【課題】直列接続構造をなす薄膜太陽電池であって、最下層セルにおけるｎ層の光吸収の低下を抑制し、変換効率が高い薄膜太陽電池の提供。
【解決手段】絶縁性の基板１上に第一電極２、光電変換層４、及び第二電極３を順次形成してなり、光電変換層４が、複数の非単結晶シリコン系薄膜からなるｐｉｎ構造セルで構成され、第一電極上２に形成された光電変換層４が微結晶シリコン薄膜からなるｉ層６を有し、光電変換層４におけるｉ層６の下層５を膜厚２００〜６００ｎｍの非晶質シリコン系材料としたので、光電変換層４における下層５の光吸収の低下を抑制し、変換効率が高いＳＣＡＦ構造の薄膜太陽電池を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電極層を積層させてもバスバー電極が基板や配線との剥離が生じず、アスペクト比が向上され高効率でコストの低減された太陽電池を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ＰＮ接合が形成された半導体基板と、半導体基板の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガー電極と、フィンガー電極に接続するバスバー電極を具備する太陽電池であって、バスバー電極がその電極内に開口部があるパターンを有するものである太陽電池。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板へのドーパントの選択配置により選択エミッタを用いた太陽電池用拡散層を容易に形成することが可能な太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法を得ること。
【解決手段】第１の吸水層をシリコン基板の表面の第１の領域に形成し、第２の吸水層を第１の領域に包含される第２の領域に選択的に形成し、第１の吸水層および第２の吸水層に塗布拡散剤を塗布することにより、塗布拡散剤を第１の吸水層および第２の吸水層に吸水させて保持させ、第１の吸水層および第２の吸水層に塗布拡散剤を保持させたシリコン基板を熱処理することにより塗布拡散剤のリンをシリコン基板に拡散させて、シリコン基板における第１の領域から第２の領域を除いた第３の領域に第１のリン拡散層を形成し、シリコン基板における第２の領域に第１のリン拡散層よりもシート抵抗の低い第２のリン拡散層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極の剥離が効果的に防止された太陽電池セルおよびその製造方法を得ること。
【解決手段】光電変換機能を有する基板１０と、前記基板１０の一面側に設けられた第一電極２１と、前記基板１０の他面側に設けられた第二電極１７と、前記基板１０の他面側に、前記基板１０の面内方向において外縁部が前記第二電極１７上に重なって設けられ、前記第二電極１７から出力を取り出すための第三電極１９と、を備えた太陽電池セルであって、前記第二電極１７の厚みが前記第三電極１９の厚みよりも大であり、且つ前記第二電極１７の厚みと前記第三電極１９の厚みとの差が１０μｍ以上３０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルを電気的に直列に接続する際の配線作業を容易に行なうことができるとともに、配線抵抗による損失を低減して特性を向上することができる裏面電極型太陽電池およびその裏面電極型太陽電池を用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板の裏面に、ｐ型領域と、ｐ型領域に隣り合うｎ型領域と、ｐ型領域上のｐ電極と、ｎ型領域上のｎ電極とを含む単位太陽電池セルを複数備えており、単位太陽電池セル同士の電気的な接続の少なくとも１つが直列接続であって、直列接続は単位太陽電池セルのｐ電極と、その単位太陽電池セルとは異なる他の単位太陽電池セルのｎ電極とを電気的に接続する接続部材により行なわれている裏面電極型太陽電池とその裏面電極型太陽電池を用いた太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】インクジェット方式を用いて、塗布後のパターンが滲む又は広がることなく基板の表面に選択的に拡散層を形成するための前処理方法を提供すること。
【解決手段】この前処理方法は、インクジェット方式を用いて選択的にケイ素含有被覆形成用拡散剤を塗布して拡散層を形成する前に、基板上に撥液性層を形成する工程を含む。かかる撥液性層は、有機シラザン化合物又は加水分解により水酸基を生成しうる金属化合物を含有する液体を用いて形成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 光反射部材を成形して作製する際に光反射性金属層に傷が付くこと、及び成形して延伸する時に光反射性金属層に破損等が生じることを大幅に軽減することによって、十分な光電変換効率を維持することが可能な光電変換装置を得ること。
