【課題】活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。
【解決手段】絶縁表面上にゲート配線を形成し、ゲート配線上にゲート絶縁膜と、半導体膜とを順次大気にふれることなく積層形成し、赤外光または紫外光を照射することにより半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成すると同時に保護膜として機能する酸化膜を形成し、結晶性半導体膜のチャネル形成領域となるべき領域に、光感光性有機材料でなるマスクを形成し、酸化膜を介して結晶性半導体膜のソース領域またはドレイン領域となるべき領域に不純物元素の添加を行う半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】製造工程が単純であり、且つ特性が向上したＤ−インバータ構造を提供する。
【解決手段】本発明は、プラスチック基板に有機半導体を用いてインバータ回路を作製する際、しきい電圧を位置別に制御するため、エンハンスメントタイプ特性を示すボトムゲート有機半導体トランジスタをドライバトランジスタに使用し、空乏タイプ特性を示すトップゲート有機半導体トランジスタを負荷トランジスタに使用する構造及び製造方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】品質を損なうことなく半導体デバイスを基板に搭載でき、且つ、製造効率の良好な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１０の製造方法は、半導体デバイス２１を位置決め治具４０の所定位置に剥離性粘着材３２によって仮固定するステップと、半導体デバイス２１を仮固定した位置決め治具４０と半導体デバイス搭載用基板５０とを、半導体デバイス２１が半導体デバイス搭載用基板５０の所定位置に対向するように位置合わせするステップと、位置合わせした位置決め治具４０及び半導体デバイス搭載用基板５０のいずれか一方を他方によって押圧することにより、半導体デバイス２１を半導体デバイス搭載用基板５０の所定位置に接着するステップと、半導体デバイス搭載用基板５０の所定位置に接着した半導体デバイス２１を、位置決め治具４０から取り外すステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 注入する不純物の種類または濃度が異なる３種類の半導体層を作り分けるために必要なレジストの形成に用いる露光マスクの数を１つにする。
【解決手段】 基板の上に、第１の領域および第２の領域は覆われ、第３の領域は開口した第１のレジストを、第１の領域における厚さが第２の領域における厚さよりも厚くなるように形成する第１の工程と、第１のレジストをマスクにして、第３の領域にある半導体膜のみに不純物を注入する第２の工程と、第１のレジストを薄くして、第１の領域は覆われ、第２の領域および第３の領域は開口した第２のレジストを形成する第３の工程と、第２のレジストをマスクにして、第２の領域および第３の領域にある各半導体膜に同時に不純物を注入する第４の工程と、第１の領域および第２の領域ならびに第３の領域にある各半導体膜に同時に不純物を注入する第５の工程とを有する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩの高集積化に適したトライステートバッファ回路を提供する。
【解決手段】半導体基板１００に第１のＦｉｎ１０６および第２のＦｉｎ１０８を形成されている。第１のＦｉｎの一方の側面にｐＦＥＴ１、ｐＦＥＴ３、ｎＦＥＴ１を設け、それぞれのＭＩＳＦＥＴに対向するように他方の側面にｐＦＥＴ４、ｎＦＥＴ４およびｎＦＥＴ３が設けられている。第２のＦｉｎの両側面にｐＦＥＴ２およびｎＦＥＴ２を設けられている。以上のように３次元構造を有するＭＩＳＦＥＴによって要部を構成したトライステートバッファ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスク工程数を低減できるＣＭＯＳ薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上にバッファ膜１１０、ポリシリコン膜及びフォトレジスト膜を全面形成し、露光及び現像して第１フォトレジストパターン１５０を形成し、前記第１フォトレジストパターン１５０をマスクにしてエッチングして前記第１及び第２薄膜トランジスタの半導体層１１４、１２４をパターニングし、前記第１フォトレジストパターン１５０を第１次アッシングして第２フォトレジストパターンを形成し、前記第２フォトレジストパターンをマスクにして前記第２薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域に第１不純物を注入し、前記第２フォトレジストパターンを第２次アッシングして第３フォトレジストパターンを形成し、前記第３フォトレジストパターンをマスクにして前記第２薄膜トランジスタに第２不純物を注入して、チャネルドーピングされた第２薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】 画像表示システムとその製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスを含む画像表示システムであって、画素領域を含む基板、前記画素領域の前記基板の上に配置され、チャネル領域、前記チャネル領域で分けられた一対のソース／ドレイン領域を含む活性層、および前記活性層の上に配置され、ゲート誘電体層とゲート層の堆積を含むゲート構造を含み、前記チャネル領域は、第１導電型と、前記第１導電型の逆の第２導電型のドーパントを含むシステム。 （もっと読む）

