【課題】粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得る。
【解決手段】基板１上に第１の粘着層２を形成する第１の工程（ａ）と、第１の粘着層２上に耐エッチング性の粒子３を乾式で被着させる第２の工程（ｂ）と、転圧用ローラ４を用いて粒子３を第１の粘着層２上に加圧する第３の工程（ｃ）と、最下層の単層粒子層３ａを残して粒子３を除去する第４の工程（ｄ）と、最下層の粒子層３ａをマスクとして基板１をエッチングする第５の工程（ｅ）と、基板１から第１の粘着層２を除去するとともに、最下層の粒子層３ａを除去する第６の工程（ｆ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】 入射した太陽光を効率良く光電変換する事の出来る、太陽電池を提供する。
【解決手段】 ｐ型及びｎ型を有するシリコンの表面を粗化する工程と、多角形を有する孔を作成する工程と多孔質層を形成する工程とを２工程以上を組み合わせて作成された太陽電池。 （もっと読む）

【課題】ｐ−ｎ接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法を提供する。
【解決手段】有機シラン、アミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を含む組成物を化学気相成長させることにより、シリコン基材の少なくとも一方の表面上に非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングを形成する工程を含み、該非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングが、式Ｓｉ_vＣ_xＮ_uＨ_yＦ_zによって表される膜であって、式中、ｖ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％、ｘが５〜８０原子％、ｕが０〜５０原子％、ｙが１０〜５０原子％、及びｚが０〜１５原子％である、ｐ−ｎ接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】裏面の面積が大きくなった場合でも出力の低下を有効に抑止することができる太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板の受光面の反対側にある裏面にｐ+層とｎ+層とが形成されている太陽電池セルであって、ｐ+層およびｎ+層上にフィンガー電極が形成されており、フィンガー電極に交差するバスバー電極の少なくとも１本が太陽電池セルの裏面の内部に形成されている太陽電池セルである。また、半導体基板の受光面の反対側にある裏面にｐ+層とｎ+層とが形成されている太陽電池セルが複数組み合わされてなる太陽電池モジュールであって、ｐ+層およびｎ+層上にフィンガー電極が形成され、フィンガー電極に交差するバスバー電極の少なくとも１本が太陽電池モジュールの裏面の内部に形成されている太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 作製時における第２導電型の半導体部の削れの発生を低減することで、優れた変換効率を示す光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 球状の第１導電型の結晶半導体粒子に対して、凸部の先端が曲面状に形成された凹凸構造を前記結晶半導体粒子の表面に形成し、次に、前記結晶半導体粒子を導電性基板の一主面に押圧して接合し、次に、前記結晶半導体粒子の上部が露出するように、前記導電性基板の一主面の前記結晶半導体粒子間に絶縁層を形成し、次に、前記結晶半導体粒子の上部及び前記絶縁層上に透光性導電層を形成して光電変換装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】メタモルフィック層を含む多接合ソーラーセル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上部サブセル、中間サブセル及び下部サブセルを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、半導体材料のエピタキシャル成長のために第１基板を準備し、第１バンドギャップを有する第１ソーラーサブセルを基板上に形成し、第１バンドギャップより小さい第２バンドギャップを有する第２ソーラーサブセルを第１ソーラーサブセルの上に形成し、貫通転位を防止するために第２サブセルの上にバリア層を形成し、第２バンドギャップより大きな第３バンドギャップを有するグレーディング中間層をバリア層の上に形成し、第２バンドギャップより小さい第４バンドギャップを有する第３ソーラーサブセルであって、第２サブセルに対して格子不整合している第３サブセルをグレーディング中間層の上に形成するステップを含む方法が、開示される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の裏面上にｐ側、ｎ側の両電極の取出構造を有する太陽電池において、貫通孔内におけるリークや短絡の発生を抑制することにより向上した光電変換効率を得ることのできる太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】
太陽電池１０において、スルーホール２６は、受光面に設けられた第１の開口２６ａと、裏面に設けられた第２の開口２６ｂとを有しており、受光面と平行な投影面上において、第１の開口２６ａ内には、第１のＴＣＯ薄膜２４が形成され、第２の開口２６ｂ内には、第２のＴＣＯ薄膜２５が形成されており、第１の開口２６ａと第２の開口２６ｂとは互いに重なっておらず、第１のＴＣＯ薄膜２４と第２のＴＣＯ薄膜２５とは電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルの裏面の面積が大きくなった場合でも出力の低下を有効に抑止することができる太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】電気的に接続されている複数の太陽電池セル２０、２１、２２を含む太陽電池モジュールであって、太陽電池セル２０、２１、２２の裏面にｐ+層とｎ+層とが形成されており、ｐ+層上に形成されているフィンガーｐ電極１１に交差するバスバーｐ電極１３とｎ+層上に形成されているフィンガーｎ電極１２に交差するバスバーｎ電極１４とからなるバスバー電極のうち少なくとも１本が太陽電池セル２０、２１、２２の裏面の内部に形成されている太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】ＦＦ（Fill Factor）値が大きく、安価に製造することができる太陽電池セルおよびこれを用いた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板１の一面にｐ電極６とｎ電極５とがそれぞれ点状に複数形成されている太陽電池ウエハ１７と、絶縁性基板１６の一面にｐ配線１４とｎ配線１５とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板と、を含み、太陽電池ウエハ１７の一面上に配線基板１８の一面が設置されて、ｐ電極６がｐ配線１４によって電気的に接続され、ｎ電極５がｎ配線１５によって電気的に接続されている太陽電池セルとこれを用いた太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。そのトップセルＴ上にボトムセルＢとなる各層が形成される。次に、ボトムセルＢの表面に裏面電極９が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたＧａＡｓ基板１をアルカリ溶液に浸漬することによって、ＧａＡｓ基板１が除去される。その後、トップセルＴの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板１３が裏面電極から分離される。 （もっと読む）

