のステップＳ２）。このとき、予め基板Ｇが約３℃に冷却されているので、現像速度を十分に遅くできる。したがって、現像処理を基板面内で均一に行うことができ、基板Ｇ上に所定のレジストパターンを形成することができる。
【００４９】
その後、現像液ノズル５０からの現像液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上にリンス液ノズル５１から例えば３℃のリンス液を供給する。このリンス液により、基板Ｇの表面が洗浄される（図８のステップＳ３）。
【００５０】
その後、リンス液ノズル５１からのリンス液の供給を停止し、続いて回転中の基板Ｇ上に処理液ノズル５２から例えば３℃の処理液を供給する。ここで、ステップＳ３で基板Ｇ上にリンス液を供給すると、いわゆるパターン倒れが起こり易くなる。パターン倒れは、リンス液の表面張力によってレジストパターンが引っ張られて倒れる現象であり、特に微細なレジストパターンを形成する際に顕著に発生する。本実施の形態では、処理液であるイソプロピルアルコールを基板Ｇ上に供給してレジストパターン上に残存するリンス液の表面張力を低下させ、パターン倒れを防止することができる。こうして、処理液によって基板Ｇの表面処理が行われる（図８のステップＳ４）。
【００５１】
その後、処理液ノズル５２からの処理液の供給を停止し、引き続き基板Ｇを回転させて処理液を振り切り乾燥させる。その後、基板Ｇの回転を停止すると共に、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方からノズルバス４４に移動させる。
【００５２】
このように現像処理３０における処理が終了すると、基板Ｇは保持部材２０から搬送アームＡに受け渡され現像処理装置１から搬出される。こうして、現像処理装置１における一連の現像処理が終了する。
【００５３】
一方、ノズルバス４４に移動した複合ノズル体４２は、その先端部がノズルバス４４に収容される。このように複合ノズル体４２がノズルバス４４に待機中、一対のパージガスノズル９３、９３から複合ノズル体４２の露出部、すなわち支持部材８０、継手８２及び通気部材８３に対してパージガスが供給される（図８のステップＳ５）。また、ノズルバス４４の内部にもパージガスが供給される。こうして、待機中の複合ノズル体４２の結露が防止される。また、この複合ノズル体４２の待機中、現像液供給管６１と液供給管７２内にはそれぞれパージガスが流通し、これら現像液供給管６１と液供給管７２の結露が防止される。
【００５４】
そして、次の基板ＧＮ（なお、符号「ＧＮ」は図中には登場しないが、先に処理に付された基板Ｇと区別するために文章中で用いている）が現像処理装置１に搬入され所定の現像処理が行われる前に、待機中の複合ノズル体４２の現像液ノズル５０から現像液供給管６１内に残存する現像液がノズルバス４４内に排出され廃棄される（図８のステップＳ６）。この現像液の排出は、複合ノズル体４２の待機中、現像液供給管６１内の現像液の温度は上昇して３℃以上になっているため行われる。その後、液供給装置（図示せず）から３℃に温度調節された現像液が現像液ノズル５０に供給され、現像液ノズル５０において現像液のダミー吐出が行われる（図８のステップＳ７）。このダミー吐出は、現像液ノズル５０から供給される現像液の温度を３℃に安定させるために行われる。なお、同様にリンス液ノズル５１と処理液ノズル５２においても、ステップＳ６における液供給管７２内のリンス液と処理液の排出、ステップＳ７におけるダミー吐出がそれぞれ行われる。
【００５５】
その後、一対のパージガスノズル９３、９３からのパージガスの供給を停止する（図８のステップＳ８）。続いて、複合ノズル体４２を基板Ｇの中心部上方まで移動させた後、基板ＧＮに対して、リンス液による基板ＧＮの冷却（図８のステップＳ１）、現像液による基板ＧＮ上のレジスト膜の現像（図８のステップＳ２）、リンス液による基板ＧＮの表面の洗浄（図８のステップＳ３）、処理液による基板ＧＮの表面処理（図８のステップＳ４）が順次行われる。その後、基板Ｇは保持部材２０から搬送アームＡに受け渡され現像処理装置１から搬出される。こうして、基板ＧＮに対する一連の現像処理が終了する。
【００５６】
以上の実施の形態によれば、ステップ５において複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機中に、当該複合ノズル体４２の露出部に対して一対のパージガスノズル９３、９３から水分を含まないパージガスを供給している。このため、現像処理装置１で用いられる現像液、リンス液、処理液の温度が常温より低い温度の３℃であっても、複合ノズル体４２が結露するのを防止することができ、結露した水滴が基板Ｇ上に滴下されるのを防止することができる。したがって、現像処理を基板面内で均一に行うことができる。なお、複合ノズル体４２から現像液、リンス液、処理液を供給して基板Ｇの現像処理を行う時間は、複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機する時間に比して極めて短時間であるため、当該現像液処理中に複合ノズル体４２が結露することはない。
【００５７】
また、現像液供給管６１は２重管構造を有し、内側配管６２と外側配管６３との間には水分を含まないパージガスが流通している。同様に、液供給管７２も２重管構造を有し、内側配管７３、７４と外側配管７５との間には水分を含まないパージガスが流通している。したがって、これら現像液供給管６１と液供給管７２の結露を防止することができる。
【００５８】
また、ノズルバス４４の収容部９１の上面には、複合ノズル体４２と当接してノズルバス４４の内部を密閉するためのシール部材９２が設けられている。このため、複合ノズル体４２がノズルバス４４で待機中、当該ノズルバス４４内に水分を含まないパージガスを充満させることができる。したがって、複合ノズル体４２の先端部の結露を確実に防止することができる。また、ステップＳ６において複合ノズル体４２から現像液、リンス液及び処理液が排出される際や、ステップＳ７において複合ノズル体４２から現像液、リンス液及び処理液のダミー吐出が行われる際に、これら現像液、リンス液及び処理液がノズルバス４４から処理容器１０に流出するのを防止することができる。
