【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ照明を、定電流駆動でも操作性に優れ、しかも安定して使用することがで
きて、定電流駆動における大電流駆動が容易であって効率がよい等の利点を生かせること
ができる照明システムを提供する。
【解決手段】ＬＥＤ照明４３を備えた照明システムである。被照明装置に付設されるＬＥ
Ｄ照明４３の最大電流値を設定する設定手段５５と、設定手段にて設定された最大電流値
の電流をＬＥＤ照明４３に印加するための定電流供給手段５０とを備える、判断手段５２
にて、実際に付設されているＬＥＤ照明４３が、予め設定されたＬＥＤ照明４３の判定値
に基づいて、その被照明装置に対応したものかを判断する。 （もっと読む）

【課題】外付けされるキャパシタを内蔵した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０では、絶縁性フィルム１２が、第１の面１１ｃと第２の面１１ｄを有する導電性部材１１ａの第１の面１１ｃに設けられている。第１の面３１ａと第２の面３１ｂを有する第１導電型の半導体基板３１が、第２の面３１ｂが絶縁性フィルム１２側になるように設けられている。半導体基板３１の第１の面３１ａ側に、ゲート絶縁膜３４を介して形成されたゲート電極３５と、ゲート電極３５を挟むように形成された第２導電型の第１および第２不純物拡散層３６、３７とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ２１が設けられている。第１不純物拡散層３６が半導体基板３１に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】縦長タイプのチップであっても、横長タイプのチップであっても効率よくピックアップして行くことができ、また、画像処理の効率化を図ることが可能なボンディング方法及びボンディングを提供する。
【解決手段】テーブル横方向の移動回数がテーブル縦方向の移動回数よりも多くなる縦長チップ用ピックアップ順番の設定と、テーブル縦方向の移動回数がテーブル横方向の移動回数よりも多くなる横長チップ用ピックアップ順番の設定とを行う。縦方向寸法が横方向寸法よりも大きい縦長チップ２１Ａに対して、縦長チップ用ピックアップ順番に従ってピックアップする。横方向寸法が縦方向寸法よりも大きい横長チップ２１Ｂに対して、横長チップ用ピックアップ順番に従ってピックアップする。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】 高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界におけるボイドの発生を低減することができるダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ニトリル基含有熱硬化性アクリル共重合体と硬化剤とを含有し、示差熱量計を用い、２５℃から３００℃まで１０℃／分の昇温速度にて測定した場合の発熱量が１０ｍＪ／ｍｇ以下であるダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、半導体装置は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子１が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造される半導体装置の電気特性の低下を防止して製品信頼性を向上させることができる接着シートを提供すること。
【解決手段】 イオン捕捉剤を含有する半導体装置製造用の接着シートであって、１０ｐｐｍの銅イオンを有する水溶液５０ｍｌ中に、１７５℃で５時間加熱した重さ２．５ｇの半導体装置製造用の接着シートを浸漬し、１２０℃で２０時間放置した後の水溶液中の銅イオン濃度が、０〜９．９ｐｐｍであり、イオン交換水５０ｍｌ中に、１７５℃で５時間加熱した重さ２．５ｇの半導体装置製造用の接着シートを浸漬し、１２０℃で２０時間放置した後の水溶液中の塩化物イオン濃度が、０．１ｐｐｍ以下である半導体装置製造用の接着シート。 （もっと読む）