【課題】
太陽電池グレードのシリコン基板を使用して、良好な裏面電界層となるシート抵抗値を持つ太陽電池セルを提供すること。
【解決手段】
シリコン太陽電池セルにおいて、片面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が８Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。また、両面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が１３Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価な配線部材を用いて隣接する光電変換素子間の接続が可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、第１導電型の第１半導体層と、第１半導体層の裏面側に配置され且つ第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、第１半導体層に接触し且つ少なくとも一部が第１半導体層の受光面側に配置された第２導電型の第２半導体層と、第２半導体層の受光面側に第２半導体層に電気的に接続されるように設けられた受光面電極と、第１半導体層の裏面側に配置され第１半導体層と電気的に分離され且つ第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、第１半導体層を貫通し第１半導体層と電気的に分離され且つ前記受光面電極と第２電極とを電気的に接続する貫通接続部とを備える光電変換素子であって、第１電極と第２電極は、前記光電変換素子の中心を通る中心軸から等距離の位置に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多重量子井戸層を透過した光を再度第３の半導体層により吸収させて効率を向上させ、かつ、多重量子井戸層における層数を減らすことを可能にすることで界面における再結合を抑制し、エネルギー変換効率を向上させる。
【解決手段】障壁層３３と、障壁層３３よりもバンドギャップの小さな井戸層３４とを複数層交互に積層して多重量子井戸層２８を構成する。受光面側とは反対側の端に位置する障壁層３３に隣接させて、障壁層３３よりもバンドギャップが小さく、井戸層３４よりも厚さの大きな第３の半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】簡略かつ低コストの工程で太陽電池を製造し得る方法を提供する。
【解決手段】太陽電池の製造方法において、シリコン基板の一主面に第１導電型不純物層とその上のマスク層を形成し、そのマスク層と第１導電型不純物層とをエッチングし得るエッチングペーストのパターンをマスク層上に塗布し、そのエッチングペーストパターンの領域においてマスク層と第１導電型不純物層とをエッチング除去してシリコン基板の一部領域を露出させるようにシリコン基板を加熱処理し、シリコン基板の露出された一部領域に第２導電型不純物層を形成し、そしてマスク層を除去する工程を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換層の間に導電性を有する中間層を備える場合にも、背面電極と中間層との電気的短絡を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。
【解決手段】この光起電力装置１は、光電変換層４の表面上に導電性を有する中間層５を介して形成された光電変換層６と、少なくとも中間層５を切断するように形成された開溝部１０ａと、開溝部１０ａ内の少なくとも中間層５の切断部を覆い、かつ、光電変換層６の上面上に沿って延びるように形成された絶縁部材８と、光電変換層４、中間層５、光電変換層６および絶縁部材８を貫通するとともに、基板側電極３ａの表面を露出するように形成された開溝部１０ｂと、基板側電極３ａと光電変換層６とを電気的に接続する背面電極９と、背面電極９を電気的に分離するための開溝部１０ｃとを備えている。また、絶縁部材８は、少なくとも開溝部１０ｂの開溝部３ｃと反対側の領域まで延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄板の端部の損傷部を除去し薄板が薄くなることによる強度低下を軽減した薄板の処理方法。
【解決手段】端面付近に損傷部を有する金属材料および半導体材料の少なくともどちらか一方を含む薄板の処理方法であって、前記薄板の端面付近をエッチング液等の処理液に浸漬し、その後エッチング液を洗浄することで前記損傷部を除去する薄板処理方法及び薄板の処理装置。 （もっと読む）

裏面誘電体パッシベーションと、局所裏面電界を伴う裏面コンタクトと、を備える薄いシリコン太陽電池が説明される。詳細には、太陽電池は、５０から５００マイクロメートルの厚さを有する結晶シリコンウエハから作成されてよい。裏面コンタクトの形成時における変形からシリコンウエハを保護するために、シリコンウエハの少なくとも裏面にバリア層及び誘電体層が貼り付けられる。誘電体層に、少なくとも１つの開口が形成される。開口内に尚且つ誘電体層上に、裏面電界を提供するアルミニウムコンタクトが形成される。アルミニウムコンタクトは、原子百分率１から１２％のシリコンを有するアルミニウムペーストをスクリーン印刷し、次いで摂氏７５０で熱処理を行うことによって貼り付けられてよい。
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太陽電池について説明する。前面と裏面とを有する基板上に太陽電池が作製される。基板は、第１の全体的厚みを有する第１の領域と第２の全体的厚みを有する第２の領域とを前面に有する。第２の全体的厚みは第１の全体的厚みよりも大きい。基板の裏面には、複数の交互するｎ型及びｐ型ドープ領域が配置される。 （もっと読む）

【課題】 結晶半導体粒子が接合された導電性基板を有する光電変換装置でありながら前記導電性基板の反りを抑制し、高変換効率で信頼性の高い光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１の一主面に複数個の第１導電型の結晶半導体粒子２が下部を接合されており、結晶半導体粒子２間には絶縁物質３が介在するとともに、結晶半導体粒子１の上部には第２導電型の半導体層４及び透光性導体層５が設けられた光電変換装置であって、結晶半導体粒子２を構成する半導体元素が結晶半導体粒子２の接合位置において導電性基板１の他主面側に拡散している。 （もっと読む）