【課題】金属電極と半導体間のコンタクト抵抗を低減することによって、出力特性を向上させた光電変換素子、ならびにそれから構成される光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】比較的高い変換効率を有し、かつ、製造が容易な、電磁放射エネルギーを電気エネルギーに変換する装置(10)を提供すること。
【解決手段】電磁放射エネルギーを電気エネルギーに変換する装置(10)は、少なくとも放射線感受性面を有する光起電力素子(11)を備え、希土類元素が添加されたシリコン化合物を備えている材料の被覆層(12)が、放射線感受性面に存在し、被覆層の材料が、シリコンと窒素の化合物を備える。Sr₂Si₅N₈:Euのような化合物で、良好な結果が得られた。 （もっと読む）

【課題】結晶系半導体への不所望な量の水素拡散に起因する出力の低下を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。
【解決手段】この光起電力装置は、ｎ型単結晶シリコン基板１と、ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面上に形成され、水素を含有するとともに、実質的に真性のｉ型非晶質シリコン層２ｂと、ｉ型非晶質シリコン層２ｂ上に形成されたｎ型非晶質シリコン層２ｃと、ｎ型単結晶シリコン基板１とｉ型非晶質シリコン層２ｂとの間に配置され、ｉ型非晶質シリコン層２ｂからｎ型単結晶シリコン基板１に水素が拡散するのを抑制する機能を有するｉ型非晶質シリコン層２ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】
長期間の使用によって出力特性が低下した太陽電池モジュールを、効果的に再生するための方法を提供する。
【解決手段】
基板５上に形成された接続電極１と、接続電極１へ電力を供給し、又は、接続電極１から電力を取り出すリード線２と、接続電極１とリード線２との間に配され、両者を電気的に接続する第１の半田３と、を含んで成る太陽電池モジュールを再生するための方法であって、表面に酸化膜４が形成されている第１の半田３の少なくとも一部を酸化膜４の融点未満の温度条件で溶融させる半田溶融工程と、半田溶融工程で第１の半田３を熱膨張させて、酸化膜４を分断させる酸化膜分断工程とを含むように構成した。 （もっと読む）

本発明は、シリコンをベースとする前駆体から出発して、蒸着により基板表面にシリコン膜を製造する方法において、使用される前記前駆体が四塩化ケイ素であることを特徴とするシリコン膜の製造方法に関する。本発明は、本発明による方法により得られた薄膜太陽電池又は結晶質シリコン薄膜太陽電池にも関する。本発明は、気相から基板上に堆積された膜を製造するための四塩化ケイ素の使用にも関する。 （もっと読む）

本発明は、基板を精密加工するための方法であり、基板表面に向けられかつ処理試薬を含む液体ジェットが、加工される基板の領域の上に誘導され、レーザ光線が、前記液体ジェットにカップリングされる方法に関する。同様に、本方法の実施に適した装置も説明する。本方法は、太陽電池の製造における種々のプロセス工程に使用される。
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【課題】
セルの組成に砒素元素を含まず、かつ従来の組成のセルと同等の変換効率が期待できるIII-V族系化合物半導体多接合型太陽電池セルの構造を提供する。
【解決手段】
本発明は、Ge基板上に形成された直上層と、前記直上層上に積層された複数の成長層を有する多接合型太陽電池であって、前記直上層はGaInP、GaSbP、GaInNPの何れかの組成からなり、前記成長層はAｌ，Ga，Inと，N，P，Sbの元素の組み合わせから成るIII-V族化合物半導体もしくはIII-V族化合物半導体混晶から成る多接合型太陽電池とした。
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【課題】 高品質な粒状シリコン結晶を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置に適した結晶シリコン粒子を製造することを目的とする。
【解決手段】上面に複数個の半導体粒子１０１を載置した台板１０２を加熱炉２０１内に導入し、半導体粒子１０１を加熱して溶融させた後、この溶融した半導体粒子１０１を台板１０２側から上方に向けて固化させることによって結晶半導体粒子１０１とする結晶半導体粒子１０１の製造方法である。また、台板１０２は、上面の表面の表面粗さの平均間隔ＲＳｍが半導体粒子１０１の直径よりも小さい粗面とされていることで、小面積の凝固起点を有することにより、得られる結晶が電気特性に優れた高品質の単結晶となる。また、第１導電型のドーパントに一方の極１０３から対向する極１０４に向かって濃度勾配が形成されている結晶半導体粒子１０１を用いて、高い変換効率の光電変換装置を提供する。 （もっと読む）