【解決手段】導電性基板１と、該導電性基板の上面に互いに間隔をあけて複数個接合された結晶半導体粒子２と、該結晶半導体粒子２間に配置された凹面鏡形状の光反射部材７と、を備え、光反射部材７は、凹面鏡形状の基体１４と、基体１４の光反射面に順次形成された樹脂から成る第１の透明保護層１３、光反射性金属層１２、樹脂から成る第２の透明保護層１１及び樹脂から成る表面透明保護層１０と、を有しており、第１及び前記第２の透明保護層は、軟化点が表面透明保護層１０の軟化点よりも低く、かつ変形可能温度での伸び率が表面透明保護層１０の変形可能温度での伸び率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板(S1)上に液体材料(3)を吐出する第１工程と、基板を処理室内のステージ(15)上に搭載し、液体材料を加熱する第２工程であって、ステージ上に基板を覆うようにカバー(17)を配置し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給しながら液体材料を加熱する第２工程と、を有する。この第２工程は、カバーに供給された不活性ガスを、カバーの側壁の底部の空間(17c)から排出しつつ行なわれる。かかる方法によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができる。また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ブラスト研磨用マスクを吸着させた際に、ブラスト研磨用マスクから受ける押圧によって太陽電池モジュールに損傷が発生することを防止できる、ブラスト研磨用マスク及び太陽電池パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のブラスト研磨用マスク（１５）は、膜の形成された基板に対してブラスト研磨を行う際に用いられるブラスト研磨用マスクである。このブラスト研磨用マスク（１５）は、前記基板（１）上においてブラスト研磨から保護されるべき保護領域における周縁部を保護する枠状のマスク周縁部（２４）と、前記周縁部以外の前記保護領域上を覆って前記基板との間に空間を形成するように前記マスク周縁部から延びる被覆部（２１）と、前記基板（１）と前記被覆部（２１）と前記マスク周縁部（２４）とで囲まれた前記空間を排気するための真空引き用開口（３３）と、前記被覆部（２１）における前記基板と対向する対向面に設けられた押圧保護体（１４）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】出力特性をより向上させることが可能な光起電力装置を提供する。
【解決手段】光起電力装置は、ｎ型単結晶シリコン基板１と、ｐ型非晶質シリコン層と、ｎ型単結晶シリコン基板１およびｐ型非晶質シリコン層の間に配置された実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａとを備え、ｎ型単結晶シリコン基板１は一面側の表面に、シリコン（１１１）面を露出させて形成されるピラミッド状凹凸を有し、ｐ型非晶質シリコン層との界面に、２ｎｍ以下の高さを有する非周期的な凹凸形状を有する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法による塗布に適した形態のリン系ドーパント塗布液を用い、簡単な工程で特性の良好な太陽電池を製造する方法を提供すること。
【解決手段】リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】表面および裏面の両電極間に高品質の相互接続経路を形成した太陽電池ＰＶモジュールと太陽電池ＰＶモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池ＰＶモジュールは、共通の基板３２上に直列接続されて相互に間隔をおいて配置されたＰＶ太陽電池セルのアレイを含む。各電池セルは、前記基板３２上の第１電極３０、該第１電極３０上の活性なＰＶ膜３８、第２電極４２を含み、前記両電極の少なくとも一方は光透過性を有する。前記アレイの（ｎ）番目の太陽電池セルの第２電極４２は、前記ＰＶ膜３８の残部よりも実質的に高い導電率を有する一部分４０を経て、引き続く（ｎ＋１）番目の太陽電池セルの第１電極に接続されている。本発明の新規な構成は、所望の領域で前記ＰＶ膜３８にドーパントを添加することにより、所望の電気接触領域で連続する光吸収収ＰＶ膜３８の導電率を実質的に増大させることによって達成される。 （もっと読む）

【課題】限られた資材を有効に利用して、需要を賄う量の光電変換装置を生産することが困難であった。そこで、シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性の優れた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体層の一方の面に第１電極と一導電型の第１不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層が設けられた第１ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第３不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第４純物半導体層と第２電極が設けられた第２ユニットセルとを有し、第１ユニットセルと第２ユニットセルは、第２不純物半導体層と第３不純物半導体層が接することで直列接続され