【課題】 ボンディングパットの汚染に起因してワイヤーボンディングができなくなるのを防止し、かつ、基板、リードフレーム又は半導体素子等の被着体に反りが発生するのを防止して、歩留まりを向上させつつ製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、硬化前の貯蔵弾性率が８０〜２５０℃の温度範囲で１ＭＰａ以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて１ＭＰａ以上であり、架橋剤が添加されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 陽イオンを捕捉する添加剤を含有させることにより、電気特性の低下を防止して製品信頼性を向上させることができる半導体装置製造用の接着シートを形成可能な接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 陽イオンを捕捉する添加剤を少なくとも含有する半導体装置製造用の接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】少量の高価な銀を使用して、２４０〜３００℃の温度にてリードフレームとＬＥＤチップとを高い接合強度で簡単に接合することができる接合方法の提供を提供する。
【解決手段】リードフレーム８は、所定の形状に打ち抜き加工された銅合金部材１１の上にニッケルめっき層１２、銅錫合金層１３、錫めっき層１４、Ａｇ_３Ｓｎ合金層１６を順に形成したものであり、最表面がＡｇ_３Ｓｎ合金層１６とされている。このリードフレーム８とＬＥＤチップ１との接合部は、ＬＥＤチップ１の最表面層を形成していた金層９が、リードフレーム７の最表面のＡｇ_３Ｓｎ合金層１６の一部と錫めっき層１４の一部と合金化反応して、金銀錫合金層１５を形成しており、この金銀錫合金層１５によってＬＥＤチップ１とリードフレーム７とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】吸着取出しミスによる装着運転の停止を極力減少させることよって、半導体素子の装着装置における生産効率の向上を図ること。
【解決手段】吸着取出し動作の開始により、タイマー３５をセットし（ステップＳ１４）、タイムアップした後に、真空スイッチ１６の状態を見て（ステップＳ１６）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。また、真空スイッチ１６がオフ状態であればタイマー３５を再度セットし（ステップＳ１８）、タイムアップする前に（ステップＳ１９）、真空スイッチ１６の状態を再度見て（ステップＳ２０）、オン状態であれば半導体素子２を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット４を上昇させる（ステップＳ１７）。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ／Ａｌクラッド材の接合温度を低下させることによって、使用温度域における残留熱応力を低減し、接合部の信頼性を向上させることができる接続材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇを含有するＡｌ系合金層２と、Ａｌ系合金層２の両面に隣接するＺｎ層３，４とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】 被着体上に半導体素子をダイボンドする際に、その周縁部にマイクロボイドや局所的なヒケが発生するのを抑制し、その結果、半導体装置の製造歩留まりの向上が可能な熱硬化型ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体を少なくとも含み、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計重量をＸとし、アクリル共重合体の重量をＹとした場合に、その比率Ｘ／Ｙが１〜５であり、１２０〜１３０℃における溶融粘度が５００〜３５００Ｐａ・ｓの範囲内であり、アクリル共重合体は、１０〜６０重量％のブチルアクリレートと、４０〜９０重量％のエチルアクリレートとを含み、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体の合計１００重量部に対し、７０／３．９重量部以上８０重量部以下のフィラーを含有する熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 初期粘着性を有し、プレヒートなどの工程がなく、作業性がよく、金属同士、金属と有機材料、有機材料と有機材料とを接着でき、接着強度は強力であり、接着強度は温度変化で劣化しにくい粘接着シート１を提供する。
【解決手段】 粘着性と接着性を併せ持つ粘接着シート１であって、第１離型紙２１Ａ、粘接着層１１及び第２離型紙２１Ｂからなり、粘接着層１１が液晶ポリマー不織布からなる芯材１５へ粘接着剤１３を含浸させてなり、粘接着剤１３がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、及び硬化剤を含むことを特徴とし、また、芯材１５の比重が０．１５以下であることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材／接着剤層間の密着力が充分であり、かつ半導体パッケージの高信頼性化を可能とする接着剤組成物および接着シートを提供する。
【解決手段】アクリルバインダ（Ａ）、エポキシ系熱硬化性化合物（Ｂ）およびエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）を含有する接着剤組成物であって、前記アクリルバインダ（Ａ）として、質量平均分子量が300,000〜1,200,000であるアクリル重合体（Ａ１）と、質量平均分子量が10,000〜120,000であるアクリル重合体（Ａ２）とを含有することを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 低温で半導体ウェハに貼り付け可能で、熱時の弾性率が高い半導体用接着フィルムとそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 ワイヤボンドの温度よりも低いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するポリイミド樹脂（低Ｔｇポリイミド樹脂）と、ワイヤボンドの温度よりも高いガラス転移温度のポリイミド樹脂（高温高弾性ポリイミド樹脂）を含む半導体用接着フィルム。低Ｔｇポリイミド樹脂のＴｇは、８０℃以下で、高温高弾性ポリイミド樹脂のＴｇは、１９０〜２３０℃であると好ましい。この半導体用接着フィルムを用いて作製した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ボンディング過程においてスタンピング効率が向上し、スタンピング条件を様々に可変させることができるスタンピング装置を提供する。
【解決手段】樹脂材供給部６００で樹脂材に浸漬され、基板に樹脂材をスタンピングする複数個のスタンパー１００と、それぞれのスタンパーの高さが可変可能なように前記スタンパー１００を支持する複数個のスタンパー軸２００ｘ、２００ｙと、複数個の前記スタンパー軸２００ｘ、２００ｙを同時に回転させるスタンパー回転装置と、前記スタンパーの移送過程、浸漬過程またはスタンピング過程でスタンパーの高さを調節するスタンパー高さ調節装置と、を含むスタンピング装置１０００とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体搭載用基板に半導体素子を実装する場合に必要な応力緩和性、基板凹凸埋込性を有し、耐熱性、耐湿性に優れた半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】 高分子量成分と、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含む半導体用接着シート。高分子量成分のＴｇが、−１０〜６０℃、重量平均分子量が２万〜１００万で、高分子量成分を樹脂成分中８０〜９５質量％、脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂を樹脂成分中２〜２０重量％含有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の表面高さ測定を、生産性を低下させず低コストで精度よく行なうことにより適正な処理を実行することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓを厚さ方向に挟持するグリッパ２０と、該グリッパを半導体製造装置における処理装置間に移動させる搬送装置１０と、基板Ｓを挟持した際のグリッパ２０における上側の把持位置の高さを測定する距離センサ７１と、該距離センサの測定値から得られる処理装置における基板表面高さに基づいて、処理装置におけるアクセス部材が基板厚さ方向へ接近すべきアクセス距離を算出する演算部７５と、該演算部の演算結果に基づいて前記処理装置におけるアクセス部材を基板Ｓに対し厚さ方向へ接近離反させる制御部ｐｓ、ｑｓとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】ダイボンディング材にクラックが生じて半導体チップがアイランドから剥離することを防止することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップがダイボンディング材を介してダイボンディングされたアイランドとを備えた半導体装置であって、アイランドは、半導体チップがダイボンディングされるダイボンディング領域を有し、ダイボンディング領域の外周部には、ダイボンディング領域の外周の少なくとも一部に沿った溝が、ダイボンディング領域の各角の近傍を通るように形成され、ダイボンディング材は、半導体チップの裏面の全域とダイボンディング領域との間に介在していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
短時間で硬化し、かつソルダーレジストや銅基板等に対して優れた接着強度を有する硬化物を与えるシリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
下記を含むシリコーン樹脂組成物
（Ａ）１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン
（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンの（Ａ）成分中のアルケニル基の合計モルに対する（Ｂ）成分中のケイ素原子に結合した水素原子の合計モルが０．１〜４．０（モル比）となる量
（Ｃ）白金族金属系触媒の触媒量
（Ｄ）平均粒径０．１〜１００μｍのシリコーン微粒子
（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計１００質量部に対して３０〜８０質量部
（Ｅ）（メタ）アクリレート化合物
（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計１００質量部に対して０．０１〜１０質量部 （もっと読む）

