【課題】接着剤層を有するチップ、すなわち、チップのボンディング面に、該面と略同形で均一な厚さを有する接着剤層が形成されたチップの製造方法を提供すること。また、上記接着剤層を有するチップが効率よく、高い信頼性で得られる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る接着剤層を有するチップの製造方法は、［１］基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有するフィルムの該接着剤層上に、複数のチップが間隙を隔てて付着したチップ付着フィルムを用意する工程と、［２］前記接着剤層を露光する工程と、［３］露光された前記接着剤層を現像し、前記チップが付着された部分以外の前記接着剤層を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】主面（第１の主面）３ａと、主面３ａの反対側に位置する主面（第２の主面）３ｂとを備えた半導体チップ（第１半導体チップ）３と、半導体チップ３を支持するリードフレーム（支持基材）と、半導体チップ３の主面３ｂに固着された樹脂フィルム（第１フィルム層）７と、半導体チップ３をリードフレームに固着する接着材（第１接着材層）８とを備え、接着材８のヤング率を樹脂フィルム７のヤング率よりも小さくなるように構成する （もっと読む）

【課題】薄い半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係る粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ当量が180g/eq以下であるエポキシ樹脂（Ｂ）、および硬化剤（Ｃ）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との間の接着材層の厚さを均一にするチップ取り付け装置とチップ取り付け方法。
【解決手段】ピックアップアーム１０は、コレット１５、ボール１６、およびロッド１７を有しており、ロッド１７は、その下方に配置されたボール１６に接続され、ボール１６は、その下に設けられた回転可能なチップ受容部材としてのコレット１５に接続されている。コレット１５は基本的には点を中心として回転し、半導体チップ１１と基板１３との間の傾斜を補償する事により、半導体チップ１１と基板１３との間に配置されている接着剤層１２の厚さを均一とする簡素な半導体チップ１１取り付け方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】安価で汎用性があり、従来のＰｂ含有の高温系はんだの代替が可能になる新規な合金接合材を提供する。
【解決手段】第１金属被接合材１と第２金属被接合材２とを薄層接合材３を介して積層し積層体４を形成する。薄層接合材３は、ＴｅとＡｇとを主成分にし、Ｓｎ、ＺｎおよびＣｏからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材、あるいはＴｅとＡｇとを主成分にし、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｐｔ、ＭｎおよびＦｅからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材の例えばシートハンダである。この積層体４を３５０℃〜４５０℃の範囲の温度で加熱することによって、高耐熱性を有する接合層５を通して接合された接合体６が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体シリコンチップを積層する際に、同一面積の上部チップ及び下部チップの配線間隔を維持するためにスペーサを別途投入する必要なしにチップを積層すること、を可能にするチップ積層用接着フィルムを提供する。
【解決手段】接着フィルムは、紫外線硬化型低分子化合物を含む熱可塑性フェノキシ樹脂接着層５を中心に、その接着層の両面に熱硬化性エポキシ樹脂接着層６を備える３層構造を含む多層型接着フィルムであって、熱硬化性エポキシ樹脂及び熱可塑性フェノキシ樹脂の界面に相溶性を付与した後、紫外線硬化により高弾性率のフェノキシフィルムを内部に直接形成することを含む方法により製造される接着フィルムである。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体チップを積層して搭載した半導体装置において、半導体チップ間の密着性を向上させる。
【解決手段】 層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成し、多層配線構造体を構成する。その表面に第一の半導体チップ４１０および第二の半導体チップ４３０と、回路素子４４０とを設ける。第一の半導体チップ４１０および第二の半導体チップ４３０を、接着層５１０を介して密着させる。第二の半導体チップ４３０の下面はプラズマ処理面とし、この面を覆う接着層５１０に第一の半導体チップ４１０を接着する。 （もっと読む）

