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Fターム[5F047BB18]の内容

ダイボンディング (10,903) | 接合材供給時の形状 (2,598) | ダイに供給又は形成 (659)

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【課題】ダイ・ボンディングの際の半導体チップの裏面には、接着剤層が設けられているが、ダイ・ボンディング工程(仮圧着)の後に、接着剤層の接着状態を確実なものとするためのラミネーション処理(本圧着)を必要とする。この際、通常は、チップの背面を上方から押圧部材で押し下げながら、熱を加えることで、接着剤の硬化を進行させる。チップの薄膜化に伴い、このような機械的な加圧方式では、積層チップのラミネーション処理においては、種々の問題があることが明らかとなった。すなわち、オーバハング状態の部分でのチップ損傷、湾曲および不均等な加圧に起因するチップの位置ずれ等である。
【解決手段】本願の一つの発明は、基板品のダイ・ボンディング工程において、回路基板上に複数の半導体チップを積層して仮圧着した後に、静的なガス圧により、ラミネーション処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】 歩留まりの低下を抑制しつつ製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子13を基板等11上に接着シート12で仮固着する仮固着工程と、加熱工程を経ることなく、ワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記接着シート12の基板等11に対する仮固着時の剪断接着力が、0.2MPa以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】いわゆる基板品では、多層有機配線基板のデバイス搭載面上にマトリクス状にデバイス領域に半導体チップを、たとえば階段状に積層してダイ・ボンディングする。このため、ダイ・ボンダには、高精度の位置認識・位置決め機能が要求される。一方、このようなプロセスをスムースに進めるため、ダイ・ボンディング前の半導体チップの裏面には、接着剤層が設けられており、たとえば、摂氏150度前後の加熱下でダイ・ボンディングが実行されるが、基板の熱膨張による変位が、主要な位置ずれの原因となる可能性がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、基板品のダイ・ボンディング工程において、回路基板上の2点の位置をモニタしながら、当該回路基板の半導体チップを取り付けるべき部分を加熱しながら、所定の安定した温度領域に到達したことを確認した後、半導体チップをダイ・ボンディングする半導体集積回路装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを基板又は他の電子部品上に積層し、接着した後、半導体チップを樹脂モールド層により被覆したときに、半導体チップにクラックが生じ難い接着シートを提供する。
【解決手段】硬化後の接着シート3を介して半導体チップ8を基板2上に接着したり、又は硬化後の接着シート4〜7を介して半導体チップ9〜12を他の半導体チップ8〜11上に接着したりするのに用いられる接着シートであって、硬化性樹脂と、弾性粒子とを含有し、弾性粒子3a〜7aの硬化後の接着シート3〜7の厚み方向に沿う寸法が、硬化後の接着シート3〜7の厚みと同等である接着シート。 (もっと読む)


【課題】硬化物の高温での貯蔵弾性率が高く、ワイヤボンディング性に優れ、かつ、優れた塗布性及び耐リフロークラック性を有する電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】多官能エポキシ化合物と、エピスルフィド化合物と、特定のテトラキスフェノール系化合物又はジカルボン酸系化合物に包接されたイミダゾール化合物と、特定の酸無水物とを含有する電子部品用接着剤。 (もっと読む)


【課題】光出力を精度良く制御することが可能なマウント部材を提供する。
【解決手段】このヒートシンク(マウント部材)A1は、半導体レーザチップ20が設置される搭載部11が設けられたシリコン基板10と、シリコン基板10に一体的に形成され、搭載部11に設置された半導体レーザチップ20からの光を検出するモニタ用の受光素子12とを備えている。このモニタ用の受光素子12は、半導体レーザチップ20からの光を受光する受光面12aを含んでいる。また、シリコン基板10の上面には、段差部13が形成されている。そして、上記搭載部11が段差部13の底面13aに設けられるとともに、受光素子12の受光面12aが段差部13の上面13bに形成されることによって、受光素子12の受光面12aが、搭載部11よりも高い位置に配されている。 (もっと読む)


【課題】冷熱サイクルに対して亀裂、剥離などの不具合を生じさせ難い信頼性の高い接合体、半導体モジュール及び接合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体は、銅を主成分とする被接合面Sをそれぞれ備えた第1部材101及び第2部材102を有する。第1部材101と第2部材102との間には、錫系はんだ材料中202に銅を主成分とする三次元網目状構造体201を含有するはんだ部材200を有する。前記被接合面と前記三次元網目状構造体201との間には、平均厚さが2μm以上20μm以下の銅−錫合金203を有する。接合体が半導体モジュールの場合には、第1部材101及び第2部材102は、半導体素子及び絶縁基板、又は絶縁基板及び放熱板である。 (もっと読む)


