【課題】素子抵抗の大きさのばらつきを抑制することが可能な導波路型フォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】導波路型フォトダイオードの製造方法は、半導体積層２３に第１方向に沿って延びるメサ部３１を形成するメサ部形成工程と、一対の光導波路部４１、５１を形成することにより半導体構造物５３を得る光導波路部形成工程と、第１方向と直交する第２方向に沿って延びる第２マスク６７を用いて、下部コンタクト層５が露出するようにメサ部３１をエッチングすると共に、一対の光導波路部４１、５１をエッチングする半導体構造物エッチング工程とを備える。半導体構造物エッチング工程においては、下部コンタクト層５をエッチングストップ層としてメサ部３１及び一対の光導波路部４１、５１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、ｐ型コンタクト層の抵抗を低減し、より広帯域な特性が実現できるようにする。
【解決手段】アンチモンを含むｐ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成されて基板１０１の上に形成されたｐ型コンタクト層１０２と、Ｓｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成されてｐ型コンタクト層１０２の上に形成された光吸収層１０３とを備える。また、ｐ型コンタクト層１０２は、炭素を不純物として導入することでｐ型とされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電流及び素子抵抗をともに大きくできるようにすること。
【解決手段】本発明の赤外線センサ１００は、第１の光吸収層１０３及び第２の光吸収層１０６によって吸収された赤外線を光電流に変換するＰＮダイオードをトンネル接合によって直列接合させた構造である。半導体基板１０１上に設けられた第１のｎ型化合物半導体層１０２と、その上に設けられた第１の光吸収層１０３と、その上に設けられた第１のｐ型ワイドバンドギャップ層１０４と、その上に設けられた第２のｎ型化合物半導体層１０５と、その上に設けられた第２の光吸収層１０６と、その上に設けられた第２のｐ型ワイドバンドギャップ層１０７と、その上に設けられたｐ型キャップ層１０８と、第１のｎ型化合物半導体層１０２上及びｐ型キャップ層１０８上に電極１１０，１０９を備えている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】受光素子におけるアノード抵抗を低減し、分割された隣合うフォトダイオード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板（５２）または第１導電型の半導体層と、この第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成された第１導電型の分離領域（５５）とを有する。また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。さらに、第１導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜（５７）を構成する上層膜（５９）で被覆されて分離領域（５５）の表面に沿って形成されたシリサイドによる第１電極（６４）を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上部のイメージ感知部とリードアウト回路の接続のためにウェハアラインメントを必要とせず、リードアウト回路の配線とイメージ感知部のオーミックコンタクトを得ることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記リードアウト回路１２０と電気的に接続されて前記第１基板１００上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０と、前記イメージ感知部２１０と前記配線１５０が電気的に接続されるようにピクセル境界に形成されたビアプラグ２５０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、受光層のＩｎＰ基板１と反対側に位置する拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、選択拡散された受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造の微細化とは別な観点からカットオフ周波数を高めることのできる検出素子などの整流素子を提供する。
【解決手段】整流素子は、ショットキー電極１１１を含むショットキー障壁部１０１と、ショットキー障壁部１０１における多数キャリアに対して整流性を有する障壁部１０２と、この整流性障壁部１０２に電気的に接したオーミック電極１０３を備える。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、一方側が他方側よりも大きい勾配の非対称なバンドプロファイルを有するように構成される。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、バンドプロファイルの大きい勾配の方の側がショットキー電極１１１の側に位置するように接続される。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】 従来に比して、より高い導電性を有し、もってデバイス化に貢献し得る酸化ガリウム基板用電極を得る。
【解決手段】 酸化ガリウム単結晶にオーミック電極を形成する際、表面にプラズマ照射してからTiを蒸着後、Au蒸着したAu/Ti構造の電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生を防止する光センサの製造方法を提供する。
【解決手段】光センサであって、フォトマスクをダイオード積層構造を被覆するための絶縁材質として、リーク電流の発生を減らしている。 （もっと読む）

