【課題】貫通孔（スルーホール）周囲で発生するリーク電流を低減し、変換効率を向上する。
【解決手段】ｎ型単結晶シリコン基板１１の受光面に、ｐ型アモルファスシリコン層１２をＣＶＤにより積層し、続いて裏面にｎ型アモルファスシリコン層１３を積層し、ｎ型単結晶シリコン基板１１、ｐ型アモルファスシリコン層１２、ｎ型アモルファスシリコン層１３にスルーホール１４を形成する。次に、光電変換部１０の裏面におけるスルーホール１４の開口部周辺に平坦化処理を施して平坦化領域１７を形成する。平坦化領域１７及びスルーホール１４の内壁面に絶縁層１５を形成し、導電体１６を充填する。これにより、絶縁層１５と光電変換部１０の裏面との接合面の不均一さから生じるリーク電流を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】受光面で生成された電流をスルーホールを介して裏面で集電する集電構造を形成する際、スルーホール周辺に不要なアモルファスシリコン層が堆積することを防止する。
【解決手段】ｎ型単結晶シリコン基板１１の一主面に、ｐ型アモルファスシリコン層１２をＣＶＤにより積層し、続いてｐ型アモルファスシリコン層１２を積層した面の反対面にｎ型アモルファスシリコン層１３を積層し、ｎ型単結晶シリコン基板１１、ｐ型アモルファスシリコン層１２、ｎ型アモルファスシリコン層１３にレーザアブレーション加工等によりスルーホール１４を形成する。次に、スルーホール１４の内壁面に絶縁層１５を形成し、導電体１６を充填する。これにより、太陽電池セル１の受光面で生成された電流を裏面側に確実に導通することができる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製造するための方法が説明される。
【解決手段】この方法は、最初に、処理チャンバ内に、受光面を有する基板を準備することを含む。次いで、処理チャンバ内で、基板の受光面の上に反射防止コーティング（ＡＲＣ）層が形成される。最後に、基板を処理チャンバから取り出すことなく、保護層がＡＲＣ層の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 生産性を向上させ得るとともに基板に加工される溝の位置精度を向上させ、かつ、製品品質を向上させ得る光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 透光性基板２に製膜した後、製膜された膜に所定形状の溝を加工することを繰り返し行って所定の光電変換装置を製造する光電変換装置の製造方法であって、最初にレーザーエッチング溝４を加工する工程ｂにおいて、加工された溝４に対し略直交に交差する少なくとも２本の交差溝４７を形成し、それ以後のレーザーエッチング溝６，１０を加工する工程ｄ，ｆにおいて、溝４と交差溝４７との交差部４９が溝６，１０を加工する位置を決めるアライメントマークＭとして用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造時間を短くすることができ、製造を容易にすることができる太陽電池素子の製造方法を得る。
【解決手段】まず、シリコンウェハ１の表面に微小凹凸２を形成する。この後、シリコンウェハ１の微小凹凸２が形成された部分に不純物を拡散し、シリコンウェハ１に拡散層８を形成する。この後、拡散層８上の一部に拡散層用マスク９を設ける。この後、拡散層用マスク９が重ねられた部分を残して拡散層８の厚さをエッチングで薄くする。これにより、拡散層用マスク９によって残された拡散層８の部分が第１の拡散領域４となり、拡散層８の厚さが薄くされた部分が第２の拡散領域５となる。この後、拡散層用マスク９を除去する。この後、拡散層用マスク９を除去した部分に電極３を形成する。このようにして、太陽電池素子を製造する。 （もっと読む）

裏面誘電体パッシベーションと、局所裏面電界を伴う裏面コンタクトと、を備える薄いシリコン太陽電池が説明される。詳細には、太陽電池は、５０から５００マイクロメートルの厚さを有する結晶シリコンウエハから作成されてよい。裏面コンタクトの形成時における変形からシリコンウエハを保護するために、シリコンウエハの少なくとも裏面にバリア層及び誘電体層が貼り付けられる。誘電体層に、少なくとも１つの開口が形成される。開口内に尚且つ誘電体層上に、裏面電界を提供するアルミニウムコンタクトが形成される。アルミニウムコンタクトは、原子百分率１から１２％のシリコンを有するアルミニウムペーストをスクリーン印刷し、次いで摂氏７５０で熱処理を行うことによって貼り付けられてよい。
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【課題】太陽電池製造プロセス時に発生する光電変換層の割れやしわの問題が生じない構造の太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光電変換層（１０１および１０２）と、該光電変換層（１０１および１０２）上に形成されたコンタクト層（１０３）と、該コンタクト層（１０３）の表面の少なくとも一部に形成された電極（１０５）と、を含む太陽電池であって、該コンタクト層（１０３）は、主としてＧａＰからなり、該光電変換層の厚さは２．５μｍ以下であることを特徴とする。光電変換層（１０１および１０２）の厚さとコンタクト層（１０３）の厚さとの合計は、３μｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

