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Fターム[5F046MA19]の内容

Fターム[5F046MA19]に分類される特許

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【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第1の吐出口61と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第2の吐出口62と、を有するノズル60とを備える。ノズルの第2の吐出口の部分において第2の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路67bと第2の吐出口にガスを導くためのガス吐出路68bが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第1の流量でガスが第2の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第1の吐出口から第1の薬液が吐出されているときには、第1の流量よりも少ない第2の流量でガスが第2の吐出口に流される。 (もっと読む)


【課題】流体収容部の加熱及び冷却を速やかに行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】ハロゲンランプ21の周囲にスパイラル管4を設け、前記ハロゲンランプ21とスパイラル管4との間に、ハロゲンランプ21を覆うように、ハロゲンランプ21の熱線を透過する材料により構成された筒状体5を設ける。また、スパイラル管4に向けて冷却液を供給する冷却液ノズルを設ける。スパイラル管4はハロゲンランプ21により速やかに加熱され、冷却液を直接供給されることにより速やかに冷却される。 (もっと読む)


【課題】アミン系剥離液使用により蓄積するレジスト樹脂、炭酸アンモニウム塩、溶解金属を連続的に除去し、剥離液の再生装置、方法を提供する。
【解決手段】剥離装置1内で循環する使用済み剥離液2を配管経路3を通じて電解槽4の陽極ドラム5およびカチオン交換膜6間に導入する。一方で電解槽4には陽極ドラム5に対向する陰極7が、カチオン交換膜6を介して設置されており、陰極7は再生済みの剥離液8によって満たされている。陽極と陰極間の電気伝導は陽イオンの移動による電気伝導が可能となっているので電気的には隔離されていない。陽極ドラム5及び陰極には、電気給手段として電源9が接続されている。陰極及び陽極間に直流電流を通電することで、使用済み剥離液に含まれるレジスト樹脂を陽極ドラム5の表面上に電着でき、剥離液中からレジスト樹脂を除去できる。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、前記処理面における発火を検出する検出部と、を備えたこと、を特徴とする基板処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】円形の基板の周縁を露光するにあたって、基板単位面積あたりの露光量を露光領域内で揃えることができる周縁露光装置及び周縁露光方法を提供すること。
【解決手段】光照射部2と基板との間に、その長手方向の位置に応じて光照射部2からの光の透過率が例えば0%から100%の間で連続的に変化する調光プレート30を介在させる。この調光プレート30はその長手方向に沿って移動し位置決め制御することができるようになっており、制御部により基板の移動速度に対応してその基板への露光照度を調整する。 (もっと読む)


【課題】レジスト剥離液成分含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の再生方法及び装置を提供する。
【解決手段】吸着工程では、レジスト剥離液成分含有水(原水)が原水供給ライン11から吸着材充填塔1内に供給され、該原水中のレジスト剥離液成分が吸着材1aに吸着される。レジスト剥離液成分が吸着された処理水は、処理水抜出ライン12から抜き出されて系外に排出される。脱離工程では、過熱水蒸気が過熱水蒸気供給ライン13aから吸着材充填塔1内に供給され、吸着材1aに吸着されたレジスト剥離液成分が脱離される。この脱離したレジスト剥離液成分と過熱水蒸気との混合流体(気体)が、混合流体抜出ライン14aから抜き出され、蒸留塔2に供給される。この蒸留塔2内において、レジスト剥離液成分(アルカノールアミン、有機溶媒等)と水蒸気とが分留される(蒸留工程)。 (もっと読む)