【課題】 突き上げピンの痕跡を有することなく、かつチップクラックを発生することなく、チップを良好にピックアップすることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンド用接着フィルムは、基材層１の少なくとも片面上に積層された粘着剤層２、及び１つの粘着剤層２の上に積層された接着剤層３を有する。接着フィルムの接着剤層３の、２５℃におけるヤング率が１００ＭＰa以上であり、粘着剤層２の、剥離速度３００ｍｍ／分で測定される接着剤層３からの１８０度剥離力が０．０５〜０．７Ｎ／２５ｍｍである。突き上げピンを４本以上かつピン１本当たりのチップ面積が７０ｍｍ^２以下になる本数を用いて行われ、直径が０．５ｍｍ以上であり、先端の形状が平坦または半径２００μｍ以上の円弧状である、かつ１〜１５ｍｍ／秒の突き上げ速度および２００〜１０００μｍの突き上げ量で行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、半導体装置の製造コストを低減させる。
【解決手段】リードフレーム２１のダイフレーム部２６の上面２６ａに、上面２６ａ側から突起形成用ツールを用いて突起部１５を形成した後、ダイフレーム部２６の上面２６ａ上に半導体チップ２を半田ペーストを介して搭載し、半導体チップ２のゲートパッド電極およびソースパッド電極２ｓ上に半田ペーストを介してゲート用クリップおよびソース用クリップ３ｓを配置する。半田リフローにより、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄはダイフレーム部２６の上面２６ａと半田１１を介して接合される。突起部１５も設けたことにより、半導体チップ２の裏面２ｂとダイフレーム部２６の上面２６ａの間の半田層１１ａの厚みを厚くすることができる。 （もっと読む）

【課題】低温での貼り付け性及び耐熱性の両方を十分に優れたものとできる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】カルボキシル基を１以上有するアミドイミド樹脂と、エポキシ基を１以上有するエポキシ樹脂との反応により得られる変性アミドイミド樹脂を含有する接着剤組成物、該組成物をフィルム状に成形してなるフィルム状接着剤および支持基材と、その支持基材上に形成された前記フィルム状接着剤とを備える接着シート。 （もっと読む）

【課題】低温で半導体素子または支持部材に貼付可能であり、室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、１２０℃で硬化し、十分な接着力を発現でき、そりが少ない接着シートを提供する。
【解決手段】薄型半導体素子と支持部材との接着に使用される接着シート（熱硬化性接着シート）であって、接着シートの６０℃のタック強度が６０〜１０００ｇｆであり、１２０℃１ｈ硬化後のＤＳＣ発熱量Ａ（Ｊ／ｇ）、Ｂステージ状態のフィルムのＤＳＣ発熱量Ｂ（Ｊ／ｇ）の比、Ａ／Ｂが０．７〜１である接着シート。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、発光素子の発熱や発光による変色が無く極めて耐熱性に優れるとともに、耐光性にも優れ、ハウジング材等への密着性に優れる光半導体用熱硬化性組成物、これを用いた光半導体素子用封止剤、光半導体素子用ダイボンド材、並びに、該光半導体用熱硬化性組成物、該光半導体用封止剤、光半導体素子用ダイボンド材及び／又は光半導体素子用アンダーフィル材を用いてなる光半導体素子を提供する。
【解決手段】エポキシシクロヘキシル基を含有するシリコーン樹脂、酸無水物、及び、ホスフィンオキサイドを含有する光半導体用熱硬化性組成物。
【化１】
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【課題】薄型化された半導体ウエーハのダイシング時に生じるチッピングを抑制し、ダイシング工程からダイボンディング工程における半導体装置の不良発生率を低減する。
【解決手段】半導体製造装置１１は、半導体ウエーハ１６から個片化された複数の半導体素子を順にピックアップするピックアップ部１２と、複数の半導体素子の裏面部に素子形状に応じて個片化された素子接着用フィルムを順に貼り付けるフィルム貼り付け部１３と、複数の半導体素子を半導体装置形成用基材上に順に接着する素子接着部１４とを具備する。半導体素子は多孔質吸着コレットで保持されてピックアップされる。素子接着用フィルムは多孔質状吸着部材に保持されて切断される。多孔質状吸着部材に保持された素子接着用フィルムは多孔質吸着コレットに保持された半導体素子に貼り付けられる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子へサーマルコンパウンドを均一に塗布する装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体素子１にサーマルコンパウンドを塗布する装置において、パワー半導体素子１を保持する機構と、該保持機構部を定位置へ移動させる機構と、サーマルコンパウンドを均一に塗布する開口形状を有するメタルマスク３を固定したメタルマスク枠４を上昇下降させる機構と下降限界位置で固定する機構とを有し、メタルマスク３上に置いたサーマルコンパウンドを印刷スキージ８によりパワー半導体素子１に塗布する機構を備え、パワー半導体素子１へサーマルコンパウンドを均一に塗布することができる。 （もっと読む）

【課題】特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いてＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの素子を基板に接合する方法を提供する。

