【課題】光電変換素子の反りを低減することができるとともに、良好な特性を有する光電変換素子を効率良く製造することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板の主面上に非金属層を形成する工程と、非金属層の一部に第１導電型の不純物元素を含む第１電極材料を塗布する工程と、第１電極材料の塗布後に酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の低酸素雰囲気で半導体基板を加熱することにより非金属層を貫通して半導体基板の主面に接する第１電極を形成する工程と、第１電極上に第２電極材料を塗布する工程と、第２電極材料の塗布後に半導体基板を加熱することにより第１電極上に第２電極を形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】バスバー部分におけるキャリヤの収集効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができる裏面コンタクト型の太陽電池を提供する。
【解決手段】結晶系半導体基板２の裏面に、集電用のプラス電極７とマイナス電極９とを複数形成し、それぞれをバスバー１０，６で共通に接続し、さらに、バスバー１０，６の外側に、逆極性の補助電極５，８を形成し、それぞれを同極性の集電電極７，９に接続する。 （もっと読む）

レイヤトランスファプロセスを使用するための再利用可能なシリコン基板デバイス。そのデバイスは、表面領域、劈開領域および材料厚を有する。材料の全厚は、除去される第１の厚さの材料よりも少なくともＮ倍大きい。具体的な実施形態において、除去される第１の厚さの材料は、表面領域と劈開領域との間にあり、その時Ｎは約１０よりも大きい整数である。また、そのデバイスは、ハンドル基板部材を所定の位置に保持するよう適合するチャック部を有する。ハンドル基板を、除去される第１の厚さの材料に容易に接着するような方法で、チャック部はハンドル基板を保持するように構成される。好適な実施形態において、そのデバイスはチャック部に動作可能に結合される機械式圧力素子を有する。機械式圧力素子は、ハンドル基板を、除去される第１の厚さの材料に接着させるような力を加えるように適合される。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にＣｕを含有する薄膜。 （もっと読む）

【課題】基板の厚さが薄くても、基板の反りの発生を抑えるとともに有効な厚さのＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層の形成できる太陽電池の製造方法を得る。
【解決手段】太陽電池の基板の受光面と反対側の表面に起点層を形成する工程と、起点層の表面に電極となる主構成層を形成する工程と、起点層と基板の表面とで合金層を形成させるとともに主構成層の一部を合金層と基板とに拡散させる熱処理工程とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】光を受光する面積を増大させることのできる光電変換素子及び光電変換装置を提供することにある。
【解決手段】円柱状の支持体の外周面に反射電極１３、Ｐ型半導体層、Ｉ型半導体層、Ｎ型半導体層及び透明電極１８を順に積層して太陽電池素子１０を形成した。その太陽電池素子１０を、Ｙ方向に沿って延設されるように列設して太陽電池素子列１０Ｌを形成した。そして、太陽電池素子列１０Ｌを、接着層１１を挟んでＸ方向に並設して、共通電極３の上面に配設した。このとき、各太陽電池素子１０の軸心方向が共通電極３の上面３ａの法線方向になるように、各反射電極１３を共通電極３に電気的に接続した。 （もっと読む）

【課題】光を受光する面積を増大させることのできる光電変換素子、光電変換装置及び光電変換モジュールを提供することにある。
【解決手段】太陽電池素子２は、棒状の支持棒３を備え、支持棒３の外周面に、反射電極５、Ｐ型半導体層７、Ｉ型半導体層９、Ｎ型半導体層１１及び透明電極１３が順に積層されている。そして、太陽電池素子２の下面側の透明電極１３の外周面に、断面略半円状の光反射性を有する反射層１５が形成されている。太陽電池モジュール１は、その太陽電池素子２を列設して形成されている。 （もっと読む）

【課題】優れたキャリア捕獲特性を有する光電池を提供する。
【解決手段】本発明の光電池１は、スライス形状の半導体基板２と、該基板２の１つの主面に形成された第１のドーピング領域１２及び第２のドーピング領域１５であって、第１のドーピング領域１２は、第２のドーピング領域１５よりも、深さが深く且つ表面ドーパント濃度が高くされている第１のドーピング領域１２及び第２のドーピング領域１５と、第１のドーピング領域１２と実質的に整合する金属コンタクトパターン２０と、から成り、第２のドーピング領域１５の表面ドーパント濃度が、第２のドーピング領域１５内から第１のドーピング領域１２に向けて距離と共に増加し、ドーパントの表面濃度の増加勾配が、金属コンタクトパターン２０に向かうキャリア輸送を容易にするようにしている。 （もっと読む）

