【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】斜めに入射する光が隣接する画素領域に混入することを抑制することができ、且つ、感度の低下を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、主面に複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、屈折率の異なる複数の層が積層され、所定の波長領域の光を選択的に透過させる干渉フィルタと、を備えている。そして、隣接する前記干渉フィルタ同士の間には、空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高さが異なる面を有する微小な構造体を製造する。
【解決手段】基板の上方に感光性材料層を形成する工程（ｂ）と、感光性材料層の上方にマスクを配置する工程（ｃ）と、感光性材料層のうち、第１の領域以外の部分をマスクによって遮光しながら、第１の領域を露光する工程（ｄ）と、マスクを感光性材料層の面に沿って移動する工程（ｅ）と、感光性材料層のうち、第１の領域の一部である第２領域と、第２領域に接し、工程（ｄ）で遮光された領域の一部である第３の領域以外の部分をマスクによって遮光しながら、第２の領域と第３領域を露光する工程（ｆ）と、感光性材料層を現像することにより、マスクの移動方向に沿って高さが異なる面を感光性材料層に形成する工程（ｇ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】受光素子において、第２の半導体領域で発生したキャリア（電子又は正孔）を、外部電極に接続された高濃度の半導体領域に対して効率良く移動できるようにする。
【解決手段】第１の外部電極に対して電気的に接続された第１導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領域上に形成された第２導電型の第２の半導体領域と、第２の半導体領域上に形成された第１導電型の第３の半導体領域と、第２の半導体領域上に第３の半導体領域に囲まれて複数形成され、第２の半導体領域より高濃度の第２導電型不純物を含み、第２の外部電極に対して電気的に接続された第２導電型の第４の半導体領域と、を具備する。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを含むナノワイヤフォトダイオードと少なくとも一つの垂直フォトゲートに動作可能に接続するナノワイヤフォトダイオードからなるデバイスに関する。

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【課題】製造コストを低減することが可能であるとともに、精度を向上させることが可能な半導体光検出素子を提供する。
【解決手段】この半導体光検出素子１００は、Ｐ型シリコン基板１０に形成された第１フォトダイオード２０と、このＰ型シリコン基板１０に形成され、第１フォトダイオード２０と同一構造を有する第２フォトダイオード３０と、第１フォトダイオード２０上に形成され、グリーンフィルタから構成されるカラーフィルタ層２１と、第２フォトダイオード３０上に形成され、ブラックフィルタから構成されるカラーフィルタ層３１と、第１フォトダイオード２０の検出信号から第２フォトダイオード３０の検出信号を減算する演算回路部５０とを備えている。 （もっと読む）

半導体受光素子が特定される。本半導体受光素子は、シリコンで形成され、光入射エリア（１ａ）を有する半導体ボディ（１）であって、前記光入射エリア（１ａ）を通過して前記半導体ボディ（１）内に入射する電磁波（１０）が吸収される厚さ（ｄ）が最大１０μｍである吸収ゾーン（２）を更に有する半導体ボディ（１）と、誘電材料から形成され、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を被覆するフィルター層（３）と、少なくとも前記光入射エリア（１ａ）において前記半導体ボディ（１）を被覆する、光吸収材（５）を含有するポッティングボディ（４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多波長間における光のクロストークを大幅に改善する。
