【課題】 ＡｕＳｎロウ材による、近接実装する部品との短絡接続を防止することができるＡｕＳｎ膜付け工法を提供する。
【解決手段】 所定温度に加熱した金属ベース５上にアルミナセラミックスからなる基板１を実装することによって、基板１の裏面に形成したＡｕＳｎロウ材６は溶融する［（ａ）参照］。この時、スリット状に形成されたＡｕＳｎロウ材６の濡れ方向は分散されるため、基板１端面からのＡｕＳｎロウ材６のしみ出しが抑制可能となる［（ｂ）参照］。また、基板１と金属ベース５との間に発生するボイドの要因である空気の抱き込みに対し、ＡｕＳｎロウ材６がスリット状に形成されているため、ＡｕＳｎロウ材６間の間隙７を通って空気が排出されるため、ボイド発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低有害、安全性等の環境要求に対応した錫（Ｓｎ）基はんだを用いた半導体装置およびその製造方法であって、簡単な層構造を有し、低コストで製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、錫（Ｓｎ）基はんだ層１Ｓが形成されてなる半導体装置１０であって、半導体基板１を構成するシリコン（Ｓｉ）原子と記Ｓｎ基はんだ層１Ｓを構成する錫（Ｓｎ）原子とが結合して、半導体基板１とＳｎ基はんだ層１Ｓの界面が形成されてなる半導体装置１０とする。 （もっと読む）

【課題】 水素ラジカル雰囲気を使用せずに半田の還元を行うことができ、かつボイドを溶融半田中から追い出す。
【解決手段】 圧力がほぼ大気圧の還元雰囲気または不活性雰囲気中において、半田６とこの半田によって半田付けされる基板２とＩＣ４を加熱して、半田を溶融させる。この溶融状態で、前記圧力をほぼ大気圧から減圧する。次に、前記ほぼ大気圧の還元雰囲気または不活性雰囲気に戻す。この圧力変化後に、ほぼ大気圧の還元雰囲気または不活性雰囲気中で基板とＩＣと半田とを冷却する。 （もっと読む）

ナノサイズの金属粒子組成物は、約20nm以下の粒径を有する第1金属を有する。前記ナノサイズの粒子は、前記第1金属の殻を形成する第2金属を有して良い。前記ナノサイズの金属粒子組成物を用いたマイクロエレクトロニクスパッケージについても開示されている。マイクロエレクトロニクスパッケージのアセンブリ方法についても開示されている。前記ナノサイズの金属粒子組成物を有する演算システムについても開示されている。

（もっと読む）

【課題】硬化時にボイドが発生しにくく、接着後の金属腐食の問題も起こらない半導体チップ接着用材料として使用できる組成物を得る。
【解決手段】（ａ）下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する、二重結合を持った基をエステル結合を介して側鎖に結合させたポリアミド：１００質量部、（ｂ）二重結合を有する常温で液体の化合物：４０〜１２０質量部、（ｃ）ラジカル開始剤：０．５〜４質量部、及び（ｄ）有機溶剤：１００〜１５００質量部を含有することを特徴とする半導体チップ用接着材組成物。 （もっと読む）

【解決課題】 熱伝導率と接着力の両立を目的とした積層体及びそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 金属箔の両面に接着剤層を形成した積層体であり、該積層体の熱伝導率が１Ｗ/ｍＫ以上であることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、半導体チップが接着剤により基板に固定されている場合に接着剤に含まれる水分の蒸気によるパッケージクラックの発生が起こりにくくすることを目的とする。
【解決手段】 半導体装置は、基板１２と、接着剤１８により基板１２に固定された半導体チップ１４と、半導体チップ１４を封止する封止樹脂１６とからなり、半導体チップ１４はその側面に下部側が上部側よりも大きい段付き部２６を有し、接着剤１８は半導体チップ１４の段付き部２６から基板１２に跨がって形成され、半導体チップ１４は基板１２に直接接触している構成とする。 （もっと読む）

【課題】 電気的および熱的に接続するための接続材料において、高熱伝導性、高密着性、環境調和型の要件を満足する接続材料を実現する。
【解決手段】 この接続材料は、金属箔の少なくとも一つの表面に、有機保護膜によって被覆された表面を有する粒子径１〜１００ｎｍの金属微粒子が付着していることを特徴とする。このような、複合シート材は、蒸着装置を用いて、金属材料を蒸発させ、有機保護膜材料蒸気中で冷却することにより、表面に有機保護膜が形成されている金属微粒子を形成し、これを金属箔の表面に付着させることによって形成することができる。または、有機保護膜が表面に形成されている金属微粒子を含有する分散液を、金属箔表面に塗布し乾燥することによっても得られる。この材料は、半導体装置のダイマウント材として適している。 （もっと読む）

