【課題】再結合速度の増加による短絡電流の減少を防止する。
【解決手段】太陽電池層２３とコンタクト層２４とからなる多層半導体層２２の受光面側に、カバーフィルムとしてポリイミドフィルム３２を形成している。こうして、ｎ型電極２５の受光面側に、１５０℃‐３０Minの条件下での熱収縮率が２.０％以下である低熱収縮フィルムを形成することによって、フレキシブル性を持たせるために０.５μm以上且つ３０μm以下の厚さで形成されている多層半導体層２２に対して、ポリイミドフィルム３２からのストレスによる歪の影響が受け難くなる。そのために、上記歪による半導体内部の再結合速度増加によって、短絡電流の減少等の問題が発生するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ミクロンオーダーの凹凸の表面にサブミクロンオーダーの凹凸が形成されたシリコン基板を製造する量産性に優れた方法を提供する。
【解決手段】表面に１〜２０μｍの高低差を有する凹凸からなるテクスチャーが形成されたシリコン基板を準備する工程と、下記（ａ）及び（ｂ）のいずれかの工程を経ることを特徴とする太陽電池用シリコン基板の製造方法。
（ａ）テクスチャー化された前記表面に金属粒子を無電解メッキした後、基板を酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液でエッチングする工程。
（ｂ）金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液で前記基板をエッチングする工程。 （もっと読む）

本発明は、基板を精密加工するための方法であり、基板表面に向けられかつ処理試薬を含む液体ジェットが、加工される基板の領域の上に誘導され、レーザ光線が、前記液体ジェットにカップリングされる方法に関する。同様に、本方法の実施に適した装置も説明する。本方法は、太陽電池の製造における種々のプロセス工程に使用される。
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【課題】 結晶半導体粒子が接合された導電性基板を有する光電変換装置でありながら前記導電性基板の反りを抑制し、高変換効率で信頼性の高い光電変換装置を提供する。
【解決手段】 導電性基板１の一主面に複数個の第１導電型の結晶半導体粒子２が下部を加熱溶着されて接合されており、結晶半導体粒子２間には絶縁物質３が介在するとともに、結晶半導体粒子１の上部には第２導電型の半導体層４および透光性導体層５が設けられた光電変換装置であって、結晶半導体粒子２を構成する半導体元素が導電性基板１全体に拡散している。導電性基板１の一主面側表面からの結晶半導体粒子２の高さは、結晶半導体粒子２の粒子径の４０〜８０％である。導電性基板１における半導体元素の濃度は、一主面の反対側の他主面側よりも一主面側の方が高い。 （もっと読む）

本発明は、シリコンをベースとする前駆体から出発して、蒸着により基板表面にシリコン膜を製造する方法において、使用される前記前駆体が四塩化ケイ素であることを特徴とするシリコン膜の製造方法に関する。本発明は、本発明による方法により得られた薄膜太陽電池又は結晶質シリコン薄膜太陽電池にも関する。本発明は、気相から基板上に堆積された膜を製造するための四塩化ケイ素の使用にも関する。 （もっと読む）

一態様では、態様電池の活性拡散接合部（２１１、２１２、２１３、２１４）が、ウェハ（１００）の裏面に選択的に堆積されたドーパント源（２０１、２０２、２０３、２０４）からのドーパントの拡散によって形成される。ドーパント源（２０１、２０２、２０３、２０４）は、例えば印刷法を使用して選択的に堆積することができる。様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。例えば、３つ又は４つの活性拡散領域を製造して、これにより、太陽電池のシリコン／誘電体境界、シリコン／金属境界又はそれら両方が最適化される。ウェハの前面（１０３−１）は、ドーパント源（２０１、２０２、２０３、２０４）の形成前に、ウェハ材料の除去を抑えるテクスチャリングプロセスを使用して、テクスチャリングすることができる。金属格子線を活性拡散接合部に接続するための開口は、自己整合コンタクト開口エッチングプロセスを使用して形成することができ、これにより、不整合の影響は低減される。
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【課題】支持体の各凹部内に球状光電変換素子を収容する方式の光電変換装置において、素子を装着する際の位置ずれ等により、支持体と素子の電極の間で短絡が発生した場合でも、出力を取り出すことができる製造方法を提供する。
【解決手段】球状の第１半導体１とその表面に第２半導体層２を有する素子を用いる。この素子を、第２導電体層を兼ねる支持体の凹部１１の底にある孔の縁部に第２半導体層が接し、かつ一部が支持体の裏側に望むように装着する。その後、支持体の裏側に臨む部位の第１半導体の露出部に形成されている電極と支持体の間の短絡の有無を検査する。この検査結果に基づき、短絡があった素子を除く各素子の電極を、支持体の裏面側に接する電気絶縁層４４を介して第１導電体層に接続し、光電変換装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板上の導電膜を複数の領域に分割する絶縁隔壁を単一の工程で行なうことができる絶縁隔壁の形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上の導電膜を複数の領域に分割する絶縁隔壁を形成する方法であって、
