【課題】低コスト、高発電効率、軽量であって一般家庭用途への適用が容易であり、しかもパネルの基材に樹脂材料を使用することもできる太陽電池パネルの製造方法及び薄膜シリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】この太陽電池パネル１の製造方法は、基材２上に直接又はバッファ３層を介して第１〜第３非晶質膜４，７，８を製膜する工程と、製膜工程を繰り返して第２非晶質膜７を積層する工程と、第１非晶質薄膜４に金属１１をドープする工程と、金属１１ドープ後の第１非晶質膜４をアニール処理して金属１１を核とする多結晶又は準単結晶部１１ａを生成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶系薄膜シリコン光起電力装置は単結晶シリコンに比べて結晶の質が悪く、光電変換特性が依然劣っている。また、結晶性シリコン膜を化学気相成長法によって、１μｍ以上の厚さで堆積する必要があり生産性が悪いといった問題がある。また、成膜に必要なガスの収率が悪く、経済的にも十分なメリットを見いだせないでいる。
【解決手段】絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板に設けた単結晶半導体層を光電変換層とする光起電力装置であって、単結晶半導体層は絶縁層を介して該基板と接合させる所謂ＳＯＩ構造を備えたことを要旨とする。光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用される。 （もっと読む）

【課題】保護層の機能を維持しつつ、反射損失と再結合損失を同時に低減して発電効率を高めた光起電力素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成され、受光面に保護膜兼反射防止膜として窒化珪素膜を備えた光電変換素子において、
窒化珪素膜の半導体基板との界面領域において、それ以外の部位よりも、Ｓｉ−Ｈ_２／Ｓｉ−Ｈの結合比を増加させ、かつ、水素またはハロゲンの含有量を減少またはＳｉ含有量／Ｎ含有量の比率を増加させたことにより、上記界面領域における屈折率をそれ以外の部位と同等に維持した。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池及び太陽電池コンタクトの処方及び製造方法を開示するものである。概して、本発明は、焼成に先立って、ニッケルと銀とを含む金属部からなる混合物から作られる太陽電池コンタクトを提供するものである。

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１つの態様は、太陽電池の構造に関する。この構造は、シリコン基板とこのシリコン基板内のｐ型及びｎ型活性拡散領域とを含む。酸窒化物パッシベーション層（４０２）は、少なくともｐ型（３０４）及びｎ型（３０２）活性拡散領域上に設けられる。構造は、さらに、酸窒化物パッシベーション層（４０２）を通ってｐ型（３０４）及びｎ型（３０２）活性拡散領域へと延びるコンタクト開口（５０２）と、コンタクト開口（５０２）を介してｐ型（３０４）及びｎ型（３０２）活性拡散領域と選択的に接触する金属光視線（７０２及び７０４）とを備えている。別の態様は、太陽電池の製造方法に関する。さらに別の態様、側面及び特徴も開示されている。
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【課題】
素子特性の低下を抑制し、且つ、半導体基板の反りを低減することができる太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
一主面に導電性ペーストが形成された半導体基板を、４５０℃以上の最高焼成温度で焼成する焼成工程と、前記最高焼成温度からの冷却過程の２５０℃以上の温度領域において、７．５℃／秒以下の冷却速度を所定時間維持する維持工程とを備えて成る太陽電池素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上の主面側に形成され受光した光を電力に変換する発電層と、前記主面側に形成され該発電層に光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と、前記発電層に光が入射する側に形成された透光性電極とを具備する太陽電池であって、前記透光性電極が結晶性ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキシド）を含む透光性電極であることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明によれば、第１導電型の半導体基板と、この半導体基板の受光面側に設けられた第２導電型の半導体層と、前記半導体層上に設けられた受光面電極と、前記受光面の反対側表面である裏面に設けられた裏面電極とを備え、前記裏面には、前記裏面電極を完全に又は部分的に取り囲む分離帯を有する不活性化膜が設けられている光電変換素子が提供される。 （もっと読む）

半導体光電池は、加工および光起電面の理由により凹凸化された表面を有する。吸収領域は、平行に伸びる溝を有するが、この溝は、これがなければ反射されて失ってしまうであろう太陽エネルギーの損失を低減する。凹凸体の１つの形式は、平行に伸びる溝および畝である。セルは、発生した電荷を収集し、これを伝導するための金属化領域（これは、チャンネルでもよい）をも含む。このトポグラフィは生産中に考慮されるが、これは、このトポグラフィを生かしたプロセスを用いて、どの位置で特定の加工を受けるか、および、どの位置がこのような加工を受けないかを決めることで行われる。液体は、セルのゾーン中で直接処理される。この液体は、そのゾーン全体を移動し、接触した位置で作用する。例えば縁、壁および畝などの、表面凹凸体のフィーチャーである流体流動の障害物が存在するために、この液体は他のゾーンには移動しない。遮断液体は、エッチングなどの続く行為からの遮断またはマスクをするために、あるゾーン内で堆積させられ移動してもよい。 （もっと読む）