【課題】 ダイマウント部の低熱抵抗化と高接続信頼性を改善し、さらに高い放熱特性と信頼性を両立した半導体装置を実現することを目的としている。
【解決手段】 リードフレームのダイパッド表面の半導体チップを搭載する領域の所要箇所に、平均粒径２０ｎｍ以下の金属微粒子を含む導電性ペーストを塗布して第一の導電性ペーストパターンを形成し、この第一の導電性ペーストパターンに半導体チップをマウントし、第一の導電性ペーストパターンを加熱硬化する。次いで、前記第一の導電性ペーストパターンに隣接する領域に導電性ペーストを塗布して第二の導電性ペーストパターンを形成し、前記第一及び第二の導電性ペーストパターンを加熱硬化させる。以下定法に従い、ワイヤボンディングし、次いで樹脂封止する。前記方法において、第二の導電性ペーストパターンを形成する工程を、半導体チップの搭載前に行っても良い。 （もっと読む）

本発明は、第１の加工温度を有する第１のダイアタッチ剤を使用して基板に対してダイを取り付けることによって、また、第２の加工温度を有する第２のダイアタッチ剤を使用して後続のダイを取り付けることによって、マルチプルダイ装置を製造する方法に係り、第２のダイを取り付ける工程が第１のダイアタッチ剤を劣化させない。一実施例に対して、複数のダイは、各ダイアタッチ剤を使用して取り付けられる。一実施例に対して、第１のダイアタッチ剤は、熱可塑性フィルムであり、第２及び後続のダイアタッチ剤は、熱可塑性フィルムの改質である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と絶縁基板を接着剤を用いて固定する半導体装置において、接着剤の濡れ広がりを制御して、半導体素子と絶縁基板との密着性を向上させる。
【解決手段】 半導体装置は、半導体素子１１と、熱硬化性接着剤１６を用いて半導体素子が固定される絶縁基板１８と、半導体素子１１の回路形成面に配設した複数の電極パッドと、電極パッドと絶縁基板上の外部端子とを電気的に接続するワイヤと、絶縁基板上に固定された半導体素子及びワイヤを封止する封止樹脂とを備え、半導体素子の外周端面全周に設けた半硬化状態の接着剤１４が熱硬化性接着剤１６とともに熱硬化され、絶縁基板１８上に固定された半導体素子の外周において熱硬化性接着剤と一体的に形成される。 （もっと読む）

【課題】 室温における貯蔵安定性を有しつつ、即硬化性があり、硬化後は接着信頼性を発現する硬化性樹脂組成物、及びこの硬化性樹脂組成物を用いた接着性エポキシ樹脂シート、並びにこれらを用いて得られた回路基板接合体を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂( 好ましくは多環式炭化水素骨格を主鎖に有する) と、エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマー( 好ましくはエポキシ当量が１００〜１０００であるアクリル系ポリマー) と、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂用硬化剤が融点１１０℃以下の固形脂環式酸無水物（特に好ましくは１−イソプロピル−４−メチルビシクロ−［2.2.2 ］−オクト−５−エン-2, 3-ジカルボン酸無水物）である、硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂シート及び回路基板接合体。 （もっと読む）

【課題】
ＡｕＳｎダイボンダーでは、ＡｕＳｎの融点が高いため、ステムの温度を融点まで加熱させて、そこで、チップを圧接したのでは、チップへの熱ショックが大きすぎ破損させてしまう。
従来これを防ぐため、種々な方式を行ってきたが、いずれも、温度カーブ立上がりがおそく、これが、ＡｕＳｎダイボンダーの高速化を困難なものとしてきた。
本発明では、これを解決する。
【解決手段】
プリヒーターを設け、これにチップを圧接し、加熱する。 （もっと読む）

本発明は、フリーラジカル解裂部位を有するある種のポリエステル化合物が、マイクロエレクトロニックパッケージング産業用のｂ−ステージ化可能な接着剤として有用であるという発見に基づいている。 （もっと読む）

垂直方向ダイ・チップオンボードセンサーパッケージのための方法と装置が提供されている。そのような垂直方向ダイ・チップオンボードセンサーパッケージは、第１面、第２面、底縁部、上縁部、２つの側縁部、底縁部近くに配置されている入／出力（Ｉ／Ｏ）パッド、及び少なくとも１つの感受方向を備えた垂直方向センサー回路構成要素を備えている。そのような垂直方向ダイ・チップオンボードセンサーパッケージは、更に、上面、印刷回路板（ＰＣＢ）取り付け面、垂直方向センサー回路構成要素境界縁部、２つ又はそれ以上の他の縁部、及び１つ又は複数の感受方向を備えた１つ又は複数の水平方向センサー回路構成要素を備えており、垂直方向センサー回路構成要素境界縁部は、垂直方向センサー回路構成要素をＺ軸に沿って支持し、垂直方向センサー回路構成要素に導電的又は非導電的に接続されている。
（もっと読む）