一態様では、態様電池の活性拡散接合部（２１１、２１２、２１３、２１４）が、ウェハ（１００）の裏面に選択的に堆積されたドーパント源（２０１、２０２、２０３、２０４）からのドーパントの拡散によって形成される。ドーパント源（２０１、２０２、２０３、２０４）は、例えば印刷法を使用して選択的に堆積することができる。様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。例えば、３つ又は４つの活性拡散領域を製造して、これにより、太陽電池のシリコン／誘電体境界、シリコン／金属境界又はそれら両方が最適化される。ウェハの前面（１０３−１）は、ドーパント源（２０１、２０２、２０３、２０４）の形成前に、ウェハ材料の除去を抑えるテクスチャリングプロセスを使用して、テクスチャリングすることができる。金属格子線を活性拡散接合部に接続するための開口は、自己整合コンタクト開口エッチングプロセスを使用して形成することができ、これにより、不整合の影響は低減される。
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本発明は、光起電活性半導体材料及び光起電活性半導体材料を含む光電池であって、光起電活性半導体材料がテルル化亜鉛からなる結晶格子を含み、そしてテルル化亜鉛結晶格子において、ＺｎＴｅを、０．０１〜１０モル％のＣｏＴｅ、０〜１０モル％のＣｕ₂Ｔｅ、Ｃｕ₃Ｔｅ又はＣｕＴｅ及び０〜３０モル％の少なくも１種の、ＭｇＴｅ及びＭｎＴｅからなる群から選択される化合物で置換し、且つテルル化亜鉛結晶格子において、Ｔｅを０．１〜３０モル％の酸素で置換する光起電活性半導体材料及び光起電活性半導体材料を含む光電池に関する。更に光電池は、テルルと共に金属テルル化物を形成するリアコンタクト材料からなるリアコンタクトを有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶を基板とする太陽電池素子において、変換効率をより高くすることのできる太陽電池用シリコン単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）ゲルマニウムの含有量が０．１モル％以上、１．０モル％未満とし、望ましくはゲルマニウムの含有量を０．１モル％以上、０．６モル％以下する太陽電池用シリコン単結晶基板である。さらに、抵抗率が１．４〜１．９Ωｃｍである場合には、ゲルマニウムの含有量が０．０３モル％以上、１．０モル％未満とする。この基板は、ＣＺ法で引き上げられたシリコン単結晶から切り出して作製することがでる。（２）ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、ルツボ内でゲルマニウムを添加させたシリコン融液の表面に種結晶を接触させて馴染ませた後、回転させながら引き上がられてゲルマニウムを含有した単結晶から切り出す太陽電池用シリコン単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】単結晶を基板とする太陽電池素子において、変換効率をより高くすることのできる太陽電池用シリコン単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）ゲルマニウムの含有量が０．１モル％以上、１．０モル％未満とし、さらに望ましくはゲルマニウムの含有量を０．１モル％以上、０．６モル％以下する太陽電池用シリコン単結晶基板である。この基板は、ＣＺ法で引き上げられたシリコン単結晶から切り出して作製することができ、さらに、表面を研磨後、所定の処理を施工して電池素子を構成することができる。（２）ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、ルツボ内でゲルマニウムを添加させたシリコン融液の表面に種結晶を接触させて馴染ませた後、回転させながら引き上がられてゲルマニウムを含有した単結晶から切り出す太陽電池用シリコン単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】合金成分およびドーピング材、とくにゲルマニウムおよびガリウムの位置による濃度変動の少ない太陽電池の基板用シリコン多結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】冷却るつぼ誘導溶融法にて連続的に溶融鋳造されたゲルマニウムを含有する太陽電池の基板用シリコン合金多結晶。ゲルマニウムの含有量は０．１〜６．０モル％で、ドーピング材はとくにガリウムを用いることが好ましい。冷却るつぼ誘導溶融においては、合金成分および／またはドーピング材の目標濃度をＣ_Sモル％、その平衡偏析係数をｋ₀とするとき、るつぼ内の溶融液の濃度を下記（１）で得られるＣ_Lモル％とし、溶融液には添加成分がＣ_Sモル％配合された原料を追加投入しつつ、連続して溶融鋳造をおこなう多結晶合金の製造方法。
Ｃ_L＝Ｃ_S／ｋ₀ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】バスバ電極に半田付けされるコネクタが剥がれ難く、かつ、バスバ電極による太陽光の遮蔽が小さい低コストで高効率の太陽電池および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＰＮ接合が形成された半導体基板５と、半導体基板５の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガ電極４と、半導体基板５上でフィンガ電極４に接続されたバスバ電極３とを具備する太陽電池であって、バスバ電極３は、表面上に凹凸パターン１が形成されたものであることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