可動電極とディスペンサーとが一体に組み立てられた走査ヘッドを、上記可動電極と上記ディスペンサーとが走査方向に対して前後に並ぶ向きに配置し、上記導電膜に接触させた固定電極との間に電圧を印加した上記可動電極の先端と上記導電膜の表面とを通電状態に維持しつつ、上記走査ヘッドで該導電膜上を走査し、上記通電した部分の上記導電膜をジュール熱によりエッチング除去することにより該導電膜を分割する溝を形成し、該形成された溝に上記ディスペンサーから上記絶縁隔壁の材料を供給することにより該絶縁隔壁を形成することを特徴とする絶縁隔壁の形成方法。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】
従来の化合物単結晶太陽電池の電極形成には、2つの異なる導電型の半導体単結晶層上に電極を形成しなければならず、2回の電極形成工程を行う必要がある。
【解決手段】
光電変換層を含み上面が第一導電型の第一半導体積層体と、第一半導体積層体の上面に形成されたキャップ層と、キャップ層の上面に形成された第一の極性の第一電極と、前記第一半導体積層体の下面に形成されその一部が前記上面側に露出した露出面を有する第一導電型の第一半導体層と、前記露出面に形成された第二の極性の第二電極と、を備え、前記光電変換層の最下部層と前記第一半導体層間に位置する層の界面の一つは、トンネル接合により電気的に接合されている化合物単結晶太陽電池とすることにより第一電極と第二電極を同一導電型の半導体層上に同一方向から同時に形成することができ、製造工程を簡略化できる。
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【課題】波長範囲が広く高吸収率のアンチリフレクション層を具え、且つ、簡単なステップであることを特徴とするアンチリフレクション層を具える基板の製造方法を提案する。
【解決手段】本発明のアンチリフレクション層を具える基板の製造方法は、(a) 基板を提供し、(b) 基板上にアモルファスシリコンを堆積させ、(c) エッチング液でアモルファスシリコン層及び基板をエッチングし、且つアモルファスシリコン層をエッチング液により除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の一方の面に第１導電型の第１ドーピング領域と第２導電型の第２ドーピング領域とが形成される太陽電池において、リーク電流の発生による変換効率の低下を防止し、生産性良くかつ低コストで太陽電池を製造する。
【解決手段】 面２０ａに凸部２９と凹所２６とを有しかつ他方の面である受光面２０ｂが粗面化された半導体基板２０と、ｐ型層２２と、ｎ型層２８と、シリコン窒化膜３２ａ，３２ｂと、電極３４ａ，３４ｂとを含む太陽電池３５であって、ｐ型層２２を凸部２９の頂部に形成し、かつｎ型層２８を凹所２６の底面２６ａの一部から半導体基板２０の厚み方向の中心に向けて形成することにより、ｐ型層２２とｎ型層２８との接触がない構造にする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体薄膜（ＣＩＧＳ薄膜）を用いた光電変換素子（フォトセンサや太陽電池）の暗電流を劇的に低減し得る、新規な製造プロセス技術を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィによるエッチングによって、下部電極層（Ｍｏ）１０、光吸収層として機能するカルコパイライト構造のｐ型の化合物半導体薄膜（ＣＩＧＳ薄膜）３０、ｎ型の透光性電極層（ＺｎＯ）６０の各々をパターニングする手法を採用し、かつ、ＣＩＧＳ薄膜３０については、ドライエッチングとウエットエッチングを組み合わせた２段エッチングを行うことによって、化合物半導体の結晶にダメージや欠陥を生じさせることなく、また、残渣を残すことなく、高精度のパターニングを実現する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体薄膜を用いた光電変換素子の暗電流を大幅に低減する。
