【課題】 生産効率が優れ、かつその性能において欠点やバラツキのないフィルム状太陽電池を提供する。
【解決手段】 ポリアミド酸を支持体に流延・乾燥して、ポリイミド前駆体フィルムの一方の面（Ａ面）のイミド化率をＩＭａとし、他一方の面（Ｂ面）のイミド化率をＩＭｂとするとき、ＩＭａ、ＩＭｂの両者の差が５以下であるポリイミド前駆体フィルムを得、該ポリイミド前駆体フィルムを熱によりイミド化させて得られるポリイミドフィルムであって、波長５００ｎｍでの光線透過率が５０％以上である無色透明ポリイミドフィルムに光電変換薄膜を積層したことを特徴とするフィルム状太陽電池。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エネルギー変換効率の高い有機薄膜太陽電池素子を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成される光電変換層と、上記光電変換層上に形成され、上記第１電極層と対向する電極である第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池素子であって、上記光電変換層が、フラーレンナノウィスカを含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】 入射光を最大限に活用できる光起電力素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２および非晶質窒化シリコン等からなる反射防止膜３が順に形成されている。ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、正極１００および負極２００が隣接するように設けられている。正極１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成された側ｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含む。負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含む。 （もっと読む）

【課題】光電池をアニールするための方法を提供する。
【解決手段】第一種の導電性を有するシリコンをベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、光電池の正面（１０８）上の少なくとも一つの金属化層（１１０）、及び、基板の裏面上の少なくとも一つの金属化層、を備える少なくとも一つの光電池（１００）をアニールするための方法を提案する。この方法は、周囲空気中そして周囲圧力で、ａ）約７００℃及び９００℃の間の温度で光電池に第１のアニールをすること、ｂ）約２００℃及び５００℃の間の温度で光電池に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含み、この処理の間、基板中に水素が拡散される。 （もっと読む）

【課題】第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。
【解決手段】ａ）光電池（１００）の正面（１０８）上に少なくとも一つの金属化層（１１０）を形成すること、ｂ）約８００℃及び９００℃の間の温度で光電池（１００）に第１のアニールをすること、ｃ）基板（１０２）の裏面上に少なくとも一つの金属化層（１１２）を形成すること、ｄ）約７００℃及び８００℃の間の温度で光電池（１００）に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キャスト成長法において、Ｓｉバルク多結晶の方位を｛１１０｝面のみに揃えることができる、簡便なＳｉバルク多結晶の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ルツボを用いたＳｉバルク多結晶の融液成長において、Ｓｉ融液にＧｅを添加し、成長初期にルツボ底面に沿って＜１１２＞方向に伸びるデンドライト結晶を発現させ、デンドライト結晶の上面を｛１１０｝面とした後、上記デンドライト結晶の上面にＳｉバルク多結晶を成長させることを特徴とする、結晶粒方位の揃ったＳｉバルク多結晶の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に対して同時にドーピングおよび酸化を実行する方法および当該方法の利用を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に対して同時にドーピングおよび酸化を実行する方法および当該方法に従って生産されたドーピングおよび酸化が施された半導体基板に関する。さらに、本発明は、太陽電池を生産するための当該方法の利用に関する。 （もっと読む）

ある実施形態では、本発明は薄いコンフォーマル皮膜で被覆された細長いナノ構造体を含む光起電力装置（例えば、太陽電池）に関する。通例、かかるコンフォーマル皮膜は実質的に連続した電荷分離接合を与える。実施形態に応じ、かかる装置はｐｎ接合（１００）、（ｐ層とｎ層との間に薄い真性トンネリング層を有する）ｐｉｎ接合（４００）、及び／又はヘテロ接合（６００）を含み得る。しかし、いずれの場合にも、細長いナノ構造体は光起電力装置中の能動光起電（ＰＶ）要素である。さらに、本発明はかかる装置の製造方法及び使用方法にも関する。かかる光電解装置又は太陽電池は、コスト的には薄膜型太陽電池と同等であると思われるが、コンフォーマルである電荷分離接合のために一層高い効率を有する可能性がある。さらに、ナノ構造体は全体として優れた光トラッピング特性及び光吸収特性を与える。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に、コンタクト抵抗、配線抵抗をともに小さくし、半導体基板との接着強度、ハンダを介した配線との接着強度を十分に有する電極を形成することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、電極が形成された半導体基板であって、前記電極は二層以上の多層構造を有するものであり、前記多層構造のうち、少なくとも前記半導体基板に直接接合する第一電極層は、少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてＴｉ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎの酸化物のうち少なくとも一種を含有するものであり、前記第一電極層上に形成される電極層のうち、少なくとも配線と接合される最表層の電極層は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しないものである半導体基板。 （もっと読む）

【課題】球状半導体の製造と、その球状半導体の基板への配置とを連続的に行うことができる半導体デバイスの製造装置とそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造装置は、半導体原料１０を溶融する溶融炉１１０と、溶融炉１１０に接続された落下塔１２０と、落下塔１２０の下部に接続された収容部１３０とを備え、溶融炉１１０は、溶融した半導体原料１０を落下塔１２０に滴下するための電磁開閉弁１１１と、溶融した半導体原料１０を帯電させる直流電圧印加装置１１２とを備え、落下塔１２０は、帯電して落下する半導体原料１０の落下軌道を制御する静電偏向器１２１を備え、収容部１３０は、基板１２を載置するステージ１３１を備えている。 （もっと読む）

