ダイシング・ダイボンドフィルム
【課題】粘着剤層を有するダイシングフィルムと、ダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムで（１）半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハの良好な保持力と、該ダイボンドフィルムと一体に基材からの半導体チップの良好な剥離性、（２）環境や人体に与える影響が小さく（３）取扱いが容易なダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルム３’とを有し、該粘着剤層は紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含み、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）とオキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、該ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含む。
【解決手段】基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルム３’とを有し、該粘着剤層は紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含み、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）とオキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、該ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。具体的には、ワーク（半導体ウェハ等）のダイシングに供するフィルムであって、チップ状ワーク（半導体チップ等）と電極部材とを固着するための接着剤をダイシング前において既にワーク（半導体ウェハ等）に付設された状態とすることができる、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンを形成した半導体ウェハ（ワーク）は、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップ（チップ状ワーク）にダイシングされる（ダイシング工程）。ダイシング工程においては、一般的に、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ２程度）で洗浄する。次に、上記ダイシングされた半導体チップは、接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着される（マウント工程）。続いて、上記被着体に固着された半導体チップに対して、ボンディングが施される（ボンディング工程）。
【０００３】
上記マウント工程においては、上記接着剤は、リードフレームや半導体チップの表面に塗布される。しかし、接着剤の塗布に際しては、特殊な装置が必要であるという問題や、作業に長時間を要するという問題がある。また、塗布という作業の性格上、接着剤層の均一化が困難であるという問題がある。
【０００４】
上記のような問題を解決するため、ダイシング工程においては半導体ウェハを接着保持できるとともに、マウント工程における被着体固着用の接着剤層を付与できる、ダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなる。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングした後、支持基材を延伸し、半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収し、回収した接着剤層付半導体チップの接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させる。
【０００６】
上記のようなダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミスなどが生じないように、半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを接着剤層と一体に支持基材から剥離しうる良好な剥離性とが望まれる。
【０００７】
しかし、上記の両特性、すなわち、良好な保持力と良好な剥離性とをバランス良く発現させることは困難であるという問題がある。特に、半導体ウェハを回転丸刃などでダイシングする方式などのように、接着剤層に大きな保持力が要求される場合には、上記の両特性をバランス良く発現できるダイシング・ダイボンドフィルムを得ることは困難である。
【０００８】
上記のような問題を解決するため、ダイシング・ダイボンドフィルムに関して、種々の改良法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
特許文献２に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、支持基材と接着剤層との間に紫外線硬化が可能な粘着剤層が介在している。この粘着剤層をダイシング後に紫外線硬化させることにより、粘着剤層と接着剤層との間の接着力を低下させる。この接着力の低下により、粘着剤層と接着剤層とが剥離し易くなり、半導体チップのピックアップが容易になる。
【００１０】
しかしながら、上記の改良法によっても、ダイシング時の良好な保持力とその後の良好な剥離性とをバランス良く発現できるダイシング・ダイボンドフィルムとすることは困難である。例えば、１０ｍｍ×１０ｍｍ以上の大型の半導体チップを得る場合には、その面積が大きいため、一般のダイボンダーを用いて半導体チップをピックアップすることが容易でない。
【００１１】
上記のような問題を解決するため、ダイシング・ダイボンドフィルムに関して、さらに種々の改良法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【００１２】
特許文献３に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、ポリマー中の水酸基と、水酸基と反応するイソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物を反応させた粘着剤が使用されている。このような粘着剤を用いることにより、容易に半導体チップをピックアップさせている。
【００１３】
しかしながら、イソシアネート基含有化合物と水酸基含有ポリマーとの反応を促進させるためには、錫系触媒を添加する場合があり、環境に与える影響が大きいという問題がある。また、イソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物は、水と反応して失活するという問題がある。さらに、イソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物は、揮発性であるために環境や人体に与える影響が大きいという問題があり、取り扱いには十分な注意が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開昭６０−５７６４２号公報
【特許文献２】特開平２−２４８０６４号公報
【特許文献３】特開２００９−１７０７８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の課題は、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、（１）半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現でき、（２）環境や人体に与える影響が小さく、（３）取扱いが容易な、ダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、
基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
該粘着剤層は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含み、
該ポリマー（Ｐ）は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、
該ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂を含む。
【００１７】
好ましい実施形態においては、上記カルボキシル基含有モノマーが、（メタ）アクリル酸およびカルボキシアルキル（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種である。
【００１８】
好ましい実施形態においては、上記オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）が、２−ビニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、２−ビニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、および２−イソプロペニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンから選ばれる少なくとも１種である。
【００１９】
好ましい実施形態においては、上記アクリル酸エステルは、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルである。
【００２０】
好ましい実施形態においては、上記ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度が、−７０℃〜−１０℃である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、（１）半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現でき、（２）環境や人体に与える影響が小さく、（３）取扱いが容易な、ダイシング・ダイボンドフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。
【図２】本発明の別の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を示す概略工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明について図を用いて説明する場合、該図中、説明に不要な部分は記載を省略している場合がある。また、本発明について図を用いて説明する場合、説明を容易にするため、該図の一部または全部を拡大または縮小している場合がある。
≪Ａ．ダイシング・ダイボンドフィルム≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムである。
【００２４】
図１は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの好ましい実施形態の一例の概略断面図である。図１において、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層２上に設けられたダイボンドフィルム３とを有する。粘着剤層２は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を全体的に含んでいる。
【００２５】
図２は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの別の好ましい実施形態の一例の概略断面図である。図２において、ダイシング・ダイボンドフィルム１１は、基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層２上に設けられたダイボンドフィルム３´とを有する。図２におけるダイボンドフィルム３´は、粘着剤層２上において、半導体ウェハ４の貼り付け部分にのみ形成されている。
【００２６】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムには、帯電防止能を持たせることができる。ダイシング・ダイボンドフィルムに帯電防止能を持たせることにより、その接着時および剥離時等における静電気の発生やそれによるワーク（半導体ウェハ等）の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。
【００２７】
ダイシング・ダイボンドフィルムに帯電防止能を付与する方法としては、基材、粘着剤層、あるいはダイボンドフィルムへ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層を基材上に付設する方法などが挙げられる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。
【００２８】
導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。
【００２９】
ダイボンドフィルムは、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
【００３０】
ダイボンドフィルムは、セパレータにより保護されていることが好ましい。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有する。また、セパレータは、さらに、粘着剤層にダイボンドフィルムを転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム、紙などが挙げられる。
【００３１】
≪Ａ−１．基材≫
基材は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となる。
【００３２】
基材は、紫外線透過性を有することが好ましい。例えば、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて半導体装置を製造する際、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムが有する粘着剤層に含まれるポリマー（Ｐ）は、半導体チップをピックアップする前に紫外線照射により硬化されていることが好ましいからである。なお、この場合の紫外線照射は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウェハ（ワーク）を固定した後から半導体チップをピックアップする前の間の任意の適切なタイミングで行えば良い。
【００３３】
基材の厚みは、任意の適切な厚みを採用し得る。好ましくは、５μｍ〜２００μｍである。
【００３４】
基材の材料としては、本発明の効果を発現できる範囲内において、任意の適切な材料を採用し得る。基材の材料としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、アイオノマー樹脂等のポリオレフィン系樹脂；ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、ＡＥＳ樹脂、ＭＳ樹脂、ＳＭＡ樹脂、ＭＢＳ樹脂等のスチレン系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の塩素系樹脂；ポリウレタン等のウレタン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリアミド、全芳香族ポリアミド（アラミド）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニルスルフィド等のエンジリアリングプラスチック；ガラス；ガラスクロス；フッ素樹脂；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；金属（箔）；紙；などが挙げられる。基材の材料としては、また、上記樹脂等の架橋体も挙げられる。
【００３５】
