【課題】放熱性に優れるため、長期にわたって安定的に高輝度の発光を行うことができる発光ダイオード装置、かかる発光ダイオード装置を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】発光ダイオード装置１は、第１のリードフレーム２１および第２のリードフレーム２２と、第１のリードフレーム２１に接合された基板３と、基板３の第１のリードフレーム２１と反対側の面に設けられた発光部４と、基板３と第１のリードフレーム２１とを接合する接合膜８とを有する。この発光ダイオード装置１が備える接合膜８は、金属原子と、金属原子と結合する酸素原子と、これらに結合する脱離基とを含み、接合膜８の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜８の表面に発現した接着性によって、第１のリードフレーム２１と基板３とを接合している。 （もっと読む）

【課題】接着剤の使用量を抑えること及び接着剤のはみ出しエリアを最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】接着剤３を用いて半導体チップ２を基材であるリードフレーム４のチップ搭載部にダイボンドする工程を実施する際に、前記接着剤３を上向きに射出するディスペンサー５、接着剤が上面に仮塗布されたステージまたは接着剤を貯蔵した浴槽を用いて、接着剤３を半導体チップ２に塗布した後にチップ搭載部に半導体チップ２をダイボンドするものである。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いる必要がなく且つチップの耐熱温度以下の加熱によりチップと被搭載部材との接合強度を高めることが可能なチップの実装方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１の実装面側にＡｕ層からなる下地層１１、ＡｕＳｎ層からなるはんだ層１２ａを順次形成してベース基板２０のダイパッド部２５ａａに形成された導体パターン２０１と対向させてから、ＬＥＤチップ１側から加熱してはんだ層１２ｂを形成し、続いて、ＬＥＤチップ１の加熱状態を維持したままＬＥＤチップ１のはんだ層１２ｂとベース基板２０の導体パターン２０１とを接触させて適宜荷重を印加することでＬＥＤチップ１とベース基板２０とがはんだ層１２ｃを介して接合される。はんだ層１２ａを形成するはんだ層形成工程では、はんだ層１２ａとして、共晶温度の組成比とは異なり且つＬＥＤチップ１の耐熱温度以下で溶融する組成比のＡｕＳｎ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】チップと被搭載部材との間に介在する接合部の信頼性を高めることが可能なチップの実装方法を提供する。
【解決手段】チップたるＬＥＤチップ１の実装面側（裏面側）に共晶組成付近の第１のＡｕＳｎ層１２ａを形成するとともに被搭載部材たるベース基板２０の実装面側にＡｕ層１３を形成してから、ＬＥＤチップ１の実装面側の第１のＡｕＳｎ層１２ａとステージ１１０の上面側に配置されたベース基板２０のＡｕ層１３とを対向させ、第１のＡｕＳｎ層１２ａとＡｕ層１３とを接触させてから、ＬＥＤチップ１側からの加圧および加熱により第１のＡｕＳｎ層１２ａとＡｕ層１３とを溶融させて等温凝固させ、減圧および冷却を行うことで第１のＡｕＳｎ層１２ａよりもＡｕの組成比が高く且つ高融点の第２のＡｕＳｎ層からなる接合部１５を形成する接合工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 レーザーダイシング工程を採用したダイレクトダイボンディングプロセスにおいて、レーザー光によるダイシング・ダイボンド兼用シートの切断、チャックテーブルの損傷およびダイシング・ダイボンド兼用シートのチャックテーブルへの融着を防止しうるレーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびそれを用いたダイレクトダイボンディングプロセスによるチップ複合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るレーザーダイシング・ダイボンド兼用シートは、少なくともポリウレタンアクリレート層を含む基材と、該基材の片面に剥離可能に形成されたダイボンド用接着剤層とからなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 レーザーダイシング工程を採用したダイレクトダイボンディングプロセスにおいて、レーザー光によるダイシング・ダイボンド兼用シートの切断、チャックテーブルの損傷およびダイシング・ダイボンド兼用シートのチャックテーブルへの融着を防止しうるレーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびそれを用いたダイレクトダイボンディングプロセスによるチップ複合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係るレーザーダイシング・ダイボンド兼用シートは、少なくともポリウレタンアクリレート層を含む基材と、該基材の片面に形成された易剥離層と、易剥離層上に形成されたダイボンド用接着剤層とからなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有する感光性接着剤組成物を提供すること。また、アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有するとともに、被着体上に低温で貼り付けることが可能な接着フィルムを提供すること。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光重合開始剤と、を含有してなる感光性接着剤組成物であって、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂のガラス転移温度が１５０℃以下であり、（Ｂ）エポキシ樹脂が（Ｂ１）３官能以上の成分と、（Ｂ２）液状成分とを含み、（Ｂ２）液状成分の一部又は全部が（Ｂ１）３官能以上の成分を兼ねていてもよい、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】容易な加工でダイボンド用フィルムの分割を行い、完成した半導体チップの特性を保持することを目的とする。
【解決手段】ダイボンド用フィルム９の加工用レーザ１１のエネルギー密度を、ダイボンド用フィルム９の加工閾値より高く、半導体チップ８を構成する材料の加工閾値よりも低くすることにより、ダイボンド用フィルム９の分割に際し、半導体チップ表面及び側面にレーザ１１が照射されても、半導体チップ８に影響や、ダメージを与えることなく、容易な加工でダイボンド用フィルム９の分割を行い、完成した半導体チップ８の特性を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】先ダイシング法によって分割された個々のデバイスの裏面にダイボンディング用接着フィルムを容易に装着すると共に、デバイスの外周縁からはみ出した接着フィルムがデバイスの表面に付着することがないデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割するとともに、各デバイスの裏面に接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、ウエーハの表面側からストリート２１に沿って切削しデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分割溝を形成する工程と、表面に保護テープを貼着したウエーハの裏面を研削して裏面に分割溝を表出させ個々のデバイスに分割する工程と、分割されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着する工程と、接着フィルムに引張力を付与し接着フィルムを分割溝に沿って破断する工程とを含み、デバイスの仕上がり厚さをTとした場合、分割溝の幅WはW≦１／２・π・Tに設定されている。 （もっと読む）

