【課題】高い光収率効果を得ることができる太陽電池及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、光受容表面及びＰ−Ｎ整流接合を有する基板を含む。前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。前記半導体層を貫通して前記ベース領域に延長するトレンチがまた提供される。第１及び第２電極は、前記光受容表面付近に提供される。第１電極が前記半導体層に電気的に接続され、第２電極は、前記トレンチの下部に隣接する前記ベース領域に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスを使用する処理工程を有する基板処理装置において、大型基板を処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】腐食性ガスを用いて基板５０に処理を施す基板処理装置１０において、処理室１１と、処理室１１内に配置され、基板５０を収容可能な基板収容室１３と、基板収容室１３に腐食性ガスを流通させる腐食性ガス流通機構１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高い光収率効果を得ることができる太陽電池及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、光受容表面及びＰ−Ｎ整流接合を有する基板を含む。前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。前記半導体層を貫通して前記ベース領域に延長するトレンチがまた提供される。第１及び第２電極は、前記光受容表面付近に提供される。第１電極が前記半導体層に電気的に接続され、第２電極は、前記トレンチの下部に隣接する前記ベース領域に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】処理装置の構成の自由度を向上することができる搬送機構を提供する。
【解決手段】複数の処理室１２，１４に接続された処理物Ｗの搬送室１３と、搬送室の内部に配置され、処理物を複数の処理室に搬送する搬送手段５１と、搬送手段を処理室に対して出し入れする移動機構６５，７５と、を備えた搬送装置において、搬送手段と移動機構とを相互に接続および分断する断接部を備え、断接部が接続された状態で、移動機構が搬送手段を処理室に対して出し入れし、断接部が分断された状態で、搬送手段が処理物を複数の処理室に搬送するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を増やさずに、アモルファスカーボンと金属電極の接触抵抗を減らすことができる半導体装置、この半導体装置を含む太陽電池、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の面側に形成されたアモルファスカーボン層１２と、アモルファスカーボン層１２の上層部がグラファイト化されることにより形成されたグラファイト層１３と、グラファイト層１３の上に形成された金属電極層１４と、を有する半導体装置１０であって、金属電極層１４は複数形成されており、グラファイト層１３は、金属電極層１４の各々が形成される領域の下側に形成されており、グラファイト層１３は、アモルファスカーボン層１２の上層部に電子ビームが照射されてグラファイト化されることにより形成される半導体装置１０、この半導体装置１０を含む太陽電池、及びこれらの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属の用量を減少するために、ポリマーで被覆されたナノ貴金属クラスターからなる電気化学触媒層を用いて電極を形成し、当該電極を用いて電気化学装置を製造する方法する方法を提供する。
【解決手段】 触媒層を有する電極を形成する方法であって、表面に導電層を有する第一基板を提供する工程と、基板表面を調整する工程と、基板をポリマーで被覆するナノ貴金属クラスターを含有する第二溶液にディップすることにより、基板の調整された表面にポリマーで保護された電気化学触媒層を形成する工程と、約３００℃より低い温度で、貴金属触媒層を熱処理する工程とを含む触媒層を有する電極を形成する方法を提供する。
また、前記電極を用いて電気化学装置を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ_ｘＡ_ｙタイプの少なくとも１つの半導体を含有し、少なくとも４タイプの軽元素を有する基板を処理する基板処理方法を提供する。
【解決手段】４タイプの軽元素のうち第１の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ１にて基板の第１のアニールを実行する工程と、４タイプの軽元素のうち第２の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ２にて基板の第２のアニールを実行する工程と、４タイプの軽元素のうち第３の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ３にて基板の第３のアニールを実行する工程と、４タイプの軽元素のうち第４の軽元素の熱活性化温度に対応する温度Ｔ４にて基板の第４のアニールを実行する工程と、を少なくとも有し、各アニールは、所定期間にわたって温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３またはＴ４を保持または維持する工程を有し、温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３およびＴ４は、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３＞Ｔ４である。 （もっと読む）

