【課題】 薄膜結晶半導体を発電層とする光起電力装置において、光電変換効率を向上させる。
【解決手段】 基板１上に、第１電極層２、第１導電型の半導体層３、実質的に真性なｉ型薄膜結晶半導体層４、第１導電型と逆の導電型の第２導電型の半導体層６、及び第２電極層７を順次積層した光起電力装置において、ｉ型薄膜結晶半導体層４の下地層となる第１導電型の半導体層３が薄膜結晶半導体層であり、結晶化を阻害する元素が含有されていることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、化学式（Ｉ）又は（ＩＩ）の光電活性半導体材料を含む光電池及びその光電池を製造する方法に関し、
ＺｎＴｅ （Ｉ）
Ｚｎ_1-xＭｎ_xＴｅ （ＩＩ）
（但し、ｘは、０．０１から０．７である）
光電活性半導体材料が、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、ビスマス及び銅から成る群から選択される金属、及び、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素から成る群から選択されるハロゲン元素を含む金属を含有する金属ハロゲン化物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンもしくはゲルマニウムを主成分とするｐ型半導体層３、実質的に真性なｉ型半導体層５、ｎ型半導体層６を積層したｐｉｎ接合を少なくとも一つ有する非単結晶太陽電池において、ボロンドープｐ型薄膜に比べ、曲線因子や変換効率のよい、優れたセル特性を有する非単結晶太陽電池及びその製造方法並びにその製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持体の各凹部内に単体の球状光電変換素子を収容する方式の太陽電池において、所定位置に球状素子を正確かつ確実に固定し、さらに球状素子の半導体と導電体層間を低抵抗で電気的接続ができる製造法を提供する。
【解決手段】球状の第１半導体を被覆する第２半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した球状素子を、第１導電体層である支持体の凹部に、電極が支持体の裏側に突出するように位置決めし、支持体の凹部の底部の孔周辺部に塗布した導電性ペーストの熱処理により固定する。支持体の裏面側に電気絶縁体層を形成し、電気絶縁体層から露出する電極を相互に連結するように塗布した導電性ペーストを熱処理して第２導電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶半導体粒子を導電性基板に接合するに際して、結晶半導体粒子と導電性基板との熱膨脹差に起因して温度サイクル等の信頼性評価を行った場合に接合部の境界面にクラックが発生、進展し、光電変換効率が劣化するという問題があった。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１の一主面に、一方導電型の結晶半導体粒子４が多数個、下部を導電性基板１に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁物質３を介在させるとともに上部を絶縁物質３から露出させて配置されて、これら結晶半導体粒子４に他方導電型の半導体部３および透光性導体層６が設けられており、結晶半導体粒子４は、導電性基板１との接合部とその残部との境界面が導電性基板１の一主面と略平行であるか、または境界面の中央部が外周部よりも導電性基板側１に位置している。 （もっと読む）

【課題】 高効率な光電変換効率を有する、結晶半導体粒子を用いた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 導電性基板１の一主面に、ｐ型結晶半導体粒子４が多数個、下部を導電性基板１に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁体３を介在させるとともに上部を絶縁体３から露出させて配置されて、これらｐ型結晶半導体粒子４にｎ型半導体層および透光性導体層６が設けられた光電変換装置であって、ｐ型結晶半導体粒子４下部の導電性基板１との接合部における硼素濃度がｐ型結晶半導体粒子４の残部の硼素濃度よりも高いことによって、ｐ型結晶半導体粒子４下部の接合部をｐ＋層としてｐ型キャリアの収集部としＢＦＳ効果を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 低い製造コストで優れた変換効率の実現が可能な結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電型の結晶シリコン基板上に塗布されたＡｌペーストを焼成して裏面電極を形成するＡｌ焼成工程と、該Ａｌ焼成工程よりも後に設けられる、窒化シリコン膜の成長工程と、を含む結晶シリコン太陽電池の製造方法に関する。本発明においては、窒化シリコン膜の成長工程の後、さらに後焼成工程が設けられることが好ましい。また本発明においては、Ａｌ焼成工程における焼成温度が窒化シリコン膜の成長工程における成長温度および該後焼成工程の温度よりも高く設定されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化数が精密に制御された金属ドープＣｕ_２Ｏ膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたＣｕ_２Ｏ膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。ターゲット２１ａ，２１ｂの一方は銅であり、他方はドープ金属である。 （もっと読む）

本発明は、光起電力活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電力活性半導体材料が、式（Ｉ）（Ｚｎ_1-xＭｎ_xＴｅ）_1-y（Ｓｉ_aＴｅ_b）_y （Ｉ）［式中、ｘは、０．０１〜０．９９の数であり、ｙは、０．０１〜０．２の数であり、ａは、１〜２の数であり、かつｂは、１〜３の数である］の混合化合物を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料である光起電力セルに関する。 （もっと読む）

本発明は、光起電力活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電力活性半導体材料が、式（Ｉ）の二元化合物又は式（ＩＩ）の三元化合物：ＺｎＴｅ（Ｉ）Ｚｎ_1-xＭｎ_xＴｅ（ＩＩ）［式中、ｘは０．０１〜０．９９の数である］を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料であり、その際、この光起電力活性半導体材料中ではテルルイオンが所定の割合までハロゲンイオン及び窒素イオンで置換されており、かつこのハロゲンイオンは、フッ化物、塩化物及び臭化物又はこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする光起電力セルに関する。 （もっと読む）

