【課題】基板と変換素子と間にスイッチ素子と導電線とを備える検出装置において、変換素子とスイッチ素子又は導電線との間で生じる寄生容量を低減する。
【解決手段】基板１０１と、複数の電極を有するスイッチ素子１０９と、スイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７と電気的に接合する導電線１０２と、スイッチ素子１０９及び導電線１０２の上方に成膜されて配置されており、２つの電極１１４、１１６の間に配置された半導体層１１５を有し、２つの電極１１４、１１６のうちの一方の電極１１４はスイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７とは異なる第２の電極１０６と電気的に接合する変換素子１１７と、を含む検出装置１００が提供され、変換素子１１７の一方の電極１１４と、スイッチ素子１０９の第１の電極１０７又は導電線１０２との間に空間１２０が存在する。 （もっと読む）

【課題】暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善した光電変換素子を提供する。
【解決手段】
基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、光電変換膜の膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接合部に光照射してテラヘルツ波を発生または検出するタイプの、テラヘルツ波発生効率及び検出効率を向上させた光素子を提供する。
【解決手段】光素子は、光のフォトンエネルギーよりも大きいエネルギーバンドギャップを持つ半導体層２と、半導体層２と電気的に接触した複数の電極３を備える。電極３のうち少なくとも１つは、半導体層２との間に光６のフォトンエネルギー以下の障壁高さを持つショットキー接合を形成する。ショットキー接合を形成する電極３と半導体層２との接合面の少なくとも一部は、電極３の形成されていない半導体層２の面側から光３が照射される光照射面を含み、且つ光３の照射により発生または検出するテラヘルツ波７と結合する結合構造体の構成部分となっている。 （もっと読む）

【課題】 低コストの酸化ガリウム単結晶基板を用いた紫外線センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ガリウム単結晶の成長方向に対して直交する直交面４１または該直交面４１から所定の角度傾斜した面を受光面１２ｒとする酸化ガリウム単結晶基板１１と、酸化ガリウム単結晶基板１１の第１表面に形成されたオーミック電極１３と、受光面１２ｒを含む酸化ガリウム単結晶基板１１の第２表面に形成されたショットキー電極１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
半導体を用いた光検出器においては、光信号を半導体の吸収によって電子と正孔を発生させ、光電流に変換していたが、これらの光検出器に使用される半導体は、すべての光を吸収することはできず、半導体が十分に吸収できないエネルギーの小さい（波長の長い）光信号について検出することは困難であった。
【解決手段】
半導体と金属からなるショットキー型光検出器において、光検出部の金属を薄膜で構成し、該金属薄膜の表面に複数の金属ナノロッドを付着してなることを特徴とするショットキー型光検出器を要旨とし、光検出部の金属を薄膜化することにより、金属ナノロッドで誘起された表面プラズモン共鳴の振動が金属と半導体の界面まで届き、ショットキー障壁を越えて半導体側へ流れ込む電子数が増加することとなる。
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【課題】高い加工精度が要求される大きさまで小型化することなく、ＧＨｚ帯の高周波信号に応答可能な超高速薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。キャリアが走行する薄膜導電層は、素子の表面に沿う金属層であるので、キャリアは薄膜金属層内を高速移動する。 （もっと読む）

赤外線外部光電子放出検出器は、ｎ−タイプ半導体層とｐ−層とを含むｎ−ｐヘテロ接合を有することができ、該ｎ−層半導体は、ショットキーバリヤを形成するナノ粒子と共に埋め込まれたドープされたシリコンを含み、該ｐ−層は、ｐ−タイプダイアモンドフィルムである。ナノ粒子は、約５〜１０ｎｍの平均粒径を有する、約２０〜３０原子百分率の金属粒子（例えば銀）であることができる。ｐ−層は、負電子親和力を有する表面層を有することができる。ｎ−層は、約３μｍ〜１０μｍの厚さの範囲にあることができ、好ましくは、約３μｍの厚さである。ドープされたシリコンは、燐およびアンチモンから成るリストから選択される元素によってドープされることができる。 （もっと読む）

