【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】吸収効率の良く、フィルタ無しで紫外線のみを検出できるワイドバンドギャップ半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの半導体などで、ｐ型、ｎ型の双方が形成でき難い半導体であっても高感度に被測定光量が高感度で高精度であり、しかも再現性良く安定で、Ｓ／Ｎ比が大きい光検出装置を提供するための駆動方法とその光検出装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードに所定の順方向電圧と所定の時間印加した後、紫外線などの受光によるフォトダイオードの短絡光電流もしくはほぼ短絡光電流と見做せるような微小逆方向電圧を印加して光電流を計測するようにして、これらの短絡光電流から紫外線などの受光の量を計測する駆動方法で、順方向印加駆動回路と短絡電流の検出回路を有する光検出装置で、紫外線などの受光による短絡電流を計測する。 （もっと読む）

【課題】信号光の照射を止めた後も光吸収層に残り高速化を阻害する正孔を瞬時に消滅させることができる光吸収層を備えた超高速応答が可能なＭＳＭ型受光素子を提供する。
【解決手段】光を吸収し電子−正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属−半導体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：ＭＳＭ）型受光素子であって、光吸収層がＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層を含む。ＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層の好ましい厚みは３ｎｍから１０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプの寿命を連続的に監視することで、ランプ交換時期の目安によらず、実際の消耗時期に合わせたランプ交換を可能にするとともに、紫外線測定箇所が制約されずに遠隔的なモニターを可能にする紫外線センサを提供する。
【解決手段】紫外線を検知するフォトディテクタ２に向けて紫外線を伝播する光ファイバケーブル３が１または複数設けられ、光ファイバケーブル３が、紫外線を受光する受光部を有し、フォトディテクタ２が、β−Ｇａ_２Ｏ_３の単結晶１０およびその表裏に形成された電極１１，１２を備える。本発明の紫外線センサは、連続モニタリングが可能である。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶基板とのショットキー性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上にスピンコート法によりpoly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)を塗布し（Ｓ１）、溶媒を蒸発させる（Ｓ２）ことにより酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極を製造する。poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)にdimethyl sulfoxideを４〜６重量％添加したものを酸化ガリウム単結晶基板上に塗布して薄膜形成すれば、導電率が向上し、さらに良好なショットキー性を有する電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ低コストで半絶縁性の酸化ガリウム単結晶を得ることができる半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末を原料としてラバーチューブに封入し、ラバープレスで成形、電気炉で温度1500℃、10hで焼結した焼結体を原料棒として、フローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を育成し（Ｓ１）、育成された酸化ガリウム単結晶を原料として酸素100％の雰囲気中にてフローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を成長させる（Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、薄膜成長が不要であり、製造コストの低減を図ることができる紫外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板を作製し（Ｓ１）、酸化ガリウム単結晶基板の裏面上にオーミック電極を形成した後（Ｓ２）、熱処理を施し（Ｓ３）、さらに、酸化ガリウム単結晶基板の表面上にショットキー電極を形成して（Ｓ４）、熱処理を施す（Ｓ６）。オーミック電極としてAl/TiまたはAu/Ti構造を採用して窒素雰囲気中で温度450〜550℃、5〜15分の熱処理を施し、ショットキー電極としてAuを用いて窒素雰囲気中で温度350〜450℃、5〜15分の熱処理を施す、あるいは、ショットキー電極としてPtを用いて窒素雰囲気中で温度450〜550℃、5〜15分の熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・耐久性に優れ、感度調整のための校正を行うことなく波長254nm付近の紫外線を連続的に監視することができる紫外線センサを提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板１０の表面上及び裏面上にそれぞれ第１の電極１１及び第２の電極１２が形成されたセンサチップ１がパッケージ２の内部に収容されて外部雰囲気から封止される。パッケージ２は検出対象の紫外線に対して透光性を有する窓部材２１を有し、センサチップ１の第１の電極１１及び第２の電極１２に電気的に接続されたリード３１及び３２がパッケージ１の外部に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】 従来に比して、より高い導電性を有し、もってデバイス化に貢献し得る酸化ガリウム基板用電極を得る。
【解決手段】 酸化ガリウム単結晶にオーミック電極を形成する際、表面にプラズマ照射してからTiを蒸着後、Au蒸着したAu/Ti構造の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、薄膜成長が不要であり、低コストな紫外線用フォトディテクタを提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板と、酸化ガリウム単結晶基板の表面に形成され、受光面を有するとともに前記酸化ガリウム単結晶基板とショットキー接触をなす第１の電極と、酸化ガリウム単結晶基板の裏面に形成され、前記酸化ガリウム単結晶基板とオーミック接触をなし、受光面で受ける紫外線に応じて前記第１の電極との間で前記酸化ガリウム単結晶基板を介して電流が流れる第２の電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を用い、受光感度のよい光デバイスを実現する。
【解決手段】本発明に係る光デバイス１０は、単結晶Ｓｉ基板１と、単結晶Ｓｉ基板１の一方の面上にエピタキシャル成長により形成されたβ−ＦｅＳｉ_２半導体膜２と、β−ＦｅＳｉ_２半導体膜２上に形成され、当該β−ＦｅＳｉ_２半導体膜２との間でショットキー接合するとともに、光透過性を有する透明金属膜３とを備え、透明金属膜３の上面から光５を入射させ、ショットキー型ダイオードを構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で製造コストを低減できる光電変換素子及びその製造方法を提案する。
【解決手段】ｐｎ接合を設けなくとも、ＣｏＳｉ_ｘからなる光電変換膜３の正極４の近傍付近に光Ｌを照射することにより光誘起電流を発生させることができるので、従来のようなｐｎ接合を形成する複雑な製造プロセスを省くことができ、当該ｐｎ接合等の各種構成が不要な分だけ、簡易な構成で製造コストを低減できる。また、キャリアの移動経路をデバイス表面に制限でき、散乱や伝送損失を低減化し、高速なキャリアを利用した高周波デバイスができる。 （もっと読む）