本発明は、温度負荷工程によって、高温および温度変化に強い接続を半導体モジュールと半導体デバイスとの間に形成する方法に関するものである。この方法では、後に個々の半導体チップが接合される領域に、金属粉懸濁液が塗布されて、この懸濁液層を乾燥させることで揮発性物質を放出させて、多孔質層を形成する。そして、懸濁液層を通した完全な焼結を実施することなく、多孔質層は予め圧縮される。焼結によって、半導体チップを、基板、他の半導体、または回路基板からなるグループからの接続相手に接続する、導電性かつ熱伝導性の強固な接続を得る。その接続は、加圧することなく加熱によって形成された焼結接合であり、これは乾燥された金属粉懸濁液からなるもので、接続相手との予圧工程を経て、まず接続相手との接触を搬送可能に固定され、そして無加圧での加熱焼結が施されたものである。 (もっと読む)


【課題】コレットの先端部が変形しても、コレットを交換することなく、ダイボンディング工程を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体チップのピックアップと基材のチップ搭載部への半導体チップの接着とを繰り返した後、コレット5をダイボンディング装置1に備わるコレット加工治具へ移動させ、コレット5の先端部の吸着面を研磨ステージ上に装着したラッピングペーパで研磨して平坦に加工し、さらにコレット5の吸着面に付着した研磨粉を異物除去ステージ上に装着されたシリコンチューブ、またはシリコンシートおよびシリコンチューブで除去する。 (もっと読む)


【課題】汎用性を向上させるとともに生産性を向上させることができる部品実装装置および部品実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】部品供給ステージ3から取り出した半導体チップ6aを基板7に実装する部品実装装置1において、半導体チップ6aを基板7に搭載する搭載ユニット19が装着された第1ヘッド11に加えて、基板7もしくは第1ヘッド11によって基板7に搭載された半導体チップ6aに対して所定の作業を行う第2ヘッド12を備えた構成とし、第2ヘッド12に部品接着用のペーストを塗布ノズルから吐出する塗布ユニット20のほか、ペーストを転写ツールによって転写して基板に供給するペースト転写機能および基板に搭載された部品を加熱しながら基板に対して押圧する加熱・押圧機能のうち少なくともいずれか1つの機能を有する作業ユニットを選択的に装着可能な構成とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子等の素子と基板との接着に用いられたときに、高温に加熱後及び溶剤浸漬後でも十分な接着力を維持することが可能な両面接着フィルムを提供すること。
【解決手段】支持フィルム10と、支持フィルム10の両面にそれぞれ積層された接着剤層21,22と、を備える両面接着フィルム1。接着剤層21,22は、支持フィルム10にワニスを直接塗布し、塗布されたワニスを乾燥する工程を含む方法によって形成することのできる層である。接着剤層21,22のフロー量は0〜2000μmであり、硬化後の接着剤層21,22は100℃以下のガラス転移温度を有する。 (もっと読む)


【課題】基板に実装された複数電子デバイスのうち、欠陥の判明したデバイスを新たなデバイスと交換し、他のデバイスを救済する方法を提供する。
【解決手段】電子部品は、第1の面12及び第2の面14を有するベース絶縁層10と、第1の面20及び第2の面22を有し、ベース絶縁層10に固定された電子デバイス18と、電子デバイス18の第1の面20とベース絶縁層の第2の面14との間に配置された接着剤層16と、電子デバイス18の第1の面20とベース絶縁層の第2の面14との間に配置された除去性層26とを含む。ベース絶縁層10は、除去性層26を介して電子デバイス18に固定される。除去性層26は、十分に低い温度でベース絶縁層10を電子デバイス18から剥離する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと、配線基板又は前記半導体チップとは別の下層半導体チップとを、ペーストを用いて接着しつつ、半導体チップの反りが抑制された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ5の一面5aに治具28aを配置し、該治具28aによって前記半導体チップ5の形状を保持しつつ、該半導体チップ5の他面5bと、配線基板の一面又は前記半導体チップとは別の下層半導体チップとを、ペースト21を用いて接着するダイボンディング工程と、配線基板の一面に設けられた接続パッド2と、前記半導体チップ5の一面5aに設けられた電極パッドとをワイヤを用いて電気接続する工程と、前記半導体チップ5と、前記ワイヤとを絶縁性樹脂からなる封止体を用いて覆う封止工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】数百μmから千μmを超える比較的広いギャップの場合にも、極めて均一なギャップ間距離で接着可能である光硬化性樹脂組成物を提供する。また、該光硬化性樹脂組成物からなる電子部品用接着剤、該電子部品用接着剤を用いて接着してなる電子部品積層体を提供する。
【解決手段】カチオン重合性化合物、光カチオン重合開始剤、及び、平均粒子径が100〜2000μmである粒子を含有する光硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、少なくともある程度、前述の従来技術のダイボンディング方法の欠陥を防止するダイボンディングのための直接ダイボンディング方法を提供することである。
【解決手段】融点Tmを有するはんだ層を備えたダイをボンディングするための方法を提供する。ボンドヘッドをTmより高いボンドヘッド設定温度T1に加熱し、基板をTmより低い基板設定温度T2に加熱する。その後、ボンドヘッドでダイを持ち上げ、はんだ層を融解するために、温度T1に向かってダイを加熱する。ダイを前記基板にボンディングするために、ダイのはんだ層を基板上に押し付け、その後、はんだ層がT2に向かって冷却されて凝固するように、ダイをボンドヘッドから分離する。 (もっと読む)


