【課題】基板の中間取扱い過程で発生しうる基板の汚染や破損などの発生を最小化し、基板に残留する汚染を有効に除去すること。
【解決手段】（Ｓ１１)スライシング機にぶら下げて装着された太陽電池基板製造用インゴットを、切削油を供給しながら複数枚の薄片化された基板にスライシングし、垂直下方に平行にぶら下げられた状態の前記複数枚の薄片化された基板を洗浄機内に据え置く段階；（Ｓ１２)上記垂直に据え置かれた薄片化された基板のスライスされた面の上に残存する切削油を除去する段階；（Ｓ１３)上記薄片化された基板表面の洗浄力向上のためにその表面を活性化する段階；及び（Ｓ１４)上記表面活性化された基板に対して化学的エッチングを行う段階；を含むことを特徴とする太陽電池用基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の裏面電極形成に伴う半導体基板の反りを抑制し、かつ面抵抗が小さく、密着強度が高い裏面電極を形成できる導電性ペーストを提供する。
【解決手段】裏面電極用の導電性ペーストが無機主成分物質として、Ａｌ−Ｍｇ合金粉末と、Ａｌ粉末にＭｇを主成分元素とする所定の物質を添加してなり、加熱されることによってＡｌ−Ｍｇ合金を優先的に生成させるＭｇ混合Ａｌ粉末との少なくとも一方を含むようにする。裏面電極を形成すべく該導電性ペーストを半導体基板に塗布した後の焼成時、Ａｌ−Ｍｇ合金粉末においては、Ａｌ粒子の表面にＭｇが析出し、これが酸化され、ＭｇＯがＡｌ粒子の最表面に偏析した状態が実現される。Ｍｇ混合Ａｌ粉末の場合、まずはＡｌ−Ｍｇ合金が生成するがその後は同様である。このＭｇＯによってＡｌ粒子同士のネック成長が抑制されるので、裏面電極と結果的に半導体基板の反りは抑制される。 （もっと読む）

【課題】高エネルギー効率ソーラーセルを提供する。
【解決手段】上側サブセル、中間サブセル、及び下側サブセルを有する多接合ソーラーセルを含む半導体構造体を形成する方法は、半導体材料をエピタキシャル成長させるための第１の基板を設け、基板上に第１のバンドギャップを有する第１のソーラーサブセルを形成し、第１のサブセルの上に第１のバンドギャップよりも小さい第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルを形成し、第２のサブセルの上に第２のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有する傾斜中間層を形成し、第２のバンドギャップよりも小さい第４のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルを第３のサブセルが第２のサブセルと格子不整合になるように形成する。バイパスダイオードが半導体構造体内に更に設けられ、ソーラーセルの第１の極性の領域がバイパスダイオードの第２の極性の領域に接続される。 （もっと読む）

本発明は、光学デバイス、およびそれを製造する方法に関する。ある態様においては、本発明は光起電力デバイスまたは太陽電池に関する。光学デバイスは第１電極と、第２電極と、第１および第２電極の間に配置される活性エレメントと、を備える。活性エレメントは、第１電極から縦方向に延びるとともに第１および第２電極に接している複数の半導体構造を備える。活性エレメントはｎｐ接合を備える。半導体構造では、少なくとも構造の一部は、概ねプレートまたはフレーク形状である。ある態様においては、半導体構造は、ナノメートル範囲にある少なくとも１つの特徴的な寸法を有する。
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【課題】近赤外線ヒーターの外囲管の失透を防止して、生産性の良い半導体装置製造用焼成装置および半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置製造用焼成装置１は、近赤外線ヒーター１１および搬送ベルト２２を備える。近赤外線ヒーター１１は、搬送ベルト２２の搬送方向ＳＤに沿って複数配置され、例えばハロゲンランプにより近赤外線ＩＲを発光する。近赤外線ヒーター１１は、近赤外線ヒーター１１の外周形状を構成する外囲管１２を有し、近赤外線ヒーター１１の外囲管１２を囲む石英製保護管１５を備える。 （もっと読む）

