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Fターム[5F051CA40]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス製造法(微結晶を含む) (3,099) | その他、本観点に関する事項 (80)

Fターム[5F051CA40]に分類される特許

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【課題】高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室100内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極120に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマCVD法を用いて基板200に光電変換層230を形成する工程を備える。光電変換層230における結晶及び微結晶の割合である結晶分率が30%以上80%以下になる原料ガスの組成の範囲である所望範囲を予め調べておく。そして、光電変換層230を形成する工程において、原料ガスの組成を所望範囲内に制御しながら、反応室内100における圧力を、高周波のピークツーピーク電圧が極小値となるように調整する。 (もっと読む)


【課題】安定的な制御力が得られ、基板の下垂や皺の発生を抑制して処理が行える位置制御装置を提供する。
【解決手段】基板の上側縁部の一方面に転接する第1ローラ23と、第1ローラと基板の搬送方向に対して略同位置で、上側縁部の他方面に、第1ローラの転接地点の2地点24a,24bで転接する第2ローラ24と、両ローラを、各転接地点における回転方向が基板の搬送方向に対して斜上方に向かう微小偏角を有するように回転可能に支持し、かつ、一方が他方に対してまたは相互に接離可能な一対の支持部材25,26と、一対の支持部材の一方または両方を相互に近接する方向に付勢する付勢手段51と、付勢手段を介して一対の支持部材の接離方向位置を調節する位置調節手段5と、を備え、両ローラで、基板の上側縁部を屈曲させつつ送出可能であり、接離方向位置の調節により基板の屈曲度に応じた持ち上げ力を付与可能に構成する。 (もっと読む)


【課題】製膜に寄与しなかったガスが基板周辺へ向かう排気ガス流れを低減して放電電極間スリットから排気する排気ガス流量を増加させることにより、製膜条件の分布による基板周辺の膜質低下を抑制した真空処理装置を提供する。
【解決手段】放電電極6から製膜ガスを噴出し、放電電極6のプラズマ雰囲気で製膜ガスの分解及びラジカル生成を行って基板に真空プラズマ処理を行う真空処理装置1Aが、基板テーブルと放電電極6との面間距離を狭めるガスブロックバリア材30を基板から所定の距離が離れた前記基板テーブルの周縁部に取り付け、プラズマ雰囲気から基板の端部を経て防着板7の背面へ、または真空排気部へ流出するガス流れの流路面間幅を狭めて、ガス流れ流路の圧力損失を増加させるガスブロックバリア構造部を備えている。 (もっと読む)


【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置1は、フィルム基板10の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板10上に薄膜を形成する第1成膜室13a〜第3成膜室13cと、第1成膜室13a〜第3成膜室13cの下流側に隣接して設けられた第1サンプリング室14a及び第2サンプリング室14bとを備える。第1サンプリング室14aには、第1成膜室13aで第1薄膜層41が形成されたフィルム基板10が搬入され、減圧条件下でフィルム基板10から試料を採取する。 (もっと読む)


【課題】製膜レートを下げることなく、膜全体に亘って膜質が均一なアモルファスシリコン膜を形成することができるCVD装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板が載置されるアノード電極と、前記アノード電極に対向する位置に配置されるカソード電極を有するカソードユニットと、原料ガスが供給されるガス供給部と、前記チャンバ内のガスを排気するガス排気部とを備えており、前記カソードユニットは、前記カソード電極に前記ガス供給部と連通するガス供給孔が複数一方向に沿って配列されて形成されており、前記ガス排気部と連通するガス排気溝が前記カソード電極に隣接する位置にガス供給孔の配列方向に沿って連続的に開口して形成されている構成とする。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池製造のスループット向上および歩留まりの向上を可能とする薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を得ること。
【解決手段】製膜室1に接続されたモニター基板格納室10から製膜室1へモニター基板11を搬送し、製膜室1においてプリデポジションを実施するプリデポジション工程と、プリデポジション工程においてプリデポジション膜13が形成されたモニター基板11を製膜室1からモニター基板格納室10へ搬送して、プリデポジション膜13を対象とする測定を製膜評価として実施する製膜評価工程と、プリデポジション工程を経た製膜室1へ製品基板4を搬送し、製膜評価に基づいて決定された製膜条件での製膜処理により、製品基板4上に半導体薄膜を形成する製品製膜工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板の膜面に接触することなく、基板を撓ませずに保持するとともに、基板全体を排気することなく、レーザ加工の残滓を除去すること。
【解決手段】ガラス基板1を立ててガラス基板1の周辺部を固定枠14にて固定し、レーザ光31をガラス基板1に照射するとともに、加工残滓の吸引しながら、Xステージ12をX方向に一定速度で移動させることで、ガラス基板1上の膜にスクライブパターン3を形成する。 (もっと読む)