【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルで、各種基板と一体化できる結晶性にすぐれたシリコン等の薄膜半導体を安価に製造することができ、これにより太陽電池を安価に製造することができるようにする。
【解決手段】半導体基体の表面を陽極酸化することにより多孔質度が異なる２層以上の層から構成される多孔質層１２を形成し、多孔質層１２の表面に太陽電池などの半導体膜１３を成膜し、この半導体膜１３を、多孔質層１２を介して半導体基体から剥離する。陽極酸化する工程は、通電量の選定と、連続通電か間欠通電かの選定とにより、多孔質の異なる多孔質層のうち、比較的低多孔率の低多孔率層に対して、比較的高多孔率の高多孔率層の形成位置を制御する工程を含む。 （もっと読む）

高度に均一なシリコン／ゲルマニウムナノ粒子が、望ましい小さな二次粒子サイズを有する安定な分散物に形成されることができる。シリコン／ゲルマニウム粒子は、分散物を形成するために表面改質されることができる。シリコン／ゲルマニウムナノ粒子は、粒子特性を変化させるためにドーピングされることができる。分散物は、適切な／用途のためのインクとして印刷されることができる。分散物は、光起電力電池の形成のため又は印刷された電子回路の形成のためなどの、選択的にドーピングされた半導体材料の堆積物を形成するために用いられることができる。
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【課題】半導体層形成前に反応室内に存在する不純物濃度を低減するための処理時間を短縮し、シングルチャンバ方式によっても良質な半導体層を形成することが可能な半導体層製造方法および半導体製造装置ならびにこれらを用いて製造される半導体デバイスを提供する。
【解決手段】密閉可能な反応室の内部で半導体層を形成する半導体層製造方法であって、反応室の内部の不純物を置換ガスを用いて除去する不純物除去工程と、半導体層を形成する半導体層形成工程とを含み、不純物除去工程は、反応室の内部に置換ガスを導入する置換ガス導入工程と、置換ガスを排気する排気工程とからなるサイクルを複数回繰り返す工程であり、不純物除去工程は、少なくとも半導体層形成工程の前に行なわれる、半導体層製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および／または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、（Ａ）式Ｓｉ_ｎＲ_ｍで表されるポリシラン化合物 並びに（Ｂ）シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜中のボロン密度に対して光導電率が高められたｐ型アモルファスシリコン薄膜を得る。
【解決手段】触媒ＣＶＤ法により形成することができるｐ型アモルファスシリコン薄膜であって、薄膜中のボロン密度が７×１０^２０〜２×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^−３であり、光導電率が８×１０^−５〜２×１０^−３Ｓ／ｃｍであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】集光により十分高い変換効率が得られる太陽電池を提供すること。
【解決手段】半導体基板１２上に平面方向に複数形成された光電変換層１３を有すると共に、光電変換層１３の受光面側および裏面側に形成された受光面電極１８および裏面電極１９を有する太陽電池セル１１と、太陽電池セル１１の受光面側にかつ複数の光電変換層１３に対応する位置に形成されたレンズ群Ｌとを備えたことを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

本発明は、ジチオール遷移金属錯体、およびセレニウムに類似したこの化合物における、有機半導体マトリクス材料をドーピングするためのドーパントとしての使用に関する。
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本発明は、電子部品又は光電子部品における、電荷注入層、電極材、又は記憶材としての有機半導体マトリックス材をドープするためのドーパントとしての配位化合物の使用、有機半導体材料、及び電子部品又は光電子部品に関する。 （もっと読む）

エミッタ接合領域及びドープ・ベース領域を有する複数の角錐形単位セルを含む角錐形状三次元薄膜太陽電池セル基板、エミッタ金属化処理領域、及びベース金属化処理領域を含む、角錐形状三次元薄膜太陽電池セル。任意選択として、角錐形状三次元薄膜太陽電池セルは、光閉じ込め及び変換効率を改善するために後部ミラーに取り付けることができる。
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【課題】製造コストを低減することができるとともに出力を向上することができる薄膜太陽電池およびその薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、少なくとも裏面電極層を分離する分離溝を備え、透明電極層が半導体光電変換層および裏面電極層よりも分離溝の長手方向に突出している薄膜太陽電池とその薄膜太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）