【課題】信頼性が向上された薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上全面にバッファー膜１１０を形成し、第１及び第２薄膜トランジスタの半導体層、及びストレージキャパシタ下部電極パターン形成し、第１イオンを注入し、第１及び第２薄膜トランジスタの半導体層をチャネルドーピングすると共にストレージキャパシタ下部電極１３４を形成し、ゲート絶縁膜１１２を全面形成し、第１及び第２薄膜トランジスタのゲート電極１１３、１２３、及びストレージキャパシタ上部電極１３３を形成し、第２イオンを注入し、第２薄膜トランジスタのソース領域１２４ａ及びドレイン領域１２４ｃを形成し、第３イオンを注入し、第１薄膜トランジスタのソース領域１１４ａ及びドレイン領域１１４ｃを形成し、第２薄膜トランジスタのゲート電極１２３をマスクとして第４イオンを注入し、第２薄膜トランジスタのＬＤＤ領域１２４ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧の良好な絶縁層を製造する技術を提供することを目的とする。また、絶縁耐圧の良好な絶縁層を有する半導体装置を製造する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンを主成分とする半導体層若しくは半導体基板に対して高密度プラズマ処理を行うことにより、半導体層の表面若しくは半導体基板の上面に絶縁層を形成する。このとき、供給ガスを希ガス、酸素及び水素を含むガスから希ガス及び酸素を含むガスに途中で切り替えて高密度プラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で製造することができ、低電圧で高速に動作するＴＦＴと、高電圧でも信頼性が確保できるＴＦＴとを備える半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に、第一薄膜トランジスタと第二薄膜トランジスタとを備える半導体装置であって、上記第一薄膜トランジスタは、第一半導体層、第一絶縁膜、第二絶縁膜及び第一ゲート電極がこの順に積層された構造を有し、上記第二薄膜トランジスタは、第二半導体層、第二絶縁膜及び第二ゲート電極がこの順に積層された構造を有し、上記第一絶縁膜は、第二半導体層よりも薄い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】視認性の優れた高画質な表示機能を有する信頼性の高い表示装置を提供することを目的とする。またそのような表示装置を工程、装置を複雑化することなく、高い信頼性を付与して作製することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子と電気的に接続し、発光素子を駆動させる薄膜トランジスタとして、ｐチャネル型薄膜トランジスタを用いる場合、そのｐチャネル型薄膜トランジスタのカットオフ電流を駆動回路のｐチャネル型薄膜トランジスタより低くする。具体的には表示装置の構成する薄膜トランジスタの半導体層に対して選択的にチャネルドープを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とリーダ／ライタとの通信方式にＡＳＫ方式を用いる場合、リーダ／ライタから半導体装置へデータを送信していない場合に、半導体装置からリーダ／ライタへ送信したデータにより、無線信号の振幅が変化する。したがって、半導体装置が送信したデータを、リーダ／ライタから送信されたデータと誤って認識する場合がある。
【解決手段】半導体装置を、アンテナ回路と、送信回路と、受信回路と、演算処理回路と、から構成する。アンテナ回路において、無線信号を送受信する。また、送信回路は、アンテナ回路が無線信号を送信中か否かを示す信号を受信回路に出力する （もっと読む）

【課題】任意の安定な電源電位を容易に生成することが可能なＲＦＩＤ等の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置を構成する回路を任意の安定な電源電位が必要か否かによって分類する。任意の安定な電源電位が必要な回路には、レギュレータを介してアンテナより受信した無線信号からアンテナ及び整流回路を用いて生成された電源電位を供給する。一方、任意の安定な電源電位が必要な回路以外の回路には整流回路で生成した電源電位を供給する。よって、レイアウト面積が小さい、設計が容易なレギュレータ回路を有する半導体装置を提供することができ、当該半導体装置は任意の安定な電源電位を容易に生成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの半導体膜に連続発振レーザを走査しながら照射して帯状の擬似単結晶を連続かつ方向制御して成長させる際の溶融半導体の凝集を抑制して、高性能の薄膜トランジスタを用いたシステムインパネル方式の表示装置を得る。