【解決手段】素子１の接合面を上向きにしてその上にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト６を搭載または塗布し、この状態のまま非酸化性雰囲気中でリフロー処理してＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト６を溶融し、素子１の接合面全面に拡がって溶融Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を冷却し凝固して凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層７を形成し、この凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層７を有する素子１を反転させて、凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層７が基板４に接するように素子１を基板４の上に載置し、この状態で非酸化性雰囲気中でリフロー処理することによりボイドのないＡｕ−Ｓｎ合金はんだ接合部９を介して素子１を基板４に接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに絶縁基板，ヒートスプレッダなどの部品を金属ナノ粒子を含む金属ペーストを用いて接合させる際に、接合面全域で未接合部ができない手段を提供する。
【解決手段】金属ナノ粒子，金属ナノ粒子の常温での凝集を抑制する有機分散材，加熱により有機分散材と反応する分散材捕捉材および前記分散材と分散材捕捉材との反応物質を捕捉して揮散させる揮発性有機成分を含む金属ペースト５を用いて半導体装置の絶縁基板２／半導体チップ３／ヒートスプレッダ４の部品間を導電，伝熱接合する接合方法において、接合部品の接合面域に前記の金属ペーストを塗布した状態で、接合層５の層厚に対応する線径の金属コア６を分散配置して重ね合わせた上で、続く加熱工程を経て部品間を接合する。これにより、金属コア６をスペーサとして部品間に前記揮発性有機成分の熱分解ガスを逃がす蒸散経路を確保して、接合層内に未接合部が生じるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の主題は、ＪＥＤＥＣ試験コンディション"Ｈ"による温度サイクルに少なくとも１０００サイクルの間、１５分間のソークタイム（soak time）でもって、最高及び最低温度の間確実に耐え、かつ現在使用されている高鉛含有はんだと同様の熱放散を生ずる、パワー半導体のダイ接着適用のための鉛不含の接着剤組成物を提供することである。
【解決手段】係る課題は、ハイパワー半導体デバイスを印刷回路基板に接着するためのダイ接着組成物の使用であって、前記ダイ接着組成物が２成分接着剤及び金属粉体を含み、その際前記接着剤の第一成分はエポキシ樹脂であり、かつ第二成分は硬化剤であり、かつ前記金属粉体の金属は、２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）より高い熱伝導率を有し、かつ銅を含み、かつこの粉体粒子は回転楕円状の形状を有する、ハイパワー半導体デバイスを印刷回路基板に接着するためのダイ接着組成物の使用により解決される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基台１１と、基台１１上に載置されたアルミニウム膜１２と、アルミニウム膜１２上に載置された半導体チップ１３とを具備し、基台１１の上面１１ａとアルミニウム膜１２の下面１２ａとが直接接合され、半導体チップ１３の第１電極１６とアルミニウム膜１２の上面１２ｂとが直接接合されている。
超音波を印加して室温で接合することにより、熱膨張の差に起因する信頼性の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】ギャップフィル性能に優れ、高圧を負荷せずともボイドの無い硬化物を与える組成物を提供する。
【解決手段】下記（ｉ）と（ｉｉ）とを、（ｉ）の（ｉｉ）に対する質量比３０／７０〜７０／３０で縮合反応に付して得られる混合物、（ｉ）分子中に少なくとも１個のアルケニル基を有する分子鎖末端に水酸基を有するオルガノポリシロキサン、（ｉｉ）（Ｒ^２_３ＳｉＯ_１／２）単位と（ＳｉＯ_２）単位を、（Ｒ^２_３ＳｉＯ_１／２）単位の（ＳｉＯ_２）単位に対するモル比０．５〜１．５で含み、但しＲ^２は炭素原子数１〜１０の置換もしくは非置換の一価炭化水素基である、オルガノポリシロキサンレジン、及びジアシルパーオキサイド及びジアルキルパーオキサイドから選ばれる少なくとも１種の有機過酸化物、を含み、温度１３０〜２５０℃で硬化することを特徴とする組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い硬化性と貯蔵安定性に優れるエポキシ樹脂用硬化剤、およびそれを含有するエポキシ樹脂組成物であって、得られたエポキシ樹脂組成物が低温あるいは短時間の硬化条件であっても、高い接続信頼性、高い封止性が得られる接着材料、導電材料、絶縁材料、封止材料、コーティング材料、塗料組成物、プリプレグ、構造用接着剤、熱伝導性材料等を提供することを目的とする。
【解決手段】エポキシ樹脂用硬化剤が含有する水分量が、エポキシ樹脂用硬化剤１００質量部に対して０．０５質量部以上３質量部以下であり、かつ、アミンアダクト（Ａ）に対して不活性である溶剤（Ｓ）がエポキシ樹脂用硬化剤（Ｃ）１００質量部に対して、３質量部を超えて１０質量部以下で含有することを特徴とするエポキシ樹脂用硬化剤を、マイクロカプセル化したマイクロカプセル型エポキシ樹脂用硬化剤およびそれを含有するエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）