【課題】モールドに損傷を与えることなく効率良くモールドのパターン面から樹脂を除去することができる樹脂除去方法を提供すること。
【解決手段】実施形態の樹脂除去方法では、インプリントに用いられるパターン原版に付着した樹脂を除去するアッシングガス雰囲気中で、前記パターン原版に紫外線を照射することにより、前記パターン原版上のパターン凹凸部の局所領域に近接場光を発生させる。そして、前記アッシングガスおよび前記近接場光を用いて、前記パターン原版から前記樹脂を除去する。 （もっと読む）

【課題】ワークＷの寸法に対して可能な限り小さな光源ランプ１１と窓部材１２を使いつつ、窓部材１２の放射光を効果的に利用することを課題をする。
【解決手段】本発明に係る光処理装置は、光照射ユニット２０からの放射光を略矩形状のパターン形成部を有するワークＷに照射させる装置であり、前記光照射ユニット２０は、ケーシング１０と、このケーシング１０の内部に配置された紫外線放射ランプ１１と、ケーシング１０の一面に設けられた矩形状の光透過性窓部材１２とよりなり、光透過性窓部材１２とパターン形成部の一辺同士が平行ではないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト等の炭素含有薄膜のパターンの凸部のスリミング処理時のスリミング量（削り取り量）のばらつきを抑制してスリミング処理毎の再現性を向上させることが可能な炭素含有薄膜のスリミング方法である。
【解決手段】パターン化された炭素含有薄膜１０４が形成された被処理体Ｗを酸化装置２の処理容器４内へ搬入する搬入工程と、処理容器内へ水分を供給しつつ酸化ガスにより炭素含有薄膜１０４の表面を酸化処理して除去することによりパターンの凸部１０４Ｂの幅を小さくするスリミング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】記憶層を分断加工する際に記憶層の表面酸化を抑えることが可能な記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１１が形成された基板２上に、記憶層材料膜１３Ａと上部電極材料膜１２Ａとを順に形成する。上部電極材料膜１２の上にフォトレジスト膜３１を形成する。フォトレジスト膜３１をマスクとしたドライエッチングを行うことにより、上部電極材料膜１２Ａおよび記憶層材料膜１３Ａをこの順にエッチングし、上部電極１２および記憶層１３をライン状（線状）に形成する。誘導結合型プラズマまたは磁気中性線放電プラズマを用い、ドライプロセスでフォトレジスト膜３１を剥離する。記録層材料膜１３Ａまたは記憶層１３がウェットエッチング用の薬液に触れることがなくなり、記憶層１３の表面酸化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の量産プロセスにおいては、多層レジストパターンの再生時等に、多層レジスト膜の中間膜であるシリコン含有レジスト膜を除去する必要があるが、シリコンを含有するため通常のレジスト剥離液や酸素プラズマ処理では、除去困難であることが明らかとなった。これは、シリコンを含まないレジスト等の除去液や酸素プラズマによる処理は、通常、シリコンの除去能力が低いからである。
【解決手段】本願の一つの発明は、半導体集積回路装置の製造プロセス中におけるウエハ上の多層レジスト膜のシリコン含有中間層の除去工程において、多層レジスト膜に対して、オゾン処理を施した後、薬液を用いたウエット処理を実施するものである。 （もっと読む）

【課題】同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】半導体基板１の上に、絶縁膜２と導電層３を順次形成する。導電層３の上にレジストパターン４を形成する。レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。レジストパターン４の表層部を一部削る。レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスにおいて基板上に形成される有機質物膜および／またはその膜をエッチングおよび／または研磨した際に生成する有機残渣に、１〜５００ｍＷ／ｃｍ²の照射強度の真空紫外線を、大気中、２ｍｍ以下の距離で照射することを特徴とする有機質物除去方法。 （もっと読む）