【課題】良好な硬化性、熱伝導率を示しながら塗布作業性に優れ、かつ塗布後の広がり性の悪化が少ない熱伝導性樹脂組成物を提供し、該熱伝導性樹脂組成物を使用することで安定した接着剤層厚みかつボイドの少ない半導体装置を提供することである。
【解決手段】熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上である熱伝導性充填材（Ａ）、炭素−炭素２重結合を有する化合物（Ｂ）、及びスルフィド結合と水酸基を有する化合物（Ｃ）を含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物並びに該熱伝導性樹脂組成物を使用して作製したことを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチフィルムの無駄をなくし、低い製造コストで信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、チップ１０６と配線基板１１０とからなる半導体装置を製造する方法であって、ウェハを個片化してチップを得る工程［Ａ］と、前記工程で個片化されたチップ中、個片化前または個片化後に検査をして選ばれたチップのみを、基材と接着剤層とからなるダイアタッチフィルムの接着剤層上に固定する工程［Ｂ］と、前記チップが固定された接着剤層１０８ｂを常圧に対して０．０５ＭＰａ以上大きい静圧を印加する工程［Ｆ］とを含む。 （もっと読む）

【課題】室温硬化性を持ち、低温、短時間の条件下において加熱しポストキュアさせることによって、高いガラス転移温度と優れた接着性を有する封止体となることができる封止剤用液状エポキシ樹脂組成物、および当該封止剤用液状エポキシ樹脂組成物を用いて封止された素子を有する、耐熱性、接着性に優れる電子部品装置の提供。
【解決手段】１分子内に３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）と、１分子内に２個以上のメルカプト基を有する有機化合物（Ｂ）と、特定の構造を有するベンゾオキサジン化合物（Ｃ）とを含有し、前記エポキシ樹脂（Ａ）の量が、前記エポキシ樹脂（Ａ）および前記ベンゾオキサジン化合物（Ｃ）の合計量の９０質量％未満である封止剤用液状エポキシ樹脂組成物、並びに当該封止剤用液状エポキシ樹脂組成物を用いて封止された素子を有する電子部品装置。 （もっと読む）

【課題】電子部品のソリ等の発生を防止し、接着信頼性に極めて優れる電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ当量が５０〜１５０である多官能エポキシ化合物と、分子中に下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１つの骨格を有する酸無水物とを含有する電子部品用接着剤であって、硬化物とした場合に、前記硬化物は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１１０〜１５０℃であり、１０〜５０℃における貯蔵弾性率が１０００〜４０００ＭＰａであり、かつ、１７０℃以上における最低貯蔵弾性率が４０ＭＰａ以上である電子部品用接着剤。
（ａ）炭素数１０〜３０のアルキル基
（ｂ）炭素数１０〜３０のアルケニル基
（ｃ）炭素数１０〜３０のアラルキル基 （もっと読む）