本発明は、ドープ層形成のために後で高温処理に送られる、半導体基板のコーティング用ドーパント混合物に関する。更に、本発明は、この種ドーパント混合物の製造方法およびその使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を低減することができる薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】 透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と半導体光電変換層と裏面電極層と、を含む薄膜太陽電池を製造する方法であって、透明絶縁基板側から第１レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域の半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と透明絶縁基板側から第２レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域よりも外側の領域の透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程とを含む薄膜太陽電池の製造方法である。透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と半導体光電変換層と裏面電極層とを含み、周縁部において半導体光電変換層および裏面電極層よりも透明電極層が外側に突出している薄膜太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】電極と基板との間の接触抵抗が大きく低減されるとともに、電極の剥離も生じない高効率の太陽電池を高い生産性でかつ低コストで安定的に得ることができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、半導体基板上にＰＮ接合を形成した後、導電性ペーストを印刷して焼成し、該半導体基板を１回以上酸に浸漬させることによって電極を形成する太陽電池の製造方法において、前記導電性ペーストを印刷して焼成した半導体基板を親水性溶媒で濡らした後、乾燥させることなく酸に浸漬させることを特徴とする太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面の電極による太陽光の遮蔽が小さく高効率であり、酸浸漬等による電極剥がれを防止できて生産歩留まりの高い太陽電池を提供する。
【解決手段】ＰＮ接合が形成された半導体基板１と、半導体基板１の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガー電極２と、フィンガー電極２に接続するバスバー電極３を具備する太陽電池であって、フィンガー電極２が、少なくとも、バスバー電極３と接続する電極幅が一定の定幅部４と、定幅部４に接続する定幅部４よりも幅が広い幅広部５とを有するものであることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクトを得ながら、受光面の電極以外の部分での表面再結合およびエミッタ内の再結合を抑制することにより、光電変換効率を向上させた太陽電池を、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板にｐｎ接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第１導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第１塗布剤と少なくとも第１塗布剤に接するようにドーパントを含む第２塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第１塗布剤の塗布により形成される第１拡散層と、第２塗布剤の塗布により形成され、第１拡散層より導電率が低い第２拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクトを得ながら、受光面の電極以外の部分での表面再結合およびエミッタ内の再結合を抑制することにより、光電変換効率を向上させた太陽電池を、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板にｐｎ接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第１導電型の半導体基板上にドーパントを含む第１塗布剤を塗布し、気相拡散熱処理により、第１塗布剤の塗布により形成される第１拡散層と、気相拡散により第１拡散層に接するように形成され、第１拡散層より導電率が低い第２拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法及び太陽電池。 （もっと読む）