【課題】 ２次相互変調歪を抑制した上で、高い量子効率、低い素子容量を実現することができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型バッファ層２と、ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層３と、ｎ型窓層４と、ｎ型窓層４からＩｎＧａＡｓ受光層３に届くように形成されたｐ型領域５と、ｐ型領域に電気的に接続されるｐ部電極１５ａとを備えるアナログ伝送用のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子において、バッファ層のｎ型キャリア濃度が１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物電極と、高反射性金属であるが酸化物が絶縁性となる金属電極の積層。
【解決手段】サファイア基板１００に発光領域Ｌを有するｎ型層１１とｐ型層１２を形成する。ＩＴＯ電極１２１−ｔ、ＳｉＮ_x誘電体層１５０とその孔部のＮｉから成る接続部１２１−ｃ、Ａｌから成る高反射性金属層１２１−ｒを形成する。この上にＴｉ層１２２、Ｎｉ層１２３、Ａｕ層１２４を順に形成する。次にｎ型シリコン基板２００を用意し、両面に導電性多層膜を次の順に蒸着により形成する。ＴｉＮ層２２１及び２３１、Ｔｉ層２２２及び２３２、Ｎｉ層２２３及び２３３、Ａｕ層２２４及び２３４。これらにスズ２０％の金スズはんだ（Ａｕ−２０Ｓｎ）５１、５２を形成し、３００℃で熱プレスして、２つのウエハを合体させる。こののち、サファイア基板１００側からレーザ照射によりｎ型層１１の表面のＧａＮを分解して、サファイア基板１００をリフトオフにより除去する。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で電極と配線が高密度に半導体に設置された構造を有する、入射する検出対象を電気に変換する検出素子を提供する。
【解決手段】 入射面に入射する検出対象を電気に変換する検出素子であって、第１の電極が、第１の側から第２の側に延伸するようにして複数設置される第１の面と、前記第１の面と反対側の、第２の電極が設置される第２の面と、と有し、複数の前記第１の電極上には、それぞれ前記第１の側から前記第２の側に延伸する複数の配線が設置され、隣接する前記配線が絶縁構造体により絶縁されて、当該第１の電極上に固定される構造であることを特徴とする検出素子。 （もっと読む）

【課題】 発光または受光波長の短波長化が可能なＰＩＮ接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜を備えた窒化物半導体光電変換素子を提供する。
【解決手段】 基板２上に、基板２側から順にｐ型、ｉ型、ｎ型の各ＧａＮ系窒化物半導体層を少なくとも含んで構成される光電変換機能を有する一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎで表されるＧａＮ系窒化物半導体の多層膜２０を備え、ｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１がＡｌＮ組成比７％以上のｐ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＮであり、多層膜２０の一部が、ｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１の表面が露出するまでエッチングにより除去されており、露出したｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１の表面上に、ｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１より低いバンドギャップエネルギのＧａＮ系窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層２４を備え、ｐ型コンタクト層２４上にｐ型電極２５を備える。 （もっと読む）

【課題】 燃焼制御に用いる発光強度検出素子として、可視光に感度を持たず、300度以上で安定に動作が可能な紫外線を高感度で検出できる小型の半導体受光素子を提供することである。
【解決手段】n形SiC基板に導電性酸化物層とオーミック電極を形成し、ダイオードを作製する。導電性酸化物層の直下又は周辺のn形SiC層に光が入射すると、前記ダイオードは紫外線検出素子として機能する。 （もっと読む）

放射の強度(1)を前記強度に応じて電流(i-i,^a2)に変換するイメージセンサーデバイス(5)を製造する方法であって、真空蒸着デバイスにおいて以下の段階：誘電性の絶縁表面上に、背面の電気的コンタクトとしての電気伝導パッド(7a,7b)のマトリックスを蒸着する段階、前記パッドを備えた表面を、シリコン含有ガスを加えないドナー供給ガスにプラズマ支援露出する段階、ドープ層(17)を蒸着するシリコン供給ガスから真性シリコン層(15)を蒸着する段階、および、前記放射(1)に対して透明な電気伝導性の層(19)を前面コンタクトとして配置する段階、を有する。イメージセンサーデバイスを製造する方法とイメージセンサーデバイスは従来技術の不利点を回避する。これは、本発明のイメージセンサーデバイスが良好なオーム接触、低い暗電流を持ち、画素クロストークを持たず、再現可能な製造プロセスを持つことを意味する。
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