【課題】 光吸収層と第１電極層との接合強度を向上できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を酸素濃度が２０〜１５０ｐｐｍの不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより単一前駆体を有機成分と金属成分に熱分解し、有機成分を除去する熱分解工程と、熱分解工程の熱処理温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 製造コストが安価であり、かつ人体への危険性が少なく安全な化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 官能基としてアミノ基のみを有する化合物と酸との混合溶媒に、銅、インジウムおよびガリウムのそれぞれのカルコゲナイドを溶解させて、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記カルコゲナイドの構成成分である硫黄およびセレンのうち少なくとも１種とを含むアミン錯体を調製する工程と、該アミン錯体を基板の表面に塗布して乾燥し、前記アミン錯体の皮膜を作製する工程と、該アミン錯体の皮膜を、水素、窒素およびこれらの混合ガスのうちいずれかのガスを含む還元雰囲気中で熱処理し、前記基板の表面に前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記硫黄または前記セレンあるいは前記硫黄および前記セレンの両方とを主成分とする薄膜を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層を構成する粒子の粒成長を促進することができる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層溶液を、前記第１電極層２上に塗布することにより光吸収塗布膜を形成する工程と、光吸収塗布膜を還元雰囲気で熱処理することによりＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する工程と、光吸収層３上にＳｅを含有するＳｅ含有膜を形成する工程と、Ｓｅ含有膜を還元雰囲気で熱処理してＳｅを光吸収層３に拡散させる工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層におけるクラックの発生を抑制できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を２００℃から４００℃まで６０℃／分以上の昇温速度で昇温して加熱する急速昇温工程と、該急速昇温工程の最高温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】液体材料を用いることで特性の良好な光電変換装置を簡易に低コストで製造する。
【解決手段】本発明は、基板(1)の上方に、液体シリコン化合物材料を塗布することにより塗布膜を形成する第１工程と、前記塗布膜に対し、不活性雰囲気下において２５０℃以上３５０℃以下の第１加熱を行った後、酸化性雰囲気下において３５０℃以上の第２加熱を行うことで、シリコンリッチな酸化シリコン膜（ＳｉＯａ、ａ＜２）を形成する第２工程と、前記シリコンリッチな酸化シリコン膜に、不活性雰囲気下において熱処理を施し、前記酸化シリコン膜中にシリコンのナノ結晶粒(d)を析出させる第３工程と、を有する。このように、液体シリコン化合物材料を用いて、シリコンリッチな酸化シリコン膜を形成する。さらに、この膜中の過剰シリコンをシリコンのナノ結晶粒として析出させることで、酸化シリコン膜中にナノ結晶粒を閉じ込める。 （もっと読む）

【課題】 製造コストが安価であり、かつ人体への危険性が少なく安全な化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 官能基としてアミノ基およびヒドロキシ基を有する化合物を溶媒にして、銅、インジウムおよびガリウムのそれぞれのカルコゲナイドを溶解させて、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記カルコゲナイドの構成成分である硫黄およびセレンのうち少なくとも１種とを含む錯体を調製する工程と、該錯体を基板の表面に塗布して乾燥し、前記錯体の皮膜を作製する工程と、該錯体の皮膜を、水素、窒素およびこれらの混合ガスのうちいずれかのガスを含む還元雰囲気中で熱処理し、前記基板の表面に、前記銅、前記インジウムおよび前記ガリウムと、前記硫黄および前記セレンのうち少なくとも１種とを主成分とする薄膜を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層における粒子の粒径を大きくできる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とアルカリ金属とを含有する光吸収層溶液を作製する溶液作製工程と、光吸収層溶液を第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を水分除去した還元雰囲気で熱処理して、第１電極層２上に元素としてＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とアルカリ金属とを含有する光吸収層３を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 