【解決手段】入力光を各波長毎に分波する分波器と、前記分波器で分波された各波長の光が入射され、当該入射された各波長の光を電気信号に変換する複数の光電変換部と、前記各光電変換部から出力される電気信号を増幅する増幅部とを有する光受信装置であって、前記各光電変換部は、基板と、前記基板上に設けられ、前記各波長の光を透過させる波長選択フィルタと、前記波長選択フィルタ上に設けられるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、前記各波長の光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記基板の前記波長選択フィルタが設けられる面と反対側の面に設けられる２個の反射ミラーとを有し、前記各波長の光は、前記光電変換素子が設けられた面から前記バッファ層に入射された後、前記２個の反射ミラーで反射されて前記光電変換素子に入射される。 （もっと読む）

【課題】電磁シールド用の導電膜を備えるとともに、光検出領域に対向する領域で電磁シールド用の導電膜を除去した光センサにおいて、光検出領域に対向する領域でも電磁ノイズが侵入できないようにする。
【解決手段】シリコン基板１２の表層部には、フォトダイオード１３やＩＣ回路１５が形成されている。シリコン基板１２の上面には、絶縁層１６を介して遮光メタル１８が形成されており、ＩＣ回路１５は遮光メタル１８で覆われている。フォトダイオード１３に対向する領域では、遮光メタル１８に受光窓１９が開口され、受光窓１９は導電性光学フィルタ３２で覆われている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】可視光帯域の光成分の輝度を測定する半導体装置及びその製造方法において、製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体基板１０に第１の受光素子１３Ａ及び第２の受光素子１３Ｂを形成する。次に、第１の受光素子１３Ａが検出した光に応じた電流値（即ち光に対する相対感度を示す電流値）と、第２の受光素子１３Ｂが検出した光に応じた電流値（即ち光に対する相対感度を示す電流値）との差分を算出する演算回路５０を形成する。次に、第１の受光素子１３Ａを覆って、緑色帯域と赤外線帯域の光成分を透過する第１の緑色透過フィルタ１５Ａを形成し、第２の受光素子１３Ｂを覆って、第１の緑色透過フィルタ１５Ａと同様の第２の緑色透過フィルタ１５Ｂを形成する。さらに、第２の受光素子１３Ｂを覆う第２の緑色透過フィルタ１５Ｂを覆って、赤色帯域と赤外線帯域の光成分を透過する赤色透過フィルタ１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】波長フィルタを必要とせずに高い選択比を得ることのできる半導体受光素子を提供する。また、短波長の光を選択的に受光可能な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子は、下層から第１導電型の半導体層、第１の吸収層および窓層の順で形成された積層構造を含み、窓層の側から光が入射する。窓層は第２導電型の不純物領域を有し、第１の吸収層から見て窓層の側には、第１の吸収層よりもバンドギャップの大きい第２の吸収層が設けられている。窓層の上に、第１の吸収層のバンドギャップ波長より長波長の光を反射する多層反射層と、第２の吸収層とがこの順に積層された構造とすることができる。また、第１の吸収層から見て第１導電型の半導体層の側には、第１の吸収層よりもバンドギャップの小さい第３の吸収層が設けられている。第１導電型の半導体層と第１の吸収層との間に第３の吸収層を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】照度センサの受光素子の小型化を図る。
【解決手段】第１導電型半導体基板３の表面側４に、第２導電型ウェル領域５と、このウェル領域５内に第１導電型領域７と第２導電型領域６とを有する第１フォトダイオード２ａと第２フォトダイオード２ｂとを備えた照度センサであって、第１フォトダイオード２ａ上に第１の絶縁膜部分１１ａと、第２フォトダイオード２ｂ上に第１の膜より厚い第２の絶縁膜部分１１ｂとを有し、第１の絶縁膜部分１１ａを貫通して第１フォトダイオード２ａの第１導電型領域７に接続する第１電極１３ａと、第１の絶縁膜部分１１ａを貫通して第１フォトダイオードの第２導電型領域に接続する第２電極と、第２の絶縁膜部分を貫通して第２フォトダイオード２ｂの第１導電型領域７に接続する第３電極１３ｄと、第２の絶縁膜部分１１ｂを貫通して第２フォトダイオード２ｂの第２導電型領域６に接続する第４電極１３ｃと、を設ける。 （もっと読む）

【課題】分光される光（入射光）が微弱な場合であっても、これを分光することが可能な高感度の光電交換素子を提供する。
