【課題】製造が単純化され、熱放散および電気絶縁が最適化され、それと同時に通電容量が増大するように、上述したタイプのパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】基板１０２と、少なくとも１つのパワー半導体デバイス１０４と、少なくとも１つのリードフレーム要素１０６とを有するパワー半導体モジュールに関する。さらに、このようなパワー半導体モジュール１００の製造方法。少なくとも１つの第１のリードフレーム要素とパワー半導体デバイスとの間の接合と、第１のリードフレーム要素と基板との間の接合は、焼結金属接合１１０、好ましくは焼結銀接合を備えている。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料，接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍ以下の金属酸化物，金属炭酸塩、又はカルボン酸金属塩の粒子から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子前駆体と、有機物からなる還元剤とを含み、前記金属粒子前駆体の含有量が接合用材料中における全質量部において５０質量部を超えて９９質量部以下である接合用材料を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着促進剤及び導電促進剤としてのキノリノール誘導体の金属塩を含有するダイ取付接着材を提供すること。
【解決手段】本発明のダイ取付組成物は、接着性及び／又は導電性促進剤として８−キノリノール誘導体の金属塩を添加することによって、改善された接着性及び導電性を示す。８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉ−Ｐｄリードフレームへの良好な密着性を示すとともに弾性率の低い樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料とすることにより耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体素子を接着する樹脂組成物であって、銀粉（Ａ）、グリシジル基を有する化合物（Ｂ）、融点が１８０℃以上のイミダゾール化合物（Ｃ）を必須成分とし、化合物（Ｂ）の一部がポリアルキレンオキサイド骨格ならびにグリシジルオキシフェニル基を有する化合物であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の凹凸やワイヤの埋め込み性が高く、かつ、安定してワイヤボンディングすることが可能な半導体用フィルム、および信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、支持フィルム４とがこの順で積層されてなり、接着層３の第１粘着層１と反対側の面に半導体ウエハー７を積層させ、この状態で該半導体ウエハー７および接着層３を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を支持フィルム４からピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、接着層３を１３０℃で加熱した際の、接着層３の初期の溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であり、接着層３を１３０℃で３０分間加熱した際の、接着層３の溶融粘度が１，０００Ｐａ以上であり、接着層３を１３０℃で３０分間加熱した後の、接着層３の１７５℃における弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】基板と電子部品の間から食み出す液状材料の食み出し状態を安定化させる。
【解決手段】食み出し情報抽出手段Ｃによって抽出された情報と食み出し情報記憶手段Ｄに記憶された情報とに基いて、新たに電子部品搭載手段Ａで搭載される電子部品８と其の周辺状況を撮像手段Ｂで撮像した際に食み出し情報抽出手段Ｃによって抽出される情報と食み出し情報記憶手段Ｄに記憶された情報との類似の度合いが増大するように、つまり、液状材料５の実際の食み出し状態と理想的な食み出し状態との乖離が解消されるように電子部品搭載手段Ａにおける電子部品８の押圧時間ｔまたは電子部品８の押圧圧力である搭載荷重を調整する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープに径方向外側に広がる応力を加えたとしても、ダイボンディング層をＸ方向及びＹ方向に確実に割裂させることができるダイシング−ダイボンディングテープを得る。
【解決手段】粘接着剤層からなるダイボンディング層３に、平面形状が円形のダイシングテープ５が直接または間接に積層されており、ダイシングテープ５の外周縁に複数の切欠き５ｃまたは切込みが形成されており、該複数の切欠き５ｃまたは切込みは、前記円形のダイシングテープの中心を通る第１の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、及び第１の直線と直交する第２の直線に平行な方向において径方向外側への引っ張り応力が加えられた際に、該ダイシングテープの伸長を促進するように、前記第１の直線に平行な方向及び第２の直線に平行な方向に延びる部分５ｃ１，５ｃ２を有する、ダイシング−ダイボンディングテープ１。 （もっと読む）

