【課題】高熱伝導率で放熱特性に優れ、接着性が良好で耐湿試験後の信頼性に優れた熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂と反応性の官能基をポリマー骨格に有するポリマー、(B)１分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹脂、及び(C)特定の平均組成式で表される数平均分子量500〜10000のシリコーン化合物で表面処理をした熱伝導率が10W/mK以上の無機充填剤、を含む熱伝導性接着剤組成物；基材と、該基材上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた接着用シート；基材とその上に設けられた粘着剤層とを有するダイシングフィルムと、該ダイシングフィルムの粘着剤層上に設けられた上記組成物からなる接着剤層とを備えた熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する窒化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と支持部材との接続において接続信頼性を向上させることが可能なフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るフィルム状接着剤１は、（ａ）軟化点が８０℃以下であり且つ１５０℃におけるゲル化時間が９０秒以下であるエポキシ樹脂６〜２０質量％、及び、１５０℃におけるゲル化時間が１５０秒以上であるエポキシ樹脂３５〜５０質量％を含む熱硬化性成分と、（ｂ）架橋性官能基をモノマー比率で３〜１５％有し、重量平均分子量が１０万〜８０万であり且つＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分と、（ｃ）無機フィラーと、を含有し、高分子量成分の含有量が熱硬化性成分１００質量部を基準として３０〜１００質量部であり、無機フィラーの含有量が熱硬化性成分１００質量部を基準として１０〜６０質量部である。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）第一電子基板上２０２に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物２０５をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板２０６を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、半導体装置は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子１が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明においては、イオン捕捉性が高く、かつ、被着体との密着性が高い半導体装置用の多層接着シートを提供することを目的とする。
【解決手段】 金属イオンと錯体形成する有機低分子化合物を含むイオン捕捉性組成物から形成されるイオン捕捉層、及び、接着性組成物から形成される接着層を含む、半導体装置用の多層接着シートである。 （もっと読む）

【課題】
チップマウント後の濡れ拡がり性、ブリード性に優れ、かつ良好な熱伝導性を示す樹脂組成物およびそれを半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用した際に信頼性、熱伝導性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
（Ａ）ラジカル重合可能な官能基を有する化合物、（Ｂ）非導電性の熱伝導性フィラーを含有し、前記（Ｂ）の平均粒径が２〜１５ｕｍ、前記（Ｂ）の含有量が３２．５〜４７．５ｖｏｌ％、さらにその時の液状樹脂組成物のブルックフィールド粘度計による０．５ｒｐｍと５．０ｒｐｍのチキソ比が１以上４以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 高温処理を施しても半導体チップからの剥離が生じず、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能な接着シートを提供すること。
【解決手段】 イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、１７５℃で５時間硬化させた後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である接着シート。 （もっと読む）

【課題】本発明は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるダイ接着用フィルム状接着剤、当該フィルム状接着剤とダイシングテープを貼り合せた接着シートならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも接着剤層を有してなるフィルム状接着剤であって、前記接着剤層は、（Ａ）ＳＰ値が１０．０〜１１．０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であるポリイミド樹脂、及び（Ｂ）エポキシ樹脂を含有し、
ｔａｎδピーク温度が−２０〜６０℃かつフロー量が１００〜１５００μｍであるフィルム状接着剤とする。 （もっと読む）

【課題】ペースト状態で室温開放系における粘度安定性及びＢステージ保存安定性に優れ、且つ、ボイドの無い硬化物を与える接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）エポキシ樹脂、成分（Ｂ）エポキシ樹脂硬化促進剤、成分（Ｃ）２５℃において固体状の熱可塑性樹脂の粒子、成分（Ｄ）ブチルカルビトールアセテート、成分（Ｅ）エポキシ樹脂硬化剤、及び成分（Ｆ）無機充填剤を含み、前記成分（Ｃ）が前記成分（Ｄ）に室温で溶解も膨潤もせずに残存している状態であることを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成可能な半導体用積層シートを提供する。
【解決手段】半導体用積層シート１００は、粘着フィルム１２０と、当該粘着フィルム１２０に貼り付けられた接着フィルム１１０とを備え、接着フィルム１１０が、イミド骨格を有する熱可塑性樹脂と、光硬化性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含有し、粘着フィルム１２０が、アクリル系共重合ポリマと、光ラジカル発生剤とを含有し、熱可塑性樹脂のガラス転移温度が１０℃以上であり、アクリル系共重合ポリマのガラス転移温度が０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で接着する必要がある支持部材に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、かつ硬化後のボイド発生および膜減りを抑制するダイボンディング用樹脂ペーストを提供すること。
【解決手段】（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、（Ｂ）エポキシ化ポリブタジエン又はカルボキシ末端アクリロニトリルブタジエン共重合体、（Ｃ）ラジカル開始剤、および（Ｄ）非導電性フィラーを含有してなり、２５℃での粘度が５〜１０００Ｐａ・ｓであり、室温における経時粘度変化率（４８時間）が±２０％以下であることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペースト。 （もっと読む）

【課題】ダイボンディングフィルムによって接着された半導体チップを有する半導体装置の製造において、得られる半導体装置の吸湿リフロー耐性を改善すること。
【解決手段】半導体チップ１０を、支持部材５及び／又は他の半導体チップ１０に、ダイボンディングフィルム２を介して熱圧着する工程と、ダイボンディングフィルム２を０．２〜０．５ＭＰａの加圧雰囲気７０下で加熱し、ダイボンディングフィルムの硬化を進行させる工程と、半導体チップ１０を封止樹脂により封止する工程と、をこの順に備え、半導体チップを熱圧着する工程においてダイボンディングフィルム２が到達する温度におけるダイボンディングフィルム２の溶融粘度が２００００〜１０００００Ｐａ・ｓであり、１００〜１２０℃におけるダイボンディングフィルム２のずり粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下である、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）