【課題】熱膨張率の差による接合材料層の剥離やクラックの発生を抑制しつつ、発熱サイクル等に起因する熱応力を緩和して、接合材料層による接合の信頼性を向上することが可能な半導体装置の接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の接合方法は、半導体素子２の第１面２ａ上に第１の焼結パターン４ｘを形成する工程と、基板１の第２面１ａ上に第２の焼結パターン３ｘを形成する工程と、第１の焼結パターン４ｘ上または第２の焼結パターン３ｘ上の何れか一方又は両方に第３の金属粒子を含む第３の金属粒子ペースト５を配置する工程と、第１の焼結パターン４ｘと第２の焼結パターン３ｘとの間に第３の金属粒子ペースト５が介在するように、半導体素子２の第１面２ａと基板１の第２面１ａとを対向させた状態で、加熱することにより、半導体素子２の第１面２ａと基板１の第２面１ａとの間を接合する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得る電子部品接合体の製造方法の提供。
【解決手段】電子部品接合体を製造する方法で、基板又は他の電子部品３の表面絶縁層２上に、接着剤４を塗布する工程（１）と、電子部品３を積層する工程（２）と、フィレットを形成する工程（３）と、接着剤４を硬化する工程（４）とを有し、工程（４）の後の接着剤厚みをｄｔ、電子部品３の厚みをＤｅ、外周長さをＬ、接合する領域の面積をＡ、接合する領域から開口部までの距離の平均値をＤｄ、工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、工程（２）の直後に接着剤４が濡れ拡がる領域の面積をＳ、工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う。（ｄ１−ｄ２）×Ｓ≦｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝・・・（ｘ），（ｄ１−ｄ２）×Ｓ＞（Ａ−Ｓ）×ｄ２・・・（ｙ） （もっと読む）

【課題】本発明は、組立工程における生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の一方の面に設けられた接合層を介して前記半導体素子を基材の所定位置に接合するダイボンディング工程と、前記半導体素子に形成された端子と、前記基材に形成された端子と、をボンディングワイヤによって接続するボンディング工程と、前記半導体素子と前記ボンディングワイヤとを封止する封止工程と、を備え、前記ボンディング工程における前記接合層の粘度は、前記封止工程における前記接合層の粘度を越えないように制御されること、を特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合層の表面を平坦化させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】フリップチップ型半導体裏面用フィルム２は、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面を保護するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２であって、少なくとも熱硬化性樹脂成分により形成され、かつ、熱可塑性樹脂成分を含まない層を少なくとも備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンドフィルムが引張張力により好適に破断される熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成した後、半導体ウェハを改質領域にて破断することにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法、又は、半導体ウェハの表面に裏面まで達しない溝を形成した後、半導体ウェハの裏面研削を行い、裏面から溝を表出させることにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法に使用される熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化前における２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 ダイアタッチフィルムなどの粘着フィルムが半導体チップの基板接合面に設けられていても、チップ搬送装置のチップ吸着面に半導体チップの貼り付きによる受け渡し不良の発生することのないチップ搬送装置を提供すること。
【解決手段】 チップ搬送装置が、半導体チップ部品を吸着保持するチップ保持部材を備え、チップ保持部材が、チップ供給部から回路基板実装部まで、水平移動することにより半導体チップを搬送する機構であって、チップ保持部材に設けられた、半導体チップの基板接合面と接触するチップ吸着面に、凸形状をした突起が形成されているチップ搬送装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 接着剤塗布作業工程のタクトタイムを抑制し、ダイボンド時間を短縮するダイボンド装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 ディスペンス１により実装される半導体部品６の部品サイズや形状に合わせた塗布形状を接着剤供給ステージ３に形成し、部品トレイ５上の半導体部品を部品吸着ヘッドで吸着し、接着剤供給ステージ３上に塗布された接着剤２の位置まで移動後、下降して半導体部品６裏面に接着剤２を転写する。その後、基板７のダイアタッチ部に、半導体部品６をダイボンドして部品実装を行う。 （もっと読む）

【課題】少量の高価な銀を使用して、２４０〜３００℃の温度にてリードフレームとＬＥＤチップとを高い接合強度で簡単に接合することができる接合方法の提供を提供する。
【解決手段】リードフレーム８は、所定の形状に打ち抜き加工された銅合金部材１１の上にニッケルめっき層１２、銅錫合金層１３、錫めっき層１４、Ａｇ_３Ｓｎ合金層１６を順に形成したものであり、最表面がＡｇ_３Ｓｎ合金層１６とされている。このリードフレーム８とＬＥＤチップ１との接合部は、ＬＥＤチップ１の最表面層を形成していた金層９が、リードフレーム７の最表面のＡｇ_３Ｓｎ合金層１６の一部と錫めっき層１４の一部と合金化反応して、金銀錫合金層１５を形成しており、この金銀錫合金層１５によってＬＥＤチップ１とリードフレーム７とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】接着フィルムと被実装部材との間のボイドの発生を防止することができる接着装置及び接着方法を提供する。
【解決手段】平板矩形状のワークＦを、被実装部材２の被接着面２０に接着する接着装置である。下面に開口した吸着孔１７を介してワークＦを上面側から吸着保持し、ワークＦの一辺を被接着面２０に接触させる吸着体１と、吸着体１の動作を制御する制御手段３とを備える。制御手段３が、一辺３１と対向する辺３２に向かって、被接着面２０に対して吸着体１を平行移動させながら、ワークＦの被接着面２０への接触面積を拡大しつつ、ワークＦを被接着面２０に接着させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 チップ状ワークの貼り剥がしを容易とするチップ保持用テープを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、粘着剤層において、フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上であるチップ保持用テープ。 （もっと読む）

