【課題】貯蔵安定性及び速硬化性に優れ、かつ、透明性が高く、半導体チップボンディング時のアライメントマークの認識を容易なものとする半導体チップ接合用接着剤、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、水酸基当量が１１０以上のフェノール系硬化剤と、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールとを含有する半導体チップ接合用接着剤、並びに該接着剤を用いて製造されることを特徴とする非導電性ペースト及び非導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】ピックアップ時にクラックが発生してしまうことが防止できる、ダイアタッチメントフィルムを提供する。
【解決手段】ダイアタッチメントフィルムは、主面を有するサポートフィルムと、前記主面上に前記主面と接触するように配置された粘着層とを具備する。前記主面には、凹部が形成されており、前記凹部には、前記粘着層が配置されていない。 （もっと読む）

【課題】基板の側面に段差を形成しやすくすることにより、基板を実装基板に接着剤を用いて実装するときに接着剤が基板の側面を這い上がることを抑制する。
【解決手段】基板１０の第１面１２０に第１の溝１２２及び第２の溝１２４を形成する。第１の溝１２２及び第２の溝１２４は、ダイシングライン１０２の中心線を挟んで互いに平行に延伸しており、幅方向において、一部のみがダイシングライン１０２に含まれて、かつ最深部がダイシングライン１０２に含まれていない。次いで、基板１０の第２面１１０にダイシングライン１０２に沿った第３の溝を形成し、かつ基板１０の厚さ方向において第３の溝を第１の溝１２２の一部及び第２の溝１２４の一部に繋げる。これにより、基板１０はダイシングライン１０２に沿って切断される。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を図ることができ、しかも、装置全体としても大型化せず、低コスト化を達成できる塗布装置および塗布方法を提供する。
【解決手段】塗布装置は、ペースト状の塗布剤Ｐを被塗布部２０に塗布するための一対の転写ピン２１，２２を備える。状態変位手段２５にて、第１状態と第２状態とに交互に変位させる。第１状態は、第１の転写ピン２１がペースト状の塗布剤Ｐが溜められる塗布剤溜り部の上方に対応するとともに第２の転写ピン２２が被塗布部２０の上方に対応する。第２状態は、第２の転写ピン２２がペースト状の塗布剤Ｐが溜められる塗布剤溜り部の上方に対応するとともに第１の転写ピン２１が被塗布部２０の上方に対応する。Ｚ軸方向移動手段にて、第１状態及び第２状態において各転写ピン２１、２２を上下方向であるＺ軸方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】 高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界においてボイドが成長することを抑制し、被着体と半導体チップとの接着信頼性を向上させることが可能な熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体チップの被着体への固着に用いる、接着剤層を少なくとも有する熱硬化型ダイボンドフィルムであって、接着剤層は、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含有するとともに、熱可塑性樹脂としての重量平均分子量１０万以上のアクリル樹脂を含有し、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計重量をＸとし、アクリル樹脂の重量をＹとしたとき、Ｘ／Ｙが０．０７〜０．７であり、１７５℃で１時間加熱処理した後の、加熱処理前を基準としたエポキシ基の減少率が６０％以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続材料として、Al系合金層１０２がZn系合金層１０１によって挟持されたクラッド材による接続材料を用いる。クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。また、Zn合金層１０１の平均結晶粒径は0.85μm 以上、50μm以下である。このようなクラッド材を用いて接続することによって接続部のボイド率を１０％以下に抑えることが出来る。また、半導体とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接続部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】リフォームラインからマウントラインを近づけることができて、生産性の向上を図ることができ、しかも、マウント時までにおいて塗布剤が乾きにくく高品質のマウントを行うことが可能なマウント装置及びマウント方法を提供する。
【解決手段】上流側のプリフォーム位置にて、ワークＷのマウント部位２０にペースト状の塗布剤５０を塗布した後、下流側のマウント位置にて、塗布剤５０が塗布されているマウント部位２０にチップ２１を順次マウントしていく。ワークＷのマウント部位２０がプリフォーム位置に対応しないときにプリフォーム位置をマウント部位に対応するように変更する。マウント部位２０がマウント位置に対応しないときにマウント部位２０がマウント位置に対応するようにワークＷの位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】
半導体チップを保持して移送する際や保持待機状態の際にも、半導体チップの接合部の不活性ガスによるシールドを行い、酸化を防止できるものとし、接合後は接合部及びボンディングヘッドの急速冷却をするボンディング装置とする。

