【課題】照明装置の輝度均一性を向上しつつ、省電力化を図ることができる、液晶表示装置、バックライトユニット、透光板および導光体を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１は、表示面３５を構成する液晶表示パネル２と、液晶表示パネル２の表示面３５側とは反対側である下方に配置され、複数の光源１３が設けられた発光層５と、発光層５と液晶表示パネル２との間に配置された第１光電変換層２８とを備えている。第１光電変換層２８は、光源１３の上方の位置に形成された、表示面３５側に向いた受光面を有する複数の第１光電変換部３を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池及びそれを製造する製造装置の低コスト化、薄膜太陽電池の品質向上、薄膜太陽電池の発電効率の向上を図る。
【解決手段】基板上に、第１の電極膜を減圧雰囲気下で形成し、その後、大気に曝すことなく、前記第１の電極膜上に、光電変換層を減圧雰囲気下で形成し、その後大気に曝すことなく、前記光電変換層上に、第２の電極膜を減圧雰囲気下で形成して、積層膜を形成する工程と、前記積層膜を分断して、前記基板上に併設された複数の太陽電池セルを形成する工程と、前記複数の太陽電池セルのうちの第１の太陽電池セルの前記第２の電極膜及び前記光電変換層を選択的に除去して、前記第１の電極膜を表出させ、前記第１の太陽電池セルに隣接する第２の太陽電池セルの前記第２の金属膜と、表出させた前記第１の電極膜と、を電気的に接続する製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界によるキャリアの消滅を抑制することで高電流・高電圧を発現できる多結晶シリコン系太陽電池を提供する。
【解決手段】一導電性多結晶シリコン基板を用い、多結晶シリコン基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｐ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、多結晶シリコン基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、多結晶シリコン基板とｎ型シリコン系薄膜層との間に少なくとも１層からなるパッシベーション層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極層、集電極、さらにその上に保護層が順に形成された多結晶シリコン系太陽電池において、多結晶シリコン基板のキャリア濃度が１×１０¹⁰〜５×１０¹⁷ｃｍ^-3の範囲であり、上記パッシベーション層が実質真正な非晶質シリコン系化合物及び／又は非晶質酸化アルミニウムから構成される層である多結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブ法による太陽電池セル分離時における残余物質に起因した出力特性の低下が抑制された高品質の薄膜太陽電池およびその製造方法を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板１０上に、第１電極層１２と光電変換層１３と第２電極層１４とがこの順で積層されてなり、透光性絶縁基板１０よりも上部の層１２、１３、１４が分離溝２０、２１、２２により短冊状に分割された複数の薄膜太陽電池セルが配設された薄膜太陽電池の製造方法であって、遮光性材料からなる線形状のマスク層１１を分離溝２０、２１、２２により分割される層よりも下層または同層に形成し、マスク層１１を含む領域に透光性絶縁基板１０側からレーザ光を照射し、透光性絶縁基板１０の面内方向における一部分がマスク層１１によってマスクされることにより成形されたレーザ光により透光性絶縁基板１０よりも上部の層に分離溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置１００において、制御部は、成膜時の前後の所定の時間において、触媒線１３の温度を待機温度に制御する。待機温度は、成膜時における触媒線１３の温度より低く、かつ、室温より高い所定の温度である。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室１１と、成膜室に第一開閉部を介して固定された仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、キャリアに対して基板を脱着する基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対してガスを噴射可能な複数のガス噴出口１５７を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８が接続されている。 （もっと読む）