【課題】 変換効率が大きい太陽電池を作製することができる多結晶シリコンならびにこの多結晶シリコンを含む太陽電池および太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】 第１のドーパントとして半導体の導電型を決定するドーパントと、第２のドーパントとしてＡｌ、Ｃａ、Ｓｒ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種類の元素とを含有する多結晶シリコン１０。この多結晶シリコン１０を含む太陽電池。この太陽電池を含む太陽電池モジュール。 （もっと読む）

【課題】電流出力が光照射された面積及び光強度に比例し、その電圧出力は光電変換構造体の厚さに比例し、光電変換構造体表面の任意表面への照射により出力制御が可能である光電変換構造体を実現する。
【解決手段】微結晶の配向性が制御された光起電力材料の多結晶厚膜または薄膜を含む膜構造体と、正及び負の電極６、９とを備えており、正及び負の電極６、９の少なくとも一方は透光性のある電極材料から成り、光起電力材料の多結晶厚膜または薄膜を含む膜構造体は、配向性制御層７またはこの配向性制御層７の上部に誘電体層８が積層された構造であり、配向性制御層７は、化学溶液法で形成され、この形成時の化学溶液の熱処理温度の制御により微結晶の配向性が制御されている。 （もっと読む）

本発明は、半導体層の再結晶化及びドーピングを同時に行うための方法、詳細には結晶性シリコン薄層太陽電池を製造するための方法に関する。この方法では、第１の工程において、基板ベース層１が形成され、それに続く工程において、その基板ベース層上に、少なくとも１つのドープされた部分層を有する中間層構造２が堆積され、それに続く工程において、中間層構造２上に、ドープされないか、又は同様にドープされる吸収体層３が堆積され、再結晶化工程において、吸収体層３が加熱され、溶融され、冷却され、焼き戻される。有利な方法の変更形態では、ドープされないキャッピング層の代わりに、少なくとも１つの部分層を有するキャッピング層構造４を、吸収体層３の上に被着被着することもできる。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
（もっと読む）

本発明は、ドープ剤でドープされた少なくとも１つの層と該ドープされた層上に堆積される他の型の層とを有する半導体装置を単一の反応室内で製造する方法に関する。前記ドープされた層の堆積工程と前記他の型の層の堆積工程との間に、前記ドープ剤による前記他の層の汚染を避けるための操作が挿入される。該操作が前記ドーピング剤と反応することのできる化合物を反応室に添加する段階を含むと好ましい。
（もっと読む）

本発明は、一体化した電界（「ドリフト電界」）によって標的電荷キャリアをｐ−ｎ遷移へと移送するシリコン薄膜の製造方法について記載している。結晶化の速度を変化させ、液状シリコンにドーピング物質を前もって導入することによって、薄膜の厚さに渡ってシリコン中のドーピングプロファイル中に勾配が作られるように、結晶化プロセスを実施することができる。ドーピングプロファイルのこの勾配が、電界を生じさせる。様々な薄膜キャスティング技術を用いて、このように比較的簡単なやり方で、太陽電池の製造に適した薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

導電性基板上に、直列に配置された複数のサブセルを備えたモノリシック半導体光起電太陽電池。複数のサブセルのうちの少なくとも一つのサブセルがエピタキシャルに成長させた自己組織化量子ドット材料を含んでいる。サブセルは、トンネル接合を介して電気的に接続されている。各々のサブセルは、有効バンドギャップエネルギーを有している。サブセルは、有効バンドギャップエネルギーが大きくなる順に配置され、最も低い有効バンドギャップエネルギーを有するサブセルが、基板に最も近い。ある場合には、各サブセルが、ほぼ同量の太陽光子を吸収するよう設計されている。 （もっと読む）

本発明はPV太陽電池用の珪素（シリコン）ウェファを製造するために指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造する珪素供給原料に関し、該珪素供給原料はこれに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と０.1〜10ppmaのリンとを含有する。本発明は更にインゴットに分布した0.2〜10ppmaのホウ素と0.1〜10ppmaのリンとを含有する、太陽電池用ウェファを形成するための指向的に凝固した珪素インゴット又は珪素薄板又はリボンに関し、該珪素インゴットはインゴット高さ又はシート又はリボンの厚さの40〜99％の地点でp−型からn−型へ又はn−型からp−型への型式変化を有し且つ0.4〜10 ohm cmの開始値を有する指数曲線によって表わした抵抗率分布を有し、その際抵抗率値は型式の変化点に向かって増大する。最後に、本発明はPV太陽電池用の珪素ウェファ生産用の指向的に凝固した珪素インゴット、薄板及びリボン状物を製造するための珪素供給原料の製造方法に関する。
（もっと読む）

【課題】めっき電極の機械的密着性および電気的接触性を向上させると共に簡便な工程で、低コストで高効率な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の電極形成方法は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成することを特徴とする。また、本発明の太陽電池は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成する方法により製造されることを特徴とする。 （もっと読む）