【課題】素子の厚さを薄くすることができ、混色の抑制、色分離性と感度の両立、及び化学的安定性を図り、周辺回路との作製プロセスの適合が可能となる光検出素子及び光検出方法を提供する。
【解決手段】光電変換層表面上に半導体材料からなる周期構造を備え、前記周期構造による共鳴領域の少なくとも一部が前記光電変換層に含まれるようにした光検出素子を構成する。
また、光検出方法として光電変換層の表面上に半導体材料からなる周期構造を備え、前記周期構造による共鳴領域の少なくとも一部が前記光電変換層に含まれる光検出素子を用意する工程と、
前記周期構造に光を入射させて、該周期構造により特定波長の光に共鳴を生じさせ、当該共鳴した光を前記光電変換層で光電変換させる工程と、を有する光検出方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】光検出部を備えるものであって該光検出部のリーク電流の発生を抑制し、Ｓ／Ｎの向上を図った画像表示装置の提供。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置され独立に駆動される各画素とマトリックス状に配置され独立に駆動される光検出部とが混在されて形成され、
前記光検出部は少なくとも第１電極と第２電極とが接続された光電変換層からなる半導体層を備え、
前記半導体層に対する第１電極の接続面と第２電極の接続面は、それらの各中心交差軸が離間されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高感度の光センサ素子とセンサドライバ回路等のスイッチ素子とを、同一の絶縁膜基板上に、LTPSプレナプロセスを用いて形成し、センサドライバ回路等を内蔵した低コストのエリアセンサ（光センサ装置）、または、この光センサ素子を内蔵した画像表示装置を提供する。
【解決手段】 光センサ素子構造として、センサ素子の一方の電極を、回路を構成するスイッチ素子の能動層となる多結晶シリコン膜と同一の膜で作製し、かつ光電変換が行なわれる受光部は非晶質シリコンまたは真性層の多結晶シリコン膜とする。また、センサ素子の２つの電極の間には、受光部の非晶質シリコンと絶縁層が挟まれるような構造を採用する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を低減するとともに、応答速度の低下を抑制することができる、ＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】 光導電セル１は、基板２と、この基板２の上に成長させられたｎ型ＭｇＺｎＯ層３とを備えている。ｎ型ＭｇＺｎＯ層３は、ＺｎＯにＭｇが含有されたＭｇ_ｘＺｎ_ｘ−１Ｏ（ただし、０≦ｘ≦１）混晶からなる。また、ｎ型ＭｇＺｎＯ層３には、たとえば、１×１０^１６ｃｍ^−３〜１×１０^２０ｃｍ^−３のドーピング濃度で、窒素がドーピングされている。そして、このｎ型ＭｇＺｎＯ層３には、ｎ型ＭｇＺｎＯ層３における受光により発生する電気信号を取り出すためのオーミック電極４（オーミック電極４１およびオーミック電極４２）がオーミック接合されている。 （もっと読む）

【課題】波長可変カーボンナノチューブ素子に関し、一本のカーボンナノチューブに対して純粋な引っ張り応力の印加が可能な数ｍｍ以下のサイズの小型デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一方の端部が開放された間隙４を介して対向するとともに、間隙４を架橋する孤立したカーボンナノチューブ６を設けた１対の支持要素部材２からなる支持部材１を圧電素子１０の伸縮方向に沿った面に支持する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー電極の形状を工夫することにより変換効率の向上した、ショットキー障壁型の光電変換素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】ショットキー電極と、該ショットキー電極に接して設けられた半導体受光層と、該半導体受光層と接して設けられた透明電極と、を有する構成の光電変換素子であって、該ショットキー電極は、周期的な凹凸構造を有し、該半導体受光層は、該ショットキー電極の凹凸構造を有する面側に接触して配置されており、及び、前記ショットキー電極の凹凸構造の高低差は、隣接する凸部の周期間隔の１／２０以上１／５以下の範囲にあることを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも２種類の波長域の光を電流に変換する受光装置を提供すること。
【解決手段】 受光装置１０は、第１電極３２と、第２電極３４と、第１電極３２と第２電極３４の間に設けられている受光領域２０を備えている。受光領域２０は、バンドギャップの幅が異なる第１部分受光領域２６と第２部分受光領域２８を有する。受光装置１０では、紫外光が第１部分受光領域２６で吸収されることによって第１電極３２と第２電極間３４を流れる正の電流に変換され、青色光が第２部分受光領域２８で吸収されることによって第１電極３２と第２電極２４間を流れる負の電流に変換される。 （もっと読む）

【課題】入射光に対して高速応答し、かつ効率が高いフォトダイオードを提供する。
【解決手段】半導体層３の表面に櫛形の周期的凹凸構造８を設け、周期的凹凸構造８の凸部の上面上に第１の電極１を配置し、凹部の底面上に第２の電極２を配置する。周期的かつ立体的に配置された第１および第２の電極によって入射光により表面プラズモン共鳴が励起され、励起された表面プラズモンによって第１および第２の電極の少なくとも一方と半導体との界面に近接場光を含むフォトンが励起される。この近接場光によって、第１の電極１および第２の電極２近傍の半導体層３内の空乏層において電子・正孔対が発生するので、光電流を得ることができる。 （もっと読む）