【課題】従来に比して薄膜太陽電池の製造コストを抑えるとともに、中間層の下に形成される光電変換層の光電変換効率の低下を引き起こさない薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】絶縁透光性基板２上に、表面電極層１１と、シリコンを含む半導体材料からなるｐ型半導体層１３１、ｉ型半導体層１３２およびｎ型半導体層１３３を順に積層した第１の光電変換層１３と、ｎ型の微結晶シリコンとアモルファスシリコンとが混在する複合層１４Ａと、を順に形成し、酸素ガスを含むプラズマを複合層１４Ａに照射して、微結晶シリコンとアモルファス酸化シリコンとが混在する中間層１４を形成した後、中間層１４上に、第１の光電変換層１３よりもバンドギャップの小さいシリコンを含む半導体材料からなるｐ型半導体層１５１、ｉ型半導体層１５２およびｎ型半導体層１５３を順に積層した第２の光電変換層１５と、裏面電極層１６と、を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの損傷が抑制される薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、基板と、それぞれが一定の幅を有する３つ以上のセルストリングを含むセルモジュールとを備え、各セルストリングは、直列接続された複数の太陽電池セルを備え、前記セルストリングは、前記基板上に、前記太陽電池セルが直列接続された方向に対して垂直な方向に並べて設けられかつ双方的に互いに並列接続され、前記太陽電池セルは、それぞれ表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順で重ねて備え、各セルストリングは、該セルストリングに含まれかつ隣接する前記太陽電池セルの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続しかつ該セルストリングの幅と同じ幅を有するコンタクトラインを備え、前記３つ以上のセルストリングのうち両端の前記セルストリングの少なくとも一方は、他の前記セルストリングより広い幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窓材ガラスとして用いられるような、十分に透明な光起電デバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、基体（３）上に配置されたｐ−ｉ−ｎ型の複数の光電池（２）を含む光起電デバイス（１）に関する。この本発明の光起電デバイス（１）は、単層の形で、互いに平行に配置されており、導電層（７）が、各電池（２）の連続するｎ層（６）とｐ層（５）との間に配置されており、それによって複数の光電池（２）が直列に電気的に接続されている。また本発明は、グレージングとしてのこのような光起電デバイス（１）の使用、このような光起電デバイス（１）の製造方法、透明なこのような光起電デバイス（１）の検査方法、及びこのような検査方法を実施するための設備に関する。 （もっと読む）

【課題】第１導電型のａ−ＳｉＣ層と、第２導電型のシリコン含有層、第３導電型のシリコン含有層とが積層された光電変換層を有し、ｐ型アモルファス炭化シリコン層と第２導電型のシリコン含有層との界面でのキャリアの再結合が抑制された光電変換効率に優れた薄膜太陽電池を製造可能な薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】第１導電型のａ−ＳｉＣ層上にバッファ層をプラズマ分解法により形成する工程と、バッファ層上に第２導電型のシリコン含有層をプラズマ分解法により形成する第工程とを有し、バッファ層を形成する工程は、第１導電型のａ−ＳｉＣ層上に、水素を含有するａ−Ｓｉ膜を製膜する工程と、水素を含む雰囲気中において熱処理することにより、ａ−Ｓｉ膜中の水素を熱脱離させるとともにａ−Ｓｉ膜中に第１導電型のａ−ＳｉＣ層層中の炭素を拡散させてａ−Ｓｉ膜の一部または全部をａ−ＳｉＣ膜に改質する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発電効率の優れた太陽電池素子を提供する。
【解決手段】第１の面と第２の面とを含み、第１の導電型を有する半導体基板と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第１の面に設けられた第１ドープ層と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第２の面の第１領域に設けられた第２ドープ層と、半導体基板の第２の面の第２領域に設けられた真性半導体層と、第２の導電型を有し、真性半導体層上に形成された第２の導電型の層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができるとともに出力を向上することができる薄膜太陽電池およびその薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、少なくとも裏面電極層を分離する分離溝を備え、透明電極層が半導体光電変換層および裏面電極層よりも分離溝の長手方向に突出している薄膜太陽電池とその薄膜太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】反転変性多接合電池構造を製造するための商業的に確立された製造方法を使用して、商業的に実用的でエネルギー効率の高い太陽電池を製造すること。
【解決手段】第一バンドギャップを有する上方の第一太陽補助電池と、該第一太陽補助電池に隣接して、該第一バンドギャップより小さい第二バンドギャップを有する第二太陽補助電池と、該第二太陽補助電池に隣接し、該第二バンドギャップより大きい第三バンドギャップを有する第一の勾配中間層と、該第一の勾配中間層に隣接し、該第二バンドギャップより小さい第四バンドギャップを有し、該第二補助電池に対して格子非整合状態の第三太陽補助電池とを含む多接合型太陽電池である。第二の勾配中間層は、該第三太陽補助電池に隣接して、該第四バンドギャップより大きい第五バンドギャップを有し、下方の第四太陽補助電池は、該第二の勾配中間層に隣接して、該第四バンドギャップより小さい第六バンドギャップを有し、該第三補助電池に対して格子非整合であるように構成される。 （もっと読む）