【課題】製造装置の小型化を図り、基板の汚染を防ぎ、かつ基板のシワの発生を防止可能とする薄膜積層体の製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板２の表面に薄膜形成するための成膜部と、搬送されるフィルム基板を成膜部内でガイドするように、フィルム基板の成膜面２ａに当接して配設される少なくとも１本のガイドロール８とを備え、ガイドロールにおける長手方向の中央部８ａの直径が、その長手方向の両端部８ｂの直径よりも小さく形成され、ガイドロールの両端部とフィルム基板とが当接し、ガイドロールの近傍でフィルム基板の幅方向の両端部にそれぞれ当接して配設されるテンションロール９，１０が、フィルム基板に前記幅方向の張力を加えるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く、かつ入射角度による光利用効率依存性が改善された太陽電池用光散乱膜及びそれを用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】マトリックス中に散乱体が含有された光散乱層を少なくとも二層有する太陽電池用光散乱膜であって、（１）太陽光入射側の第１の光散乱層の膜表面が平坦であり、（２）前記第１の光散乱層は、膜面に対して法線方向から入射した光の当該第１の光散乱層での全光線透過率が７０％以上であり、（３）前記第１の光散乱層に対し太陽光入射側から遠い側に設置された第２の光散乱層は、膜面に対して法線方向から入射した光の当該第２の光散乱層での全光線透過率が６０％以下であり、かつ、（４）前記第１及び第２の光散乱層の膜面の法線に対して４５°の角度で入射した光に対する当該光散乱層での全光線透過率が所定の関係式を満たすことを特徴とする太陽電池用光散乱膜。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、受光面にフローティング電位を無くし、特性の安定した太陽電池を提供する。
【解決手段】 この発明の裏面接合型太陽電池は、ｎ型の単結晶シリコン基板１の非受光面側に形成された線状のｎ型領域３とｐ型領域４、ｎ型領域３と接続されるｎ電極６と、ｐ型領域４と接続されるｐ電極７と、基板１の受光面側に形成されたパッシベーション膜８と、パッシベーション膜８上に形成された透明導電膜９とを備え、透明導電膜９は基板１側面にまで延びて形成され、ｎ電極６と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】特定の要件を満たしたエチレン・α−オレフィン共重合体（A)からなる樹脂組成物を用いた太陽電池封止材において、ガラス、バックシート、薄膜電極、アルミニウムとの接着性、耐熱性、成形性および架橋特性のバランス、高温高湿への耐性、耐候性、ヒートサイクルの耐性等の諸特性に優れる太陽電池封止材を提供する。
【解決手段】エチレン・α−オレフィン共重合体（A)100重量部とエチレン性不飽和シラン化合物（B)0.1〜5重量部、有機過酸化物（C)0.1〜3重量部とからなり、エチレン・α−オレフィン共重合体（A)が以下の要件ａ）〜ｄ）を満たす樹脂組成物。ａ）α−オレフィンから導かれる構成単位が8〜20mol％、ｂ）DSC（視差走査熱量計）に基づく融解ピークが30〜90℃、ｃ）GPC（ゲル浸透クロマトグラフィー）に基づく分子量分布Mｗ／Mnが1.2〜3.5、ｄ）JIS K−6721に準拠して230℃、2.16Kg荷重にて測定したメルトフローレ−ト（MFR）が51〜400ｇ／10分 （もっと読む）

【課題】簡便な装置構成で低ランニングコストにして排出ガス中の不純物を除去することで、水素ガスを高純度化して再利用可能にすることができる薄膜太陽電池製造装置を得ること。
【解決手段】水素ガスを含むプロセスガスの供給経路１２を有する薄膜太陽電池用のＣＶＤチャンバ１０と、ＣＶＤチャンバ１０から排気されてＣＶＤチャンバ１０に再供給させるガス排気・再供給経路２１上に順に設置されたプラズマ放電装置２６とパーティクルフィルタ２７とを有する不純物除去機構２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】中間層の形成に起因した光電変換効率の低下が防止された、光電変換効率に優れた積層型薄膜太陽電池を得ることを目的とする。
【解決手段】透光性基板１上に、透明導電膜からなる第１電極層２と、第１のｐ型半導体層３ａと第１のｉ型半導体層３ｂと第１のｎ型半導体層３ｃとが前記第１電極層２側から順次積層されてなり光電変換を行う第１光電変換層３と、中間層４と、第２のｐ型半導体層５ａと第２のｉ型半導体層５ｂと第２のｎ型半導体層５ｃとが前記第１電極層２側から順次積層されてなり光電変換を行う第２光電変換層５と、第２電極層７と、をこの順で有する薄膜太陽電池であって、前記中間層４は、前記第１のｎ型半導体層３ｃの屈折率と前記第２のｐ型半導体層５ａの屈折率との間の範囲内とされた屈折率を有し、且つ面内方向において屈折率分布を有する。 （もっと読む）