【課題】 粒状単結晶シリコンの製造方法において、結晶性や開放電圧特性に優れた高品質な粒状単結晶シリコンを安定して作製でき、量産性に優れた低コストな粒状単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】 酸素ガスと窒素ガスの反応性ガスを含む雰囲気ガス中で粒状シリコンを加熱して表面に前記ガスの成分を含む珪素化合物被膜を形成して内側のシリコンを溶融した後、降温して凝固させて単結晶化する粒状単結晶シリコンの製造方法であって、上記反応性ガスを室温より高くシリコンの融点より低い温度で導入し始めることを特徴とする。 （もっと読む）

三次元薄膜太陽電池に使用される三次元薄膜太陽電池基板形成のためのテンプレート１００。テンプレート１００は、複数のポスト１０２及び前記複数のポスト１０２間の複数のトレンチ１０４を備える基板を含む。テンプレート１００は、三次元薄膜太陽電池基板形成のための環境を形成する。
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本発明は、シリコン表面および層、ならびに適切なシリコン化合物から形成されているガラス状表面における極めて微細な線または構造の全面または選択エッチングに適しているエッチングペーストの形の粒子含有エッチング媒体に関する。本発明はまた、このタイプの表面をエッチングする方法における、本発明によるペーストの使用にも関する。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池の製造プロセスで使用するための改良された特性を有する新規な印刷可能なエッチング媒体に関する。この媒体はこれに対応する粒子を含有した組成物であり、これを用いて、隣接した領域を損傷または浸食することなく、非常に微細なラインおよび構造を非常に選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

本発明の１つの実施形態に係る光起電力ナノ構造は、第１の電極に接続されている導電性ナノケーブル、ナノケーブルの少なくとも２面に沿って伸びている第２の電極、およびナノケーブルと第２の電極との間に形成される光起電力的に活性なｐ−ｎ接合を含む。１つの実施形態に係る光起電力アレイは、上で列挙したような複数の光起電力ナノ構造を備える。ナノ構造を形成するための方法もまた示す。
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【課題】 ＴＦＰＶモジュール内にセルを構成し、一緒に配線する。
【解決手段】 一態様によれば、モジュール内のセルは、既知のプロセス不均一性を補償するために、サイズが調節される。他の態様によれば、モジュールは、多数のより小さな直列接続されたサブモジュールに分割され、該サブモジュールは、次いで、並列に配線される。他の態様によれば、モジュール及び／又はサブモジュールは、非矩形形状であるのがよい。他の態様によれば、相互接続を形成するために、好ましくはリソグラフィとエッチプロセスを用いる。他の実施形態では、シェーディング或いは不均一性のための損傷の危険を最小にするための保護ダイオードを取り付けるために用いることができるフォトリソグラフィプロセスを用いてコンタクトパッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。
【解決手段】ａ）光電池（１００）の正面（１０８）上に少なくとも一つの金属化層（１１０）を形成すること、ｂ）約８００℃及び９００℃の間の温度で光電池（１００）に第１のアニールをすること、ｃ）基板（１０２）の裏面上に少なくとも一つの金属化層（１１２）を形成すること、ｄ）約７００℃及び８００℃の間の温度で光電池（１００）に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含む。 （もっと読む）

太陽電池（１００）を製造する方法であって、ａ）結晶半導体をベースとする基板（２）の背面に、真性非晶質半導体をベースとする保護層（１２）を堆積させる工程と、ｂ）少なくとも１つの開口部を有する第１の犠牲マスクを、約２５０℃に等しいかまたはそれより低い温度において、保護層にスクリーン印刷する工程と、ｃ）少なくとも開口部に、第１の型の導電性を有するドープ非晶質半導体層（２０）を堆積させる工程と、ｄ）第１の犠牲マスクを除去して、第１の犠牲マスクの開口部に残っている、第１の型の導電性を有する少なくとも１つのドープ非晶質半導体のパッド（２０）を残す工程と、を少なくとも含む、方法。 （もっと読む）