【課題】ウエハーへの熱ラミネートの経時安定性、ダイアタッチ埋め込み性能に優れ、ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程で特別な熱管理を必要としないダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】接着剤層１５が第１の接着剤シート１３及び第２の接着剤シート１４からなり、第１接着剤層組成物は、（Ａ）カルボキシル基含有エチレン−アクリルゴム、（Ｂ）重量平均分子量が５０００以下である５〜４０℃で固体状のエポキシ樹脂、（Ｃ）ジフェニルスルホン骨格構造を有する芳香族ポリアミンを含み、第２接着剤層組成物は、（Ｄ）重量平均分子量が５０，０００〜１，５００，０００であり、エポキシ基及び化学式（１）で示される構造単位を有する（メタ）アクリル系樹脂、（Ｂ）、（Ｃ）を含むダイシング・ダイアタッチフィルム。
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【課題】 熱硬化性と放射線硬化性とを有し、半導体素子のダイシング工程およびダイボンド工程における接着信頼性、作業性に優れる接着シートと、該接着シートにより半導体搭載用支持部材に半導体素子を実装した信頼性の良好な半導体装置とを提供する。
【解決手段】 （Ａ）ポリイミド樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）放射線重合性化合物を含む粘接着剤層と表面張力が４０ｍＮ／ｍを超える基材層とを備える接着シート。 （もっと読む）

【課題】高価な銀を使用することなくリードフレームとＬＥＤチップとを高い接合強度で簡単に接合することができる接合方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１のリードフレーム８と接合される部位に金を０．１〜１μｍの厚みにて蒸着するとともに、複数のめっき層あるいは合金層を形成した銅合金部材１１からなるリードフレーム８のＬＥＤチップ１と接合される部位の最表面が光沢度８０〜１１０％の錫めっき層１４としておき、リードフレーム８の錫めっきが施された部位にＬＥＤチップ１の金が蒸着された部位を重ね合わせ、その重ね合わせ状態で２４０〜３００℃の温度に加熱することにより、リードフレーム８の錫めっきが施された部位と、ＬＥＤチップ１の金が蒸着された部位との間に、金錫共晶合金層１５を形成してＬＥＤチップをリードフレームに接合する。 （もっと読む）

【課題】 プリカット加工が施されており、剥離基材からの接着層、粘着層及び基材フィルムの剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】 剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、前記接着層は、所定の第１の平面形状を有し、且つ、前記剥離基材上に部分的に形成されており、前記剥離基材には、前記第１の平面形状の周縁に沿って、前記接着層に接する側の面から第１の切り込み部が形成されており、前記第１の切り込み部の剥離基材の破断強度は、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シート。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体２と半導体素子３とを熱硬化性接着剤組成物１を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体２と半導体素子３とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物１であって、所定の反り評価試験における反り量１が所定の条件式１を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。［条件式１：−１０（μｍ）≦反り量１≦１０（μｍ）］ （もっと読む）