【課題】
ガラス基板から透明導電膜を通り光電変換層へ入射する太陽光線のロスを抑えることのできる太陽電池及びその製造法を提供する。
【解決手段】
本発明による、ガラス基板上に透明導電膜層、光電変換層及び裏面電極を積層して成る太陽電池は、ガラス基板とその上に形成される透明導電膜層との間に、ガラス基板の屈折率から透明導電膜層の屈折率まで連続して変化する傾斜屈折率層を設けたことを特徴としている。
また、本発明による太陽電池の製造法は、アルコキシシラン化合物及びアルコキシジルコ化合物を含有する溶液をその混合比を制御しながらスプレーデポジション法によりガラス基板上に塗布することにより組成が連続して変化した傾斜屈折率層を、ガラス基板と透明導電膜層との間に形成する。 (もっと読む)


【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるHFガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室50内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室50内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 (もっと読む)


【課題】インライン型基板処理装置を製造するに際し、その作業効率を向上させることの可能な製造システム及び製造方法を提供する。
【解決手段】
インライン型基板処理装置の製造システムは、複数のチャンバが縦列に連結されてなるインライン型基板処理装置を少なくとも1つのチャンバから構成されるユニット毎に製造するものである。当該製造システムは、一のユニットに係る複数の製造工程に対応付けられて複数のユニットが配置される複数の作業スペース11〜17,21,22,31〜33,41,51〜53,61と、複数の工程の各々に対応付けられて工程毎の作業の準備に用いられる複数の作業準備スペースとを備える。また、複数の作業スペースにおける作業が終了する毎に、当該工程に対応する作業スペースから当該工程の次の工程に対応する作業スペースまでユニットを搬送する搬送装置を更に備える。 (もっと読む)


【課題】可撓性基板の搬送位置制御のために新たな設備を設置することが不要であり、既存の搬送ラインの構成をそのまま維持できるとともに、可撓性基板の搬送位置を所望の方向へ迅速かつ確実に移動させることが可能な基板搬送位置制御装置を提供することにある。
【解決手段】可撓性基板10に張力を付与し、可撓性基板10を長手方向に沿って搬送する曲率半径可変ロール1を備え、曲率半径可変ロール1は、曲率半径を軸方向で部分的に変化させることによって、可撓性基板10が接触した際に生ずる張力に可撓性基板10の幅方向で分布を与え、可撓性基板10の搬送位置を変化させるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】欠陥による発電効率の低下を抑制した光電変換装置を提供する。
【解決手段】透明電極12、光電変換ユニット14、裏面電極16を順に積層し、光電変換セルが直列に接続された構造を形成する第1の工程S30〜S38と、光電変換セルの特性を測定する第2の工程S40と、測定結果に応じて、透明電極12、光電変換ユニット14、裏面電極16を直列接続方向に沿って除去し、直列に接続された光電変換セルを複数の領域に分割する第3の工程S42,S44と、によって作成された光電変換装置とする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】p型層30と、i型層32と、n型層34を積層したアモルファスシリコンユニットを有する太陽電池の製造工程において、p型層30を成膜する工程は、i型層32から離れるにしたがってp型層30に含まれるp型ドーパントのドーピング濃度を高くするものであり、特に、高吸収アモルファス炭化シリコン層と低吸収アモルファス炭化シリコン層とをプラズマを発生させた状態を維持したまま連続的に形成するものとする。 (もっと読む)