【００５９】
また、現像液ノズル５０、リンス液ノズル５１、処理液ノズル５２は、一体の複合ノズル体４２として設けられるため、レール４０やアーム４１、ノズル駆動部４３を複数設ける必要がない。したがって、現像処理装置１を簡素化して小型化でき、現像処理装置１の製造コストも低廉化することができる。
【００６０】
また、現像液ノズル５０には温度センサ８１が設けられているので、現像液ノズル５０から基板Ｇ上に供給される直前の現像液の温度を測定できる。このため、基板Ｇ上の現像液の温度を確実に３℃に維持することができ、現像処理を適切に行うことができる。
【００６１】
以上の実施の形態では、ステップＳ１で基板Ｇを冷却するために用いられるリンス液の温度は所定の温度、例えば３℃であったが、当該リンス液の温度を３℃よりも低くしてもよい。かかる場合、ステップＳ３で基板Ｇを洗浄するために用いられるリンス液の温度は３℃であるため、複合ノズル体４２には、図９に示すように他のリンス液ノズル１１０が別途設けられる。すなわち、リンス液ノズル５１から基板Ｇに供給されるリンス液の温度は３℃よりも低く、他のリンス液ノズル１１０から基板Ｇに供給されるリンス液の温度は３℃である。
【００６２】
他のリンス液ノズル１１０は、リンス液ノズル５１及び処理液ノズル５２と共に固定部材５３を介して現像液ノズル５０に固定されている。他のリンス液ノズル１１０の下端面には、略円形の供給口１１１が形成されている。他のリンス液ノズル１１０には、上述した液供給管７２が接続されている。液供給管７２内には、２本の内側配管７３、７４に加えて、内部に３℃のリンス液が流通する内側配管１１２が設けられている。この内側配管１１２が他のリンス液ノズル１１０に接続されている。なお、複合ノズル体４２のその他の構成については、図４で示した複合ノズル体４２の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
かかる場合、図８のステップＳ２において、基板Ｇにリンス液ノズル５１から３℃より低い温度のリンス液が供給され、基板Ｇが冷却される。そして、ステップＳ４において、基板Ｇ上に他のリンス液ノズル１１０から３℃のリンス液が供給され、基板Ｇの表面が洗浄される。なお、その他の処理工程については、図８に示した工程と同様であるので説明を省略する。
【００６４】
本実施の形態によれば、ステップＳ２において３℃より低い温度のリンス液が供給されるので、基板Ｇをより迅速に約３℃まで冷却することができる。したがって、基板Ｇの現像処理のスループットを向上させることができる。
【００６５】
以上の実施の形態では、リンス液ノズル５１、処理液ノズル５２、他のリンス液ノズル１１０は、一の液供給管７２に接続されていたが、それぞれ個別のリンス液供給管、処理液供給管に接続されていてもよい。かかる場合、それぞれのリンス液供給管、処理液供給管は２重管構造を有し、上記現像液供給管６１と同様の構成を有している。すなわち、リンス液供給管又は処理液供給管の内側配管内にはリンス液又は処理液がそれぞれ流通し、内側配管と外側配管との間には水分を含まない常温のパージガスが流通している。このパージガスによって、リンス液供給管と処理液供給管の結露を防止することができる。
【００６６】
以上の実施の形態の現像液ノズル５０には、種々の形状のノズルを用いることができ、例えば図１０に示す現像液ノズル１２０を用いてもよい、また、かかる場合、現像液ノズル１２０は複合ノズル体４２から別途独立して設けられてもよい。現像液ノズル１２０は、基板Ｇの一辺寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。現像液ノズル１２０の下面には、長手方向に沿って一列に形成された複数の吐出口（図示せず）が形成され、各吐出口から一様に現像液を吐出できる。
【００６７】
現像液ノズル１２０は、アーム１２１に支持されている。アーム１２１は、ノズル駆動部１２２により、Ｙ方向に沿って延伸するレール１２３上を移動自在である。これにより、現像液ノズル１２０は、カップ３１のＹ方向正方向側の外方に設置されたノズルバス１２４からカップ３１のＹ方向負方向側まで移動できる。また、アーム１２１は、ノズル駆動部１２２によって昇降自在であり、現像液ノズル１２０の高さを調整できる。
【００６８】
ノズルバス１２４は、図６に示したノズルバス４４と同様の構成を有している。すなわち、現像液ノズル１２０の先端部はノズルバス１２４に収容され、ノズルバス１２４の一対のパージガスノズル９３、９３はノズルバス１２４から露出した現像液ノズル１２０の露出部を覆うように水平方向に延伸している。かかる場合でも、一対のパージガスノズル９３、９３から供給されたパージガスによって、現像液ノズル１２０の露出部の結露を防止することができる。
【００６９】
また、以上の実施の形態では、マスク用の基板Ｇの現像処理について説明したが、本発明は、基板が例えば半導体ウェハやＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の場合にも適用できる。また、近年、基板により微細なパターンを形成するため、基板にフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いることが提案されている。このインプリトという方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレートを基板上に形成したレジスト表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト表面に直接パターンの転写を行うものである。本発明は、このようなテンプレートに現像処理を行う場合にも適用できる。さらに、このテンプレートは例えばホルダに保持されて本発明の現像処理が行われてもよい。
【００７０】
