【課題】特性に優れた多接合型化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】第１電極、第１セル、バッファ層、第２セル、第２電極を少なくとも積層し、第２セルの格子定数は第１セルの格子定数よりも大きく、バッファ層の複数の半導体層の格子定数は、第１セル側から第２セル側にかけて順に大きくなり、第２セルに最も近い半導体層の格子定数は、第２セルの格子定数より大きく、複数の半導体層のうち、隣接する２層の格子定数差が最も大きくなる２層は、バッファ層の中央より第１セルに近い側に位置している多接合型化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】筐体の内部に配置された反応炉の内部で化合物半導体基板を製造する方法であって、前記筐体の内部を酸素濃度が４５ｐｐｍ以下の雰囲気に保ったまま、ベース基板を筐体の内部であって反応炉の外部から、反応炉の内部に移動し、前記ベース基板を前記反応炉の内部に配置する段階（１）と、前記反応炉の内部に配置されたベース基板の上に化合物半導体を７００℃以下でエピタキシャル成長させる段階（２）とを含む化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。
【解決手段】ヒ素化合物からなる第１半導体と、ヒ素化合物からなる第２半導体と、リン化合物からなる第３半導体とを含み、前記第２半導体と前記第３半導体とが接触しており、前記第１半導体と前記第３半導体との間に前記第２半導体が位置しており、前記第１半導体が第１原子を第１濃度で含有し、前記第２半導体が第１原子を第２濃度で含有し、前記第１原子が第１伝導型のキャリアを発生させ、前記第１濃度が、前記第１半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度以上の濃度であり、前記第２濃度が、前記第２半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度未満の濃度である半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体からなる太陽電池に良好なタンデム構造を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体太陽電池は、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１のｐｎ接合を含む第１の半導体層１０２と、III-Ｖ族窒化物半導体からなり、第１の半導体層１０２とは禁制帯幅が異なる第２のｐｎ接合を含む第２の半導体層１０４とを有している。第１の半導体層１０２と第２の半導体層１０４との間には、第１の半導体層１０２及び第２の半導体層１０４のそれぞれとオーミック接触して形成され、且つ亜鉛を含む酸化物層である第１のコンタクト層１０３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光吸収半導体層のヘテロ接合における格子整合度が高く且つエネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、ｎ型半導体であるｎ層１１と、ｐ型半導体であるｐ層１２と、ｎ層１１及びｐ層１２に挟まれたi層１３とを備え、i層１３は、第１のエネルギーギャップＥｇ１を有する第１化合物半導体層１４と、第１化合物半導体層１４とヘテロ接合して積層され、且つ第１のエネルギーギャップＥｇ１よりも小さい第２のエネルギーギャップＥｇ２を有する第２化合物半導体層１５と、を有し、第１化合物半導体層１４と第２化合物半導体層１５とは格子整合しており、第１化合物半導体層１４の伝導帯の下端と第２化合物半導体層１５の伝導帯の下端との間のエネルギーギャップは、室温での熱エネルギー以下である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来は理想でしかなかった量子ドット導入層の多層化活性層を実現しすることを目的とする。
【解決手段】
本発明は、量子ドットが導入された層が多層化されてなる活性層を有する光素子であって、前記活性層の格子歪みがないことを特徴とし、前記の光素子において、前記量子ドットと、それを導入する母体とが、両者の格子定数が０．５％以下である材料よりなることを特徴とする。
本発明は、前記の光素子において、前記量子ドットを構成する材料よりも、これらが導入されている母体の材料のバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とし、活性層の上下に電極を配してなる太陽電池であって、前記活性層が、本発明のいずれかに記載の活性層であることを特徴とする。
本発明は、前記の太陽電池において、前記活性層を構成する量子ドットがＧａＡｓからなり、その母体がＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が溶解した有機溶媒に、ＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種のセレン化物粉末または硫化物粉末を添加し溶解または混合した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布した後、熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層と第１電極層との接合強度を向上できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を酸素濃度が２０〜１５０ｐｐｍの不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより単一前駆体を有機成分と金属成分に熱分解し、有機成分を除去する熱分解工程と、熱分解工程の熱処理温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層を構成する粒子の粒成長を促進することができる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層溶液を、前記第１電極層２上に塗布することにより光吸収塗布膜を形成する工程と、光吸収塗布膜を還元雰囲気で熱処理することによりＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する工程と、光吸収層３上にＳｅを含有するＳｅ含有膜を形成する工程と、Ｓｅ含有膜を還元雰囲気で熱処理してＳｅを光吸収層３に拡散させる工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層におけるクラックの発生を抑制できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を２００℃から４００℃まで６０℃／分以上の昇温速度で昇温して加熱する急速昇温工程と、該急速昇温工程の最高温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】１光子の吸収により複数の励起子を生成させる効果が大きく、かつキャリア移動度が十分大きい光電変換素子を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた光電変換素子。