、第１電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】接合分離部の周囲長を短くして絶縁抵抗を改善し、高効率の太陽電池を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板を貫通する貫通電極により受光面電極を裏面電極に接続する光電変換素子において、前記半導体基板の裏面に前記貫通電極の周囲に形成した接合分離部と、前記接合分離部を覆うように形成され、前記貫通電極が貫通する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記受光面電極と接続される前記貫通電極に接続される裏面電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】 入射した太陽光を効率良く光電変換する事の出来る、太陽電池を提供する。
【解決手段】 ｐ型及びｎ型を有するシリコンの表面を粗化する工程と、多角形を有する孔を作成する工程と多孔質層を形成する工程とを２工程以上を組み合わせて作成された太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 電気化学的腐食を改善することで薄膜太陽電池モジュールの信頼性を向上する
【解決手段】 透光性ガラス基板１の片方の面に太陽電池セルが形成され、透光性ガラス基板１のもう一方の面には第一の接着剤２１を用いて透明表板２２が接着され、片方の面には第二の接着剤２３を用いて裏板２４が接着されている構造で前記透光性ガラス基板１の側面の全周において第三の接着剤２５に覆われることにより、透光性ガラス基板の側面を含めた全ての面が接着剤層に覆われることで透光性ガラス基板１が連続した接着剤で覆われた構造にして水分などの進入を防止する。 （もっと読む）

【課題】 ホットスポット現象による非可逆な損傷の発生を防止するとともに、発電性能の低下を抑制することができる光電変換モジュールおよび光電変換モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 透光性基板に、透明電極層と、ｐ型半導体層２２Ａ、ｉ型半導体層２３Ａおよびｎ型半導体層２４Ａを有する光電変換層と、裏面電極層とが積層された光電変換モジュールであって、光電変換層には、他の領域と比較して、ｐ型半導体層２２Ａのドーパントおよびｎ型半導体層２４Ａのドーパントの少なくとも一方がｉ型半導体層２３Ａに向かって拡散し、ｉ型半導体層２３Ａの領域が狭いバイパス部４１が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】裏面の面積が大きくなった場合でも出力の低下を有効に抑止することができる太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板の受光面の反対側にある裏面にｐ+層とｎ+層とが形成されている太陽電池セルであって、ｐ+層およびｎ+層上にフィンガー電極が形成されており、フィンガー電極に交差するバスバー電極の少なくとも１本が太陽電池セルの裏面の内部に形成されている太陽電池セルである。また、半導体基板の受光面の反対側にある裏面にｐ+層とｎ+層とが形成されている太陽電池セルが複数組み合わされてなる太陽電池モジュールであって、ｐ+層およびｎ+層上にフィンガー電極が形成され、フィンガー電極に交差するバスバー電極の少なくとも１本が太陽電池モジュールの裏面の内部に形成されている太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】光入射側の窓層の半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加し光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。
【解決手段】シリコン原子を含有するｐ型半導体層を１つ以上有し、該ｐ型半導体層、ｉ型半導体層およびｎ型半導体層を積層して構成されるｐｉｎ型光電変換層を少なくとも１つ有し、かつ前記ｐ型半導体層のうち少なくとも１つの層が窒素原子を含有し、ｐ型半導体層が、窒素原子を０．５〜１０原子％の濃度で含有する第１のｐ型半導体層と、結晶シリコン相を有する第２のｐ型半導体層を有してなる光電変換装置を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型導電型半導体層に高濃度に不純物元素を含有させることなく、開放電圧および短絡電流を増加させ光電変換効率を向上させた光電変換装置を提供すること、および、該光電変換装置の提供により製造時の二酸化炭素排出量を抑制すること。
【解決手段】ｐ型半導体層、ｉ型半導体層およびシリコン原子を少なくとも含有するｎ型半導体層を積層して構成される１つ以上のｐｉｎ型光電変換層を有し、かつ、前記１つ以上のｐｉｎ型光電変換層における少なくとも１つの前記ｎ型半導体層が窒素原子を含有し、ｎ型半導体層が、結晶シリコン相を有する第１のｎ型半導体層と、窒素原子を４〜１０原子％の濃度で含有する第２のｎ型半導体層を有してなる光電変換装置を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）