【課題】高速処理を実現でき生産性の高いダイボンダ及び半導体製造を提供する。
【解決手段】基板にダイを接着するペーストを吐出口４６ｔから塗布面４５ｓに塗布するダイペースト塗布する際に、投影された投影検出パターンを鉛直方向から撮像し、基準とする基板でペーストが塗布される基準面で、撮像手段４１が基準面に投影機４２から照射された検出パターンを撮像した基準撮像データを記憶し、測定対象の基板におけるペーストが塗布される塗布面で、撮像手段が塗布面に投影機から照射された検出パターンを撮像した投影撮像データを基準撮像データとのシフト量を算出して、塗布面におけるペースト高さを測定し、高さに基づいて吐出口の塗布面からの高さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の固着に用いられる導電性固着材が半導体素子の外周に染み出すと、導電性固着材と封止樹脂の密着性が悪いため、封止樹脂とアイランドの密着性が劣化する問題がある。一方で、半導体素子の外周への導電性固着材の染み出しが全くないと、導電性固着材の濡れの状態が目視できない。
【解決手段】アイランドとアイランド主面に導電性固着材で固着される半導体素子と、半導体素子と電気的に接続されて一部が外部に導出するリードと、これらを一体的に被覆する封止樹脂とを備えている。アイランドの主面に、半導体素子の側辺に沿って帯状に溝を設ける。溝は半導体素子のコーナー部下方において不連続とする。導電性固着材はリフローで液状となった場合に溝で規制され、半導体素子の側辺からの染み出しを低減できる。溝が不連続な領域では若干量の導電性固着材を染み出させ、導電性固着材の濡れを視認可能とする。 （もっと読む）

【課題】被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１１をはんだ１２を介して基板１０に接合するダイボンディング方法において、半導体チップ１１が搭載されるチップ搭載領域１０ａの温度が、はんだ１２の融点以上であってチップ搭載領域１２ａの周辺領域１０ｂの温度よりも高くなるように基板１０を加熱して、はんだ１２をチップ搭載領域１０ａで溶融させて半導体チップ１１を基板１１に接合する。 （もっと読む）

【課題】接着フィルムの外周部がウエーハを保持したチャックテーブルの表面に付着することなく、ウエーハの裏面に接着フィルムを確実に装着することができる接着フィルム装着装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを吸引保持する吸引保持部を上面に備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの吸引保持部に保持されたウエーハに被せた接着フィルムを押圧する接着フィルム押圧手段と、を具備する接着フィルム装着装置であって、チャックテーブルの上面には、吸引保持部を囲繞し吸引保持部の外径と同等もしくは僅かに小さい内径を有するとともに接着フィルムの外形より大きい外径を有しフッ素樹脂によってリング状に形成された付着防止リングが配設されている。 （もっと読む）

【課題】半田付け時に治具と電極と素子の間の「囓り合い」を抑止し、樹脂モールド時に樹脂の流動性及び電極との密着性向上を図る半田付け方法を提供する。
【解決手段】電極1は、その長手方向と交差する方向に延びる切欠き1aにより複数の部分1A〜1Cに区分される。治具2は、電極1の複数の部分1A〜1Cに合わせて、複数の治具片2A〜2Cに分割して構成され、各治具片2A〜2Cに開口2aが設けられる。素子3の半田付けに際し、複数の治具片2A〜2Cを互いに隙間５を介して電極1の各部分1A〜1Cの上に配置すると共に、隣り合う治具片2A〜2Cの境界を切欠き1aに沿って配置し、電極1の各部分1A〜1Cに対して各治具片2A〜2Cを位置決めする。その後、各治具片2A〜2Cの開口2aを通じて電極1の各部分1A〜1Cの上に半田を介して素子3を載置する。その後、熱処理により各素子3を電極1の各部分1A〜1Cの上に半田付けする。 （もっと読む）

【課題】粘着剤層を有するダイシングフィルムと、ダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムで（１）半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハの良好な保持力と、該ダイボンドフィルムと一体に基材からの半導体チップの良好な剥離性、（２）環境や人体に与える影響が小さく（３）取扱いが容易なダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルム３’とを有し、該粘着剤層は紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含み、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）とオキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、該ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムで、（１）半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力、基材からの半導体チップの良好な剥離性、（２）環境や人体に与える影響が小さい、（３）取扱いが容易なダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンドフィルム１１は、基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、ダイボンドフィルム３’とを有し該粘着剤層は紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化物を含み、該ポリマー（Ｐ）は、主モノマーとしてアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含む成分から構成されるポリマー（Ａ）と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、該ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含む。 （もっと読む）