【課題】分解しようとするガスが分解されずに排出される可能性を極力抑制しつつ、ガス分解器の能力を限界付近まで使用することでその寿命を長くすることができるガス分解システムを提供すること。
【解決手段】ガス分解システム４０は、オゾンガスが供給されるチャンバ１１内からオゾンガスを排気する排気配管３１に設けられ、オゾンガスを分解するオゾンキラー４１と、オゾンキラー４１の途中から分岐する分岐配管４２と、分岐配管４２に設けられたオゾンガスの濃度を検出するオゾンセンサ４３と、オゾンセンサ４３が検出したオゾンガスの濃度をモニタするモニタ部５１ａとを具備し、モニタ部５１ａによりモニタされたオゾンガスの濃度からオゾンキラー４１が寿命に達したか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】重合硬化後のエポキシ系レジストをドライエッチングにより除去することができる、レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜除去装置１は、真空引き可能な真空容器２と、真空容器２を真空排気する手段１１と、被加工層を有する基板を真空容器内に保持する基板保持手段４と、基板を所定の温度に設定する手段と、真空容器内に取り付けられた高融点材料からなるワイヤ５と、ワイヤ５を抵抗加熱する電源６と真空容器内に水素を含んだガス分７子と水素と酸素を含んだガス分子８とを導入するガス導入手段と、を備え、水素を含んだガス分子７及び水を含んだガス分子８と、抵抗加熱したワイヤ５との接触分解反応により生成する活性原子種２４を用いて、被加工層に形成したエポキシ系フォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高くかつ高品質な半導体基板を得ることが可能な紫外線照射装置および紫外線照射方法を提供すること。
【解決手段】紫外線ランプユニット８から照射される赤外線によるウェハ６の温度上昇を考慮し、紫外線ランプユニット６と重合する位置に配備されたヒータユニット７ｂから放射される輻射熱と紫外線ランプユニット８から放出される輻射熱の単位面積あたりの総和が他のヒータユニット７ａの単位面積あたりの輻射熱と同等になるようにヒータユニット７ｂを加熱制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オゾンによるレジスト除去方法として、従来の方法とは異なる方法で、高い速度で、基板上のレジストを除去することが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、レジスト膜が形成された基板に対し、前記レジスト膜を除去するための基板処理方法であって、オゾン分解触媒液に前記基板を浸漬させる触媒液浸漬工程と、オゾン水に前記基板を浸漬させるオゾン水浸漬工程と、を備え、前記両工程を複数回繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】下地となる低誘電率材料にダメージを与えることなく、硬化したフォトレジストを除去する。
【解決手段】硬化したフォトレジストを、低誘電率材料を含む基板から除去し、低誘電率材料の特性を保存する方法を提供する。ａ）硬化したフォトレジストおよび少なくとも部分的に露出した低誘電率材料を含む基板を用意する。ｂ）硬化したフォトレジストを、真空または不活性雰囲気で２００ｎｍ〜３００ｎｍの波長を有するＵＶ放射で露光することによって、硬化したフォトレジスト中にＣ＝Ｃ二重結合を形成する。ｃ）硬化したフォトレジストを、オゾン（Ｏ_３）またはオゾン（Ｏ_３）と酸素（Ｏ_２）の混合物と反応させることによって、ｂ）で形成されたＣ＝Ｃ二重結合を破壊し、これにより硬化フォトレジストを断片化する。ｄ）クリーニング化学薬品を用いた湿式処理によって、ｃ）で得られた断片化したフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。
【解決手段】チャンバー７によって、レジストが塗布されているウェハに紫外光を照射する。チャンバー５によって、ウェハをオゾンガスに接触させてアッシングする。チャンバー６によって、レジストの成分に対応する半導体ガスを接触させる。チャンバー７によって、紫外光を照射したウェハに対してオゾンガスを接触させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上のレジスト膜に形成された複数の回路パターン毎の寸法を測定し、直後に測定情報に基づいて紫外光を照射して各回路パターン毎の補正を行うようにした回路パターンの補正方法及びその装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷ表面のレジスト膜に形成される複数のチップＣＰ（回路パターン）の寸法を目標寸法に補正する回路パターンの補正方法において、ウエハに形成された各回路パターン間のピッチと同寸法に回路パターンの測定手段７０と紫外線照射手段７１との位置を調整し、測定手段によって各回路パターンの寸法を順次測定し、測定手段によって測定された情報に基づいて各回路パターンの補正量を演算して目標寸法に達する紫外線の照射量を決定し、紫外線照射手段によって各回路パターンに順次、上記決定された照射量の紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】光透過窓と被処理物との間へ不活性ガスを充分に導入することができ、且つ、不活性ガスの使用量を低減させる紫外線照射方法及び紫外線照射装置を提供すること。
【解決手段】エキシマランプ１３を備えたランプハウス１１Ｂ内の不活性ガスを、紫外線を被処理物３０へ照射する光透過窓１４の周縁部から流出させ、光透過窓と被処理物との間での紫外線の減衰を抑える紫外線照射方法。ランプハウス内への不活性ガス流入口１５、エキシマランプ、エキシマランプからの紫外線を被処理物へ照射する光透過窓１４を少なくとも具備し、光透過窓の周縁部にランプハウス内の不活性ガス４０を光透過窓と被処理物との間に流出させる不活性ガス流出口１７が設けられていること。不活性ガス流出口が複数の孔からなるスリットＳ２である。 （もっと読む）

【課題】９０℃以下の低温で基板上のレジストを除去する。
【解決手段】レジスト除去装置１はレジスト１７の除去に供される基板１６を加熱可能に格納すると共に大気圧よりも低圧のもとオゾンガスと共に不飽和炭化水素ガスまたは不飽和炭化水素のフッ素置換体ガスが供給されるチャンバ２を備える。チャンバ２は基板１６の温度が９０℃以下となるように内圧が制御される。前記オゾンガスとしてはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスが挙げられる。前記処理した基板１６には洗浄するために超純水を供給するとよい。チャンバ２は基板１６を保持するサセプタ１５を備える。サセプタ２は赤外光を発する光源４によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト剥離後に、静電気で引き寄せられて再付着したゴミを洗浄するためのマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら２２２ｎｍＵＶ光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するＳＣ−１洗浄機と、前記ＳＣ−１洗浄機で洗浄した後、１７２ｎｍＵＶ光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するＵＶ洗浄機と、前記ＵＶ洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】９０℃以下の低温のもと基板上のレジストを面均一に除去する。
【解決手段】シャワーヘッド１２は基板１６の温度が９０℃以下となるように基板１６が格納された反応系の内圧が大気圧よりも低圧に制御されたもとでオゾンガスと不飽和炭化水素ガスを基板１６に供給して基板１６上のレジスト１７を除去する。シャワーヘッド１２は、オゾンガスを流通させる空間４１と、不飽和炭化水素ガスを流通させる空間４２と、空間４１内のオゾンガスと空間４２内の不飽和炭化水素ガスを個別に基板の表面に散気させる散気板３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）