本発明者らは、半導体／金属界面を有する金属半導体ハイブリッド（ＭＳＨ）構造において、異常光コンダクタンス（ＥＯＣ）現象、および好ましくは逆ＥＯＣ（Ｉ−ＥＯＣ）現象に基づいて室温で機能する、好ましくはナノスケール寸法の、新規な高性能光学センサを開示する。このような設計は、ベア半導体によって示されることのない、効率的な光子検知を示す。例示的実施形態を用いる実験において、ヘリウム−ネオンレーザ放射を用いる超高空間分解能４点光コンダクタンス測定は、２５０ｎｍ装置について、観測された最大測定値が９４６０％という、著しく大きい光コンダクタンス性能を明らかにした。このような例示的ＥＯＣ装置はまた、６３２ｎｍ照射で５．０６×１０^１１ｃｍ√Ｈｚ／Ｗよりも高い固有検出能、および４０ｄＢの高い動的応答を実証しており、このようなセンサを広範囲な実際的応用に対して技術的に優位にする。
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【課題】 表面プラズモンを伝送するための開口における表面プラズモンの透過光量の低下を招くことなく、高速応答性の向上をはかる。
【解決手段】 入射光を表面プラズモンに変換するための結合周期構造２２が表面に設けられ、該結合周期構造２２中に表裏面を貫通する開口２３が設けられた導電性薄膜２１と、開口２３の結合周期構造２２が設けられた面と反対面の端部に配置された受光部とを有した受光素子であって、開口２３の形状は、２つのスリットを直交交差させた十字形であり、各々のスリットの長辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より長く、短辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より短い。 （もっと読む）

本装置は、ある種の導電率を有する基板と、基板の上の真性領域と、真性領域の表面の一部の上の金属層を備える。真性領域は表面を有している。金属層は、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し、真性領域と整流性接触を形成することができるような厚さを有することができる。
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【課題】等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させた赤外線検出装置を実現する。
【解決手段】赤外線検出装置に、主面部に所定のピッチで所定深さの溝部が形成されたシリコン基板と、前記主面部及び溝部上面に形成され、上記シリコン基板との間でショットキバリアダイオードを形成する白金シリサイド層と、この白金シリサイド層の上面部に形成された反射金属層とを備えることにより、等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】数１０ｎｍ以下の厚さに薄型化が可能な薄膜光電変換素子と薄膜光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の表面に第１金属とシリコンが拡散して形成される金属シリサイド層と、シリコン基板の表面の第２金属薄膜層の積層部位に形成される導電薄膜層と、前記金属シリサイド層と前記導電薄膜層との間のシリコン基板の表面付近にシリコンのナノ粒子が拡散して形成されるシリコン拡散部とを備え、シリコン基板との積層方向にショットキー界面が形成される金属シリサイド層若しくは導電薄膜層へ光を照射し、シリコン基板の表面の金属シリサイド層と導電薄膜層間に光誘起電流を発生させる。 （もっと読む）

本発明は、特に光電子工学、太陽光技術、およびセンサ技術の電子部品において使用するための透明な整流性接触構造ならびにその製造方法に関する。本発明による透明な整流性接触構造は、下記の構成要素：ａ）透明な半導体、ｂ）金属酸化物、金属硫化物、および／または金属窒化物から成り、透明で絶縁性でなく伝導性でなく、固有抵抗が好ましくは１０^２Ωｃｍ〜１０^７Ωｃｍの範囲内である層、およびｃ）透明な導電体から成る層を有し、層ｂ）は半導体ａ）と層ｃ）の間に形成されており、この層ｂ）の組成は特許明細書の中で詳しく定義されている。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの層が下記一般式Ａ、Ｂ、または、Ｃで表わされる少なくとも１つの化合物を含有し、この少なくとも１つの層を含む複数の層を備えた有機半導体部品に関する。
【化１】