【課題】はんだ箔及び治具を用いずに半導体素子と基板とが接合されていて、はんだ付け箇所に生じる気泡が効果的に低減された半導体付基板を提供すること。
【解決手段】リードフレーム１０に、平面視でＩＧＢＴ２０と重なる重合領域Ｇの外側から溶融糸はんだ４０を注入する注入口１１ｃと重合領域Ｇの中央部から溶融糸はんだ４０を排出する排出口１１ｄとを有する連通孔が形成されている。ＩＧＢＴ２０は、リードフレーム１０に固定された金バンプ１４によりリードフレーム１０に対して浮いた状態で、注入口１１ｃから注入された溶融糸はんだ４０が排出孔１１ｄから排出されてＩＧＢＴ２０とリードフレーム１０との間の充填スペースＳＰに充填されることにより、リードフレーム１０に接合されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングの際、基板の熱変形によって真空至達エラーが発生することを防止するダイボンディング装置及びボンディング方法を提供する。
【解決手段】供給される半導体ウェハから半導体チップを移動して基板上に搭載するダイボンディング装置は、基板を吸着及び保持して搬送するステージ３０と、先端に半導体チップを吸着及び保持するコレット１３０を含むボンディングヘッド１１と、ボンディングヘッドを保持して水平方向に移動する水平移動機構と、コレット１３０を上下方向に移動する垂直移動機構と、更に、半導体チップを前記基板上にボンディングする際、ステージ上に吸着及び保持される基板の表面にホットエアを吹き付けるホットエア吹付装置２０（又は、ホットエア吹付ノズル）を設けた。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ダイを正確にボンディングできる信頼性の高いダイボンダ及び半導体製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、基板または前記基板近傍に設けられた基準マークと前記基板のボンディング位置に設けられた認識パターンとを撮像し、ダイを前記ボンディング位置に近接させ、前記基準マークとボンディング位置に近接した前記ダイとを撮像し、前記２つの撮像によって得られた撮像データに基づいてボンディング位置に近接した前記ダイの位置を補正して前記基板に前記ダイをボンディングする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整しながら、温度サイクル信頼性の高い半導体チップ実装体を得ることのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせるとともに、前記半導体チップの側面にフィレットを形成する工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）の後の半導体チップ実装体において、前記半導体チップの厚みをＤ、前記半導体チップの底面からの高さ方向のフィレット距離をｄ、半導体チップ接合領域の端部からの横方向のフィレット距離をＬとしたとき、ｄ／Ｄが０．２〜０．８、かつ、Ｌが３００μｍ未満となるようにフィレットを形成する半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】焼結プリフォームを使用する、少なくとも２つの部品を接続するための方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプリフォームは、硬化したペーストを含有する少なくとも１つの構造化要素を有する表面を有する担体を含み、この硬化したペーストは、（ａ）少なくとも１つの有機化合物を含有するコーティングを有する金属粒子、ならびに（ｂ）（ｂ１）有機過酸化物、（ｂ２）無機過酸化物、（ｂ３）無機酸、（ｂ４）１〜４個の炭素原子を有する有機酸の塩、（ｂ５）１〜４個の炭素原子を有する有機酸のエステル、および（ｂ６）カルボニル錯体からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含有し、硬化したペーストを有するこの担体の表面は、当該ペーストの構成成分と反応性ではない。 （もっと読む）

【課題】どのウェハから取出されて実装された部品であるのかを把握し、もって生産効率の向上を図ること。
【解決手段】ＣＰＵ１０がウェハから全部品の取出が終了したと判定すると、取出が終了したウェハリング４をマガジン８に戻すと共にマガジン８内の新たなウェハリング４を取出す。そして、取出したウェハリング４の段数を記憶エリアＡに記憶させ、吸着ノズル５がウェハから部品を吸着して取出し、記憶エリアＡに記憶している前記段数を記憶エリアＢに転送し、吸着ノズル５が保持している部品をワーク２上に実装させる。そして、現在記憶している記憶エリアＣの段数と記憶エリアＢに転送されて記憶している段数とを比較して一致しないと判定すると、記憶エリアＢの段数を記憶エリアＣに転送して記憶したウェハリング４の段数をインデックスとして、現在実装中のワーク２のシリアル番号をＲＡＭ１１のファイルＡに保存させる。 （もっと読む）

【課題】金属製部材を強固に熱衝撃性よく接合できるペースト状銀粒子組成物、接合強度と熱衝撃性が優れた金属製部材接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)平均粒径が０.３μｍを越え１０μｍ以下であり、アスペクト比（平均粒径／平均厚さ）が５以上１００以下である加熱焼結性フレーク状銀粒子と、(B)平均粒径（メディアン径Ｄ50）が０.００５μｍ以上０.１μｍ未満である加熱焼結性銀微粒子と（(A)と(B)の質量比が、５０：５０から９５：５の範囲内である）、(C)揮発性分散媒とからなるペースト状銀粒子組成物、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結により複数の金属製部材を接合する金属製部材接合体の製造方法、その製造方法による金属製部材接合体。 （もっと読む）

