【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
（もっと読む）

【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物と、下記一般式（２）で示される１種以上の化合物と、Ｙ−ＣＨＯで示される１種以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。


（もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


ＯＨＣ−Ｘ−ＣＨＯ（２） （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
（もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の量産プロセスにおいては、多層レジストパターンの再生時等に、多層レジスト膜の中間膜であるシリコン含有レジスト膜を除去する必要があるが、シリコンを含有するため通常のレジスト剥離液や酸素プラズマ処理では、除去困難であることが明らかとなった。これは、シリコンを含まないレジスト等の除去液や酸素プラズマによる処理は、通常、シリコンの除去能力が低いからである。
【解決手段】本願の一つの発明は、半導体集積回路装置の製造プロセス中におけるウエハ上の多層レジスト膜のシリコン含有中間層の除去工程において、多層レジスト膜に対して、オゾン処理を施した後、薬液を用いたウエット処理を実施するものである。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板の段差埋め込み性に優れ、耐溶媒性を有し、基板のエッチング中によれの発生がないだけでなく、エッチング後のパターンラフネスが良好なレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜形成方法、パターン形成方法。
【解決手段】少なくとも、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物の酸触媒縮合樹脂（Ａ）、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物（Ｂ）、フラーレン化合物（Ｃ）及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ含有率の高い中間層における従来技術の課題を解決することを目的とする。
【解決手段】本発明の多層レジストのパターン形成方法は、基板上の一方の表面に被加工膜を備えた多層レジストの被加工膜の表面に下層膜を形成する工程と、下層膜の表面に中間層を形成する工程と、中間層を形成した多層レジストを加熱する工程と、中間層の表面に、アルコキシシラン、シランカップリング剤、シリル化剤、酸発生剤または塩基発生剤を塗布する工程と、中間層の表面にレジストを塗布する工程と、レジストをパターニングする工程と、中間層と、下層膜と、被加工膜とをパターニングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる領域のパターン間に重ね合わせズレを発生させずに、一の領域に微細な狭ピッチパターンを形成すると同時に他の領域に微細パターンを形成する。
【解決手段】第１領域１０１及び第２領域１０２を含む基板１００上に被加工膜１２１を形成した後、各領域間で膜厚が異なる下層レジスト膜１２２及び１２３を形成し、その後、中間層レジスト膜１２４及び上層レジスト膜１２５を形成する。ホールパターン形成用の露光マスクを用いて上層レジスト膜１２５をパターニングした後、それをマスクとして中間層レジスト膜１２４をパターニングし、その後、それをマスクとして下層レジスト膜１２２及び１２３をパターニングした後、それをマスクとして被加工膜１２１をエッチングすることにより、各領域で開口寸法が異なる複数のホール１５１ａ及び１５１ｂを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性が維持され、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香族環を有する重合体と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子などであり、Ｒのうち、１又は２つがアダマンチル基、１又は２つがグリシジルエーテル基である。ｎは０〜３の整数である） （もっと読む）

【課題】露光可能限界寸法よりも小さい間隔のパターンを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された被加工膜１１上にレジスト膜２３を形成する工程と、前記レジスト膜を露光、現像し、第１の方向に伸長し、前記第１の方向に垂直な第２の方向にくびれ部を有する開口パターン３１Ａを形成する工程と、ガス存在雰囲気下で前記レジスト膜上に前記ガスを構成する元素を含む堆積物２４を堆積し、前記くびれ部における前記開口パターンの底部を前記第２の方向に前記堆積物で接続した膜パターン２５を形成する工程と、前記膜パターンが転写されるように、ドライエッチング法によって前記被加工膜をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】液浸露光の際にフォーカス精度の悪化を抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１２上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜１３を形成し、この下層膜をベークし、上記下層膜上に中間膜１４を形成し、この中間膜１４上にレジスト膜１５を形成する。上記レジスト膜をベークし、レジスト保護膜１６を形成し、このレジスト膜を液浸露光した後、上記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】２回以上フォトレジスト層を露光することによって、基板層における部材をパターニングする方法を提供する。
【解決手段】炭素質マスク層は堆積されてから（２１０）、フォトレジスト層および中間層が動作（２１５）において炭素質マスク層上に堆積される。レチクルは基板層に整列され（２２５）、フォトレジストは第１回目の露光をされ（２３０）、第１の対のフォトレジストラインを形成する。基板層とレチクル間の整列を所定量だけオフセットして（２３５）、フォトレジストは２回目の露光がされ（２４０）、第１の露光によってプリントされたフォトレジストラインの少なくとも１つを分岐させる。２度目に露光されたフォトレジストは次いで現像される（２４５）。フォトレジスト層に形成された二重パターンによって、炭素質マスク層ならびに任意の他の非感光性中間層がパターニングされる（２５０）。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を低減し、加工精度を向上させたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に下層膜２を形成する工程と、下層膜２上に、酸により脱保護する保護基を含むシリコン含有中間膜３を形成する工程と、シリコン含有中間膜３上にレジスト膜４を形成する工程と、レジスト膜４の所定領域を露光する工程と、現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】液浸フォトリソグラフィーに用いる新規な組成物を提供する。
【解決手段】本発明のフォトレジスト組成物は、好ましくはレジストの樹脂成分に対して実質的に非混和性となることができる２種類以上の別個の物質を含む。特に好ましい本発明のフォトレジストは、液浸リソグラフィー処理中にレジスト層に接触する液浸液中へのレジスト物質の滲出を軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】パターン縁部の凸凹を抑制し、所望の形状のレジストパターンが得られるレジストパターン形成方法を提供すること。また、当該レジストパターン形成方法を利用した金属パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上に形成したレジスト層４０に、パターン露光を行う。次に、高解像度用の現像液を用いて、レジスト層４０を現像し、レジスト層４０に開口部（抜きパターン４２）を形成する。次に、露光部及び非露光部のいずれも同じレートで溶解する溶液を用いて、レジスト層４０を処理し、レジスト層４０の開口部（抜きパターン４２）の開口径を広げる。これにより、レジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンを利用して金属パターンを形成する。 （もっと読む）