【課題】第１金属薄膜層を有するＬＥＤチップを基板に接合するのに適したダイボンド方法を提供する。
【解決手段】本方法は、該基板の表面上に第２金属薄膜層を形成することと、該第２金属薄膜層上にダイボンド材層を形成することと、該第１金属薄膜層が該ダイボンド材層に接触した状態で、該ＬＥＤチップを該ダイボンド材層上に配置することと、該ダイボンド材層を液体‐固体反応温度で予備キュア時間、加熱して第１金属間化合物層と第２金属間化合物層とを形成することと、該ダイボンド材層を固体‐固体反応温度でキュア時間、加熱して固体‐固体反応を行わせることとを含む。該液体‐固体反応温度と該固体‐固体反応温度は両方とも１１０℃未満で、該固体‐固体反応後の該第１と該第２金属間化合物層の融点は２００℃より高い。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンディング後の硬化収縮を抑制し、これにより被着体に対する反りの発生を防止することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、被着体上に半導体素子を接着して固定させるための熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を少なくとも含み、前記熱硬化性成分中のフェノール性水酸基のモル数に対する、前記熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数の割合が１．５〜６の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を用いた接合技術において、スペーサを接合層に残しつつ、接合強度を高めることができる接合技術を提供することを課題とする。
【解決手段】接合体１０は、第１の部材１１と、第２の部材１２と、これらの部材１１、１２とを接合する接合層１３とからなり、この接合層１３に塑性変形されたスペーサ１４が残されている。
【効果】スペーサを採用したため、接合層の膜厚を必要なだけ厚くすることができる。次に、スペーサを塑性変形させるため、金属ナノ粒子を主体とするペーストを、大きな加圧力で加圧することができ、緻密化を高めることができる。緻密化により、金属ナノ粒子同士の接合を促すことができ、焼結後の接合強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】金属不純物イオンの半導体デバイス領域への拡散による半導体装置の特性の悪化を防ぐ、半導体装置及び接着シートを提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基板３と、基板３上に設けられた第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に設けられ、裏面が鏡面処理された第２の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に設けられ、金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含む接着シート５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１にスペーサー粒子を含む半導体部品用接着剤３を塗布する工程（１）と、半導体チップ２を積層する工程（２）と、接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、半接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、塗布工程（１）において、接着剤を塗布する領域は、半導体チップを接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体チップ積層工程（２）の直後、接着剤の濡れ広がった領域は、半導体チップを接合させる領域の６０％以上１００％未満であり、接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）において、接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓであり、かつチップ間距離とスペーサー粒子の粒子径の差を１０μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体の製造方法及び半導体装置の提供。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１に半導体部品用接着剤３を塗布する工程（１）と、前記塗布した接着剤を介して、半導体チップ２を積層する工程（２）と、前記半導体チップを接合させる領域全体に、前記接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、前記接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、塗布工程（１）において、前記接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップを接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体チップ積層工程（２）の直後、前記接着剤の濡れ広がった領域は、前記半導体チップを接合させる領域の６０％以上１００％未満であり、接着剤を濡れ広がらせる工程（３）において、前記接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓとした。 （もっと読む）

【課題】ダイシング性、ピックアップ特性、汚染防止性および保存安定性が優れている積層フィルムを提供する。
【解決手段】積層フィルム１は、粘着シート２の粘着剤層２ｂ上にダイ接着層３が積層された構成を有し、粘着シートの粘着剤層が、ベースポリマーと熱架橋剤とを含む粘着剤組成物により形成されており、且つ粘着剤層は、加熱前のゲル分率が９０重量％未満であるとともに、加熱後のゲル分率が９０重量％以上に変化する粘着剤層であることを特徴とする。熱架橋剤としては、架橋反応性の官能基が、加熱前は不活性化されており、且つ加熱によって、１分子中の架橋反応性官能基が少なくとも２個以上活性化することが可能な熱架橋剤を好適に用いることができる。熱架橋剤としては、ブロック化イソシアネートが好適である。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの放熱性を十分に確保できながら、半導体チップの接合材の鉛フリー化を達成することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ２と、半導体チップ２が接合されるダイパッド３と、半導体チップ２とダイパッド３との間に介在され、ＢｉＳｎ系材料からなる接合材８とを有する半導体装置１において、接合材８に、半導体チップ２とダイパッド３との間の熱伝導性を向上させるためのＡｇネットワーク９を形成する。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（Ａ１）と前記工程（Ａ１）により接着された支持体と半導体素子とを封止用樹脂により封止する工程（Ａ２）と前記工程（Ａ２）で封止後、所定の加熱条件Ｂにより熱処理する工程（Ａ３）とを有する半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験における反り量が所定の条件式を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）