【課題】回路基板、リードフレームのステージなどの支持板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップが移動や回転等の位置ずれを生じないようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、支持板２の半導体チップ実装領域２Ａに、少なくとも外表面に金属を有する繊維状材料からなるシート５を載せ、半導体チップ実装領域２Ａに、溶融金属を含む接合層３を形成し、半導体チップ実装領域２Ａに、半導体チップ１を載せ、加熱することによって、溶融金属を含む接合層３によって半導体チップ１を半導体チップ実装領域２Ａに接合する。 （もっと読む）

【課題】回路基板やリードフレームのステージなどの支持板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップが移動や回転等の位置ずれを生じないようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、支持板２の半導体チップ実装領域２Ａ及び半導体チップ１の裏面の一方に、第１金属を含む層５及び第２金属を含む層６の一方を形成し、半導体チップ実装領域及び半導体チップの裏面の他方の、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の一方が形成された領域の一部に相当する領域に、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の他方を形成し、半導体チップ実装領域に半導体チップを位置合わせし、第１金属及び第２金属を含む合金を含む層９を形成して、半導体チップを半導体チップ実装領域に接合する。 （もっと読む）

【課題】加重をかけることなく３００℃以下の硬化温度で接合した場合であっても、高い電気伝導性及び熱伝導率を有し、かつ大気雰囲気で接合した場合であっても、卑金属面への十分な接着強度を有する接着剤組成物及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、Ｘ線光電子分光法で測定される銀酸化物由来の酸素の状態比率が１５％未満である片状の銀粒子（Ａ）、及び３００℃以上の沸点を有するアルコールまたはカルボン酸（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時およびその後の保管や移送の際にはチップを十分に保持でき、一方、ピックアップ時には高速化を可能にするピックアップ方法を提供する。
【解決手段】半導体チップのピックアップ方法は、基材と、基材上に剥離可能に形成された接着剤層とからなる接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離する半導体チップのピックアップ方法であって、接着シートの、剥離角９０°、剥離速度５０ｍｍ／分における基材と接着剤層との間の剥離力（低速剥離力）が０．０１〜１Ｎ／２５ｍｍであり、接着シートの、剥離角９０°、剥離速度５００ｍｍ／分における基材と接着剤層との間の剥離力（高速剥離力）が低速剥離力以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有するとともに、低温貼付け性にも優れたフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）一種又は複数の放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有する感光性接着剤組成物をフィルム状に成形してなる、フィルム状接着剤であって、（Ｃ）放射線重合性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表されるイソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジ又はトリアクリレートを含有するものであり、フィルム状接着剤の５％重量減少温度が２６０℃以上である、フィルム状接着剤１。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は−ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２を示す。］ （もっと読む）

【課題】 一定期間保管した後においても、厳しい熱湿条件およびリフロー工程を経た場合のパッケージ信頼性や接着性に優れた半導体用接着剤組成物等を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）、有機官能基を有し、分子量が３００以上でアルコキシ当量が１３ｍｍｏｌ／ｇより大きいシラン化合物（Ｄ）、および有機官能基を有し、分子量が３００以下でアルコキシ当量が１３ｍｍｏｌ／ｇ以下であるシラン化合物（Ｅ）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの高信頼性化を可能とする接着剤組成物および接着シートを提供すること。また、多段スタックの半導体パッケージを製造する際に、製造工程を容易にし、生産性を良好にできる接着剤組成物および接着シートを提供する。
【解決手段】接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性化合物（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）および多孔質シリカ（Ｄ）を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより半導体ウェハを分断して半導体チップを形成する際に、ダイボンドフィルムと半導体ウェハの間、及びダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間に剥離や位置ズレが生じることのないダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも粘着剤層を有するダイシングフィルムと、粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、ダイボンドフィルムにウェハを仮接着したときの２５℃における剪断接着力をτ１（ＭＰａ）、ダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間の２５℃における剪断接着力をτ２（ＭＰａ）としたとき、τ１とτ２は０．５≦τ２≦３、４≦τ１−τ２≦２０の関係を満たし、ダイボンドフィルムの破断伸び率は４０〜５００％である。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿性、耐リフロー性、圧着による凹凸の埋込性及びチップとの密着性に優れ、小片化したチップをダイシングテープから容易に剥離できる接着シートを提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂１００重量部、（ｂ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であるアクリル系樹脂１５〜４０質量部、（ｃ）平均粒径０．０５〜５．０μｍの無機フィラー３０〜１００質量部、（ｄ）硬化促進剤０．０５〜０．２０質量部、（ｅ）式（Ｉ）で表されるシリコーン骨格を有する樹脂を含む接着剤から形成されたフィルム状接着剤。
【化１】


（式（I）中、Ｒ_１、Ｒ_２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アミノ基、アリール基又はハロゲン原子、ｎは３〜５０の整数。） （もっと読む）