所望の電気特性の連続膜が、予め作製されたナノ粒子の２つ又は３つの分散液を連続して印刷及びアニールすることによって得られる。
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１つの態様は、太陽電池の構造に関する。この構造は、シリコン基板とこのシリコン基板内のｐ型及びｎ型活性拡散領域とを含む。酸窒化物パッシベーション層（４０２）は、少なくともｐ型（３０４）及びｎ型（３０２）活性拡散領域上に設けられる。構造は、さらに、酸窒化物パッシベーション層（４０２）を通ってｐ型（３０４）及びｎ型（３０２）活性拡散領域へと延びるコンタクト開口（５０２）と、コンタクト開口（５０２）を介してｐ型（３０４）及びｎ型（３０２）活性拡散領域と選択的に接触する金属光視線（７０２及び７０４）とを備えている。別の態様は、太陽電池の製造方法に関する。さらに別の態様、側面及び特徴も開示されている。
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本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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【課題】半導体基板の裏面に、半導体不純物に対する障壁層を形成するためのＴＧ液等塗布液を塗布して、半導体基板の受光面の所望の箇所に不純物拡散層を形成する場合に、半導体基板の表面における良好なＰＮ接合分離が実現できていない場合がある。このため、光電変換素子の特性はリーク電流のために制限されてしまう。
【解決手段】半導体基板の裏面側の端部に、半導体基板の裏面の法線と非平行な傾斜面を形成する工程と、傾斜面上のダメージ層を除去する工程と、少なくとも傾斜面に不純物拡散の障壁層を形成するための塗布液を塗布する工程と、半導体基板の受光面に高濃度不純物拡散層を形成する工程とを備える光電変換素子の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高温長時間の熱処理を必要とせず、また、高品質な半導体膜を形成せずとも再結合損失を抑制することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】貫通孔が設けられた第１導電型の第１半導体層１に接して第２導電型の第２半導体層３を設け、第１半導体層１の裏面には絶縁層５を設け、その上の導電層７は第２半導体層３に電気的に接続する。さらに素子の受光面側には第２半導体層３に接する受光面電極９と反射防止膜１５を設け、裏面には第１半導体層１に電気的に接続した島状の裏面電極１３を設ける。 （もっと読む）

【課題】低コストで、低反射率テクスチャ構造を有した光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光起電力装置の製造方法は、シリコン基板上に耐エッチング性を有する膜を形成する工程と、焦点深度が１０μｍ以上に調整されたレーザ光を照射することにより上記膜に複数の微細孔を開けて下地のシリコン基板表面を露出する工程と、上記シリコン基板の表面をエッチングする工程と、を含む。また、微細孔の直径は、隣接する微細孔同士の中心間の距離よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】集光型太陽電池の生産性を向上することができる集光型太陽電池の製造方法およびその方法に用いられる電気特性測定装置を提供する。
【解決手段】基板上に複数の化合物半導体層を積層することによって少なくとも１つのｐｎ接合を有する化合物半導体層積層体を形成する工程と、化合物半導体層積層体の最表面に表面電極を形成する工程と、基板の裏面に裏面電極を形成する工程と、裏面電極に導電性テープを貼り付ける工程と、基板を分割することによって導電性テープに貼り付けられた複数の集光型太陽電池を形成する工程と、集光型太陽電池が導電性テープに貼り付けられた状態で集光型太陽電池の電気特性を測定する工程と、を含む、集光型太陽電池の製造方法とその方法に用いられる電気特性測定装置である。 （もっと読む）

