説明

Fターム[5F051CB21]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | エッチング法 (399)

Fターム[5F051CB21]の下位に属するFターム

Fターム[5F051CB21]に分類される特許

281 - 297 / 297


【課題】銀とアルミニウムとの合金層によるシリコン基板の侵食を抑制し、薄いシリコン基板でも破損しにくく、信頼性の高い良好な接続を得ることができる太陽電池素子同士を接続するための太陽電池素子の接続構造と、これを用いた高い信頼性の太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】非受光面側に、アルミニウムを含有するペーストを塗布焼成して形成した裏側集電極6を設けた、シリコンを基板1とする太陽電池素子と、裏側集電極6と接触した状態で、固定手段であるリード線保持体7aによって固定されたリード線11と、を含むようにした。 (もっと読む)


【課題】 太陽電池セルの反りが抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、n型半導体層3および半導体基板2を含む太陽電池セル1が形成される。その太陽電池セル1の太陽光線を受光する側の表面に、たとえば印刷法、蒸着法またはスパッタ法等によって主面電極4が形成される。その主面電極4に対し、発電した電力を取り出すためのインタコネクタ6が接続される。次に、太陽電池セル1において太陽光線が入射する側とは反対側の面に、たとえば印刷法、蒸着法またはメッキ法等によって裏面電極5が形成される。このようにしてCIC型の太陽電池セルを備えた半導体装置が完成する。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率のよい太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、p型多結晶Siウエハ1表面にSi層またはSiGe層を形成し(工程5)、Si層またはSiGe層が形成されたp型多結晶Siウエハ1に対し、p型多結晶Siウエハ1とは異なる導電型のn型層53を形成するためのP(リン)をSi層またはSiGe層側から導入してp型多結晶Siウエハ1にpn接合を形成する(工程6)ことで、入射光の波長変化に対する感度変化を示す分光感度を向上させ、光電変換効率を向上させた太陽電池を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 受光面側および非受光面側に各々相異なる極性の電極を形成した光起電力素子基板において、工程の自動化を図れると共に高タクトに対応できる量産性に優れた光起電力素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 封止部材上に集電電極が配置された上部配線基板を用いて、上部配線基板をたわませて集電電極を光起電力素子基板の受光面側電極に接続することにより、工程の自動化を図れると共に高タクトに対応できる量産性に優れた光起電力素子およびその製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 化合物半導体層をエッチングするエッチング液への浸漬回数を低減するとともに、光電変換素子の移載や測定などの工程数を削減した光電変換素子の製造方法及び光電変換素子を提供する。
【解決手段】 化合物半導体層(バッファ層2、12、ベース層3、13、エミッタ層4、14)を切断し、基板1、11をハーフダイシングすることによりハーフダイシング領域6を形成し、ダイシングにより生じた結晶欠陥などを含むメサエッチング領域7を化学処理によりメサエッチングする。その後、基板11の素子形成領域9相互間で光電変換素子を相互に分離する。 (もっと読む)


【課題】高効率な太陽電池を高い歩留まりで製造することができる半導体基板を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体基板は、(1)結晶粒界を有する第1導電型半導体基板11の表面に存在する低品質領域11aを検知して特定する工程と、(2)低品質領域11aを第1導電型に保持しつつ、第1導電型半導体基板の表面側に第2導電型層12を形成する工程とを備える方法によって製造される。 (もっと読む)


【課題】裏面パッシベーション効果を有する高効率な光電変換素子の製造方法を低コストに提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換素子の製造方法は,裏面に凹凸を有する半導体基板1の裏面にパッシベーション膜5を形成する工程と,凹部での厚さが選択的に厚くなるように裏面電極用材料7を塗布する工程と,この材料7を焼成することにより,凹部においてパッシベーション膜5に開口部4を形成し,かつ,この開口部4を介して基板に電気的に接続される裏面電極を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】
面積の大きな半導体層を高速にリフトオフすることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板2上にエッチング層6を介して半導体層3を形成する工程と、半導体層3上にエッチングマスク10を形成する工程と、エッチングマスク10上に支持基板11を接着する工程と、エッチング層6を除去することにより半導体層3をリフトオフする工程とを含み、エッチング層6を除去する際に、支持基板11は、半導体基板2および半導体層3に対して引張応力を加えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 薄膜太陽電池の製造工程数の増加を最小限に抑えつつ、テクスチャを作成し、太陽電池の電流-電圧特性を改善する。
【解決手段】 本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第1の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、非晶質層と結晶層のエッチング速度の違いを利用して光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第2の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、異方性エッチングにより光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】 本発明は、表面コンタクトと裏面コンタクトとの間に広がる光活性半導体層と組み込まれた保護ダイオード(バイパスダイオード)とを具備するソーラーセルに関する。保護ダイオードはソーラーセルの極性と逆の極性を有し、その表面においてp導電型半導体層が設けられている。保護ダイオードは、表面コンタクトに接続される。本発明の目的は、高安定の保護ダイオードを提供すること、および金属原子のマイグレーションを防ぐことである。この目的のために、トンネルダイオード(38)が保護ダイオード(32)のp導電型半導体層(36)上に広がっている。トンネルダイオードは、n+導電型層を介して表面コンタクト(14)と接続されている。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1つの透明導電酸化物層、活性ポリマー層、背後電極層および基板層を備え、透明導電酸化物(TCO)層は、10nm〜500nmの範囲のX値および15nm〜1000nmの範囲のY値を有することにより特徴づけられる制御された表面構造を有し、X値およびY値の間の比率(X/Y)は多くとも1であり、X値は表面上のピーク高さの平均値として規定され、Y値は表面上の平均ピーク間距離として規定され、XおよびYの値はどちらも、SEM(走査電子顕微鏡)または原子間力顕微鏡(AFM)により測定される、ポリマー光電子デバイスに関する。 (もっと読む)