【課題】
ガラスとの接着が容易で光線透過性、柔軟性、水蒸気バリア性が高く、吸水率が小さく、特に太陽電池モジュールの封止材に好適なシートを提供する。
【解決手段】
ポリビニルアセタール樹脂１００質量部に対して、分子内に１個以上のエポキシドを有するエステル化合物を５〜６０質量部配合させた樹脂組成物からなるシートである。分子内に１個以上のエポキシドを有するエステル化合物は、エポキシ化脂肪酸ブチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ−２エチルヘキシルのうちから選ばれる１種または２種が好ましく、用いるポリビニルアセタール樹脂は、重合度が４００〜３５００、アセタール化度が７０〜９０％であることが好ましい。さらに、シートの厚みは、０．１〜５ｍｍの範囲が好ましい。本発明のシートは、太陽電池モジュール用封止材として好適に用いられるものである。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池１００において、第１実施形態に係る太陽電池１００において、保護層１７の第２表面１７Ｓ_２は、第１表面１７Ｓ_１の耐酸性よりも高い耐酸性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板にクラックが発生することを抑制可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、ｎ型半導体領域１２ｎは、レーザの照射によってｎ型ドーパントを半導体基板１１内にドーピングすることによって形成された領域である。ｎ型半導体領域１２ｎは、半導体基板１１の劈開面と交差する方向に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜プロセス中に、可撓性基板に付着していた水分等がプロセス雰囲気中に混入する可能性を低くすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板加工装置１００において、真空容器内で、表面に凹凸を有していて加熱された加工部材１６０を可撓性基板５０の表面に押し付ける。加工部材１６０の加熱ロール１６２は加熱されており、かつ表面に凹凸を有している。このため、可撓性基板５０の表面には凹凸が形成される。次いで、成膜装置において、可撓性基板の表面に下部電極を形成する。次いで、次の成膜装置において、下部電極上に光電変換層を形成する。次いで、次の成膜装置において、光電変換層上に上部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの再結合を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１００の製造方法は、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐのパターニング工程の後、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの形成工程前に、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出領域Ｒ２のクリーニング工程を備える。 （もっと読む）

【課題】膜を複数の領域に分離するための加工不良を抑制して半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。基板上に膜を形成する。そして、膜を複数の領域に分離するために、基板を介して膜に光ビームを照射する。膜を形成する工程と、光ビームを照射する工程との間に、形成した膜面を洗浄する。上記膜を形成する工程は、基板上に半導体層を形成する工程、および半導体層上に裏面電極膜を形成する工程の少なくともいずれかである。 （もっと読む）

【課題】予備成膜を含む基板の成膜に関する工程のリードタイムを短縮化して、生産効率を向上させることを可能とする薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】成膜室内に予備成膜を施した後に、成膜室内で基板を成膜するための薄膜形成方法であって、予備成膜の開始前に、成膜室内の温度を予備成膜温度Ｔ_１に上げるステップと、前記予備成膜の実施中、成膜室内の温度を予備成膜温度Ｔ_１より低くかつ成膜温度Ｔ_２以上の温度範囲で温度プロファイルを前記予備成膜中通して一定値とならないように予備成膜を行うステップと、成膜室内の温度が成膜温度Ｔ_２に達した後に、基板への成膜を開始するステップとを含む薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】配線材に生じる熱膨張・収縮を、細線電極で受けることになるために、細線電極に応力が加わる。
【解決手段】配線材２は、太陽電池３の一主面に樹脂接着剤によって接続され、太陽電池３は、一主面に形成された複数の細線電極４Ａと、複数の細線電極４Ａを電気的に接続するように形成された補助電極４Ｃと、を有し、補助電極４Ｃの幅は、細線電極４Ａの幅と同等から１０倍程度となるように形成されている。 （もっと読む）