【課題】被着体や接着シートを一様に加熱して当該被着体に接着シートを貼付する。
【解決手段】半導体ウエハWを支持する支持手段1と、接着シートSを半導体ウエハWの上に配置するシート配置手段2と、接着シートSを半導体ウエハWに押圧して貼付する押圧手段4と、赤外線領域からマイクロ波領域における所定の波長域の電磁波を照射することで、半導体ウエハW及び接着シートSの少なくとも一方を加熱する加熱線照射手段5とを備えてシート貼付装置10が構成されている。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置の各液処理ユニットに処理液を供給するときに、流量の精度を落とすことなく流量制御機構をまとめることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液が流れる供給流路68aと、供給流路68aに処理液を供給する処理液供給部70と、供給流路68a上に設けられ、供給流路68aの流量を制御する流量制御機構131と、流量制御機構131の下流側に接続される第1の経路68c又は第1の経路68cと平行に接続される第2の経路68dに切り替える切替機構135とを有する。流量制御機構131は、供給流路68aの流量を計測する流量計測部132と、内部に開閉可能な弁を備えた流量制御弁133と、流量設定値FSと流量計測値FMとが等しくなるように、流量制御弁133を制御する流量制御部134とを有する。 (もっと読む)


【課題】ウエハを保持する保持部材等の劣化促進を抑制することを課題とする。
【解決手段】保持部材に保持されたウエハ上に60℃以上の第1の液体を供給し、ウエハ上に形成された第1の層の一部を除去する第1除去工程(ステップS1)と、第1除去工程の後、ウエハを冷却する工程(ステップS2)と、ウエハを冷却する工程の後、保持部材に保持されたウエハ上に60℃以上の第1の液体を供給し、第1除去工程で除去できなかった第1の層を除去する第2除去工程(ステップS3)と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト含有廃液からフォトレジストを効果的に分離するのに好適な、分画分子量が400〜800g/molのセラミック膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】限外ろ過膜層を有するセラミックフィルタに、更にナノろ過膜層を積層して形成するナノ濾過膜の製造方法であって、該積層して形成されるナノろ過膜は、ディップ製膜法による製膜工程と乾燥工程と焼成工程からなる第一のナノ濾過膜形成工程と、自然流下製膜法による製膜工程と乾燥工程と焼成工程からなる第二のナノ濾過膜形成工程からなる。 (もっと読む)


【課題】再生済の剥離液が所望の剥離性能を有し、かつ再生済の剥離液で基板表面から有機樹脂成分を剥離する際に、基板及び基板上の膜に対しダメージが与えられたり残渣が残ることを抑制可能な剥離液の再生方法を提供する。
【解決手段】
水溶性カルボニル化合物を含む剥離液を用いて基板表面の有機樹脂成分を溶解剥離した後、該剥離液に溶解している有機樹脂成分をオゾンガスにより分解し、さらにイオン交換樹脂で処理する剥離液の再生方法であって、
前記剥離液が水を含み、
前記イオン交換樹脂による処理が、イオン交換樹脂を使用して前記有機樹脂成分を分解することによって生じた生成物を除去する処理であることを特徴とする剥離液の再生方法。 (もっと読む)


【課題】装置が大型化および複雑化せず、処理液から発生する気泡を効果的に消泡することのできるエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理装置1Aは、ガラス基板200が搬送される搬送路を内部に含む処理槽10と、搬送路の上方に位置し、搬送路上を搬送されるガラス基板200に対してエッチング液100を供給する吐出管21と、搬送路よりも下方に位置する処理槽10の底部および側部にて構成され、エッチング液100を一時的に貯留するとともに、貯留されたエッチング液100を処理槽10の外部に排出する排出部13と、搬送路よりも下方でかつ排出部13の上方に位置し、排出部13に一時的に貯留されたエッチング液100の液面に生じた気泡102を加熱することで当該気泡102を破泡するヒータ30とを備える。 (もっと読む)


【課題】無機膜と当該無機膜と性質の異なる異質膜(金属膜や有機膜など)とが積層された被処理体を処理する場合においても、凸形状部が倒壊することを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、本体部Wと、本体部Wに設けられた複数の凸形状部Wとを有し、無機膜と当該無機膜と性質の異なる異質膜とが積層された被処理体Wを処理する。液処理装置は、被処理体Wの本体部Wを支持する支持部50と、支持部50によって支持された被処理体Wに、疎水化液を供給する疎水化液供給機構30と、疎水化液供給機構30によって疎水化液が供給された後の被処理体Wに、リンス液を供給するリンス液供給部22と、を備えている。疎水化液供給機構30は、無機膜を疎水化するための第一疎水化液を被処理体Wに供給する第一疎水化液供給部32と、異質膜を疎水化するための第二疎水化液を被処理体Wに供給する第二疎水化液供給部37とを有している。 (もっと読む)