単一前駆体を用いて光吸収層の組成を制御できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が溶解した有機溶媒に、ＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種のセレン化物粉末または硫化物粉末を添加し溶解または混合した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布した後、熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】極の位置合わせが容易な太陽電池セルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型の半導体基板１と、半導体基板１の受光面側に形成されたｎ型の拡散層と、ｎ型の拡散層に部分的に形成される１または複数の受光面グリッド電極７とから構成される太陽電池セルであって、ｎ型の拡散層には、複数の高濃度拡散領域５と、それら高濃度拡散領域５間に位置する低濃度拡散領域６が形成され、受光面グリッド電極７は、高濃度拡散領域５に形成され、隣接する高濃度拡散領域５の中心間距離Ｌが１．５〜３．０ｍｍであり、高濃度拡散領域５の幅Ｍが、中心間距離Ｌの２０〜６０％である。 （もっと読む）

【課題】 微粒であってもカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相を含む化合物半導体粒子とその製法、ならびにカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相が主結晶相であり、半導体素子としてＰ型の特性を有するとともに、厚み方向に対して均一な組成を有する緻密な化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 ＣｕまたはＡｇを含む化合物と、Ｉｎ、ＧａおよびＡｌのうち少なくとも１種を含む化合物と、オレイン酸ナトリウムまたはマレイン酸ナトリウムとを、水および該水よりも極性の低い溶媒との混合溶媒中に溶解した溶液から前駆体を形成し、これにＳ，ＳｅおよびＴｅのうちいずれか１種を含む化合物を添加し加熱することにより、カルコパイライト型の結晶構造を持つ結晶相を含有し、アスペクト比（最長径／最短径）が１．５以上であり、かつ最長径の平均長さが０．０５〜０．２μｍである化合物半導体粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】成膜された発電層が大気中に曝露されることを原因とする性能低下の問題を解決した集積型光発電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】共通の基板１０上に形成された複数のセルを有する集積型光発電素子Ｉ_０であって、セルは、基板１０と基板１０上に分割形成された裏面電極層１１と化合物半導体を用い隣接する他のセルと分割溝１６によって分割された発電層１２と透明電極層１４と、を少なくとも備え、発電層１２に含まれる元素の少なくとも一部を含み且つ裏面電極層１１と透明電極層１４とを電気的に短絡する短絡層１５を有する集積型光発電素子Ｉ_０。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、光電変換セル同士を繋ぐ配線の製造工程を簡略化することを目的の一とする。また、光電変換セル同士を繋ぐ配線の断線不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】第１単結晶半導体層の一方の面に第１電極を他方の面に第２電極を有する第１光電変換セルと、第２単結晶半導体層の一方の面に第１電極を他方の面に第２電極を有する第２光電変換セルを有する光電変換装置である。この光電変換装置は、第１光電変換セル及び第２光電変換セルは支持基板に並置固定される。そして、第２単結晶半導体層は第１電極に達する貫通口を有し、第１単結晶半導体層の第２電極が前記貫通口まで延長されて、第１光電変換セルの第２電極と第２光電変換セルの第１電極が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】得られる電極の適切な電気的性能と基板との密着性を確保する。
【解決手段】導電性組成物は、銀粉末と、Ｂｉ₂Ｏ₃，Ｂ₂Ｏ₃，ＺｎＯ及びアルカリ土類金属酸化物を含む無鉛ガラス粉末と、有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層１１を貫通してｎ型半導体層１２と導通する電極１３を形成する導電性組成物である。アルカリ土類金属酸化物の組成物中の比率が１０モル％以上５０モル％以下である。ガラス粉末の塩基度が０．３以上０．８以下であって、ガラスの転移点が３００℃〜４５０℃であることが好ましい。Ｂｉ₂Ｏ₃の組成物中の比率が１０モル％以上６５モル％以下であり、Ｂ₂Ｏ₃の組成物中の比率が２０モル％以上５０モル％以下であり、ＺｎＯの組成物中の比率が０．１モル％以上５０モル％以下であることが更に好ましい。アルカリ土類金属酸化物が、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯからなる群より選ばれた１又は２以上を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】固定電荷により誘起した反転層を利用した構成の光電変換装置において優れた特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有する光電変換装置である。ここで、半導体層は、結晶シリコン、アモルファスシリコンまたは微結晶シリコンからなっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】現在または過去の加熱処理データの蓄積によらず、かつ、所望のヒートカーブを入力後、短時間で当該ヒートカーブを実現するための加熱室内温度を決定することが可能な技術を提供すること。