基材は、１種の材料のみから形成されていても良いし、２種以上の材料から形成されていても良い。また、基材は単層でも良いし、２種以上の複層でも良い。
【００３６】
基材は、無延伸の基材を用いても良いし、一軸延伸や二軸延伸などの延伸処理を施した基材を用いても良い。
【００３７】
延伸処理を施した基材を用いると、ダイシング後に該基材を熱収縮させることにより、粘着剤層とダイボンドフィルムとの接着面積を低下させることができ、半導体チップの回収を容易に行うことができる。
【００３８】
基材の表面は、隣接する層との密着性や保持性などを高めるために、任意の適切な表面処理が施されても良い。このような表面処理としては、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理；下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理；などが挙げられる。
【００３９】
基材には、帯電防止能を付与するため、該基材上に、金属、合金、これらの酸化物等からなる導電性物質の蒸着層を設けることができる。このような蒸着層の厚みは、好ましくは３０Å〜５００Åである。
【００４０】
≪Ａ−２．粘着剤層≫
粘着剤層は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含む。
【００４１】
ポリマー（Ｐ）は紫外線照射により硬化し得る。紫外線照射によりポリマー（Ｐ）を硬化させることにより、架橋度を増大させてポリマー（Ｐ）の粘着力を低下させることができる。
【００４２】
紫外線照射は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウェハ（ワーク）を固定した後から半導体チップをピックアップする前の間の任意の適切なタイミングで行えば良い。
【００４３】
上記のように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、粘着剤層を適切に設計することにより、ダイボンドフィルムを、接着性・剥離性の両面でバランスよく支持することができる。
【００４４】
図２に示す粘着剤層２は、ダイシングリングを固定することができる。ダイシングリングは、例えば、ステンレス製などの金属からなるものや樹脂製のものを使用できる。
【００４５】
ポリマー（Ｐ）は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られる。
【００４６】
ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度は、下限値として、好ましくは−７０℃以上であり、より好ましくは−６５℃以上であり、さらに好ましくは−６０℃以上であり、特に好ましくは−５５℃以上であり、上限値として、好ましくは−１０℃以下であり、より好ましくは−２０℃以下であり、さらに好ましくは−３０℃以下であり、特に好ましくは−４０℃以下である。
【００４７】
ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度が−１０℃を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の接着性が低下し、ダイシングの際にいわゆる「チップ飛び」が発生するおそれがある。
【００４８】
ポリマー（Ｐ）は、清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいことが好ましい。このため、ポリマー（Ｐ）の重量平均分子量は、下限値として、好ましくは３５万以上であり、より好ましくは４５万以上であり、上限値として、好ましくは１００万以下であり、より好ましくは８０万以下である。
【００４９】
アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸アルキルエステル（例えば、アクリル酸メチルエステル、アクリル酸エチルエステル、アクリル酸プロピルエステル、アクリル酸イソプロピルエステル、アクリル酸ブチルエステル、アクリル酸イソブチルエステル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチルエステル、アクリル酸ｔ−ブチルエステル、アクリル酸ペンチルエステル、アクリル酸イソペンチルエステル、アクリル酸ヘキシルエステル、アクリル酸ヘプチルエステル、アクリル酸オクチルエステル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、アクリル酸イソオクチルエステル、アクリル酸ノニルエステル、アクリル酸デシルエステル、アクリル酸イソデシルエステル、アクリル酸ウンデシルエステル、アクリル酸ドデシルエステル、アクリル酸トリデシルエステル、アクリル酸テトラデシルエステル、アクリル酸ヘキサデシルエステル、アクリル酸オクタデシルエステル、アクリル酸エイコシルエステル等の、アルキル基の炭素数が、好ましくは１〜３０、より好ましくは４〜１８の、直鎖状または分岐鎖状のアクリル酸アルキルアルキルエステル）、アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、アクリル酸シクロペンチルエステル、アクリル酸シクロヘキシルエステル等）などが挙げられる。
【００５０】
アクリル酸エステルは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００５１】
アクリル酸エステルとしては、好ましくは、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（Ｒはアルキル基またはシクロアルキル基である。Ｒの炭素数は、下限値として、好ましくは６以上であり、より好ましくは８以上であり、上限値として、好ましくは１０以下であり、より好ましくは９以下である。Ｒの炭素数は、例えば、好ましくは６〜１０である。）で表されるアクリル酸エステルが挙げられる。
【００５２】
Ｒの炭素数が６未満の場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００５３】
Ｒの炭素数が１０を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の接着性が低下し、ダイシングの際にいわゆる「チップ飛び」が発生するおそれがある。
【００５４】
本発明において特に好ましいアクリル酸エステルとしては、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、アクリル酸イソオクチルエステルが挙げられる。
【００５５】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合は、下限値として、好ましくは４０重量％以上であり、より好ましくは５０重量％以上であり、さらに好ましくは６０重量％以上であり、特に好ましくは６５重量％以上であり、上限値として、好ましくは９７重量％以下であり、より好ましくは９５重量％以下であり、さらに好ましくは９３重量％以下であり、特に好ましくは９１重量％以下である。
【００５６】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合が４０重量％未満の場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００５７】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合が９７重量％を超える場合、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００５８】
カルボキシル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。カルボキシル基含有モノマーとしては、特に好ましくは、（メタ）アクリル酸およびカルボキシアルキル（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種である。
【００５９】
カルボキシル基含有モノマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００６０】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合は、下限値として、好ましくは３重量％以上であり、より好ましくは５重量％以上であり、さらに好ましくは７重量％以上であり、特に好ましくは９重量％以上であり、上限値として、好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１８重量％以下であり、さらに好ましくは１６重量％以下であり、特に好ましくは１５重量％以下である。
【００６１】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合が３重量％未満の場合、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００６２】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合が２０重量％を超える場合、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００６３】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中には、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、上記アクリル酸エステルと共重合可能な、他のモノマーを含んでいても良い。
【００６４】
他のモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド；アクリロニトリル；などが挙げられる。
【００６５】
他のモノマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００６６】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合は、下限値として、好ましくは０重量％以上であり、上限値として、好ましくは４０重量％以下であり、より好ましくは３５重量％以下であり、さらに好ましくは３０重量％以下である。
【００６７】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合が４０重量％を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれや、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００６８】
ポリマー（Ａ）は、好ましくは、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分を重合して得られる。
【００６９】
重合の方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。重合の方法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などが挙げられる。
【００７０】
オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）としては、例えば、２−ビニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、２−ビニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン等が挙げられる。
【００７１】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００７２】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の使用量は、ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、下限値として、好ましくは８０モル％以上であり、より好ましくは８５モル％以上であり、さらに好ましくは９０モル％以上であり、上限値として、好ましくは１５０モル％以下であり、より好ましくは１００モル％以下であり、さらに好ましくは９８モル％以下である。
【００７３】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の使用量が、ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、８０モル％未満の場合、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００７４】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の使用量が、ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、１５０モル％を超える場合、粘着剤層中の残存オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の量およびそれ由来の低分子量物質の量が増加してしまい、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれや、残存オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の揮発により環境や人体に与える影響が大きくなってしまうおそれがある。
【００７５】
ポリマー（Ａ）とオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させてポリマー（Ｐ）を得る方法としては、任意の適切な反応方法を採用し得る。例えば、ポリマー（Ａ）にオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）を加えて、任意の適切な反応条件（例えば、空気中、２０〜７０℃の範囲内の反応温度、１０〜１００時間の反応時間）にて付加反応を行う方法が挙げられる。
【００７６】
ポリマー（Ｐ）は、紫外線照射によって架橋反応させることで、硬化物とすることができる。
【００７７】
紫外線照射によってポリマー（Ｐ）を架橋反応させるために、好ましくは、ポリマー（Ｐ）に対して、任意の適切な架橋剤および任意の適切な光重合開始剤を用いる。
【００７８】
架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等が挙げられる。架橋剤を用いることにより、紫外線照射前の粘着剤層の接着力や紫外線照射後の粘着剤層の接着力の調整を行うことができる。
【００７９】
架橋剤は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００８０】
架橋剤の使用量は、ポリマー（Ｐ）の種類等によって、任意の適切な量を採用し得る。架橋剤の使用量は、例えば、ポリマー（Ｐ）に対して、下限値として、好ましくは０．０１重量％以上であり、より好ましくは０．１重量％以上であり、上限値として、好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１０重量％以下である。
【００８１】
光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３´−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート；などが挙げられる。
【００８２】
光重合開始剤は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００８３】
光重合開始剤の使用量は、ポリマー（Ｐ）の種類等によって、任意の適切な量を採用し得る。光重合開始剤の使用量は、例えば、ポリマー（Ｐ）に対して、下限値として、好ましくは０．０１重量％以上であり、より好ましくは０．０５重量％以上であり、上限値として、好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１０重量％以下である。