【課題】再利用する際に資源の無駄を少なくし、シリコンウエハを溶解することなく再生インゴットにすることで、単結晶に近い状態で再利用できるスクラップウエハ再利用方法および太陽電池用シリコン基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題手段】スクラップウエハ再利用方法は、スクラップウエハＷに形成された膜を除去する膜除去工程Ｓ３と、スクラップウエハの膜を除去した表裏面を鏡面に研磨する鏡面研磨工程Ｓ５と、鏡面に研磨されたスクラップウエハの結晶方位を揃えて重ね合わせ、円柱状に整列させる整列工程Ｓ８と、円柱状に整列させた前記スクラップウエハを加熱炉に入れて４００℃〜１３５０℃の範囲で加熱することで前記スクラップウエハ同士を拡散接合させ再生インゴットＩＧを製造する加熱工程Ｓ９と、を含む手順とした。 （もっと読む）

【課題】 ＰＮの電気的分離ができるとともに、第一導電型の半導体部と第二導電型の半導体部との接合界面の面積を広くすることができ、十分な光電変換を行なうことが可能な光電変換装置を提供すること、ならびに、作製工程が少なく、低コストで光電変換装置を作製できる光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１と、表層に第二導電型の半導体部２ｂが、第二導電型の半導体部２ｂより内側に第一導電型の半導体部２ａが形成された球状の結晶半導体粒子２と、導電性基板１と結晶半導体粒子２との間に設けられた接合部５と、を具備し、結晶半導体粒子２のなかで導電性基板に最も近接した部位が、第二導電型の半導体部２ｂであり、かつ、第二導電型の半導体部２ｂと第一導電型の半導体部２ａとが電気的に分離している。 （もっと読む）

【課題】マルチ接合のソーラーセル、及び、アノードとカソードの双方が、セルの背面の上に配置されることを可能とする。
【解決手段】半導体材料のエピタキシャル成長のための第１の基板を提供し、基板上に第１のソーラー・サブセルを形成し、第１のサブセルの上に、第２のソーラー・サブセルを形成し、第２のサブセルの上に、徐々に変化する中間の層を形成し、第３のソーラー・サブセルを形成して、第３のサブセルが、前記第２のサブセルに関して格子ミスマッチされるようにし、そして、第３のサブセルの頂部から、基板にviaをエッチングして、アノードとカソード接触の双方がソーラーセルの背面側の上に配置されることを可能とすることによって、上部サブセル、中段サブセル、及び、底部サブセル、を含む多接合ソーラーセルを形成する方法。 （もっと読む）

半導体光電池は、加工および光起電面の理由により凹凸化された表面を有する。吸収領域は、平行に伸びる溝を有するが、この溝は、これがなければ反射されて失ってしまうであろう太陽エネルギーの損失を低減する。凹凸体の１つの形式は、平行に伸びる溝および畝である。セルは、発生した電荷を収集し、これを伝導するための金属化領域（これは、チャンネルでもよい）をも含む。このトポグラフィは生産中に考慮されるが、これは、このトポグラフィを生かしたプロセスを用いて、どの位置で特定の加工を受けるか、および、どの位置がこのような加工を受けないかを決めることで行われる。液体は、セルのゾーン中で直接処理される。この液体は、そのゾーン全体を移動し、接触した位置で作用する。例えば縁、壁および畝などの、表面凹凸体のフィーチャーである流体流動の障害物が存在するために、この液体は他のゾーンには移動しない。遮断液体は、エッチングなどの続く行為からの遮断またはマスクをするために、あるゾーン内で堆積させられ移動してもよい。 （もっと読む）

【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

【課題】基板の中間取扱い過程で発生しうる基板の汚染や破損などの発生を最小化し、基板に残留する汚染を有効に除去すること。
【解決手段】（Ｓ１１)スライシング機にぶら下げて装着された太陽電池基板製造用インゴットを、切削油を供給しながら複数枚の薄片化された基板にスライシングし、垂直下方に平行にぶら下げられた状態の前記複数枚の薄片化された基板を洗浄機内に据え置く段階；（Ｓ１２)上記垂直に据え置かれた薄片化された基板のスライスされた面の上に残存する切削油を除去する段階；（Ｓ１３)上記薄片化された基板表面の洗浄力向上のためにその表面を活性化する段階；及び（Ｓ１４)上記表面活性化された基板に対して化学的エッチングを行う段階；を含むことを特徴とする太陽電池用基板の洗浄方法。 （もっと読む）