【課題】 透明で低コストの透明導電膜を提供するとともに、該透明導電膜を形成することにより、生産性を向上させ、かつ低コストで高性能、高信頼性の光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 表面に酸化層が形成された金属微粒子を用意する工程と、前記金属微粒子と無機または有機金属化合物を溶解させた有機溶媒に分散させて、混合原料溶液を調整する工程と、前記混合原料溶液を基体の表面に塗布する工程と、前記基体の表面に塗布された混合原料溶液を熱処理して、透明導電膜を形成する工程と、を少なくとも備えることで、基体との接触抵抗を改善し、低コストで高効率の光電変換装置を得る。 （もっと読む）

【課題】 大量の結晶シリコン粒子に対して均一に第２の導電型の半導体層を形成することのできる回転式拡散装置を提供し、さらに低コストかつ高性能で信頼性の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 回転式拡散装置は、内部に多数の第１の導電型の結晶シリコン粒子を入れて回転させながら酸素を含む第２の導電型用の不純物ガスを導入することによって結晶シリコン粒子の表面に不純物を含有した珪酸ガラスを形成するための、端部に入口が設けられた横置きされた円筒状または俵型の拡散管と、拡散管の入口側に設けられて拡散管を外部から回転させるチャッキング部とを有している。 （もっと読む）

【課題】ｉ型非晶質シリコン系光電変換層とｉ型結晶質シリコン系光電変換層を同一の成膜室内でプラズマＣＶＤ法により形成しても、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層にも良質な膜を得ることができる、シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置および光電変換素子を提供する。
【解決手段】プラズマ発生用の電力供給手段１０８にＣＷ交流電源とパルス変調された交流電源の両方を備え、ＣＷ交流電源を用いてｉ型結晶質シリコン系光電変換層を成膜し、パルス変調された交流電源を用いてｉ型非晶質シリコン系光電変換層を成膜する。パルス変調された交流電源では、瞬間的な印加電圧を大きくすることができ、均一なプラズマを発生させ、かつ、投入される電力量の時間平均値を低減し成膜速度を低下させることができるので、良質なｉ型非晶質シリコン系光電変換層が成膜できる。 （もっと読む）

本発明の目的は、太陽電池のエネルギー収量の効率を改善することである。本発明によるシリコン材料は、該材料が層の約６０ｎｍの深さまで浸透するように、１種または２種以上の異なるランタノイドを用いてドープされる。そのエネルギーが１.２ｅＶシリコン材料バンドギャップの少なくとも２倍である光子は、従ってランタノイドの不対４ｆ電子の励起および再結合によってシリコンバンドギャップの領域中でエネルギーを有する少なくとも２つの光子に変換される。シリコンバンドギャップに近い好都合なエネルギーを有する結果として、さらなる光子が電子正穴対の形成のために提供される。 （もっと読む）

【課題】感度および応答速度がともに優れたシリコン系の受光素子を提供する。
【解決手段】シリコン原子を主成分とする母体半導体と、格子点サイトの前記シリコン原子と置換されるｎ型ドーパントＤと、前記ｎ型ドーパントＤに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚとを含み、前記異種原子Ｚは前記ｎ型ドーパントＤとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となっている光電変換層を有することを特徴とする受光素子。 （もっと読む）

第１の導電型の半導体材料を含み、第１の受光表面及び第１の表面の反対側の第２の表面を有するウエハ；ウエハの第１の表面の上に配置されている第１のパッシベーション層；ウエハの第２の表面の上に配置され、ウエハのものとは反対の導電型を有する点接触を含む第１の電気接点；ウエハの第２の表面の上に配置され、第１の電気接点から電気的に分離されており、ウエハのものと同じ導電型を有する点接触を含む第２の電気接点；を含む太陽電池。
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【課題】半導体基板に十分量のドーパントを拡散させることによって、ｐ-ｎ接合特性を向上できる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による太陽電池の製造方法は、半導体基板の一面に多孔性膜を形成する段階と、前記多孔性膜にドーパントを含有する化合物を噴射する段階と、前記ドーパントを拡散させて前記半導体基板の一面にエミッタ層を形成する段階を含む。かかる製造方法を用いることで、導体基板に十分量のドーパントを拡散させることが可能となり、太陽電池のｐ-ｎ接合特性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ドーパントとしてガリウムを使用し、安定して高効率に結晶化するとともに高い結晶性を持った多結晶シリコンからなる結晶シリコン粒子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 酸素ガスおよび／または窒素ガスから成る反応性ガスを含む雰囲気ガス中で、所定量のガリウムをドープされた結晶シリコン粒子１０６を加熱してその表面に前記反応性ガスの成分を含む珪素化合物層を形成し、次に前記結晶シリコン粒子１０６を加熱して前記珪素化合物層よりも内部側を溶融させた後降温し凝固させて単結晶化して、結晶シリコン粒子１０６を製造する。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト吸収層（４，５）を有する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】製造過程でＮａ，Ｋ及びＬｉから選択される元素又は該元素の化合物をドーピング添加することにより、完成した吸収層内に所望のアルカリ金属含量を得る。場合によるアルカリ金属含有基板（１）からのアルカリ金属イオンの付加的拡散侵入は、基板と吸収層の間に拡散遮断層（２）を設けることにより阻止する。 （もっと読む）

【課題】
集電電極を有する薄型の半導体基板について、基板の反りによる製造歩留りの低下および集電電極の高抵抗化を解消する。
【解決手段】
太陽電池素子用の半導体基板１と、該半導体基板１の非受光面上に設けられＡｌを主成分とする集電電極９とを備えた太陽電池素子であって、集電電極９は、気孔率が１０％以下（０％を除く）である第一電極層１０と、第一電極層１０よりも気孔率が大きい第二電極層１１との積層構造を有するように構成する。 （もっと読む）