また、以上の実施の形態では、有機系の現像液と有機系のリンス液を用いて基板Ｇを現像処理する場合について説明したが、本発明は、アルカリ性の現像液と純水のリンス液を用いて基板を現像処理する場合にも適用できる。
【００７１】
また、以上の実施の形態では、基板を処理する処理液として、現像液を用いて基板Ｇを現像処理する場合について説明したが、本発明は、現像液以外の処理液を用いて基板を処理する場合にも適用できる。その場合、たとえば、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）、フッ酸、オゾン水、炭酸水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの処理液を用いて基板を処理することができ、たとえば基板に対する洗浄、エッチング、酸化膜形成の処理等にも適用可能である。この場合、たとえば、前記処理液を供給するノズルから常温より低い所定の温度にした前記処理液を供給する際、結露によってノズルに付着した水滴が基板上に落ち、その結果、落ちた水滴が基板上でウォーターマークとなってパーティクルの原因となることを防止できる。さらにまた結露によって生じた水滴が基板上の処理液と混合して、濃度変化を起こして所期の処理が得られないといった事態も防止することができる。
【００７２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する際に有用である。
【符号の説明】
【００７４】
１ 現像処理装置
１０ 処理容器
２０ 保持部材
３５ バックリンスノズル
４２ 複合ノズル体
４４ ノズルバス
５０ 現像液ノズル
５１ リンス液ノズル
５２ 処理液ノズル
６１ 現像液供給管
６２ 内側配管
６３ 外側配管
７２ 液供給管
７３ 第１の内側配管
７４ 第２の内側配管
７５ 外側配管
８０ 支持部材
８１ 温度センサ
８３ 通気部材
９０ バス本体
９１ 収容部
９２ シール部材
９３ パージガスノズル
１１０ 他のリンス液ノズル
１２０ 現像液ノズル
１００ 制御部
Ｇ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置であって、
基板を保持する保持部材と、
基板上に前記処理液を供給する処理液ノズルと、
前記保持部材上方から退避した前記処理液ノズルの先端部を収容して、当該処理液ノズルを待機させるノズルバスと、
前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸し、前記露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する一対のパージガスノズルと、を有することを特徴とする、処理装置。
【請求項２】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、
前記処理液供給管において、内側の配管内には前記処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記ノズルバスの上端には、前記処理液ノズルと当接して前記ノズルバスの内部を密閉するシール部材が設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の処理装置。
【請求項４】
基板上に前記所定の温度以下のリンス液を供給するリンス液ノズルを有し、
前記処理液ノズル及び前記リンス液ノズルは、一の支持部材に支持されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の処理装置。
【請求項５】
前記リンス液ノズルには、前記リンス液を供給し且つ２重管構造を有するリンス液供給管が接続され、
前記リンス液供給管において、内側の配管内にはリンス液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記基板上のリンス液の表面張力を低下させ且つ前記所定の温度の他の処理液を基板上に供給する他の処理液ノズルを有し、
前記処理液ノズル、前記リンス液ノズル及び前記他の処理液ノズルは、一の支持部材に支持されていることを特徴とする、請求項４又は５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記他の処理液ノズルには、前記他の処理液を供給し且つ２重管構造の他の処理液供給管が接続され、
前記他の処理液供給管において、内側の配管内には他の処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記処理液ノズルには、前記処理液の温度を測定する温度センサが設けられていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の処理装置。
【請求項９】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１０】
前記処理液は、現像液であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１１】
常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する方法であって、
保持部材に保持された基板上に処理液ノズルから前記処理液を供給して、基板を処理する処理工程と、
その後、前記処理液ノズルを前記保持部材上方からノズルバスに移動させ、当該ノズルバス内に前記処理液ノズルの先端部を収容して当該処理液ノズルを待機させる待機工程と、を有し、
前記待機工程において、
前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸する一対のパージガスノズルから、前記露出部に対して、水分を含まないパージガスを供給することを特徴とする、処理方法。
【請求項１２】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、
前記処理工程及び前記待機工程において、前記処理液供給管の内側の配管内に処理液を流し、前記内側の配管と外側の配管との間に水分を含まないパージガスを流すことを特徴とする、請求項１１に記載の処理方法。