（ａ）光電変換素子は、量子ドット配列構造を有するｉ層と、ｉ層の電子取り出し端側に形成されたｎ型半導体層及び電子取り出し電極と、ｉ層の正孔取り出し端側に形成されたｐ型半導体層及び正孔取り出し電極とを備える。（ｂ）量子ドット材料の電子の有効質量（ｍ_e）は、０．１以下。（ｃ）量子ドット材料の電子と正孔の有効質量比ｍ_e／ｍ_hは、０．３以下。（ｄ）量子ドット材料のε_g(bulk)＋ε_e1＋ε_h1は、０．５≦ε_g(bulk)＋ε_e1＋ε_h1≦１．４ｅＶの範囲。（ｅ）電子の障壁ポテンシャルＶ_eは、ε_g(bulk)＋ε_e1≦Ｖ_e≦５．０ｅＶの範囲。（ｆ）正孔の障壁ポテンシャルＶ_hは、０．１≦Ｖ_h≦０．５ｅＶの範囲。（ｇ）障壁層の厚さｄは、１≦ｄ≦５ｎｍの範囲。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤ状の半導体をアレイ状に備える装置により、実用的な電力が得られる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノワイヤ太陽電池１，１１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５とを備える。半導体基板２とナノワイヤ状の半導体４，５とが単一の単結晶からなる。半導体４，５の間隙に充填された透明絶縁性材料６を備える。半導体４，５の表面に沿って、パッシベーション層１０を備える。ナノワイヤ太陽電池の製造方法は、半導体基板２の表面の一部を非晶質膜３で被覆し、露出している半導体基板２の表面に、同一材料からなる結晶をエピタキシャル成長させてナノワイヤ状の半導体４，５を形成する。半導体４，５を透明絶縁性材料６に埋設後、透明絶縁性材料６の一部を除去して半導体４，５の先端を露出させることにより、半導体４，５の間隙に透明絶縁性材料６を充填する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、低コストで製造できる太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１と透光性電極４との間に、ｎ型半導体層２と、ｐ型半導体層３と、を有する太陽電池３１であって、前記ｎ型半導体層２がｎ型ＧａＮ微粒子またはｎ型ＩｎＧａＮ系微粒子のいずれかからなり、前記ｐ型半導体層３がｐ型ＧａＮ微粒子またはｐ型ＩｎＧａＮ系微粒子のいずれかからなり、前記微粒子の平均粒径がいずれも１〜１００ｎｍであることを特徴とする太陽電池３１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを備えた倒置型メタモルフィック多接合ソーラーセル及びその製造方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のための第１基板を準備し、第１バンドギャップを有する上部の第１ソーラーサブセルを基板上に形成し、第１バンドギャップより小さな第２バンドギャップを有する中間の第２ソーラーサブセルを第１ソーラーサブセルの上に形成し、第２バンドギャップより大きな第３バンドギャップを有するグレード付けされた中間層を第２サブセル上に形成し、そして第２バンドギャップより小さな第４バンドギャップを有する下部の第３ソーラーサブセルをグレード付けされた中間層の上に形成し、この第３サブセルは、第２サブセルに対して格子不整合し、これらソーラーサブセルの少なくとも１つがヘテロ接合ベース／エミッタ層を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】長期間の使用時における太陽電池モジュールの出力の低下を抑止することができる太陽電池用表面保護シートおよびそれを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレートフィルムと、ポリエチレンナフタレートフィルムの一方の表面上に形成された無機酸化物膜とを備え、波長が３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である光の吸収率が１％以上２０％以下、または波長３８０ｎｍの光の吸収率が１％以上２０％以下である太陽電池用表面保護シートとそれを用いた太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】曇天時における発電量の低下を抑止して天候に関わらず多くの発電量を得ることを可能とした集光式光電変換装置を提供する。
【解決手段】集光レンズと、集光レンズに対向する位置に設置された光電変換素子とを備え、光電変換素子は、シリコン太陽電池と、シリコン太陽電池の集光レンズの設置側の表面上にシリコン太陽電池に電気的に接続されるようにして設置された受光面側多接合型太陽電池とを含み、受光面側多接合型太陽電池の集光レンズの設置側の表面である受光面の面積が集光レンズによって受光面に集光された光の面積の０．８以上１．２倍以下である集光式光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。このようにして形成したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のｎ型層に用いる。 （もっと読む）

【課題】高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基材と、半導体基材上に形成された化合物半導体からなる太陽電池層と、を含み、太陽電池層の格子定数と、半導体基材の格子定数とが異なっており、半導体基材と太陽電池層との間にＶ族元素としてヒ素（Ａｓ）を含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を有し、バッファ層の格子定数が、半導体基材の格子定数と太陽電池層の格子定数との間の値である積層型化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】多重量子井戸層を透過した光を再度第３の半導体層により吸収させて効率を向上させ、かつ、多重量子井戸層における層数を減らすことを可能にすることで界面における再結合を抑制し、エネルギー変換効率を向上させる。
【解決手段】障壁層３３と、障壁層３３よりもバンドギャップの小さな井戸層３４とを複数層交互に積層して多重量子井戸層２８を構成する。受光面側とは反対側の端に位置する障壁層３３に隣接させて、障壁層３３よりもバンドギャップが小さく、井戸層３４よりも厚さの大きな第３の半導体層を設ける。 （もっと読む）

第一電極と第二電極との間に積層されて堆積された複数の囲みドット障壁および複数の第一半導体材料の層。各囲みドット障壁は実質的に第三半導体材料の二層の間に直接接触して埋設された複数の第二半導体材料の量子ドットからなる。量子ドットの波動関数は、少なくとも一の中間バンドとして重なる。第三半導体材料の層はトンネル障壁として配置され、第一材料中の第一電子および／または第一正孔が各量子ドット中の第二材料に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、かつ、第一半導体材料の層中の第二電子および／または第二正孔が第一半導体材料の他の層に到達する量子力学的トンネル透過を行うために、要求される。
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