【課題】水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１０の製造方法は、溝部３０にレーザー光を照射することにより、光電変換層１３の一部を除去するステップＡと、光電変換層１３上に透明導電膜１４ａを積層するステップＢと、溝部３０にレーザー光を照射することにより、透明導電膜１４ａの一部を除去するステップＣと、透明導電膜１４ａ上に金属膜１４ｂを積層するステップＤと、溝部３０にレーザー光を照射することにより、金属膜１４ｂの一部を除去するステップＥとを含み、ステップＣにより、透明導電膜１４ａは、溝部３０において、光電変換層１３の側壁を覆いながら、第１電極１２に接するとともに、ステップＥにより、金属膜１４ｂは、溝部３０において、透明導電膜１４ａの側壁を覆いながら、第１電極１２に接している。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができるとともに出力を向上することができる薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝を備え、透明電極層が前記半導体光電変換層および裏面電極層よりも分離溝の長手方向に突出しており、透明電極層の突出している部分よりも外側に位置する透明電極層と半導体光電変換層と裏面電極層とが除去されている、薄膜太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を容易に実現することができるアモルファスカーボン半導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 アモルファスカーボン２を成膜した後、熱処理を行うことにより、アモルファスカーボン２中に分散していたグラファイト形成核を中心として、その周囲部分のみでアモルファスカーボン２を溶融・結晶化させ、所定の大きさのグラファイト３を形成する。このように製造されたアモルファスカーボン半導体１においては、ｓｐ２結合リッチな導電性のグラファイト３がアモルファスカーボン２中に分散している。そのため、アモルファスカーボン２とグラファイト３との割合を体積比で９０：１〜５０：５０の範囲に調整することで、アモルファスカーボン半導体１の抵抗値を低抵抗化させて、所望の抵抗値を容易に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】開放電圧を増加させるとともに、ｎ層と裏面側透明電極層または中間コンタクト層とのコンタクト性を改善して形状因子を向上させた光電変換装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、ｐ層４１とｉ層４２とｎ層とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記ｎ層が、窒素含有ｎ層４３と、該窒素含有ｎ層４３の前記基板１と反対側の面に形成された界面処理層４４とを備え、前記窒素含有ｎ層４３が、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、結晶化率が０以上３未満であり、前記界面処理層４４が、結晶化率１以上６以下であることを特徴とする光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置のユニットセルを構成する半導体層として、欠陥が低減された非単結晶半導体層を形成し、光電変換効率の向上を図る。
【解決手段】第１電極と第２電極との間に、一導電型である第１不純物半導体層と、真性である非単結晶半導体層と、第１不純物半導体層と逆導電型である第２不純物半導体層と、が順に積層されて半導体接合を構成するユニットセルを１つ以上含み、光入射側に配置されたユニットセルにおいて、非単結晶半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される濃度で、窒素を５×１０^１８／ｃｍ^３以上５×１０^２０／ｃｍ^３以下の濃度範囲で含み、酸素および炭素は５×１０^１８／ｃｍ^３未満の濃度である光電変換装置とする。 （もっと読む）