【解決手段】
半導体チップを保持し、基板に接合させるボンディング装置に次の手段を採用した。
第１に、ボンディングヘッドは下面に半導体チップを保持する保持部を備え、保持部を取り囲んで保持部に向けて気体を噴出する気体噴出手段と、気体噴出手段を保持部に対して昇降させる昇降手段とを備える。
第２に、昇降手段は、気体噴出手段を保持部の下面より下方へ突出させる下降状態と、突出させない上昇状態に昇降させる。
第３に、半導体チップを保持して移送する際に、気体噴出手段を下降状態として保持部に保持された半導体チップに向けて不活性ガスを噴出させる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングを良好に実施できる、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子２と、接着剤により弾性表面波素子２が上面に接着されるダイパッド６と、ダイパッド６と離間して配置され、弾性表面波素子２と電気的に接続される複数のワイヤボンディングパッド８と、ダイパッド６と複数のワイヤボンディングパッド８の少なくとも１つとを電気的に接続する接続部１２と、を備える樹脂ベース４と、接続部１２の上に設けられた樹脂部１８と、を具備し、接続部１２はダイパッド６の上面より、樹脂ベース４側に屈曲した凹部１４を有し、凹部１４の上は樹脂部１８に覆われている、を具備し、接続部１２はダイパッド６の上面より、樹脂ベース４側に屈曲した凹部１４を有する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】接着剤の揮発成分の付着によるリードフレームの汚染を防止することができる樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止半導体装置を得る。
【解決手段】接着剤が塗布されるリードフレーム１６の支持部２４には、他の領域に比べて表面粗さが粗くされた粗面領域４０が設けられている。このため、粗面領域４０にのみに接着剤の揮発成分が拡散（ブリード効果）し、他の領域へ拡散が抑制される。このように、接着剤の揮発成分が他の領域に拡散するのを抑制することで、リードフレーム１６の汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】
作業性、低応力性および耐湿性に優れ、かつリフロー剥離耐性に優れる半導体用樹脂組成物を提供し、該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】
熱硬化性樹脂（Ａ）、および所定の構造式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、 前記化合物（Ｂ）中の所定の構造式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、前記化合物（Ｂ）に含まれる一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが以下の関係式１を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
[関係式１]Ｙ＜−２．７×１０^−３Ｘ＋０．８ （もっと読む）

【課題】好適な作業性を有し、かつ得られる積層構造体が高温プロセス信頼性に優れたものとなる積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有する積層構造体の製造方法であって、接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および一般式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、化合物（Ｂ）中、一般式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、化合物（Ｂ）に含まれる一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが所定の関係式１を満たすことを特徴とする積層構造体の製造方法。（１）Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｓｉ−（ＣＨ_２）_ｍ−（Ｓ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３、（２）Ｘ−（ＣＨ_２）_ｍ−ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３［関係式１：Ｙ＜−２．７ｘ１０−３Ｘ＋０．８］ （もっと読む）

【課題】シリコンウエハに対して、硬化後に良好な接着性を有する熱硬化性樹脂組成物を提供すること
【解決手段】エポキシ樹脂100質量部に対して、ウレア構造を有する化合物を、該化合物中のウレア構造部分が0.1〜50質量部となるように含有してなることを特徴とする、シリコンウエハ接着性樹脂組成物 （もっと読む）

【課題】素子を保持した状態で拡張した場合に素子に浮きが生じない素子保持用粘着シートを提供すること。
【解決手段】基材層と、該基材層上に設けられた外部刺激によって硬化する粘着剤層とを有する素子保持用粘着シートであって、該粘着剤層が硬化した状態で伸長させた場合の下記式で表される亀裂発生伸度が１１５％より大きい、素子保持用粘着シート：
亀裂発生伸度（％）＝［（粘着剤層表面に亀裂が生じたときの粘着シートの長さ）−（粘着シートの元の長さ）］／（粘着シートの元の長さ）×１００。 （もっと読む）

【課題】好適な作業性を有し、かつ得られる積層構造体が高温プロセス信頼性に優れたものとなる積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有する積層構造体の製造方法であって、接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および所定の化学式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、化合物（Ｂ）中の所定の化学式（２）で表される成分の含有率が０．６質量％以下であることを特徴とする積層構造体の製造方法。Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｍ−（Ｓ）ｎ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（１）Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（２） （もっと読む）

【課題】片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても半導体装置にクラック等の不具合が生じず優れた信頼性を付与することができる熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いて作製した半導体装置を提供する。
【解決手段】金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである熱硬化型接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ウエハ加工用テープの生産性に優れ、ピックアップ工程におけるダブルダイの発生や半導体チップをピックアップできないという不具合の発生を抑制することが可能なウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、粘着フィルム１２を直角形引裂試験片とした、ＪＩＳ Ｋ７１２８−３「プラスチックーフィルム及びシートの引裂強さ試験方法―第３部：直角形引裂法」に示される直角形引裂試験片の試験方法において、直角形引裂試験片１００の引裂強度をＣとし、直角形引裂試験片１００の直角部の先端を通る中央線上で、該直角部の先端から長さ略１ｍｍの切断部分１１５を入れた場合の直角形引裂試験片１１０の引裂強度をＤとしたとき、強度比（Ｄ／Ｃ）が、０．８以下である。更に、ＪＩＳ Ｋ７１１３の２号形試験片による伸び率の測定において、２号形試験片１２０である接着剤層１３の伸び率が、１５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐熱性を向上させつつ、基体上への半導体素子の接合を安定して行えるようにする。
【解決手段】半導体素子５の一面上に低融点層１５を介して高融点層１６Ａが形成されていると共に、半導体素子５の一面上に低融点層１５及び高融点層１６Ａを覆うように接合材料層１７Ａが形成されている。低融点層１５の融点は接合材料層１７Ａの融点よりも低く、高融点層１６Ａの融点は接合材料層１７Ａの融点よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられた接着フィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムであって、半導体ウェハが薄型の場合にもこれをダイシングする際の保持力を損なうことなく、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着フィルムと一体に剥離する際の剥離性に優れたダイシングシート付き接着フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイシングシート付き接着フィルムは、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムであって、前記粘着剤層において、前記接着剤層に対する貼り合わせ面の少なくとも一部領域が、Ｓｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓである。 （もっと読む）

【課題】電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤を提供する。
【解決手段】硬化性化合物及びトリアジンジチオール化合物を含有する電子部品接合用接着剤。 （もっと読む）