【課題】複数の素子を基板に接着するための接着フィルムとして用いられたときに、穴開け等の加工に伴って発生する異物の影響を抑制できるとともに、加熱による変形が抑制された両面接着フィルムを提供すること。
【解決手段】支持フィルム10と、支持フィルム10の両面にそれぞれ積層された2つの接着剤層21,22と、2つの接着剤層21,22それぞれの支持フィルム10とは反対側の面に積層されたカバーフィルム31,32とを備える両面接着フィルム。当該両面接着フィルムは半導体素子及び/又はMEMS素子を基板に接着するために用いられる。 (もっと読む)


【課題】被加工物の蛇行した加工位置に対応して効率よくレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物Wを保持するチャックテーブル36と、集光レンズ534を備えた集光器53を有するレーザー光線照射手段と、チャックテーブルをX軸方向に移動せしめる加工送り手段と、Y軸方向に移動せしめる割り出し送り手段とを具備しているレーザー加工装置であって、集光器をY軸方向に移動せしめる集光器移動アクチュエータ7と、Y軸方向移動位置を検出する集光器移動位置検出手段と、集光器の加工方向前方に配設されレーザー光線の光軸より加工方向前方の加工位置におけるY軸方向の被加工物の変位を検出するための顕微鏡および位置検出センサーを備えた加工位置変位検出手段と、加工位置変位検出手段および集光器移動位置検出手段からの検出信号に基づいて集光器移動アクチュエータを制御する制御手段とを具備している。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを絶縁基板の上の所望の位置に接合する。また、半田接合層に発生する熱応力を低減させること。
【解決手段】半導体チップ1および絶縁基板2のそれぞれの半田接合面に金属膜を成膜する。半導体チップ1の表面には、凸状パターン層3を形成する。絶縁基板2の表面には保護パターン層6を形成する。次いで、半導体チップ1の凸状パターン層3の形成されている面に第1の接合材4を塗布する。また、保護パターン層6の表面に第2の接合材5を塗布する。次いで、絶縁基板2の保護パターン層6を形成した側の面に、凸状パターン層3を介して半導体チップ1を固着する。このようにして一体化したものを、リフロー炉などで加熱して接合材を溶かし、半導体チップ1と絶縁基板2の間の隙間を、溶けた接合材で充填する。この状態で冷却し、溶けた接合材を固まらせる。 (もっと読む)


【解決課題】支持体への半導体素子の搭載を低温で行うことが可能で、かつ室温(25℃)ではべたつきのない接着層を与える液状樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂成分(A)及び硬化剤成分(B)を含む液状樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂成分(A)が、室温で液状であり、前記硬化剤成分(B)が、フェノール性水酸基を有し且つ前記エポキシ樹脂成分(A)に溶解する化合物(B1)と、フェノール性水酸基を有し且つ前記エポキシ樹脂成分(A)に溶解しない化合物(B2)との組合せであることを特徴とする液状樹脂組成物。 (もっと読む)


本発明は、マレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミド含有化合物および金属/カルボキシレート錯体およびペルオキシドを含む熱硬化性樹脂組成物に関し、それは、比較的短い時間、低い温度で、例えば30から90分間に渡って、約100℃未満、例えば55−70℃で硬化可能である。本発明は、さらに、そのような組成物を製造する方法、そのような組成物を基体表面に塗布する方法、およびマイクロエレクトロニック回路を接続するためにそれらを使って製造されたパッケージおよび組立品を提供する。 (もっと読む)


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