【課題】常温・常圧では、糊はみ出しなどがなく、乾燥および架橋により十分な初期粘着力を有し、光照射または熱により容易に硬化し、かつ高い剥離抵抗を有する粘接着剤層を形成することができる電子部品固定用粘接着シートを提供すること。
【解決手段】（メタ）アクリル系ポリマーに、環状エーテル基含有モノマーを含む鎖がグラフト重合されてなるグラフトポリマーに、光カチオン系重合開始剤もしくは熱硬化触媒を含有してなる粘接着剤組成物から形成される粘接着剤層からなる、あるいはそのような粘接着剤層を支持体両面に有する電子部品固定用粘接着シートを調製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ワイヤーボンドの予備加熱で半硬化することができ、ワイヤーボンド可能な強度を有し、かつ平坦性を維持することができるダイボンド剤組成物を提供し、パッケージの製造工程の短縮化及び生産性の向上を目的とする。
【解決手段】
第１基板の一方の面側に配置された第１半導体素子と、前記第１半導体素子と前記第１基板とを電気的に接続するボンディングワイヤと、前記第１半導体素子の前記第１基板と反対側に配置された第２半導体素子とで構成される半導体装置の前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との間を封止するダイボンド剤組成物であって、
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）硬化促進剤 （Ａ）成分と下記（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１０質量部となる量
（Ｃ）硬化剤 （Ａ）成分中のエポキシ基１当量に対し、該（Ｃ）成分中のエポキシ基と反応性を有する基が０．８〜１．２５当量となる量、及び
（Ｄ）レーザー回折法で測定される累積頻度９９％の粒径が前記第１半導体素子と第２半導体素子間距離の±２０％である固体粒子 （Ａ）成分と（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜２００質量部となる量を含有し、ただし、（Ａ）成分及び（Ｃ）成分の少なくともいずれかがシリコーン変性されているダイボンド剤組成物。 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるピックアップ装置を提供する，またはピックアップ装置を用い、信頼性の高いダイボンダまたはピックアップ方法を提供する。
【解決手段】ダイシングフィルムに貼り付けられた複数のダイ(半導体チップ)４のうち剥離対象のダイを突き上げてダイシングフィルムから剥離する際に、ダイの周辺部のうちの所定部におけるダイシングフィルムを突き上げて剥離起点を形成し、その後、所定部以外の部分のダイシングフィルムを突き上げてダイをダイシングフィルムから剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合面の全体に、溶融したはんだを確実に接触させ、半導体素子の端部にてはんだ引けの発生を防止する。
【解決手段】はんだ３０を、ヒートシンク２０側から、Ｐｂフリーはんだよりなる低温はんだ層３１、低温はんだ層３１よりも融点の高いＰｂフリーはんだよりなり且つ半導体素子１０との接合面が平坦面である高温はんだ層３２が積層されてなるものとし、はんだ付けのときには、高温はんだ層３２の接合面の平坦性を維持するように高温はんだ層３２は固体状態としつつ、低温はんだ層３１を、その全体が溶融した状態とする第１の溶融工程を行い、その後、高温はんだ層３２の接合面上に半導体素子２０を搭載し、続いて、低温はんだ層３１とともに高温はんだ層３２も溶融させてはんだ付けを行う第２の溶融工程を行う。 （もっと読む）

【課題】低温で金属接合する焼結Agペーストにおいて、貴金属部材に対するのと同様に、非貴金属部材にも高強度に金属接合可能な焼結Agペーストの組成と、高強度の接合部を得る接合方法を提供すること。
【解決手段】焼結Agペースト中に、雰囲気に関係なく熱分化し易い有機銀錯体溶液を添加した材料とし、さらにAg粒子を焼結させる前の工程で非貴金属面を非酸化雰囲気でAgメタライズ化し、その後、酸化雰囲気でAg粒子を焼結させる工程とした。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板に接合するために均一に分散されたハンダの層を形成するための軟質ハンダディスペンス装置を提供し、特に大型の反動チップのための接合プロセスの生産性を改善する。
【解決手段】半導体チップを前記基板上に接合するために基板上にハンダをディスペンスする装置は、ディスペンス本体と、このディスペンス本体を通じて延在する第１及び第２のディスペンスチャネルとを備え、ディスペンスチャネルのそれぞれは、別々のハンダワイヤを受け取るように操作されて、基板に面する前記ディスペンス本体の端部に前記ハンダワイヤを供給する。ディスペンスチャネルは、加熱された基板に接触した際に溶融する固体状態のワイヤを前記ディスペンス本体の端部から導入するようにさらに操作される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板、リードフレーム又は半導体チップとを接着するための接着剤層を有する半導体用接着フィルムにおいて、ピックアップ時における接着剤層と粘着剤層の剥離を容易にする。
【解決手段】接着剤層の成分として、アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対し、フッ素樹脂／シロキサングラフト型ポリマーを０．０１〜２０質量部含有する。 （もっと読む）