【００８４】
粘着剤層中には、ポリマー（Ｐ）以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、他の成分を含んでいても良い。
【００８５】
他の成分としては、例えば、カルボキシル基と反応する化合物；紫外線硬化性モノマー；紫外線硬化性オリゴマー；粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤；などが挙げられる。
【００８６】
カルボキシル基と反応する化合物は、例えば、粘着剤層中に存在する残存カルボキシル基の量を調整するために用い得る。カルボキシル基と反応する化合物は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な量を用い得る。
【００８７】
カルボキシル基と反応する化合物としては、例えば、アミノ基含有化合物、エポキシ基含有化合物、イソシアネート基含有化合物、カルボジイミド基含有化合物などが挙げられる。
【００８８】
カルボキシル基と反応する化合物は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００８９】
紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーは、例えば、紫外線照射前の粘着力や紫外線照射後の粘着力を調整するために用い得る。
【００９０】
紫外線硬化性モノマーとしては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９１】
紫外線硬化性モノマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００９２】
紫外線硬化性オリゴマーとしては、例えば、ウレタン系オリゴマー、ポリエーテル系オリゴマー、ポリエステル系オリゴマー、ポリカーボネート系オリゴマー、ポリブタジエン系オリゴマー等が挙げられる。
【００９３】
紫外線硬化性オリゴマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００９４】
紫外線硬化性オリゴマーの分子量は、好ましくは１００〜３００００である。
【００９５】
紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーは、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な量を用い得る。紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーの使用量は、それらの合計が、例えば、ポリマー（Ｐ）に対して、下限値として、好ましくは５重量％以上であり、より好ましくは４０重量％以上であり、上限値として、好ましくは５００重量％以下であり、より好ましくは１５０重量％以下である。
【００９６】
粘着剤層の酸価は、好ましくは、１０以下である。粘着剤層の酸価が１０を超えると、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００９７】
粘着剤層の酸価は、粘着剤層の形成で用い得るオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）などの各種化合物の使用量の調整などによって調節できる。
【００９８】
酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２（電位差滴定法）に準じて評価を行うことができる。
【００９９】
粘着剤層を形成する方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。粘着剤層を形成する方法としては、例えば、基材上に直接に粘着剤層を形成する方法や、セパレータ上に設けた粘着剤層を基材上に転写する方法が挙げられる。
【０１００】
粘着剤層の厚みは、任意の適切な厚みを採用し得る。粘着剤層の厚みは、例えば、下限値として、好ましくは１μｍ以上であり、より好ましくは２μｍ以上であり、さらに好ましくは５μｍ以上であり、上限値として、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは３０μｍ以下であり、さらに好ましくは２５μｍ以下である。粘着剤層の厚みが上記範囲内にあることにより、チップ切断面の欠けが防止できるとともに、ダイボンドフィルムを、接着性・剥離性の両面でバランスよく支持することができる。
【０１０１】
≪Ａ−３．ダイボンドフィルム≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有する。
【０１０２】
ダイボンドフィルムは、例えば、接着剤層の単層のみからなる構成としても良いし、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂や熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂などを適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造としても良い。
【０１０３】
半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用するため、ダイボンドフィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率を有するダイボンドフィルムを基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤としては、透湿性の高いコア材料をダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階で水蒸気がフィルムを通じて拡散するため、上記の浮きが発生する問題を回避することができる。
【０１０４】
上記の観点から、ダイボンドフィルムは、コア材料の片面または両面に接着剤層を形成した多層構造としても良い。
【０１０５】
上記コア材料としては、例えば、フィルム（例えば、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板、ガラス基板等が挙げられる。
【０１０６】
ダイボンドフィルムは、接着剤層中にエポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないという利点を有する。
【０１０７】
ダイボンドフィルムの接着剤層中のエポキシ樹脂の含有割合は、下限値で、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上、特に好ましくは９５重量％以上であり、上限値は、１００重量％以下である。
【０１０８】
エポキシ樹脂としては、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば、任意の適切なエポキシ樹脂を採用し得る。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂；ヒダントイン型エポキシ樹脂；トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；等が挙げられる。
【０１０９】
エポキシ樹脂は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１１０】
エポキシ樹脂としては、特に好ましくは、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れる。
【０１１１】
ダイボンドフィルムの接着剤層中には、適宜必要に応じて、その他の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が含まれていても良い。これらの樹脂は、１種のみ用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１１２】
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【０１１３】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。
【０１１４】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；等が挙げられる。
【０１１５】
フェノール樹脂としては、特に好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が挙げられる。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【０１１６】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりのフェノール樹脂中の水酸基が、下限値として、好ましくは０．５当量以上であり、より好ましくは０．８当量以上であり、上限値として、好ましくは２．０当量以下であり、より好ましくは１．２当量以下である。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合が上記範囲から外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるおそれがある。
【０１１７】
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチレン―アクリル酸共重合体、エチレン―アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
【０１１８】
熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できる点で、アクリル樹脂が特に好ましい。
【０１１９】
アクリル樹脂としては、任意の適切なアクリル樹脂を採用し得る。アクリル樹脂としては、例えば、炭素数が、下限値で、好ましくは４以上であり、上限値で、好ましくは３０以下であり、より好ましくは１８以下である、直鎖または分岐のアルキル基を有するアクリル酸またはメタクリル酸のエステルの１種または２種以上を含むモノマー成分を重合して得られる重合体が挙げられる。
【０１２０】
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、ドデシル基等が挙げられる。
【０１２１】
アクリル樹脂を形成する上記モノマー成分中には、任意の適切な他のモノマーを含んでいても良い。
【０１２２】
他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の燐酸基含有モノマー；などが挙げられる。
【０１２３】
ダイボンドフィルムの接着剤層には、予めある程度架橋をさせておくため、作製に際し、接着剤層中に含まれる重合体の分子鎖末端の官能基等と反応し得る多官能性化合物を架橋剤として添加させておいても良い。このような多官能性化合物を添加することにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。多官能性化合物は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１２４】
ダイボンドフィルムの接着剤層には、必要に応じて、任意の適切な他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１２５】
他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。
【０１２６】
難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１２７】
シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。
【０１２８】
イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。
【０１２９】
ダイボンドフィルムの厚みとしては、任意の適切な厚みを採用し得る。ダイボンドフィルムの厚みとしては、下限値として、好ましくは５μｍ以上であり、上限値として、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以下である。
【０１３０】
≪Ｂ．ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシング・ダイボンドフィルム１０（図１）を例にして説明する。
【０１３１】
基材１は、任意の適切な製膜方法により製膜することができる。このような製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。
【０１３２】
次に、基材１上に粘着剤を含む組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層を形成する。粘着剤を含む組成物を塗布する方式としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。塗布は、直接に基材１上に行っても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布した後に基材１に転写しても良い。
【０１３３】
次に、ダイボンドフィルム３を形成するための形成材料を剥離紙上に所定厚みとなるように塗布し、さらに所定条件下で乾燥して、塗布層を形成する。この塗布層をカットし、粘着剤層２上に転写することにより、ダイボンドフィルム３を形成する。
【０１３４】
または、ダイボンドフィルム３を形成するための形成材料を粘着剤層２上に直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても、ダイボンドフィルム３を形成することができる。
【０１３５】
以上により、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を得ることができる。
【０１３６】
≪Ｃ．半導体装置の製造方法≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルム上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次のように使用され得る。以下では、図３を参照しながら、ダイシング・ダイボンドフィルム１１を用いた場合を例にして、半導体装置の製造方法について説明する。
【０１３７】
まず、図３（ａ）に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１１におけるダイボンドフィルム３´上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。
【０１３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体ウェハ４のダイシングを行う（ダイシング工程）。ダイシングにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウェハ４の回路面側から常法に従って行われる。本工程では、例えば、ダイシング・ダイボンドフィルム１１まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては、任意の適切な装置を用いることができる。半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１１により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
【０１３９】
次に、図３（ｃ）に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１１に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。ピックアップの方法としては、例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【０１４０】