【課題】下部電極中の金属元素と接合層中の酸素が反応し、下部電極が酸化してしまうのを抑制する。また、下部電極中の金属元素が、光電変換層である半導体層に拡散して汚染することや、反応して半導体層が消失するのを抑制する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、裏面電極層、半導体接合を有する結晶性半導体層、受光面電極層とを有し、前記裏面電極層は、金属窒化物または高融点金属で形成された第１の導電層と、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）を主成分とする第２の導電層と、半導体材料と反応性が低い第３の導電層とが積層された構造を有する光電変換装置及びその作成方法に関する。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を招かずに半導体基板の反りを抑えるとともに、変換効率の優れている太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】本発明の導電性ペーストは、アルミニウム粉末と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットとを含み、アルミニウム粉末は、粒径が５．０μｍ以下の小さい粒径の小径粉末Ａと、粒径が７．０μｍ以上の大きい粒径の大径粉末Ｂからなる。 （もっと読む）

【課題】水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール１０は、透明基板１１上に積層された第１透明導電膜１２、第１透明導電膜１２上に積層された光電変換層１３、光電変換層１３上積層された第２透明導電膜１４ａ、及び第２透明導電膜１４ａ上に積層された金属膜１４ｂから構成される発電領域２１を備える。そして金属膜１４ｂは、発電領域２１の端部において第２透明導電膜１４ａの側壁を覆うとともに、光電変換層１３に接している。 （もっと読む）

【課題】改良された交差指型背面接触太陽電池及びその製造方法の提供。
【解決手段】裏面とこれに対向する前面を有する基板と、基板の裏面に形成され、第１のドーピング濃度を有し裏面から基板へと第１の深さだけ延出する第１の拡散領域および第２の拡散領域と、第２のドーピング濃度を有し裏面から基板へと第２の深さだけ延出し第１の拡散領域と第２の拡散領域との間に配置される第３の拡散領域とを有する複数の互いに入り込んだ拡散領域と、複数の互いに入り込んだ拡散領域の隣接する対間の基板の裏面に画定される複数の溝であって、第１の拡散領域は第１の溝によって第３の拡散領域から分離され、第２の拡散領域は第２の溝によって第３の拡散領域から分離される溝とを含み、複数の溝それぞれが第１の深さおよび第２の深さよりも深い裏面から基板への第３の深さを有する、交差指型背面接触太陽電池。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗の増大やマイクロクラックの発生を招くことのない太陽電池素子の電極形成用導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】導電性粒子と、有機バインダと、溶剤と、ガラスフリットとを含み、導電性粒子は、ＡｇとＮｉ、ＡｇとＭｇ、ＡｇとＳｉ、ＡｇとＺｒまたはＡｇとＭｎの合金粉末であって且つ当該合金粉末はアトマイズ法により作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】陽極腐食により光を吸収する面積を極大化して、集光領域を広げることができ、マイクロサイズの半球状の透明電極を用いて、光の乱反射を防止し、光の吸収度を高めることができる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、一面に複数のホールが形成された基板と、ホール内壁及び基板の一面に形成された金属層と、金属層にコーティングされたｐ型半導体と、ホールの内部及び基板の一面に形成されたｎ型半導体と、ｎ型半導体上に形成された透明電極と、ｐ型半導体及び透明電極に形成された電極端子と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却チャネルが改善され、開回路電圧の低下が防止された成形式ウェーハ太陽電池を提供すること。
【解決手段】太陽電池（１０）は、ドープされた第１の層（１８）を含む前面（１２）と、前面と裏面の間にチャネル（１６）を規定する形成体（２２）を含み、前面（１２）と向かい合う、チャネル（１６）の少なくともいくつかの表面上に位置するドープされた第２の層（２０）をさらに含む裏面（１４）と、前面と向かい合う、チャネルの少なくともいくつかの表面上に位置する導電層（３２）とを備える。ドープされた第１の層と第２の層は逆の極性型を有する。 （もっと読む）