エミッターラップスルー(EWT)バックコンタクト型太陽電池の製造方法と、その方法で製造された電池が提供される。前面あるいは背面の平均ドーパント濃度と比較して高い濃度のドーパントが導電バイアに提供され、効率を高める。また、印刷されたドーパントペーストの利用により、導電バイアの形成のために孔の選択的ドーピングが提供される。ドーパントを含んだスピンオングラス基板の利用法も提供される。
(もっと読む)


【課題】 改善された光学的および電気的膜特性を有する透明で導電性の酸化物膜(TCO膜)であり、薄膜太陽電池において使用するのに適する表面構造を有する該膜の提供。
【解決手段】 この課題は、反応性スパッタリングによって基板上に導電性で透明な酸化亜鉛膜を生成し、プロセスにヒステリシス領域を有している方法において、ドーピング剤を含有する金属Znターゲットを使用し、該ターゲットのドーピング剤含有量が2.3原子%より少なく; 基板のための加熱器を、200℃より高い該基板温度に調整される様に調整し;
190nm/分より早い静的溶着速度に相当する50nm*m/分より早い動的溶着速度に調整し;そして安定な金属プロセスと不安定なプロセスとの間の転換点と安定化されたプロセス曲線の屈曲点との間に位置する、不安定なプロセス領域内で安定化した作業点を選択する各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 (もっと読む)


例えばガラスまたは石英製の透明な機械的支持体(10)と、単結晶半導体材料の膜または薄層(14)と、当該薄層または半導体膜と当該支持体との間に位置する反射防止中間層(12)とを有する複合基板。当該反射防止中間層の組成は、屈折率が変化するように、当該支持体(10)と当該半導体膜(14)との間において変化する。 (もっと読む)


シリコン(12)が、有機樹脂材料(ノボラックなど)の層を備えるマスク11を通してエッチングされ、マスクを通して開口部(32)がエッチングされる部分に形成される。最初に、エッチングされるデバイスの自由表面上に有機樹脂の層が付着される。次に、水酸化ナトリウム(NaOH)又は水酸化カリウム(KOH)などの苛性エッチング液の液滴を、インクジェットプリンタを用いて付着させることにより、開口部(32)が形成される。エッチング剤が樹脂と反応してエッチングされる部分のシリコン表面を露出する。シリコン表面のエッチングは、マスクの開口部を通して、露出された表面に、フッ化水素酸(HF)及び過マンガン酸カリウム(KMnO)の希溶液を適用して、所望の深さ(83)までシリコンをエッチングすることにより実施される。

(もっと読む)


ノボラックなどの有機樹脂材料(17)の薄膜がエッチングマスクとして用いられ、開口部(32)がマスクに所定のパターンで形成されて、開口部により画定される選択された部分が処理される。開口部(32)は、開口部が形成されるべき部分に、水酸化ナトリウム(NaOH)又は水酸化カリウム(KOH)などの苛性エッチング液の液滴(76)のパターンを適用することにより形成される。液滴(76)は、インクジェットプリンタ(90)を用いて適用され、インクジェットプリンタは液滴が適用される際に有機樹脂の表面の上方でスキャンされる。液滴(76)は、開口部(32)の寸法を定め、液滴(76)の下側の有機樹脂(17)を完全に除去できる大きさのものである。エッチング液が有機樹脂をエッチングして貫いて下にある表面(12)を露出させた後、エッチング液は有機樹脂及び開口部(32)から洗い流される。

(もっと読む)


【課題】 誘電体分離シリコン島の底面に衝突した光を乱反射させて発電効率を高め、製造工程を簡略化する太陽電池および該電池用の誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面から誘電体分離酸化膜14までの深さが30μmの誘電体分離シリコン島30内に入射した光は、微小凹凸が現出された島30の底面に衝突して乱反射する。この底面はエッチング面である。これにより、光は従来の鏡面時の正反射でなく乱反射する。結果、活性層と、N型層30aまたはP型層30bとからなる発電領域部を通過する光子の数が増え、太陽電池の発電効率が高まる。また、活性層用のシリコンウェーハ10はエッチドウェーハである。よって誘電体分離ウェーハ、ひいては太陽電池の製造工程を大幅に簡素化できる。 (もっと読む)


281 - 297 / 297