ここで、ピックアップは、マウント工程の後の任意の適切なタイミングで粘着剤層に紫外線照射を行った後に行う。
【０１４１】
粘着剤層において、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化は、ポリマー（Ｐ）の全部を紫外線照射によって硬化しても良いし、ポリマー（Ｐ）の一部のみ（例えば、半導体ウェハ４が固定されている部分のみ）を紫外線照射によって硬化しても良い。
【０１４２】
紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化を部分的に行う方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化を部分的に行う方法としては、例えば、部分的に紫外線を照射する方法や、基材の少なくとも片面に紫外線を遮光する材料を印刷や蒸着等で設ける方法が挙げられる。
【０１４３】
ポリマー（Ｐ）を硬化させるための紫外線の照射積算光量は、好ましくは５０〜５００ｍＪ／ｃｍ２である。ポリマー（Ｐ）を硬化させるための紫外線の照射積算光量を上記範囲内とすることにより、例えば、ダイシングの際のいわゆる「チップ飛び」が発生することを抑制できるだけの接着性を保持することが可能となったり、ピックアップの際に良好なピックアップ性を発現できたり、架橋の進行し過ぎを抑制できて良好な剥離性を発現できる。
【０１４４】
次に、図３（ｄ）に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３ａを介して被着体６に接着固定する（ダイボンド工程）。被着体６はヒートブロック９上に載置されている。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であっても良いし、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であっても良い。上記基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。上記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレームや４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレーム、ガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板などが挙げられる。被着体６は、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板であっても良い。ダイボンドフィルム３ａが熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。なお、半導体ウェハ貼り付け部分３ａを介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
【０１４５】
続いて、図３（ｅ）に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ボンディング工程）。その後、半導体チップを封止樹脂８で封止し、該封止樹脂８をアフターキュアする。
【０１４６】
以上により、半導体装置が製造される。
【実施例】
【０１４７】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。なお、実施例等における、試験および評価方法は以下のとおりである。また、部は重量部を意味する。
【０１４８】
＜ガラス転移温度の測定＞
レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「ＡＲＥＳ」を用いて、サンプル厚さ約１．５ｍｍで、φ７．９ｍｍパラレルプレ−トの治具を用い、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分にて測定し、得られた損失弾性率のピーク点の温度をガラス転移温度とした。
【０１４９】
＜ピックアップ性の評価＞
各実施例および比較例におけるダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、半導体ウェハのダイシングを行った後にピックアップを行い、各ダイシング・ダイボンドフィルムのピックアップ性を評価した。
半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理（研削装置：ディスコ社製「ＤＦＧ−８５６０」）し、厚さ０．０７５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。
ダイシング・ダイボンドフィルムからセパレータを剥離した後、そのダイボンドフィルム上に上記ミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせ（貼り付け装置：日東精機製「ＭＡ−３０００ＩＩ」、貼り付け速度：１０ｍｍ／ｍｉｎ、貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ、貼り付け時のステージ温度：４０℃）、さらにダイシングを行った。ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。
ダイシング条件は、下記の通りであった。
ダイシング装置：ディスコ社製「ＤＦＤ−６３６１」
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：８０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード（Ｚ１）：ディスコ社製「２０５０ＨＥＤＤ」
ダイシングブレード（Ｚ２）：ディスコ社製「２０５０ＨＥＢＢ」
ダイシングブレード回転数（Ｚ１）：４００００ｒｐｍ
ダイシングブレード回転数（Ｚ２）：４００００ｒｐｍ
ブレード高さ（Ｚ１）：０．１７０ｍｍ（半導体ウェハの厚みによる（ウェハ厚みが７５μｍの場合、０．１７０ｍｍ））
ブレード高さ（Ｚ２）：０．０８５ｍｍ
カット方式：Ａモード／ステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角
次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムに紫外線を照射した。紫外線照射（紫外線（ＵＶ）照射装置：日東精機製「ＵＭ−８１０」、紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）はポリオレフィンフィルム側から行った。
次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。
さらに、各ダイシング・ダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップし、ピックアップ性の評価を行った。
具体的には、４００個の半導体チップを連続してピックアップし、表１に示す条件Ａおよび条件Ｂで行ったときの成功率が共に１００％の場合を◎とし、条件Ａで行ったときの成功率が１００％であり、かつ、条件Ｂで行ったときの成功率が１００％でなかった場合を○とし、条件Ａおよび条件Ｂ共に成功率が１００％でなかった場合を×とした。
【０１５０】
【表１】
【０１５１】
＜酸価の測定＞
酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２（電位差滴定法）に準じて評価を行った。
具体的には、乾燥させた粘着剤層中の粘着剤約３ｇにアセトン１００ｍｌを加え、撹拌して溶解させた。これに水２５ｍｌを加え撹拌した。この溶液を０．０５ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液で滴定を行った。試料１ｇを中和するのに必要な水酸化カリウムのｍｇ数を酸価とした。
【０１５２】
〔実施例１〕
＜ダイシングフィルムの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）９０部、アクリル酸（以下、「ＡＡ」という。）１０部、過酸化ベンゾイル０．２部、および酢酸エチル１５０部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理し、アクリル系ポリマーＡを得た。
このアクリル系ポリマーＡに２−ビニル−２−オキサゾリン（以下、「ＶＯ」という。）１２．８部（ＡＡに対し９５ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ´を得た。アクリル系ポリマーＡ´のガラス転位温度は−４９℃であった。
次に、アクリル系ポリマーＡ´１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）４部、および光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を作製した。
上記粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
次いで、粘着剤層の表面に、厚さ１００μｍのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。
５０℃にて２４時間保存をして、ダイシングフィルムとした。
＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」）１００部に対して、エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製「エピコート１００４」）５９部、エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製「エピコート８２７」）５３部、フェノール樹脂（三井化学（株）製「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」）１２１部、球状シリカ（アドマテックス（株）製「ＳＯ−２５Ｒ」）２２２部を加え、メチルエチルケトンに溶解して、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
得られた接着剤組成物溶液を、剥離ライナー（セパレータ）として、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムを作製した。
＜ダイシング・ダイボンドフィルムの作製＞
ダイボンドフィルムをダイシングフィルムにおける粘着剤層側に転写して、ダイシング・ダイボンドフィルム（１）を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム（１）について、各種評価を行った。結果を表２に示した。
なお、表２中に記載する略称の意味は次の通りである。
２ＥＨＡ：アクリル酸２−エチルヘキシル
ｉ−ＯＡ：アクリル酸イソオクチル
ＢＡ：アクリル酸ｎ−ブチル
ＡＡ：アクリル酸
ＶＯ：２−ビニル−２−オキサゾリン
【０１５３】
〔実施例２〜５〕
表２に示す組成および含有量に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルム（２）〜（５）を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム（２）〜（５）について、各種評価を行った。結果を表２に示した。
【０１５４】
〔比較例１〜２〕
表２に示す組成および含有量に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルム（Ｃ１）〜（Ｃ２）を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム（Ｃ１）〜（Ｃ２）について、各種評価を行った。結果を表２に示した。
【０１５５】
【表２】
【０１５６】
表２に示すように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ピックアップ性が良好であることが判る。すなわち、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現できていることが判る。また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、従来の粘着剤で用いられている錫系触媒を用いないので、環境に悪影響を与えないことが判る。さらに、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、粘着剤層中における揮発性物質の残存が抑制できるので、環境や人体に悪影響を与えないことや、取扱いが容易であることが判る。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、例えば、半導体装置製造の際のワーク（半導体ウェハ等）のダイシングに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１５８】
１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム
３´ ダイボンドフィルム
３ａ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ５
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ ヒートブロック
１０ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１ ダイシング・ダイボンドフィルム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。具体的には、ワーク（半導体ウェハ等）のダイシングに供するフィルムであって、チップ状ワーク（半導体チップ等）と電極部材とを固着するための接着剤をダイシング前において既にワーク（半導体ウェハ等）に付設された状態とすることができる、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンを形成した半導体ウェハ（ワーク）は、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップ（チップ状ワーク）にダイシングされる（ダイシング工程）。ダイシング工程においては、一般的に、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ２程度）で洗浄する。次に、上記ダイシングされた半導体チップは、接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着される（マウント工程）。続いて、上記被着体に固着された半導体チップに対して、ボンディングが施される（ボンディング工程）。
【０００３】
上記マウント工程においては、上記接着剤は、リードフレームや半導体チップの表面に塗布される。しかし、接着剤の塗布に際しては、特殊な装置が必要であるという問題や、作業に長時間を要するという問題がある。また、塗布という作業の性格上、接着剤層の均一化が困難であるという問題がある。
【０００４】
上記のような問題を解決するため、ダイシング工程においては半導体ウェハを接着保持できるとともに、マウント工程における被着体固着用の接着剤層を付与できる、ダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなる。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングした後、支持基材を延伸し、半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収し、回収した接着剤層付半導体チップの接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させる。
【０００６】