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【課題】珪素系ＰＩＮ−ＰＤの暗電流を減らすため、ＰＩＮ−ＰＤのＩ層を挟むＰ層、またはＮ層に炭素を加えバンドギャップを大きくし、Ｉ層からの暗電流を抑える方法では、炭化珪素と珪素とでは２５％程度格子定数が異なっており、珪素中に炭素を添加することで大きな応力が生じ、この応力により欠陥が発生し暗電流が増える。また、側面からのリークを下げるのみでは、暗電流を抑制は限定的なものとなる。
【解決手段】ＡｌＮｄを用いたＰＩＮ−ＰＤ１０の第１導電層２０をエッチング液で処理しテクスチャー構造を作り、さらにこの工程で生成されたＡｌＮｄ酸化物を下バリア層２１として用いる。この際、第１半導体層２２と第１導電層２０との間はＦＮ電流により電荷が伝達される。ＦＮ電流が少ない黒状態では下バリア層２１の微分抵抗は高く、暗電流の通過を阻止する。白状態では微分抵抗は低くなり、光電流は通過するので、画像のＳＮ比が上がる。 （もっと読む）

単数又は複数の実施形態において、冷却されていない赤外線センサ、システム、及び方法は、赤外線放射を受信するように構成されたアンテナを有するセンサと、前記アンテナパターンをシフトさせるように構成された位相シフト器と、受信したアンテナ電流を電気信号に変換するように構成されたトランスデューサとを含む。様々な実施形態において、赤外線センサのアレイは、目標物体から放射された赤外線放射を受信することができる単数又は複数の操縦可能なアンテナビームを有する赤外線イメージングシステムに用いることができる。アレイに含まれる各センサの前記位相シフト器を個別に制御することにより、アンテナビームは、物体を横切って走査され、各位相設定において単数又は複数のピクセルを生成する。複数の位相設定から生成されたピクセルを記録することにより、前記物体に対応する赤外線画像が形成される。このようなイメージングは、レンズ等の従来の光学デバイスを用いることなく、また、センサハウジング又はセンサコンポーネントを低温冷却することなく実現することができる。
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【課題】従来のショットキーダイオード式の受光素子よりも受光感度が優れており、かつショットキー電極の接合が十分に強化された受光素子を提供する。
【解決手段】所定の基板の上に、ＡｌＧａＮからなり導電性を有する第１コンタクト層を形成する第１コンタクト層と、ＡｌＧａＮからなる受光層と、ＡｌＮからなり厚みが５ｎｍの第２コンタクト層とをこの順にエピタキシャル形成し、第２コンタクト層に第２電極をショットキー接合することによって、ＭＩＳ接合を形成する。さらに、ショットキー接合後に窒素ガス雰囲気下で６００℃、３０秒の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】量子効率が高く、かつ、高速特性を具備した青色光対応のＭＳＭ型半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係るＭＳＭ型半導体受光素子は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された光吸収層２と、光吸収層２上に形成されたショットキー電極４、５と、光吸収層２上においてショットキー電極が形成された以外の領域に形成された光透過絶縁層３と、光透過絶縁層３上に形成され、受光波長に対して透明な材料からなるゲート電極６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】構造の微細化とは別な観点からカットオフ周波数を高めることのできる検出素子などの整流素子を提供する。
【解決手段】整流素子は、ショットキー電極１１１を含むショットキー障壁部１０１と、ショットキー障壁部１０１における多数キャリアに対して整流性を有する障壁部１０２と、この整流性障壁部１０２に電気的に接したオーミック電極１０３を備える。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、一方側が他方側よりも大きい勾配の非対称なバンドプロファイルを有するように構成される。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、バンドプロファイルの大きい勾配の方の側がショットキー電極１１１の側に位置するように接続される。 （もっと読む）