【解決手段】絶縁基板１０１の上に形成されたシリコン窒化膜１０２と、シリコン窒化膜の上に形成されたシリコン酸化膜１０３と、シリコン酸化膜１０３の上に形成された半導体膜１０４と、半導体膜１０４を用いた薄膜トランジスタとを有する。シリコン酸化膜１０３を、ＳｉＨ₄とＮ₂Ｏとを原料ガスとして成膜した第１のシリコン酸化膜と、ＴＥＯＳガスを原料ガスとして成膜した第２のシリコン酸化膜とで構成し、前記半導体膜を、結晶粒が帯状の形状を有する擬似単結晶とする。 （もっと読む）

【課題】新たな工程を追加することなく、サブスレッショルド特性におけるハンプ特性を抑制する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】第１の導電型の薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板であって、ソース／ドレイン領域３１間に配置された第１の導電型のチャネル領域３２を有する半導体層３と、ゲート絶縁膜５を介して半導体層３の対面側に形成されるゲート電極６を有し、チャネル領域３２のチャネル幅方向の両端部４に対応するゲート電極６に開口部６１を有し、開口部６１に対応するチャネル領域４では、ゲート電極６に対応するチャネル領域よりも第１の導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物領域が形成されている薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

高固有応力を有する注入マスクを用いることにより、付加的なリソグラフィステップを行わずに済む応力メモライゼーション技術（ＳＭＴ）シーケンスが提供されうる。これにより、全体的なプロセス複雑度に実質的な影響を及ぼすことなく歪みソースを供給することができる。
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【課題】半導体製造工程で加わる熱履歴の違いに因り、不純物の拡散具合が異なることから、薄膜トランジスタの閾値にばらつきを生じた。これを低減、防止する対策を施した薄膜トランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、絶縁体層を介して半導体基板上に形成された、不純物を含むソース／ドレイン領域と、前記ソース／ドレイン領域間を充填する絶縁体と、前記ソース／ドレイン領域上に形成された不純物拡散制御膜層と、前記不純物拡散制御膜上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記チャネル層、ゲート絶縁膜及びゲート電極を充填する層間膜とを具備する。前記不純物拡散制御膜は、熱の加わらない製造工程の段階になって、前記ソース／ドレイン領域とチャネル層との間に所定の電圧を印加することにより絶縁破壊される。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型薄膜トランジスタの閾値電圧の制御が容易なアレイ基板を提供する。
【解決手段】Ｐ型用ゲート電極27に用いる金属材料の抵抗値より抵抗値が小さな金属材料をＮ型用ゲート電極25およびゲート配線26に用いる。Ｎ型用ゲート電極25およびゲート配線26にアルミニウム系材料を用い、Ｐ型用ゲート電極27にモリブデン系やタングステン系の材料を用いる。ゲート配線26にアルミニウム系の比較的抵抗値が小さな低抵抗材料を用いることができる。Ｐ型用ゲート電極27にアルミニウム系の材料を用いなくて済む。Ｐ型薄膜トランジスタ６の閾値電圧が変動しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極を構成する材料とSOI層の仕事関数差によって閾値が定まるアキュムレーション型MOSトランジスタでは、閾値を低下させ、小型化することが困難であった。
【解決手段】 SOI層を支持するシリコン基板の不純物濃度を調整すると共に、SOI層と接するシリコン基板表面に形成された埋込絶縁層の厚さを制御することにより、閾値を調整できるトランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域の裏面側に応力膜を形成することでチャネル領域に歪みを導入し易くして、ＭＯＳＦＥＴのオン電流を向上するとともに、短チャネル効果の抑制を可能とする。
【解決手段】チャネル層１２上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた半導体装置１であって、前記チャネル層１２の下部に前記チャネル層１２を歪ませる応力を有する応力膜１３が形成されているものであり、応力膜１３は、ＰＭＯＳＦＥＴの場合には膜中に引張応力が内在する引張応力膜で形成され、ＮＭＯＳＦＥＴの場合には膜中に圧縮応力が内在する圧縮応力膜で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）