【課題】簡便なプロセスで、優れた光電変換特性を有する省資源型の光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板、代表的には単結晶シリコン基板を薄板化し、該薄板化された単結晶半導体基板である薄板単結晶半導体層を用いて光電変換装置を構成する。単結晶半導体基板の薄板化は、電圧で加速した水素イオンを照射する方法、又は多光子吸収を生じさせるレーザビームを照射する方法を利用して行う。薄板化された単結晶半導体基板上に非単結晶半導体層を有するユニットセルを積層して、所謂タンデム型光電変換装置とする。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり低コストな連続生産を可能とした色素増感型太陽電池の製造方法を提供するものである。特に、十分に優れた光電変換効率、及び耐久性も向上した色素増感型太陽電池を低コストな連続生産にて製造する製造方法を提供するものである。
【解決手段】導電性基材上に、色素が表面に吸着された金属酸化物から構成される金属酸化物半導体層と、電荷移動層と、対向電極とを有する色素増感型太陽電池の製造方法であって、該金属酸化物半導体層の形成工程として、（１）金属酸化物微粒子、金属含有連結剤、色素を含有する半導体層形成用塗布液を調製する工程、（２）導電性基材上に前記半導体層形成用塗布液を塗布する工程、（３）半導体層にプレス処理を施す工程、を順次有することを特徴とする色素増感型太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性基板を不要とし、低コスト化及び受光効率化を図ることが可能な、新しい構造を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】別体をなす第一電極１０と第二電極１３とが、少なくとも一つずつ、電解質１４を介して配されてなる光電変換素子であって、前記第一電極１０、前記第二電極１３及び前記電解質１４は、略円筒状の筐体内１５に収納されており、前記第二電極１３は、前記筐体内１５において、その長手方向に延びる線状をなしており、前記第一電極１０は、少なくとも導電性を有する第一線材１１と、該第一線材１１の外周に配され、色素を担持した多孔質酸化物半導体１２とから構成されており、該第一電極１０は、前記第二電極１３の外側を巡るようにスパイラル状に形成され、かつ、前記筐体１５の内面側に向けて弾性的に付勢されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ容易に製造でき、バンドキャップの制御が容易な半導体カーボン膜、半導体素子、及び半導体カーボン膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体カーボン膜は、π結合を持ち、５員環、６員環、７員環のうち少なくともいずれかを含む多環炭素と、前記多環炭素に結合した水素及び／又は窒素と、から成り、前記多環炭素を１００重量部としたとき、前記水素及び／又は窒素の量が、５〜２０重量部であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト化合物半導体の結晶方向性を改善して光電変換率の向上を図ることが可能なＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池を提供する。
【解決手段】基板１上に少なくとも、積層構造の金属裏面電極と、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体４とが順次積層され、更に透明電極６が積層されてなるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池であり、前記積層構造の金属裏面電極の少なくとも、ｐ型Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型化合物半導体４に接する層が体心立方構造を有し、その結晶配向性が主として（１１２）配向を有することを特徴とするＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族カルコパイライト型薄膜系太陽電池を採用する。 （もっと読む）

【課題】
実質的に鉛とビスマスを含まず、環境，安全，コストを配慮した上で、耐湿性が良く、しかも銀，銅，アルミニウム等の電極配線を腐食しない低温で軟化させることの可能なガラス組成物を提供する。また、そのガラス組成物を用いた封着材料，配線材料，構造材料，光学材料を提供する。さらに、これら材料を用いたプラズマディスプレイパネル等の画像表示装置，シーズヒータ，太陽電池素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】
ガラス組成物が実質的に鉛とビスマスを含まず、少なくとも酸化バナジウムと酸化リンを主成分として含み、２５℃での比抵抗を１０⁹Ωcm以上、軟化点を５００℃以下とする。さらに成分として、酸化マンガンと酸化バリウムとを含む。また、アルカリ金属，アンチモン，テルル，亜鉛，ケイ素，アルミニウム，ニオブ，希土類元素，鉄，タングステン，モリブデンの酸化物のいずれかを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 安定した高い光電変換効率が得られる光電変換装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１０と、該導電性基板１０の一主面に多数個接合され、表層に第２導電型の半導体部２を有し、かつ表面が複数の凸部１ａを有する凹凸構造を成した第１導電型の半導体部を有する結晶半導体粒子１と、第２導電型の半導体部２と部分的に接続された透光性導電層６と、を備え、結晶半導体粒子１は、凸部１ａが透光性導電層６と接続されており、透光性導電層６との非接続部位における第２導電型半導体部２上に、保護膜３を有する。 （もっと読む）

【課題】色素増感型太陽電池において、半導体多孔質膜の粒子表面に多くの増感色素を単分子吸着させることで、高い光電変換効率を達成した色素増感型太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアノード電極、電荷移動層４、及びカソード電極５とで構成される色素増感型太陽電池であって、前記アノード電極が、光透過性の基材１１に導電層１２と、増感色素を吸着させた光吸収層２１と光反射層２２からなる半導体多孔質膜層２とを積層して形成された電極であり、当該半導体多孔質膜層２側でカソード電極５と対向しており、かつ当該半導体多孔質膜に吸着させた増感色素の量が、４．０×１０^-4〜８．０×１０^-4ｍｏｌ／ｍ²であることを特徴とする色素増感型太陽電池。 （もっと読む）

【課題】諸特性に優れるカルコパイライト型太陽電池を効率よく生産する。
【解決手段】バッファ層上に透明電極層を形成するに際しては、ＤＣスパッタ法を採用する。この際、ターゲットから蒸発する粒子中に１０ｅＶ以上のエネルギを有するものが占める割合を７％以上とするべく、前記ターゲットとガラス基板との間の距離（離間距離）と、供給ガスの圧力との積が４．８ｃｍ・Ｐａ以下となるように、離間距離及び圧力を設定する。さらに、透明電極層を形成した後に熱処理を施し、バッファ層ないし光吸収層、又は透明電極層の結晶構造中に存在する点欠陥等の欠陥を修復して元の結晶構造に復元する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】焼成後の太陽電池基板裏面電極部において、膨れや、アルミニウムがボール状に突出する欠陥が発生するのを抑制し、かつ裏面電極に起因して発生する基板の反りを低減した太陽電池を得る事を目的とする。
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、受光面を有するシリコン基板１、シリコン基板１の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層７、第１の電極層７とシリコン基板１との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層６、第２の電極層６とシリコン基板１との間に形成されたＢＳＦ層９を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】限られた資材を有効に利用して、需要を賄う量の光電変換装置を生産することが困難であった。そこで、シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性の優れた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体層の一方の面に第１電極と一導電型の第１不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層が設けられた第１ユニットセルと、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体とを含む第２ユニットセルとを有し、第１ユニットセルと第２ユニットセルは、中間層を介して直列接続され、中間層は遷移金属酸化物を含んでおり、第１電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）