カルコゲンを含む蒸気の使用による半導体前駆体層形成の高処理能力法に関する。一実施形態では、任意の形態のＩＢおよび／またはＩＩＩＡ族元素粒子前駆体物質の形成を含む。前駆体物質の前駆体層を基板表面上に形成することを含むことができる。さらに前駆体物質の粒子を実質的に無酸素のカルコゲン雰囲気下に前記粒子が反応しカルコゲニド粒子からカルコゲンが放出されるのに十分な加工温度まで加熱され、加工温度では前記カルコゲンは液体状態となり、フラックスとして作用して元素の混合を向上させ所望の化学量論比を有するＩＢ−ＩＩＩＡ族元素カルコゲニド薄膜を形成することができる。カルコゲン雰囲気は、加工温度下での前駆体層中の液体カルコゲンの蒸気圧以上の分圧のカルコゲン蒸気を提供することができる。
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本発明によりマイクロフレーク粒子からなる半導体前駆体層の高処理能力印刷のための方法と装置が提供される。一実施形態では、適切な媒体中の非平面状または平面状前駆体物質を適切な条件下で変換し、その中の構成元素の化学量論比が、沈降後においてもその原料または前駆体物質のものと等しい平面状粒子の分散剤を生成する。とりわけ、平面状粒子はより容易に分散し、はるかに高密度のコーティングを形成し（または粒子間により多くの接触面積を有するコーティングを形成し）、次いで焼きなましにより、球状ナノ粒子から形成される対応物と比べて、より低い温度および／または短い時間で溶融した高密度薄膜に変換される。これらの平面状粒子は高いアスペクト比を有するマイクロフレークであることができる。マイクロフレークから生成される高密度薄膜は、とりわけ光起電性装置の形成にとって有用である。一実施形態ではインク中の少なくとも一セットの前記粒子は、少なくとも一つのＩＢ−ＩＩＩＡ族元素によりなる金属間合金相を含む金属間フレーク粒子（マイクロフレークまたはナノフレーク）である。
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【課題】消費エネルギーが低く、被熱処理物の理想的な熱処理状態を得ることが容易で、更に、炉の内部において搬送部上で被熱処理物の割れが生じた場合に、容易に搬送部上から破片を除去することが可能な熱処理炉を提供する。
【解決手段】被熱処理物５１を搬送するための搬送機構として、被熱処理物５１を炉内に投入し、所定位置まで搬送する投入側搬送機構と、前記所定位置において前記投入側搬送機構から被熱処理物５１を受け取り、前記所定位置から炉外まで搬送する搬出側搬送機構とを備え、前記投入側搬送機構及び前記搬出側搬送機構が、それぞれ所定のサイクルで周期的な動作を行う片持ち構造のビーム２２，３２によって被熱処理物５１を搬送するものであり、前記投入側搬送機構及び前記搬出側搬送機構のビーム２２，３２の全体が、被熱処理物５１の投入時及び取り出し時に完全に炉外に出た状態となる熱処理炉。 （もっと読む）

【課題】 平面状透光板の裏面に透光性接着剤で太陽電池素子を貼着後、この透光板を加熱して軟化させ、所望の形状に曲げ成形する曲面状の太陽電池モジュール製造方法では、曲面上に加工するために型が必要であると共にラミネート後再度加熱して曲面状に加工するので二回加熱するため、その工数と装置が必要となり太陽電池モジュールのコストが上昇してしまうという問題があった。
【解決手段】 少なくとも一主面が曲面形状を成す透光性基板と受光面側充填材と太陽電池素子と裏面側充填材と裏面シートとが順次重なるように袋状容器内に配設する工程と、前記袋状容器を加熱するとともに前記袋状容器内を減圧し、前記透光性基板と受光面側充填材と太陽電池素子と裏面側充填材と裏面シートとを一体化してなる積層体を得る工程とを備えたことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
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【課題】 基板としてテクチャ基板を用いた高い光電変換効率を有する太陽電池を実現する。
【解決手段】
表面に凹凸が形成されたテクチャ基板１上に形成された下部電極層２（Ｍｏ電極層）と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層３（ＣＩＧＳ光吸収層）と、光吸収層３の上に、ＩｎＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜４と、ＺｎＯＡｌ等で形成される上部電極層５（ＴＣＯ）とから１つの単位となるセル１０（単位セル）が形成され、さらに、複数の単位セル１０を直列接続する目的で、上部電極層５と下部電極層２とを接続するコンタクト電極部６が形成される。このコンタクト電極部６は、後述するように、光吸収層３のＣｕ／Ｉｎ比率よりも、Ｃｕ／Ｉｎ比率が大きく、言い換えると、Ｉｎが少なく構成されており、ｐ型半導体である光吸収層３に対してｐ＋（プラス）型もしくは導電体の特性を示している。 （もっと読む）