上記のようなダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミスなどが生じないように、半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを接着剤層と一体に支持基材から剥離しうる良好な剥離性とが望まれる。
【０００７】
しかし、上記の両特性、すなわち、良好な保持力と良好な剥離性とをバランス良く発現させることは困難であるという問題がある。特に、半導体ウェハを回転丸刃などでダイシングする方式などのように、接着剤層に大きな保持力が要求される場合には、上記の両特性をバランス良く発現できるダイシング・ダイボンドフィルムを得ることは困難である。
【０００８】
上記のような問題を解決するため、ダイシング・ダイボンドフィルムに関して、種々の改良法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
特許文献２に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、支持基材と接着剤層との間に紫外線硬化が可能な粘着剤層が介在している。この粘着剤層をダイシング後に紫外線硬化させることにより、粘着剤層と接着剤層との間の接着力を低下させる。この接着力の低下により、粘着剤層と接着剤層とが剥離し易くなり、半導体チップのピックアップが容易になる。
【００１０】
しかしながら、上記の改良法によっても、ダイシング時の良好な保持力とその後の良好な剥離性とをバランス良く発現できるダイシング・ダイボンドフィルムとすることは困難である。例えば、１０ｍｍ×１０ｍｍ以上の大型の半導体チップを得る場合には、その面積が大きいため、一般のダイボンダーを用いて半導体チップをピックアップすることが容易でない。
【００１１】
上記のような問題を解決するため、ダイシング・ダイボンドフィルムに関して、さらに種々の改良法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【００１２】
特許文献３に記載のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、ポリマー中の水酸基と、水酸基と反応するイソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物を反応させた粘着剤が使用されている。このような粘着剤を用いることにより、容易に半導体チップをピックアップさせている。
【００１３】
しかしながら、イソシアネート基含有化合物と水酸基含有ポリマーとの反応を促進させるためには、錫系触媒を添加する場合があり、環境に与える影響が大きいという問題がある。また、イソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物は、水と反応して失活するという問題がある。さらに、イソシアネート基およびラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物は、揮発性であるために環境や人体に与える影響が大きいという問題があり、取り扱いには十分な注意が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開昭６０−５７６４２号公報
【特許文献２】特開平２−２４８０６４号公報
【特許文献３】特開２００９−１７０７８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の課題は、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、（１）半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現でき、（２）環境や人体に与える影響が小さく、（３）取扱いが容易な、ダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、
基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
該粘着剤層は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含み、
該ポリマー（Ｐ）は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、
該ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂を含む。
【００１７】
好ましい実施形態においては、上記カルボキシル基含有モノマーが、（メタ）アクリル酸およびカルボキシアルキル（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種である。
【００１８】
好ましい実施形態においては、上記オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）が、２−ビニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、２−ビニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、および２−イソプロペニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンから選ばれる少なくとも１種である。
【００１９】
好ましい実施形態においては、上記アクリル酸エステルは、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルである。
【００２０】
好ましい実施形態においては、上記ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度が、−７０℃〜−１０℃である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、（１）半導体ウェハや半導体チップの大きさや厚みに関わらず、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現でき、（２）環境や人体に与える影響が小さく、（３）取扱いが容易な、ダイシング・ダイボンドフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。
【図２】本発明の別の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムの概略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態によるダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を示す概略工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明について図を用いて説明する場合、該図中、説明に不要な部分は記載を省略している場合がある。また、本発明について図を用いて説明する場合、説明を容易にするため、該図の一部または全部を拡大または縮小している場合がある。
≪Ａ．ダイシング・ダイボンドフィルム≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムである。
【００２４】
図１は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの好ましい実施形態の一例の概略断面図である。図１において、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層２上に設けられたダイボンドフィルム３とを有する。粘着剤層２は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を全体的に含んでいる。
【００２５】
図２は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの別の好ましい実施形態の一例の概略断面図である。図２において、ダイシング・ダイボンドフィルム１１は、基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層２上に設けられたダイボンドフィルム３´とを有する。図２におけるダイボンドフィルム３´は、粘着剤層２上において、半導体ウェハ４の貼り付け部分にのみ形成されている。
【００２６】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムには、帯電防止能を持たせることができる。ダイシング・ダイボンドフィルムに帯電防止能を持たせることにより、その接着時および剥離時等における静電気の発生やそれによるワーク（半導体ウェハ等）の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。
【００２７】
ダイシング・ダイボンドフィルムに帯電防止能を付与する方法としては、基材、粘着剤層、あるいはダイボンドフィルムへ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層を基材上に付設する方法などが挙げられる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。
【００２８】
導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。
【００２９】
ダイボンドフィルムは、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
【００３０】
ダイボンドフィルムは、セパレータにより保護されていることが好ましい。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有する。また、セパレータは、さらに、粘着剤層にダイボンドフィルムを転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム、紙などが挙げられる。
【００３１】
≪Ａ−１．基材≫
基材は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となる。
【００３２】
基材は、紫外線透過性を有することが好ましい。例えば、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて半導体装置を製造する際、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムが有する粘着剤層に含まれるポリマー（Ｐ）は、半導体チップをピックアップする前に紫外線照射により硬化されていることが好ましいからである。なお、この場合の紫外線照射は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウェハ（ワーク）を固定した後から半導体チップをピックアップする前の間の任意の適切なタイミングで行えば良い。
【００３３】
基材の厚みは、任意の適切な厚みを採用し得る。好ましくは、５μｍ〜２００μｍである。
【００３４】
基材の材料としては、本発明の効果を発現できる範囲内において、任意の適切な材料を採用し得る。基材の材料としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、アイオノマー樹脂等のポリオレフィン系樹脂；ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、ＡＥＳ樹脂、ＭＳ樹脂、ＳＭＡ樹脂、ＭＢＳ樹脂等のスチレン系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の塩素系樹脂；ポリウレタン等のウレタン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂；ポリアミド、全芳香族ポリアミド（アラミド）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニルスルフィド等のエンジリアリングプラスチック；ガラス；ガラスクロス；フッ素樹脂；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；金属（箔）；紙；などが挙げられる。基材の材料としては、また、上記樹脂等の架橋体も挙げられる。
【００３５】
基材は、１種の材料のみから形成されていても良いし、２種以上の材料から形成されていても良い。また、基材は単層でも良いし、２種以上の複層でも良い。
【００３６】
基材は、無延伸の基材を用いても良いし、一軸延伸や二軸延伸などの延伸処理を施した基材を用いても良い。
【００３７】
延伸処理を施した基材を用いると、ダイシング後に該基材を熱収縮させることにより、粘着剤層とダイボンドフィルムとの接着面積を低下させることができ、半導体チップの回収を容易に行うことができる。
【００３８】
基材の表面は、隣接する層との密着性や保持性などを高めるために、任意の適切な表面処理が施されても良い。このような表面処理としては、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理；下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理；などが挙げられる。
【００３９】
基材には、帯電防止能を付与するため、該基材上に、金属、合金、これらの酸化物等からなる導電性物質の蒸着層を設けることができる。このような蒸着層の厚みは、好ましくは３０Å〜５００Åである。
【００４０】
≪Ａ−２．粘着剤層≫
粘着剤層は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含む。
【００４１】
ポリマー（Ｐ）は紫外線照射により硬化し得る。紫外線照射によりポリマー（Ｐ）を硬化させることにより、架橋度を増大させてポリマー（Ｐ）の粘着力を低下させることができる。
【００４２】
紫外線照射は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウェハ（ワーク）を固定した後から半導体チップをピックアップする前の間の任意の適切なタイミングで行えば良い。
【００４３】
上記のように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、粘着剤層を適切に設計することにより、ダイボンドフィルムを、接着性・剥離性の両面でバランスよく支持することができる。
【００４４】
図２に示す粘着剤層２は、ダイシングリングを固定することができる。ダイシングリングは、例えば、ステンレス製などの金属からなるものや樹脂製のものを使用できる。
【００４５】
ポリマー（Ｐ）は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られる。
【００４６】
ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度は、下限値として、好ましくは−７０℃以上であり、より好ましくは−６５℃以上であり、さらに好ましくは−６０℃以上であり、特に好ましくは−５５℃以上であり、上限値として、好ましくは−１０℃以下であり、より好ましくは−２０℃以下であり、さらに好ましくは−３０℃以下であり、特に好ましくは−４０℃以下である。
【００４７】
ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度が−１０℃を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の接着性が低下し、ダイシングの際にいわゆる「チップ飛び」が発生するおそれがある。
【００４８】
ポリマー（Ｐ）は、清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいことが好ましい。このため、ポリマー（Ｐ）の重量平均分子量は、下限値として、好ましくは３５万以上であり、より好ましくは４５万以上であり、上限値として、好ましくは１００万以下であり、より好ましくは８０万以下である。
【００４９】
アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸アルキルエステル（例えば、アクリル酸メチルエステル、アクリル酸エチルエステル、アクリル酸プロピルエステル、アクリル酸イソプロピルエステル、アクリル酸ブチルエステル、アクリル酸イソブチルエステル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチルエステル、アクリル酸ｔ−ブチルエステル、アクリル酸ペンチルエステル、アクリル酸イソペンチルエステル、アクリル酸ヘキシルエステル、アクリル酸ヘプチルエステル、アクリル酸オクチルエステル、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、アクリル酸イソオクチルエステル、アクリル酸ノニルエステル、アクリル酸デシルエステル、アクリル酸イソデシルエステル、アクリル酸ウンデシルエステル、アクリル酸ドデシルエステル、アクリル酸トリデシルエステル、アクリル酸テトラデシルエステル、アクリル酸ヘキサデシルエステル、アクリル酸オクタデシルエステル、アクリル酸エイコシルエステル等の、アルキル基の炭素数が、好ましくは１〜３０、より好ましくは４〜１８の、直鎖状または分岐鎖状のアクリル酸アルキルアルキルエステル）、アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、アクリル酸シクロペンチルエステル、アクリル酸シクロヘキシルエステル等）などが挙げられる。
【００５０】
アクリル酸エステルは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００５１】
アクリル酸エステルとしては、好ましくは、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（Ｒはアルキル基またはシクロアルキル基である。Ｒの炭素数は、下限値として、好ましくは６以上であり、より好ましくは８以上であり、上限値として、好ましくは１０以下であり、より好ましくは９以下である。Ｒの炭素数は、例えば、好ましくは６〜１０である。）で表されるアクリル酸エステルが挙げられる。
【００５２】
Ｒの炭素数が６未満の場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００５３】
Ｒの炭素数が１０を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の接着性が低下し、ダイシングの際にいわゆる「チップ飛び」が発生するおそれがある。
【００５４】
本発明において特に好ましいアクリル酸エステルとしては、アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、アクリル酸イソオクチルエステルが挙げられる。
【００５５】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合は、下限値として、好ましくは４０重量％以上であり、より好ましくは５０重量％以上であり、さらに好ましくは６０重量％以上であり、特に好ましくは６５重量％以上であり、上限値として、好ましくは９７重量％以下であり、より好ましくは９５重量％以下であり、さらに好ましくは９３重量％以下であり、特に好ましくは９１重量％以下である。
【００５６】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合が４０重量％未満の場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００５７】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のアクリル酸エステルの含有割合が９７重量％を超える場合、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００５８】
カルボキシル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などが挙げられる。カルボキシル基含有モノマーとしては、特に好ましくは、（メタ）アクリル酸およびカルボキシアルキル（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種である。
【００５９】
カルボキシル基含有モノマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００６０】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合は、下限値として、好ましくは３重量％以上であり、より好ましくは５重量％以上であり、さらに好ましくは７重量％以上であり、特に好ましくは９重量％以上であり、上限値として、好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１８重量％以下であり、さらに好ましくは１６重量％以下であり、特に好ましくは１５重量％以下である。
【００６１】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合が３重量％未満の場合、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００６２】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーの含有割合が２０重量％を超える場合、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００６３】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中には、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、上記アクリル酸エステルと共重合可能な、他のモノマーを含んでいても良い。
【００６４】
他のモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド；アクリロニトリル；などが挙げられる。
【００６５】
他のモノマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００６６】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合は、本発明の効果を損なわない範囲で任意の適切な含有割合を採用し得る。ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合は、下限値として、好ましくは０重量％以上であり、上限値として、好ましくは４０重量％以下であり、より好ましくは３５重量％以下であり、さらに好ましくは３０重量％以下である。
【００６７】
ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中の他のモノマーの含有割合が４０重量％を超える場合、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれや、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化性が低くなり、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００６８】
ポリマー（Ａ）は、好ましくは、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分を重合して得られる。
【００６９】
重合の方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。重合の方法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などが挙げられる。
【００７０】
オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）としては、例えば、２−ビニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、２−ビニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン等が挙げられる。
【００７１】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００７２】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の使用量は、ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、下限値として、好ましくは８０モル％以上であり、より好ましくは８５モル％以上であり、さらに好ましくは９０モル％以上であり、上限値として、好ましくは１５０モル％以下であり、より好ましくは１００モル％以下であり、さらに好ましくは９８モル％以下である。
【００７３】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の使用量が、ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、８０モル％未満の場合、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００７４】
オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の使用量が、ポリマー（Ａ）を構成するモノマー成分中のカルボキシル基含有モノマーに対して、１５０モル％を超える場合、粘着剤層中の残存オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の量およびそれ由来の低分子量物質の量が増加してしまい、粘着剤層とダイボンドフィルムとの間の剥離力が大きくなりすぎて、ピックアップ性が低下するおそれや、残存オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）の揮発により環境や人体に与える影響が大きくなってしまうおそれがある。
【００７５】
ポリマー（Ａ）とオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させてポリマー（Ｐ）を得る方法としては、任意の適切な反応方法を採用し得る。例えば、ポリマー（Ａ）にオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）を加えて、任意の適切な反応条件（例えば、空気中、２０〜７０℃の範囲内の反応温度、１０〜１００時間の反応時間）にて付加反応を行う方法が挙げられる。
【００７６】
ポリマー（Ｐ）は、紫外線照射によって架橋反応させることで、硬化物とすることができる。
【００７７】
紫外線照射によってポリマー（Ｐ）を架橋反応させるために、好ましくは、ポリマー（Ｐ）に対して、任意の適切な架橋剤および任意の適切な光重合開始剤を用いる。
【００７８】
架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等が挙げられる。架橋剤を用いることにより、紫外線照射前の粘着剤層の接着力や紫外線照射後の粘着剤層の接着力の調整を行うことができる。
【００７９】
架橋剤は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００８０】
架橋剤の使用量は、ポリマー（Ｐ）の種類等によって、任意の適切な量を採用し得る。架橋剤の使用量は、例えば、ポリマー（Ｐ）に対して、下限値として、好ましくは０．０１重量％以上であり、より好ましくは０．１重量％以上であり、上限値として、好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１０重量％以下である。
【００８１】
光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３´−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート；などが挙げられる。
【００８２】
光重合開始剤は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００８３】
光重合開始剤の使用量は、ポリマー（Ｐ）の種類等によって、任意の適切な量を採用し得る。光重合開始剤の使用量は、例えば、ポリマー（Ｐ）に対して、下限値として、好ましくは０．０１重量％以上であり、より好ましくは０．０５重量％以上であり、上限値として、好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１０重量％以下である。
【００８４】
粘着剤層中には、ポリマー（Ｐ）以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、他の成分を含んでいても良い。
【００８５】
他の成分としては、例えば、カルボキシル基と反応する化合物；紫外線硬化性モノマー；紫外線硬化性オリゴマー；粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤；などが挙げられる。
【００８６】
カルボキシル基と反応する化合物は、例えば、粘着剤層中に存在する残存カルボキシル基の量を調整するために用い得る。カルボキシル基と反応する化合物は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な量を用い得る。
【００８７】
カルボキシル基と反応する化合物としては、例えば、アミノ基含有化合物、エポキシ基含有化合物、イソシアネート基含有化合物、カルボジイミド基含有化合物などが挙げられる。
【００８８】
カルボキシル基と反応する化合物は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００８９】
紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーは、例えば、紫外線照射前の粘着力や紫外線照射後の粘着力を調整するために用い得る。
【００９０】
紫外線硬化性モノマーとしては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９１】
紫外線硬化性モノマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００９２】
紫外線硬化性オリゴマーとしては、例えば、ウレタン系オリゴマー、ポリエーテル系オリゴマー、ポリエステル系オリゴマー、ポリカーボネート系オリゴマー、ポリブタジエン系オリゴマー等が挙げられる。
【００９３】
紫外線硬化性オリゴマーは、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００９４】
紫外線硬化性オリゴマーの分子量は、好ましくは１００〜３００００である。
【００９５】
紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーは、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の適切な量を用い得る。紫外線硬化性モノマーや紫外線硬化性オリゴマーの使用量は、それらの合計が、例えば、ポリマー（Ｐ）に対して、下限値として、好ましくは５重量％以上であり、より好ましくは４０重量％以上であり、上限値として、好ましくは５００重量％以下であり、より好ましくは１５０重量％以下である。
【００９６】
粘着剤層の酸価は、好ましくは、１０以下である。粘着剤層の酸価が１０を超えると、粘着剤層中の残存カルボキシル基の量が多くなり、ダイボンドフィルムとの相互作用が高くなることによって剥離性が低下してしまい、ピックアップ性が低下するおそれがある。
【００９７】
粘着剤層の酸価は、粘着剤層の形成で用い得るオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）などの各種化合物の使用量の調整などによって調節できる。
【００９８】
酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２（電位差滴定法）に準じて評価を行うことができる。
【００９９】
粘着剤層を形成する方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。粘着剤層を形成する方法としては、例えば、基材上に直接に粘着剤層を形成する方法や、セパレータ上に設けた粘着剤層を基材上に転写する方法が挙げられる。
【０１００】
粘着剤層の厚みは、任意の適切な厚みを採用し得る。粘着剤層の厚みは、例えば、下限値として、好ましくは１μｍ以上であり、より好ましくは２μｍ以上であり、さらに好ましくは５μｍ以上であり、上限値として、好ましくは５０μｍ以下であり、より好ましくは３０μｍ以下であり、さらに好ましくは２５μｍ以下である。粘着剤層の厚みが上記範囲内にあることにより、チップ切断面の欠けが防止できるとともに、ダイボンドフィルムを、接着性・剥離性の両面でバランスよく支持することができる。
【０１０１】
≪Ａ−３．ダイボンドフィルム≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有する。
【０１０２】
ダイボンドフィルムは、例えば、接着剤層の単層のみからなる構成としても良いし、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂や熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂などを適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造としても良い。
【０１０３】
半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用するため、ダイボンドフィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率を有するダイボンドフィルムを基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤としては、透湿性の高いコア材料をダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階で水蒸気がフィルムを通じて拡散するため、上記の浮きが発生する問題を回避することができる。
【０１０４】
上記の観点から、ダイボンドフィルムは、コア材料の片面または両面に接着剤層を形成した多層構造としても良い。
【０１０５】
上記コア材料としては、例えば、フィルム（例えば、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板、ガラス基板等が挙げられる。
【０１０６】
ダイボンドフィルムは、接着剤層中にエポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないという利点を有する。
【０１０７】
ダイボンドフィルムの接着剤層中のエポキシ樹脂の含有割合は、下限値で、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上、特に好ましくは９５重量％以上であり、上限値は、１００重量％以下である。
【０１０８】
エポキシ樹脂としては、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば、任意の適切なエポキシ樹脂を採用し得る。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂；ヒダントイン型エポキシ樹脂；トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；等が挙げられる。
【０１０９】
エポキシ樹脂は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１１０】
エポキシ樹脂としては、特に好ましくは、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れる。
【０１１１】
ダイボンドフィルムの接着剤層中には、適宜必要に応じて、その他の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が含まれていても良い。これらの樹脂は、１種のみ用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１１２】
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【０１１３】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。
【０１１４】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；等が挙げられる。
【０１１５】
フェノール樹脂としては、特に好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が挙げられる。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【０１１６】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりのフェノール樹脂中の水酸基が、下限値として、好ましくは０．５当量以上であり、より好ましくは０．８当量以上であり、上限値として、好ましくは２．０当量以下であり、より好ましくは１．２当量以下である。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合が上記範囲から外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるおそれがある。
【０１１７】
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチレン―アクリル酸共重合体、エチレン―アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
【０１１８】
熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できる点で、アクリル樹脂が特に好ましい。
【０１１９】
アクリル樹脂としては、任意の適切なアクリル樹脂を採用し得る。アクリル樹脂としては、例えば、炭素数が、下限値で、好ましくは４以上であり、上限値で、好ましくは３０以下であり、より好ましくは１８以下である、直鎖または分岐のアルキル基を有するアクリル酸またはメタクリル酸のエステルの１種または２種以上を含むモノマー成分を重合して得られる重合体が挙げられる。
【０１２０】
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、ドデシル基等が挙げられる。
【０１２１】
アクリル樹脂を形成する上記モノマー成分中には、任意の適切な他のモノマーを含んでいても良い。
【０１２２】
他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の燐酸基含有モノマー；などが挙げられる。
【０１２３】
ダイボンドフィルムの接着剤層には、予めある程度架橋をさせておくため、作製に際し、接着剤層中に含まれる重合体の分子鎖末端の官能基等と反応し得る多官能性化合物を架橋剤として添加させておいても良い。このような多官能性化合物を添加することにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。多官能性化合物は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１２４】
ダイボンドフィルムの接着剤層には、必要に応じて、任意の適切な他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤は、１種のみを用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【０１２５】
他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。
【０１２６】
難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１２７】
シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。
【０１２８】
イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。
【０１２９】
ダイボンドフィルムの厚みとしては、任意の適切な厚みを採用し得る。ダイボンドフィルムの厚みとしては、下限値として、好ましくは５μｍ以上であり、上限値として、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以下である。
【０１３０】
≪Ｂ．ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシング・ダイボンドフィルム１０（図１）を例にして説明する。
【０１３１】
基材１は、任意の適切な製膜方法により製膜することができる。このような製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。
【０１３２】
次に、基材１上に粘着剤を含む組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層を形成する。粘着剤を含む組成物を塗布する方式としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。塗布は、直接に基材１上に行っても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布した後に基材１に転写しても良い。
【０１３３】
次に、ダイボンドフィルム３を形成するための形成材料を剥離紙上に所定厚みとなるように塗布し、さらに所定条件下で乾燥して、塗布層を形成する。この塗布層をカットし、粘着剤層２上に転写することにより、ダイボンドフィルム３を形成する。
【０１３４】
または、ダイボンドフィルム３を形成するための形成材料を粘着剤層２上に直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても、ダイボンドフィルム３を形成することができる。
【０１３５】
以上により、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を得ることができる。
【０１３６】
≪Ｃ．半導体装置の製造方法≫
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイボンドフィルム上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次のように使用され得る。以下では、図３を参照しながら、ダイシング・ダイボンドフィルム１１を用いた場合を例にして、半導体装置の製造方法について説明する。
【０１３７】
まず、図３（ａ）に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１１におけるダイボンドフィルム３´上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。
【０１３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体ウェハ４のダイシングを行う（ダイシング工程）。ダイシングにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウェハ４の回路面側から常法に従って行われる。本工程では、例えば、ダイシング・ダイボンドフィルム１１まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては、任意の適切な装置を用いることができる。半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１１により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
【０１３９】
次に、図３（ｃ）に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１１に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。ピックアップの方法としては、例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【０１４０】
ここで、ピックアップは、マウント工程の後の任意の適切なタイミングで粘着剤層に紫外線照射を行った後に行う。
【０１４１】
粘着剤層において、紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化は、ポリマー（Ｐ）の全部を紫外線照射によって硬化しても良いし、ポリマー（Ｐ）の一部のみ（例えば、半導体ウェハ４が固定されている部分のみ）を紫外線照射によって硬化しても良い。
【０１４２】
紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化を部分的に行う方法としては、任意の適切な方法を採用し得る。紫外線照射によるポリマー（Ｐ）の硬化を部分的に行う方法としては、例えば、部分的に紫外線を照射する方法や、基材の少なくとも片面に紫外線を遮光する材料を印刷や蒸着等で設ける方法が挙げられる。
【０１４３】
ポリマー（Ｐ）を硬化させるための紫外線の照射積算光量は、好ましくは５０〜５００ｍＪ／ｃｍ２である。ポリマー（Ｐ）を硬化させるための紫外線の照射積算光量を上記範囲内とすることにより、例えば、ダイシングの際のいわゆる「チップ飛び」が発生することを抑制できるだけの接着性を保持することが可能となったり、ピックアップの際に良好なピックアップ性を発現できたり、架橋の進行し過ぎを抑制できて良好な剥離性を発現できる。
【０１４４】
次に、図３（ｄ）に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３ａを介して被着体６に接着固定する（ダイボンド工程）。被着体６はヒートブロック９上に載置されている。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であっても良いし、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であっても良い。上記基板としては、任意の適切な基板を採用し得る。上記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレームや４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレーム、ガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板などが挙げられる。被着体６は、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板であっても良い。ダイボンドフィルム３ａが熱硬化型の場合には、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。なお、半導体ウェハ貼り付け部分３ａを介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
【０１４５】
続いて、図３（ｅ）に示すように、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ボンディング工程）。その後、半導体チップを封止樹脂８で封止し、該封止樹脂８をアフターキュアする。
【０１４６】
以上により、半導体装置が製造される。
【実施例】