【請求項１３】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の処理方法。
【請求項１４】
前記処理液は、現像液であることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずかに記載の処理方法を処理装置によって実行させるために、当該処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１】
常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する処理装置であって、
基板を保持する保持部材と、
基板上に前記処理液を供給する処理液ノズルと、
前記保持部材上方から退避した前記処理液ノズルの先端部を収容して、当該処理液ノズルを待機させるノズルバスと、
前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸し、前記露出部に対して水分を含まないパージガスを供給する一対のパージガスノズルと、を有することを特徴とする、処理装置。
【請求項２】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、
前記処理液供給管において、内側の配管内には前記処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記ノズルバスの上端には、前記処理液ノズルと当接して前記ノズルバスの内部を密閉するシール部材が設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の処理装置。
【請求項４】
基板上に前記所定の温度以下のリンス液を供給するリンス液ノズルを有し、
前記処理液ノズル及び前記リンス液ノズルは、一の支持部材に支持されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の処理装置。
【請求項５】
前記リンス液ノズルには、前記リンス液を供給し且つ２重管構造を有するリンス液供給管が接続され、
前記リンス液供給管において、内側の配管内にはリンス液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記基板上のリンス液の表面張力を低下させ且つ前記所定の温度の他の処理液を基板上に供給する他の処理液ノズルを有し、
前記処理液ノズル、前記リンス液ノズル及び前記他の処理液ノズルは、一の支持部材に支持されていることを特徴とする、請求項４又は５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記他の処理液ノズルには、前記他の処理液を供給し且つ２重管構造の他の処理液供給管が接続され、
前記他の処理液供給管において、内側の配管内には他の処理液が流通し、前記内側の配管と外側の配管との間には水分を含まないパージガスが流通していることを特徴とする、請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記処理液ノズルには、前記処理液の温度を測定する温度センサが設けられていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の処理装置。
【請求項９】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１０】
前記処理液は、現像液であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１１】
常温より低い所定の温度の処理液を用いて基板を処理する方法であって、
保持部材に保持された基板上に処理液ノズルから前記処理液を供給して、基板を処理する処理工程と、
その後、前記処理液ノズルを前記保持部材上方からノズルバスに移動させ、当該ノズルバス内に前記処理液ノズルの先端部を収容して当該処理液ノズルを待機させる待機工程と、を有し、
前記待機工程において、
前記ノズルバスで待機中の前記処理液ノズルを挟んで設けられ、当該処理液ノズルの前記ノズルバスから露出した露出部における水平方向の長さより長く延伸する一対のパージガスノズルから、前記露出部に対して、水分を含まないパージガスを供給することを特徴とする、処理方法。
【請求項１２】
前記処理液ノズルには、前記処理液を供給し且つ２重管構造を有する処理液供給管が接続され、
前記処理工程及び前記待機工程において、前記処理液供給管の内側の配管内に処理液を流し、前記内側の配管と外側の配管との間に水分を含まないパージガスを流すことを特徴とする、請求項１１に記載の処理方法。
【請求項１３】
前記所定の温度は１℃〜１０℃であることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の処理方法。
【請求項１４】
前記処理液は、現像液であることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずかに記載の処理方法を処理装置によって実行させるために、当該処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
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【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１１−１７１７０８（Ｐ２０１１−１７１７０８Ａ）
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２６９４８４（Ｐ２０１０−２６９４８４）
【出願日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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