【課題】光電池をアニールするための方法を提供する。
【解決手段】第一種の導電性を有するシリコンをベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、光電池の正面（１０８）上の少なくとも一つの金属化層（１１０）、及び、基板の裏面上の少なくとも一つの金属化層、を備える少なくとも一つの光電池（１００）をアニールするための方法を提案する。この方法は、周囲空気中そして周囲圧力で、ａ）約７００℃及び９００℃の間の温度で光電池に第１のアニールをすること、ｂ）約２００℃及び５００℃の間の温度で光電池に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含み、この処理の間、基板中に水素が拡散される。 （もっと読む）

本発明は経済的なバックコンタクトシリコン太陽電池の製造方法及びその方法によって作製された電池に関する。本方法は、互い違いのパターンで交互にＰ型及びＮ型伝導性を有するよう背面がドープされ、任意にウェハ前面にＰ型又はＮ型のどちらかの層を有するシリコン基板、ウェハ又は薄膜を準備する段階と、基板の両面に一つ以上の表面パッシベーション層を堆積する段階と、基板背面において表面パッシベーション層に開口部を生成する段階と、背面全体を覆い表面パッシベーション層の開口部を充填する金属層を堆積する段階と、堆積された金属層に開口部を形成し、電気的に分離された、基板背面のドープ領域とのコンタクトが得られる段階と、を含む。
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【課題】従来技術の方法より少ない段階を有し、工業的な実装に経済的に有益であるような、ドープ領域またはドープ構造を基板内に作る方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光電池（１００）の後部表面上にドープ領域（１６，１８）を作るための方法に関連する。第１の伝導型のドーピングペーストが、該第１の伝導型でドープされる領域（１６）の要求される分布と一致したパターンに従って、半導体ベースの基板（２）の後部表面上に堆積される。次に、酸化物層が、少なくとも、ドーピングペーストで覆われていない基板の後部表面の部分上に堆積される。最後に、アニーリングが基板内にドープ剤を拡散させ、ドーピングペーストの下にドープ領域（１６，１８）を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層表面での光の反射を低減し、光電変換層に光閉じ込めを有効に行なうことができる光閉じ込め構造を有する太陽電池用基板、その製造方法並びにそれを用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】基板１上に凹凸構造を有する凹凸層２を形成し、前記凹凸構造が、直径４１０ｎｍ〜１１９０ｎｍの開口面を有する略半球形状または円錐形状のホールであり、前記凹凸構造の高さの二乗平均値が、３０ｎｍ〜５９０ｎｍであり、かつ前記凹凸構造の平均線と前記凹凸表面とがなす傾斜角をθとしたとき、ｔａｎθが０．０８〜０．１９である太陽電池用基板、その製造方法並びにそれを用いた太陽電池。 （もっと読む）

【課題】球状の第１半導体およびその表面を被覆する第２半導体層からなる光電変換素子、並びに各素子を装着する孔を有する支持体を備えた光電変換装置の製造方法において、多数の素子を支持体に固定した段階で、第１半導体側の電気的導通をとるための第２半導体層の開口部を効率的に形成する。
【解決手段】支持体の孔の部分に素子を導電性接着剤により液密に装着し、その支持体の裏面側に砥粒もしくは砥粒を含む研磨部材またはエッチング液を保持させた部材を擦り合わせ、支持体の裏面側に露出している第２半導体層の少なくとも一部を除去して、第１半導体の一部を露出させる開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 安定的に高出力な太陽電池素子を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 オゾンを含有する溶液に、一導電型を示す半導体基板を浸漬する工程と、前記溶液から引揚げられた前記半導体基板の少なくとも一部に、前記一導電型と逆の導電型を示す逆導電型領域を形成する工程と、を有してなる太陽電池素子の製造方法。
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【課題】太陽電池のシリコン基板における表面再結合速度を減少させることで太陽電池の変換効率をあげる。
【解決手段】シリコン基板の１表面に、第１導電型不純物拡散層と第２導電型不純物拡散層が形成された太陽電池であって、前記第１導電型不純物拡散層上、前記第２導電型不純物拡散層上に、それぞれ化学組成の異なる第１パッシベーション膜および第２パッシベーション膜が形成されている太陽電池を提供する。また、該太陽電池の製造方法を提供する。 （もっと読む）