【０１４７】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。なお、実施例等における、試験および評価方法は以下のとおりである。また、部は重量部を意味する。
【０１４８】
＜ガラス転移温度の測定＞
レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「ＡＲＥＳ」を用いて、サンプル厚さ約１．５ｍｍで、φ７．９ｍｍパラレルプレ−トの治具を用い、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分にて測定し、得られた損失弾性率のピーク点の温度をガラス転移温度とした。
【０１４９】
＜ピックアップ性の評価＞
各実施例および比較例におけるダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、半導体ウェハのダイシングを行った後にピックアップを行い、各ダイシング・ダイボンドフィルムのピックアップ性を評価した。
半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理（研削装置：ディスコ社製「ＤＦＧ−８５６０」）し、厚さ０．０７５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。
ダイシング・ダイボンドフィルムからセパレータを剥離した後、そのダイボンドフィルム上に上記ミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせ（貼り付け装置：日東精機製「ＭＡ−３０００ＩＩ」、貼り付け速度：１０ｍｍ／ｍｉｎ、貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ、貼り付け時のステージ温度：４０℃）、さらにダイシングを行った。ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。
ダイシング条件は、下記の通りであった。
ダイシング装置：ディスコ社製「ＤＦＤ−６３６１」
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：８０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード（Ｚ１）：ディスコ社製「２０５０ＨＥＤＤ」
ダイシングブレード（Ｚ２）：ディスコ社製「２０５０ＨＥＢＢ」
ダイシングブレード回転数（Ｚ１）：４００００ｒｐｍ
ダイシングブレード回転数（Ｚ２）：４００００ｒｐｍ
ブレード高さ（Ｚ１）：０．１７０ｍｍ（半導体ウェハの厚みによる（ウェハ厚みが７５μｍの場合、０．１７０ｍｍ））
ブレード高さ（Ｚ２）：０．０８５ｍｍ
カット方式：Ａモード／ステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角
次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムに紫外線を照射した。紫外線照射（紫外線（ＵＶ）照射装置：日東精機製「ＵＭ−８１０」、紫外線照射積算光量：３００ｍＪ／ｃｍ２）はポリオレフィンフィルム側から行った。
次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。
さらに、各ダイシング・ダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップし、ピックアップ性の評価を行った。
具体的には、４００個の半導体チップを連続してピックアップし、表１に示す条件Ａおよび条件Ｂで行ったときの成功率が共に１００％の場合を◎とし、条件Ａで行ったときの成功率が１００％であり、かつ、条件Ｂで行ったときの成功率が１００％でなかった場合を○とし、条件Ａおよび条件Ｂ共に成功率が１００％でなかった場合を×とした。
【０１５０】
【表１】
【０１５１】
＜酸価の測定＞
酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２（電位差滴定法）に準じて評価を行った。
具体的には、乾燥させた粘着剤層中の粘着剤約３ｇにアセトン１００ｍｌを加え、撹拌して溶解させた。これに水２５ｍｌを加え撹拌した。この溶液を０．０５ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム溶液で滴定を行った。試料１ｇを中和するのに必要な水酸化カリウムのｍｇ数を酸価とした。
【０１５２】
〔実施例１〕
＜ダイシングフィルムの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）９０部、アクリル酸（以下、「ＡＡ」という。）１０部、過酸化ベンゾイル０．２部、および酢酸エチル１５０部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理し、アクリル系ポリマーＡを得た。
このアクリル系ポリマーＡに２−ビニル−２−オキサゾリン（以下、「ＶＯ」という。）１２．８部（ＡＡに対し９５ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ´を得た。アクリル系ポリマーＡ´のガラス転位温度は−４９℃であった。
次に、アクリル系ポリマーＡ´１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）４部、および光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を作製した。
上記粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
次いで、粘着剤層の表面に、厚さ１００μｍのポリオレフィンフィルムを貼り合せた。
５０℃にて２４時間保存をして、ダイシングフィルムとした。
＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」）１００部に対して、エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製「エピコート１００４」）５９部、エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製「エピコート８２７」）５３部、フェノール樹脂（三井化学（株）製「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」）１２１部、球状シリカ（アドマテックス（株）製「ＳＯ−２５Ｒ」）２２２部を加え、メチルエチルケトンに溶解して、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
得られた接着剤組成物溶液を、剥離ライナー（セパレータ）として、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍのダイボンドフィルムを作製した。
＜ダイシング・ダイボンドフィルムの作製＞
ダイボンドフィルムをダイシングフィルムにおける粘着剤層側に転写して、ダイシング・ダイボンドフィルム（１）を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム（１）について、各種評価を行った。結果を表２に示した。
なお、表２中に記載する略称の意味は次の通りである。
２ＥＨＡ：アクリル酸２−エチルヘキシル
ｉ−ＯＡ：アクリル酸イソオクチル
ＢＡ：アクリル酸ｎ−ブチル
ＡＡ：アクリル酸
ＶＯ：２−ビニル−２−オキサゾリン
【０１５３】
〔実施例２〜５〕
表２に示す組成および含有量に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルム（２）〜（５）を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム（２）〜（５）について、各種評価を行った。結果を表２に示した。
【０１５４】
〔比較例１〜２〕
表２に示す組成および含有量に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルム（Ｃ１）〜（Ｃ２）を作製した。
得られたダイシング・ダイボンドフィルム（Ｃ１）〜（Ｃ２）について、各種評価を行った。結果を表２に示した。
【０１５５】
【表２】
【０１５６】
表２に示すように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ピックアップ性が良好であることが判る。すなわち、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングの際の半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを該ダイボンドフィルムと一体に基材から剥離しうる良好な剥離性とが、バランス良く発現できていることが判る。また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、従来の粘着剤で用いられている錫系触媒を用いないので、環境に悪影響を与えないことが判る。さらに、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムにおいては、粘着剤層中における揮発性物質の残存が抑制できるので、環境や人体に悪影響を与えないことや、取扱いが容易であることが判る。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、例えば、半導体装置製造の際のワーク（半導体ウェハ等）のダイシングに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１５８】
１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム
３´ ダイボンドフィルム
３ａ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ５
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ ヒートブロック
１０ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１ ダイシング・ダイボンドフィルム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
該粘着剤層は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含み、
該ポリマー（Ｐ）は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、
該ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂を含む、
ダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記カルボキシル基含有モノマーが、（メタ）アクリル酸およびカルボキシアルキル（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項３】
前記オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）が、２−ビニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、２−ビニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、および２−イソプロペニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンから選ばれる少なくとも１種である、請求項１または２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記アクリル酸エステルは、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルである、請求項１から３までのいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項５】
前記ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度が、−７０℃〜−１０℃である、請求項１から４までのいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項１】
基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、該粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
該粘着剤層は、紫外線硬化型のポリマー（Ｐ）を含み、
該ポリマー（Ｐ）は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルとカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分から構成されるポリマー（Ａ）と、オキサゾリン基とラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するオキサゾリン基含有化合物（Ｂ）とを反応させて得られ、
該ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂を含む、
ダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記カルボキシル基含有モノマーが、（メタ）アクリル酸およびカルボキシアルキル（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項３】
前記オキサゾリン基含有化合物（Ｂ）が、２−ビニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−ビニル−２−オキサゾリン、２−ビニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリン、２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、４−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、５−メチル−２−イソプロペニル−２−オキサゾリン、および２−イソプロペニル−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンから選ばれる少なくとも１種である、請求項１または２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記アクリル酸エステルは、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基）で表されるアクリル酸エステルである、請求項１から３までのいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【請求項５】
前記ポリマー（Ｐ）のガラス転移温度が、−７０℃〜−１０℃である、請求項１から４までのいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−１５４３２（Ｐ２０１２−１５４３２Ａ）
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５２７００（Ｐ２０１０−１５２７００）
【出願日】平成２２年７月５日（２０１０．７．５）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１９日（２０１２．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月５日（２０１０．７．５）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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