【課題】 結晶半導体粒子が接合された導電性基板を有する光電変換装置でありながら前記導電性基板の反りを抑制し、高変換効率で信頼性の高い光電変換装置を提供する。
【解決手段】 導電性基板１の一主面に複数個の第１導電型の結晶半導体粒子２が下部を加熱溶着されて接合されており、結晶半導体粒子２間には絶縁物質３が介在するとともに、結晶半導体粒子１の上部には第２導電型の半導体層４および透光性導体層５が設けられた光電変換装置であって、結晶半導体粒子２を構成する半導体元素が導電性基板１全体に拡散している。導電性基板１の一主面側表面からの結晶半導体粒子２の高さは、結晶半導体粒子２の粒子径の４０〜８０％である。導電性基板１における半導体元素の濃度は、一主面の反対側の他主面側よりも一主面側の方が高い。 （もっと読む）

本発明は、基板を精密加工するための方法であり、基板表面に向けられかつ処理試薬を含む液体ジェットが、加工される基板の領域の上に誘導され、レーザ光線が、前記液体ジェットにカップリングされる方法に関する。同様に、本方法の実施に適した装置も説明する。本方法は、太陽電池の製造における種々のプロセス工程に使用される。
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【課題】導電性基板と結晶半導体粒子との接合力が向上し、さらに生産性が高く低コストな光電変換装置の製造方法および光電変換装置を提供することである。
【解決手段】少なくとも結晶シリコン粒子１２を押圧する熱板１５と炉内温度を設定する雰囲気加熱用ヒーター１４とを具備した炉を用いて、前記結晶シリコン粒子１２を載置した前記導電性基板１１を前記炉内に挿入した後、前記炉内雰囲気温度を前記雰囲気加熱用ヒーターにより前記導電性基板１１と前記結晶シリコン粒子の共晶点温度近傍で該温度未満に昇温した後前記温度を保持し、次いで前記共晶点以上の温度に設定された熱板１５で前記結晶シリコン粒子１２を加圧することにより前記結晶シリコン粒子１２と前記導電性基板１１とを接合させる光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置や光発電装置を提供することである。
【解決手段】 上面に複数個の半導体粒子１０１を載置した台板１０２を加熱炉内に導入し、半導体粒子１０１を加熱して溶融した半導体粒子１０１を台板１０２側から上方に向けて固化させる工程において、降温工程で表層に応力歪を形成しアニール処理工程を行うことで結晶半導体粒子１０１とする結晶半導体粒子１０１の製造方法であり、該製造方法により製造された光電変換効率特性に優れた高品質な結晶シリコン粒子１０１を用いた光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】集光ロスを低減し、結晶半導体粒子の光の利用効率を向上させるとともに、導電性基板と結晶シリコン粒子とを前記導電性基板全体に均一に接合でき、低コストに製造可能な高性能で信頼性の高い光電変換装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】少なくとも導電性基板１１と光電変換を行う複数個の結晶半導体粒子１２とからなる光電変換装置において、前記結晶半導体粒子１２は、該結晶半導体粒子１２の高さが前記導電性基板１１の一主面の中央部から端部に向かって順に低く接合されている光電変換装置である。また、前記導電性基板１１の一主面に複数個の結晶半導体粒子１２を接合する工程において、前記複数個の結晶半導体粒子１２を前記導電性基板１１の前記一主面に押圧する際に、前記導電性基板１１の前記一主面の中央部における圧力を端部における圧力よりも大きくした光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｈ_２パッシベーション効果の高い太陽電池の反射防止膜の成膜方法、太陽電池および成膜装置を提供する。
【解決手段】反射防止膜を形成する前の基板３１１を基板ホルダ５１０にセットした後、基板ホルダ５１０を上方に移動して誘電体板５０５に近づける。そして、プロセスガス導入管５０７を通してＨ_２ガスとＡｒガスとをチャンバ５０１内に導入し、表面波励起プラズマＰにより基板３１１の表面を１分間プラズマ処理する。プラズマ処理後、基板ホルダ５１０を下方に移動し、プロセスガス導入管５０７を通してＮＨ_３ガス、Ａｒガスをそれぞれチャンバ５０１内に導入し、材料ガス導入管５０８を通してＳｉＨ_４ガスをチャンバ５０１内に導入する。そして、表面波励起プラズマＰにより基板３１１の表面に窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）