【解決手段】基板上に下部電極層、光吸収層として機能するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜、透光性電極層が順次積層されて構成される光電変換装置であって、透光性電極層の端部の位置が、化合物半導体薄膜の側面よりも内側になるようにパターニングし、ＰＮ接合界面の端部が、パターニングされた化合物半導体薄膜の側面に達しないように、ＰＮ接合界面が化合物半導体薄膜の内部に埋め込まれた構造とすることによって、ＰＮ接合の界面の端部からのリーク電流を、さらに低減できる。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下および生産性の低下を抑えたうえで、短絡による電気的特性の低下を防ぐことができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、拡散防止膜形成工程で、半導体不純物の拡散を防止する拡散防止膜７を、半導体ウエハ２の側面にのみ、その側面の全周にわたって形成する。次に、拡散工程で、前記拡散防止膜７が形成された半導体ウエハ２の厚み方向一方側の表面部に、半導体不純物を拡散させる。この後、電極形成工程で、前記半導体不純物が拡散された半導体ウエハ２の厚み方向両側の表面に電極４，５をそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止でき、太陽電池の寿命の短縮や性能の低下を防止でき、基板材料の節減と太陽電池の薄型化を行うことができる太陽電池の埋込電極の形成方法を提供すること。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１０１の表面にエッチングマスク層１０２を形成し、レーザーでパターニングを行って開口１０４を形成する。この開口１０４を介して、酸性又はアルカリ性溶液を用いてシリコン基板１０１をエッチングして、溝１０５を形成する。エッチングマスク層１０２を拡散マスクとして、溝１０５の内側面にＮ＋＋拡散層１０７を形成する。エッチングマスク層１０２を除去し、シリコン基板１０１の表面にＮ＋拡散層１０８を形成する。Ｎ＋＋拡散層１０７及びＮ＋拡散層１０８上に、パッシベーション膜および入射光の反射防止膜として機能するＳｉＮｘ膜１０９を形成する。溝１０５内に、印刷によってＡｇペーストを埋め込んで埋込電極１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法および太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面の一部にアルミニウムペーストを印刷する工程と、アルミニウムペーストを焼成することによってアルミニウム含有電極を形成する工程と、アルミニウム含有電極の形成後に半導体基板の表面およびアルミニウム含有電極の表面を覆う絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の表面の一部に銀ペーストを印刷する工程と、銀ペーストを焼成することによって銀含有電極をアルミニウム含有電極の前記表面の少なくとも一部に形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法とその方法により製造することができる太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ工程の製造コストを低減する裏面接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電型または第２導電型のシリコン基板の入射光側の表面とは反対側の裏面に第１拡散マスクを形成する工程、第１エッチングペーストを第１拡散マスクの表面の一部に印刷する工程、第１加熱処理することにより第１エッチングペーストが印刷された部分を除去してシリコン基板の裏面の一部を露出させる工程、露出した裏面に第１導電型不純物拡散層を形成する工程、第１拡散マスクを除去する工程、シリコン基板の裏面に第２拡散マスクを形成する工程、第２エッチングペーストを第２拡散マスクの表面の一部に印刷する工程、第２加熱処理することにより第２エッチングペーストが印刷された部分を除去してシリコン基板の裏面の一部を露出させる工程、露出した裏面に第２導電型不純物拡散層を形成する工程、第２拡散マスクを除去する工程を含む製造方法。 （もっと読む）

光起電力セル用のダイは、結晶性のワークピースの使用可能な表面積を実質的に被覆するパターン領域を使用して製造することができる。複数のバーを、ワークピースの実質的に全長に延在するようにワークピースにエッチングすることができる。これらのバーは、その後ダイシング加工して、ワークピースの厚さに実質的に等しい幅、および約２０：１以下のエッジ比率を有するダイを形成することができる。このようなプロセスは、変換領域を最大化することができ、それによって、所与の量の光起電力変換材料からより多くのエネルギが取り出される。ダイの対向するエッジに接点を配置して、光起電力セルを形成することができ、いくつかの実施形態では、ソーラー電池パネル内の配向に関係なく機能することができる。
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【課題】 逆バイアスに対してバイパス機能を発揮する信頼性の高い太陽電池を提供する。また、かかる太陽電池の安価な製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のバイパス機能付き太陽電池は、第１の導電型のベース層と第２の導電型のエミッタ層がｐｎ接合する太陽電池であって、エミッタ層の側面からベース層の側面にかけて、第１の導電型を発現する不純物材料を含む金属材料層を備えることにより、ｐｎ接合面に逆方向のバイアスが印加されたときにバイパス回路を形成することを特徴とする。 （もっと読む）