【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光電変換半導体装置である太陽電池を構成する半導体層に表面プラズモン共鳴の誘起により光電場増強効果を発生させる導電体部位にウエットプロセスを用いて製作する。
【解決手段】光電変換半導体装置は、p型半導体基板の一方面上にそれぞれが分離する所定のパターンで分布するように導電体部位が形成され、導電体部位を封止するようにシリコン液体系材料を塗布し焼成してi型半導体を形成し、その上層にn型半導体層及び光照射面となる透明導電膜を形成して構成し、光照射時には導電体部位が表面プラズモン共鳴を誘起して光電変換を行う。 (もっと読む)


【課題】パターニング工程においてレーザ加工によって発生するバリとクリーニングロールのブラシ先端部との接触を洩れなく行い、バリを確実に除去し得て、バリ除去率を向上したレーザ加工残渣の除去方法およびレーザ加工残渣の除去装置を提供する。
【解決手段】ロール状に巻回された長尺の可撓性基板2を引き出しながら連続的に搬送し、前記可撓性基板2の少なくとも主面に形成された薄膜をレーザ加工によりパターニングするとともに、前記パターニングの際に基板に付着したレーザ加工残渣を、除去する方法において、前記可撓性基板2の主面側にブラシを用いたクリーニングロール7を回転駆動し、このクリーニングロール7とともに前記可撓性基板2を挟持しながら回転する押さえロール6を設け、前記クリーニングロール7のブラシを前記可撓性基板2の搬送方向に対して斜めに操作させたことにある。 (もっと読む)


【課題】均一の成膜を行い品質管理を図ることができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基板を収納する第1の基板収納手段1と第2の基板収納手段2との間に、前記第1の基板収納手段1と第2の基板収納手段2の一方から他方に向けて前記基板Sを送り出しながら前記基板Sの主面に複数種類の薄膜を選択的に形成する薄膜形成手段を配設し、前記薄膜の一層を形成する度に前記基板Sの送り出し方向を反転させると共に薄膜種類を変えて、前記複数種類の薄膜を前記主面に順次積層する薄膜製造方法において、前記帯状の基板Sに形成された薄膜を検出する検出部7A,7Bを前記基板収納手段1,2に設け、該検出部7A,7Bによって検出された薄膜の膜質を評価し、適切な電極間隔を演算する膜質評価演算部8を設け、この膜質評価演算部8の演算結果から電極間隔を電極間隔指令制御部9によって制御する。 (もっと読む)


【課題】ナトリウムイオンの拡散が抑制されて優れた耐久性を有する光電変換装置の製造方法及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】フロートガラス基板1上に、アルカリバリア層7と、透明電極層2と、光電変換層3と、裏面電極層4を備える光電変換装置100の製造方法であって、前記基板1の溶融スズと接触した面上に、酸素原子を含む分子を吸着させる工程と、該酸素原子を含む分子が吸着した基板1を、450℃以上550℃以下で加熱処理する工程と、該加熱処理された基板1の前記溶融スズと接触した面上に、アルカリバリア層7を形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板に成膜されずに残った残渣の反応室内壁面などへの付着を最小限とすることにより、連続稼動時間を延ばし、生産性の向上を図り、低コスト化を実現することが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス6が導入される反応容器2の反応室21内に2つの電極31,32を対向して配置し、2つの電極31,32に高周波電力を供給することによってプラズマ40を生成し、成膜ガス6を分解して2つの電極31,32の間に搬送される基板1の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、基板1に成膜されずに残った成膜ガス6をプラズマ40の生成部から垂直方向へ直進させて排気するガス排気流路8が設けられている。 (もっと読む)


【課題】表面に付着した不要な膜を除去するブラスト処理を行っても、ガス流通孔の開口周縁部の変形が小さく、ガス流通孔の開口面積が確保され、長期間連続して使用することが可能であるとともに、原料ガスの分散効果及び流量増大が図れ、低コスト化が実現可能なシャワー電極板及びプラズマCVD装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、基板の表面に薄膜を形成する成膜室内に配置され、基板の表面に原料ガスGを供給するためのガス流通孔6が設けられているシャワー電極板1において、ガス流通孔6のブラスト処理面側に位置する開口周縁部が傾斜面状に形成され、傾斜面部6aとなっている。 (もっと読む)


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