【課題】接合信頼性を向上させた接合材料およびその接合材料を用いた半導体装置とそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Al系層１０1がX系層１０２（X=Ge、Mg、In、Sn、Ag、Au、Ga）によって挟持され、さらにX系層１０２の外側がZn系層１０３によって挟持されたクラッド材を接合材料として用いる。このようなクラッド材を用いて接合することによって、材料の融点を下げ、半導体素子の割れを防ぐとともに、接合部のボイド率を１０wt.%以下に抑えることが出来る。また、半導体素子とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接合部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】塗布対象物に接着剤の塗布膜を所望する膜厚で形成する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１は、塗布対象物に接着剤を塗布する塗布部と、塗布対象物に塗布された接着剤を熱により乾燥させる乾燥部７とを備え、乾燥部７は、接着剤が塗布された塗布対象物が載置され、載置状態の塗布対象物を加熱する複数のヒータプレート１０１と、複数のヒータプレート１０１を離間させて積層状態に支持する支持部１０２とを具備している。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑えつつ、Ｚｎ−Ａｌ系はんだの表面の酸化を抑止することができると共に良好な濡れ性を示し、フラックスレスで接続を行うことができる高耐熱接合材料、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム２を中心に、第一の亜鉛３、アルミニウム２、第二の亜鉛４の三層がクラッドされた金属箔からなり、第一の亜鉛３及び第二の亜鉛４のアルミニウム２との接続界面ではない表面に、耐酸化性を有する金属層５、６が形成されている、高耐熱接合材料。 （もっと読む）

【課題】ダイシングテープの粘着剤表面の塗工性を向上した粘着シート、及び、この粘着シートを用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基材フィルムと、基材フィルムの一方の面に積層した粘着剤層と、粘着剤層の露出面に積層されたダイアタッチフィルムを有する粘着シートである。粘着剤層の粘着剤は、（メタ）アクリル酸エステル重合体、多官能（メタ）アクリレート、光重合開始剤、及び、イソシアネートを含有したものである。（メタ）アクリル酸エステル重合体、多官能（メタ）アクリレート、及び、光重合開始剤の各々が水酸基を有する。イソシアネートが３個以上のイソシアネート基を有する。イソシアネートのイソシアネート基ｍｏｌ量が、「（メタ）アクリル酸エステル重合体、多官能（メタ）アクリレート、及び、光重合開始剤の全ての水酸基ｍｏｌ量」の０．８倍乃至１．２倍である。 （もっと読む）

【課題】後工程でのリフロー処理においてダイボンドはんだ２０が溶融したときに、溶融したダイボンドはんだ２０がダイパッド１２とダイ１１の間から流失するのを阻止し、ダイ１１とダイパッド１２との間にボイドが形成されるのを回避して、高い接合安定性を備えた回路装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１２に載置するダイ１１の周囲を囲むようにしてダム材２を形成する。ダム材２で囲われた内側領域内の全面を満たすようにダイボンドはんだ２０を充填する。それにより、リフロー工程で、ダイボンドはんだ２０が溶融しても溶融したダイボンドはんだ２０はダム材２で囲われた内側領域内に留まっていることができ、流失することはない。それにより、ダイ１１とダイパッド１２との間にボイドが形成されるのは回避される。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールの大容量化に伴う素子接続部の温度上昇に伴い、濡れ性がよく、高耐熱な鉛フリーの接続材料が必要となっていた。
【解決手段】
Sn１１bとAl１２を主成分とする合金箔１３でありAl含有率が40mass%以下の合金箔１３の最表層にSn系層１１aをクラッドまたは加圧成形して、合金表層の酸化膜を除去する。このときに、合金箔のAl含有率を40mass％以下とする。これにより、SnとAlの分離を抑えて、濡れ性が確保でき、耐熱性が高く、軽量な接続材料および接続ができる。 （もっと読む）