【解決手段】基板と、該基板に形成される層であって、入射光が吸収されることにより発生するキャリアを捕獲するための第一層と、該第一層に接するように配置され、該第一層で捕獲されたキャリアを外部に取り出すための第二層と、該第一層上に配置される誘電体層と、該誘電体層上に配置され、ゲート電圧が印加されるゲート電極層とを備え、該ゲート電極層の少なくとも一部は、入射光に対して透光性を有する材料からなる光電変換素子およびこれを用いたイメージセンサーである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、吸収効率および応答速度を向上した半導体受光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形成され、光を吸収する第1導電型の光吸収層と、該光吸収層上に形成され、光を回折する回折格子を有する回折格子層と、該回折格子層上に形成され、光を透過する第２導電型の第1光透過層と、該回折格子層上であって該第１光透過層の周囲に形成され、光を透過する第１導電型の第２光透過層とを備える。そして該回折格子は該第１光透過層の直下領域を囲むように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長の異なる光を分離するためにフィルタを空間的に配置すると、物理的なスペースが多く必要になるという問題を解決する。
【解決手段】波長分離型フォトダイオード７１は、隣接して設けられた少なくとも２つの面受光型フォトダイオード７３の受光面に、それぞれ異なる波長の光を選択的に透過させる、薄膜よりなる波長選択フィルタ７４をそれぞれ直接設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ−Ａ波とＵＶ−Ｂ波との２つの波長領域の紫外線量を分離して検出することが可能な紫外線センサを提供する。
【解決手段】紫外線センサが、絶縁層上の第１のシリコン半導体層に形成された、Ｐ型の不純物を高濃度に拡散させたＰ型高濃度拡散層と、Ｎ型の不純物を高濃度に拡散させたＮ型高濃度拡散層とを、第１のシリコン半導体層より厚さの薄い第２のシリコン半導体層に、Ｐ型およびＮ型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した一対のフォトダイオードと、第１および第２のシリコン半導体層上に形成された層間絶縁膜と、一方のフォトダイオード上の層間絶縁膜上に形成された、ＵＶ−Ａ波以上の波長領域の光を透過させるシリコン窒化膜からなるフィルタ膜と、他方のフォトダイオード上の層間絶縁膜、およびフィルタ膜を覆う、ＵＶ−Ｂ波以上の波長領域の光を透過させる封止層とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の光センサを内蔵するビームストップは、それを支える糸状の高分子や金属、あるいは膜状の高分子フィルムからなる支持体に配線が埋め込まれており、光センサで変換された電気的なシグナルがこの配線を介して導き出される。この場合、ビームストップの支持体およびその配線によって回折光の吸収が生じる。したがって、光センサを持つ光吸収体の近傍から外側で周囲360°に渡って吸収斑なく２次元検出できず、回折像の領域が制限される。
【解決手段】光センサを内蔵するビームストップで光を検出しかつ光の強度を減衰し、その近傍から外側で周囲360°に渡って吸収斑なく光源より下流に光を透過し、光センサを内蔵するビームストップで変換した電気的シグナルをその外部に伝達する装置およびシステムを提供することにある。本発明は、金属線による配線およびそれが埋め込まれた支持棒の代わりに、高いＸ線および光透過性を有しかつ導電層を有するフィルムを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波の影響を低減することができる光検出半導体装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオード１、２の受光面に、検出対象の光を透過し、導電性を有するシールドを設けることにより、外部から進入する電磁波によってフォトダイオード１、２に電荷が誘起されるのを抑制する。また、光の透過率が波長に依存する２種類のフィルタを、それぞれフォトダイオード１、２の受光面に設けることにより、これらの分光特性に差分を設けることができる。シールドやフィルタは、例えば、ポリシリコンや所定の導電型の半導体の薄膜で構成することができ、これらの製造プロセスを、半導体製造プロセスに組み込むことによって容易に製造することができる。 （もっと読む）