【課題】α線による影響を低減することが可能な半導体装置製造用の接着シート、ダイシングフィルム一体型半導体装置製造用の接着シート、及び、当該半導体装置製造用の接着シートを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】α線放出量が０．００２ｃ／ｃｍ^２．ｈ以下である半導体装置製造用の接着シート３。無機フィラー、及び、イオン捕捉剤を含むことを特徴とする半導体装置製造用の接着シート３。前記イオン捕捉剤は、窒素含有化合物、水酸基含有化合物、カルボン酸基含有化合物からなる群より選ばれる１種以上の有機系錯体形成化合物であることを特徴とする半導体装置製造用の接着シート３。ダイシングフィルム一体型接着シート１０に於ける接着シート３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する。なお、ダイシングフィルム１１は、基材１上に粘着剤層２が積層された構造である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造の後工程における実装処理のウエハ交換にかかる時間が短く、稼動効率の高い半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】前記半導体製造装置の装置本体に着脱自在なウエハカセットと、前記ウエハカセットに収納可能であり、前記ウエハが搭載され、かつ前記半導体チップの情報を保有するバーコードが貼付されたウエハキャリアと、前記ウエハキャリアを載置可能で回転可能なバッファテーブルとバーコードリーダとを備え、かつ前記バーコードリーダに前記ウエハキャリアのバーコードの読み取り動作後に、前記ウエハキャリアの向きを前記被実装部材への実装動作のための向きに合わせるアライメント動作を行うバッファ装置と、前記バッファ装置と半導体チップのピックアップ位置との間で前記ウエハキャリアを搬送するＸＹθテーブルと、前記被実装部材に半導体チップを実装する実装機構が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴなどが封止された小型面実装パッケージの低オン抵抗化を実現する。
【解決手段】シリコンチップ３は、ドレインリードを構成するリード４と一体に形成されたダイパッド部４Ｄの上に搭載されており、その主面にはソースパッド７とゲートパッド８が形成されている。シリコンチップ３の裏面は、パワーＭＯＳＦＥＴのドレインを構成しており、Ａｇペーストを介してダイパッド部４Ｄの上面に接合されている。ソースリードを構成するリード４とソースパッド７は、Ａｌリボン１０によって電気的に接続されており、ゲートリードを構成するリード４とゲートパッド８は、Ａｕワイヤ１１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディング性や凹凸追従性に優れ、積層後のオーバーハング部分のウエハのサポートが可能な半導体用接着部材、それを用いたダイシング・ダイボンディング一体型接着部材、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接着剤層と基材層を備える接着部材であって、前記接着剤層が、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜１００万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分と、（Ｂ）重量平均分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂と、（Ｃ）フェノール樹脂と、を含む熱硬化性樹脂、及び、（Ｄ）無機微粒子を含むことを特徴とし、且つ前記接着剤層の厚みが２〜７μｍであることを特徴とする半導体用接着部材とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるダイ接着用フィルム状接着剤、当該フィルム状接着剤とダイシングテープを貼り合せた接着シートならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも接着剤層を有してなるフィルム状接着剤であって、前記接着剤層は、（Ａ）ＳＰ値が１０．０〜１１．０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であるポリイミド樹脂、及び（Ｂ）エポキシ樹脂を含有し、
ｔａｎδピーク温度が−２０〜６０℃かつフロー量が１００〜１５００μｍであるフィルム状接着剤とする。 （もっと読む）

【課題】
電子部材の銅を含有する面の接着において、高い接着性を有する接着性樹脂組成物を提供すること。また、かかる接着性樹脂組成物を用いて接着された高信頼性かつ高生産性の半導体装置を提供すること。
【解決手段】
電子部材の銅を含有する面の接着に用いられる接着性樹脂組成物であって、ラジカル重合性二重結合を有する化合物（Ａ）、ラジカル開始剤（Ｂ）、グアニジン誘導体及び／又はグアナミン誘導体（Ｃ）、充填剤（Ｄ）を含むことを特徴とする接着性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率で放熱特性に優れ、低温、低圧、短時間でのラミネート及びダイアタッチが可能であり、耐湿後の信頼性に優れた熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂反応性官能基をポリマー骨格に有するTg95℃以上のポリマー、(B)エポキシ樹脂反応性官能基をポリマー骨格に有するTg-30℃以下の液状ポリマー、(C)１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、及び(D)熱伝導率が10W/mK以上の無機充填剤、を含む熱伝導性接着剤組成物；基材と、該基材上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた接着用シート；基材とその上に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、該ダイシングフィルムの粘着剤層上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム。 （もっと読む）

【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性および接着性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基材２と、半導体素子３と、基材２および半導体素子３の間に介在し、両者を接着する接着層１と、を備えている。この半導体装置１０は、接着層１中に、金属からなる中空粒子が分散している。接着層１は、金属からなる中空粒子を含有するペースト状の樹脂組成物を、半導体素子３と基材２とで圧着することにより形成される。 （もっと読む）