【課題】半田箔の加工や配置に係り設備費をコストアップさせることなく、半田箔を使用して電子部品を基板に好適に接合すること。
【解決手段】基板２に、その板厚方向に貫通する複数の通り孔２ｃと、上面に位置するバンプ７を予め形成しておく。基板２の上面側にて、バンプ７に対し電子部品３をバンプ８により接続し、基板２を治具１にて水平に支持する。水平に支持された基板２の下面に半田箔６を密着させて配置すると共に、半田箔６を伝熱板１２により基板２へ向けて押圧する。そして、押圧された半田箔６に伝熱板１２を介して熱を加えることにより、半田箔６を溶融させ、その溶融した半田を複数の通り孔２ｃを介して基板２の上面側へ押し上げて基板２と電子部品３との間に流動させて拡げる。その後、拡げられた半田を冷やすことにより、電子部品３と基板２を半田により接合する。 （もっと読む）

【課題】厳密な温度制御を要することなく、接着剤が面方向に均一に広がり、接着剤が被接着物周辺に過度にはみ出して被接着物の側面に過度に這い上がることを抑制することが可能な導電性接着剤及び接着方法を提供する。
【解決手段】導電性接着剤２０は、少なくとも表面が導電性を有しかつ全体的に磁性を有しない複数の粒子からなる第１のフィラー２１と、第１のフィラー２１の平均粒径に対して０．１〜１０倍の平均粒径を有し、少なくとも表面が導電性を有しかつ少なくとも一部が磁性を有する複数の粒子からなる第２のフィラー２２と（ここで、「粒径」は粒子形状によらず最大径を意味するものとする。「平均粒径」は５０％粒径を指し、平均粒径以上と平均粒径以下にそれぞれ５０質量％の粒子が存在する粒径である。）、バインダ樹脂等の他の成分２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】転写痕の発生を抑制できるウェハ加工用テープを提供する。
【解決手段】このウェハ加工用テープ１では、離型フィルム２と粘接着フィルム５の縁部７との重なり部分に複数の貫通穴８が形成されている。このため、フィルム同士の摩擦力が増加し、巻き取り圧を弱めた状態でウェハ加工用テープ１をロール状に巻いたとしても、巻きずれの発生を抑えることができる。巻き取り圧を弱めてウェハ加工用テープ１をロール状に巻くことで、転写痕Ｐの発生を抑えることが可能となり、粘接着剤層４と半導体ウェハとの接着不良といった不具合の発生を抑制でき、半導体チップの製造歩留まりを向上できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを金属基板上に接合する際に、接合面内の接合材の厚さの不均一を少なくすることにより、接合層の薄い部分への熱応力集中を防ぎ、半導体装置の熱応力耐久性を向上することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半田ペースト２中に主材半田粒子１１より高融点の半田粒子９を微量添加し、主材半田粒１１子を溶融させる温度で主材半田粒子９の金属基板１への濡れ広がりを充分に確保し、その後、温度を上昇させて高融点の半田粒子９を溶かす半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ワークを破損や損傷させることなく装着対象に装着することができるコレットホルダを提供する。
【解決手段】コレットホルダは、弾性体シール８と先端部材７とコレット６との真空経路に印加される負圧でワーク５を吸着して装着対象に装着する。コレット６は弾性支持機構４で上下方向に変位自在に支持されていて上下方向に伸縮自在な弾性体シール８で配管されいる。このため、コレット６と先端部材７とを充分に小型化することができるので、ワーク５を装着対象に装着するときの衝撃力を充分に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのはんだ付けを人手を介することなく一括で大量にバッチ処理することができるようにする。
【解決手段】真空チャンバ１１の内部にマガジン２０を両側面から挟持して加熱する１対のヒータプレート１２，１３と、１対の吸熱プレート１４，１５とを備えている。一方のヒータプレート１２および吸熱プレート１４は、他方のヒータプレート１３および吸熱プレート１５に対して接離できるよう可動式になっていて、マガジン２０を加熱または冷却するときに、マガジン２０を他方のヒータプレート１３および吸熱プレート１５に押し付けるようになっている。マガジン２０には、複数のリードフレームを収納しており、マガジン２０ごと加熱することで、その中に収納されたリードフレームのはんだ付けを一括で大量にバッチ処理することが可能になる。 （もっと読む）