【解決手段】各加熱室のヒータ面温度を暫定的に設定する工程と、暫定的に設定された各加熱室のヒータ面温度に基づいて加熱室内温度を決定する工程と、前記加熱室内温度条件下で得られる被加熱物ヒートカーブを計算する工程と、前記の計算により得られた被加熱物ヒートカーブと、予め入力された所望の被加熱物ヒートカーブとの誤差を判断し、誤差が許容範囲に入るまで、暫定的に設定された各室ヒータ面温度を変化させながら、前２工程を繰り返し、誤差が許容範囲となったとき当該ヒートカーブ計算の引数として用いた加熱室内温度を最適加熱室内温度として採用する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の反射防止膜の成膜において成膜速度を向上しつつ、高い水素パッシベーション効果を得ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、チャンバ１０１内に配置され、シリコン（Ｓｉ）を含む下地層が設けられた被処理体１００を保持するアノード電極１０６と、チャンバ内にアノード電極１０６と対向して配置された筒状のホローカソード電極１０２と、ホローカソード電極１０２に水素（Ｈ₂）、窒素（Ｎ）及びシリコン（Ｓｉ）を含む材料ガスを供給するガス供給管１０９と、ホローカソード電極１０２とアノード電極１０６との間に低周波を印加し、ホローカソード放電によるプラズマＰを生成させる電源１０５とを備え、プラズマＰで励起された材料ガスを下地層上に供給してシリコン窒化膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置および光電変換装置モジュールの新規な作製方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上に、一表面上に絶縁層および第１電極が順次形成され、所定の深さの領域に脆化層が形成された第１導電型である複数の単結晶半導体基板を貼り合わせた後、脆化層を境として単結晶半導体基板を分割して、絶縁層、第１電極、および第１の単結晶半導体層が順次積層された複数の積層体を形成し、該積層体上に単結晶化した第２の単結晶半導体層、第２導電型である第２不純物半導体層を形成して第１の光電変換層を形成し、第３不純物半導体層、非単結晶半導体層、および第２導電型である第４不純物半導体層を順次形成して第２の光電変換層を形成し、第２電極を形成し、選択的にエッチングして、素子分離された光電変換セルを形成する。一の光電変換セルの第２電極から他の光電変換セルの第１電極へ延在する接続電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】量産性、製造コストおよび光電変換効率に優れた太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光を吸収して発電する受光層２が基板と透光性電極３との間に挟持された太陽電池１１であって、受光層２は、ｐ型半導体層４とｎ型半導体層５の少なくとも２層を有しており、ｐ型半導体層４は、窒化インジウムガリウム粒子４４からなる薄膜層にｐ型ドーパントが添加されてなり、ｎ型半導体層５は、ｐ型半導体層４の透光性電極側の面４ａにｎ型ドーパントが添加されてなる太陽電池１１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、集電孔を形成する際に発生する機械的又は熱的な歪みを防止し、光電変換層の膜厚の差異により発生する電極間のショートを防止できる薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板２の表面２ａには第１の電極層３と光電変換層４と第３の電極層５とが積層され、基板２の裏面２ｂには第２の電極層８と第４の電極層９とが積層され、基板２には接続孔１３及び集電孔１１が形成された薄膜太陽電池１の製造方法において、基板２に接続孔１３と集電孔１１とを同一工程で形成した後に、基板２の表面２ａに第１の電極層３を積層するとともに基板２の裏面２ｂに第２の電極層８を積層するステップと、集電孔１１の周縁１１ａ近傍の第１の電極層３のみを除去することにより、集電孔１１を介した第１の電極層３と第２の電極層８との間の電気的な接続を絶縁するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を安全に提供することを課題の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を形成し、絶縁層と支持基板を密着させて単結晶半導体基板と支持基板を貼り合わせた後、脆化層において単結晶半導体基板を分離させて第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、第１の単結晶半導体層上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、固相成長により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成し、第２の単結晶半導体層上に、第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成する。 （もっと読む）