【課題】乾燥処理に用いられるガス中のパーティクルを除去する濾材に対して、当該濾材をガスの流れる流路上に配置した状態のまま、この濾材に付着した付着物を除去することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は乾燥ガス発生部23にて乾燥用のガスを発生させ、このガスを濾材31に通流させてパーティクルを除去した後、処理部にて液体の付着した基板Wと接触させて、基板Wの乾燥処理を行う。濾材加熱部は、乾燥処理時には、乾燥ガスの温度を露点以上に維持するために濾材31を第1の温度に加熱し、濾材31の再生処理時には、濾材31に付着した付着物を気化させて除去するため当該濾材31を第1の温度よりも高い第2の温度に加熱する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのSiと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物からなるもの、又は、該撥水性洗浄液の総量100質量%に対して0.1質量%以上の該撥水性化合物と、有機溶媒とが混合されて含まれるものとすること。 (もっと読む)


【課題】薬液又は再利用水を供給する配管が長く又は配管の経路が複雑な場合も、ノズルの詰まりを防止して、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板1を移動しながら、制御弁34を閉じ、制御弁33を開いて、共通経路35a及び分岐経路35bを介して、ノズル39を薬液供給源30に接続して、ノズル39から基板1の表面へ薬液を吐出する。所定の周期又は所定の枚数の基板の処理毎に、制御弁33を閉じ、制御弁34を開いて、共通経路35a及び分岐経路35cを介して、ノズル39を圧縮気体供給源40に接続して、ノズル39から共通経路35a内の薬液及び圧縮気体を吐出する。圧縮気体の圧力により、ノズル39へつながる共通経路35a内から薬液が排出されて、薬液の結晶や異物の発生が抑制される。また、ノズル39内に付着した薬液の結晶や異物が、圧縮気体の圧力で除去される。 (もっと読む)


【課題】低ダメージで低コストなレジストの除去方法及び除去装置を提供する。
【解決手段】基板上の有機物を除去するための有機物の除去方法であって、触媒反応部内に、HガスとOガス又はHガスを導入し、HガスとOガス又はHガスを触媒と接触させることにより生成したHOガスを触媒反応部から噴出させ、噴出したHOガスにより基板上の有機物を除去することを特徴とする有機物の除去方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】同一軸で連続動作を行う際に、速度変更が必要な場合でも上位コントローラから1回のコマンドにより、モーションコントローラ側で途中停止しないで速度変更を実施できる機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め上位コントローラ701からダウンロードされた速度や位置を設定するためのパラメータを保持しておき、搬送ユニットの動作時に、該搬送ユニットの位置を監視し、所定の位置に達したら速度を変更するモーションコントローラ706を有する。 (もっと読む)


【課題】エッチング後のフォトレジストの剥離において、残渣による基板の汚染を防止し、残渣除去のための工程やコストを削減することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング方法は、フォトレジスト層をマスクとして用いた基板のエッチングにおいて、基板上に、中間層を設ける工程Aと、中間層上に、フォトレジスト層をパターン形成する工程Bと、フォトレジスト層を介して中間層をパターニングする工程Cと、フォトレジスト層及び中間層をマスクとして、基板に対してエッチングを行う工程Dと、フォトレジスト層上に、剥離層を設ける工程Eと、剥離層を剥がすことで、同時にフォトレジスト層及び中間層を基板から剥離する工程Fと、を順に有し、少なくとも工程Fの時点において、剥離層とフォトレジスト層との界面αにおける粘着力が、基板と中間層との界面βにおける粘着力よりも高くなるように、中間層及び剥離層を設ける。 (もっと読む)


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