【課題】電子部品のソリ等の発生を防止し、接着信頼性に極めて優れ、ジェットディスペンス装置を用いた塗布方法に好適に用いることができるとともに、精密な塗布をすることが可能な電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】特定のＮ基含有３感能エポキシ化合物（Ａ）を２０〜６０重量％と、炭素数１１〜３０のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基含有無水コハク酸化合物（Ｃ）を３０〜６０重量％と、硬化促進剤とを含有する電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】回収部の容積を小さくするとともにランニングコストも低減することができる不要部品の回収装置を提供する。
【解決手段】不要部品Ｐを吸引する吸引口１を有した部品回収部２と、上方に開口部３を有した部品保管容器４と、部品回収部２から延びる部品通過可能な内径を有した第１の管路５と、上端で真空源６へつながる管路７に接続されるとともに下端に部品保管容器４の開口部３を装着する部品保管容器装着部８を有した第２の管路９と、真空源６につながる管路７を開閉するバルブ１０と、バルブ１０の開閉を制御する制御装置１１を備え、第２の管路９に部品Ｐは通さないが通気は可能なフィルタ部１２を設けるとともにフィルタ部１２より下方で部品保管容器装着部８よりも上方の位置に第１の管路５を接続させた。 （もっと読む）

【課題】配線基板と接着剤層との界面のボイドの発生が抑えられる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、未硬化の接着剤層が設けられたチップを該未硬化の接着剤層を介して配線基板にダイボンドし、該チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、該未硬化の接着剤層を硬化させて半導体装置を製造する方法であって、前記チップを、チップ保持面が凹状となっているコレットにより、該チップの未硬化の接着剤層が設けられていない面を保持する保持工程と、前記チップの外周が未硬化の接着剤層を介して前記配線基板に接するようにした後に、該チップの全面が未硬化の接着剤層を介して該配線基板に接するようにしてダイボンドするダイボンディング工程と、前記硬化が完了する前に、前記チップがダイボンドされた配線基板を常圧よりも０．０５ＭＰａ以上大きな静圧により加圧する静圧加圧工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】寸法精度が高く、信頼性の高い半導体装置、および、２つの半導体素子同士を、高い寸法精度で強固に、かつ効率よく接合可能な半導体素子の接合方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、パターニングされた絶縁層４０および導電層５０とを成膜した絶縁基板１０と、この絶縁基板１０上に積層された２枚の半導体素子（半導体チップ）２１、２２とを有している。２枚の半導体素子２１、２２間は、接合膜３を介して接合されている。この接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含むものである。そして、この接合膜３は、エネルギーを付与したことにより、脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜３の表面に発現した接着性によって、２つの半導体素子２１、２２同士が接合されている。 （もっと読む）

【課題】 接合面に空洞が発生しにくい接合方法を提供することである。本発明の他の目的は、この接合方法を用いて接合した半導体装置を提供する。
【解決手段】 （ａ）第１の基板(1)の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第１のＳｎ吸収層(5)を形成する。（ｂ）第２の基板(11)の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第２のＳｎ吸収層(17)を形成する。（ｃ）前記第１のＳｎ吸収層及び前記第２のＳｎ吸収層の少なくとも一方のＳｎ吸収層の上に、ＡｕＳｎ合金からなる半田層(7)を形成する。（ｄ）前記第１の基板と第２の基板の主表面同士が対向するように、前記第１の基板と第２の基板とを密着させた状態で、前記半田層を溶融させて、該第１の基板を第２の基板に接合する。 （もっと読む）

【課題】接着層に起因する半導体素子のワイヤボンディング性を改善することによって、金属ワイヤの接続信頼性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板２の素子搭載部３に接着層６を介して接着された半導体素子５を具備する。半導体素子５の電極パッド７は、配線基板２の接続パッド４と金属ワイヤ８を介して電気的に接続されている。接着層６は第１の接着剤層９と第２の接着剤層１０との積層構造を備える。第１の接着剤層９は半導体素子５の側面に回り込んだフィレット部９ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と支持部材との間の接着剤層の厚みを十分に薄くすることができ、しかも接着剤層中のボイドを十分に抑制して歩留を向上することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持部材１１上に接着剤層２’を介して半導体素子１が接着された半導体装置を製造する方法であって、半導体素子１と、半導体素子１の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤２とを備える接着剤付半導体素子１０を準備する工程と、接着剤付半導体素子１０を、フィルム状接着剤２が支持部材１１と接するように、支持部材１１上に配置し、フィルム状接着剤２の溶融粘度が３０〜３００Ｐａ・ｓの範囲となるような温度で、フィルム状接着剤２の厚みが１／１０〜１／２の範囲となるように加熱圧着することにより、半導体素子１を前記支持部材１１上に接着剤層２’を介して接着せしめる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）