【課題】半導体チップとダイパッドの接合に用いる接着剤が必要以上に半導体チップの外側にはみ出してしまうことを抑制する。
【解決手段】図１に示すように本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と接合させるダイパッド１０４を有するリードフレーム１００と、半導体チップ１２０とダイパッド１０４を接合する接着剤１３０と、を含む。本実施の形態において、ダイパッド１０４は、半導体チップ１２０の裏面の面積より開口面積が小さい凹部１０８を有している。凹部１０８には、接着剤１３０が充填されていない中空部１０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】光半導体装置用ダイボンド材は、下記式（１）で表され、かつアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する第１のシリコーン樹脂と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。光半導体装置用ダイボンド材では、上記第１のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない。
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【課題】薄型化しつつある半導体チップを多積層し高密度化された半導体装置において、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】常圧下、５０〜３００℃の測定範囲で１０℃／分の昇温速度で昇温したときのＤＳＣ測定で発熱反応のピーク温度が２２０℃以上で、その時の発熱量が３２Ｊ／ｇ以下であり、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、および融点もしくは軟化点が１３０℃以上である硬化剤（Ｃ）を含む接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を被接合部材に対して確実にはんだ接合し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＣ素子２０がはんだ接合されるリードフレーム１１の接合面１２には、内方に塗布されたはんだ３０の外方への流出を防止する環状溝１３が形成されている。そして、接合面１２のうち環状溝１３内の中心１３ａの近傍には、はんだ３０に対する濡れ性を変化させた第１表面状態Ｓ１と第２表面状態Ｓ２とが上記中心１３ａから外方に向けて放射状に区分けされている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからダイパッドへ効率良く放熱する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド１２１を含むリードフレーム１０２と、ダイパッド１２１のチップ搭載領域にダイボンド材１３２により接合された半導体チップ１０１とを備えている。チップ搭載領域は、半導体チップ１０１に間隔をおいて外嵌する第１の部分１２４ａと、第１の部分１２４ａよりもその壁面と半導体チップ１０１の側面との間隔が大きい第２の部分１２４ｂとを含む凹部１２４である。半導体チップ１０１の側面と凹部１２４の壁面との間にはダイボンド材１３２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】設置面積の小さいデュアルヘッドディスペンスシステムを提供する。
【解決手段】第一の軸に沿った接合パッドの行と第一の軸に垂直な第二の軸に沿った列とを含んでいる基板上に、ダイボンディング用の接着剤がディスペンスされる。第一ノズル２０を組み込んでいる第一ディスペンスヘッド１２と、第二ノズル２２を組み込んでいる第二ディスペンスヘッド１４とが設けられ、光学システム１８を用いて接合パッドのパターン認識を行い、第一ノズル２０及び第二ノズル２２を同時に駆動して基板の同一の列状セクションにおけるディスペンス目標位置上へ、接着剤をディスペンスする。 （もっと読む）

【課題】
粘着シートとダイアタッチフィルムを積層した粘着シートでは、粘着剤に含有される低分子量成分である光重合開始剤がダイアタッチフィルム側にマイグレーションし、半導体製造工程においてチップとリードフレームとの接着不良が発生する場合があった。
【解決手段】
本発明は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、紫外線重合性化合物と、多官能イソシアネート硬化剤と、光重合開始剤とを有し、光重合開始剤の２３℃から５００℃まで１０℃／分の昇温速度で昇温したときの質量減少率１０％となる温度が２５０℃以上である粘着剤である。 （もっと読む）

【課題】はんだにより半導体チップを板状のダイパッドに接合した構成の半導体装置において、その信頼性の向上及び小型化・薄型化を図ることができるようにする。
【解決手段】はんだ４により半導体チップ２を接合するダイパッド３を備え、ダイパッド３の平坦な上面３ａのうち半導体チップ２の配置領域に、前記上面３ａから窪んではんだ４を収容する凹部１２が形成されたリードフレームを提供する。また、前記凹部１２が、前記ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１２ａと、当該底面１２ａの周縁から前記ダイパッド３の上面３ａに向かうにしたがって前記配置領域から離れるように延びる傾斜面１２ｂとによって構成されているリードフレームを提供する。 （もっと読む）

【課題】製造が単純化され、熱放散および電気絶縁が最適化され、それと同時に通電容量が増大するように、上述したタイプのパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】基板１０２と、少なくとも１つのパワー半導体デバイス１０４と、少なくとも１つのリードフレーム要素１０６とを有するパワー半導体モジュールに関する。さらに、このようなパワー半導体モジュール１００の製造方法。少なくとも１つの第１のリードフレーム要素とパワー半導体デバイスとの間の接合と、第１のリードフレーム要素と基板との間の接合は、焼結金属接合１１０、好ましくは焼結銀接合を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材を印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化による組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するための半導体支持部材１０上に、光硬化性成分及び熱硬化性成分を含み溶剤の含有量が５質量％以下であるダイボンディング用樹脂ペーストを印刷法により塗布して樹脂ペーストの塗膜３０を設ける第１工程と、塗膜３０への光照射により光硬化性成分を光硬化する第２工程と、半導体支持部材１０と半導体チップ５０とを、光照射された塗膜３２を挟んで圧着して接合する第３工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
接合部中のボイド、界面の接合不良を低減できるダイボンダ、及びこれを用いたダイボンドプロセスを提供する。
【解決手段】
リードフレーム、又は基板に半導体チップをはんだで接合するダイボンダにおいて、上記リードフレーム、又は基板を搬送する搬送部と、上記リードフレーム、又は基板上にはんだを供給するはんだ供給部と、上記リードフレーム、又は基板上のはんだに半導体チップを搭載、接合する搭載部を備え、上記はんだを上記リードフレーム、又は基板上に供給する直前にはんだ表面の酸化膜を除去する表面清浄化ユニットを有することを特徴とするダイボンダ設備により、ダイボンド品質を向上させる。 （もっと読む）