【課題】シリコン半導体基板の非受光面にアルミニウムを主成分とする裏面電極層を形成した太陽電池において、ＢＳＦ効果を維持しつつシリコン半導体基板１１の反りを抑制する。
【解決手段】シリコン半導体基板１１の裏面１１ｂに塗布される導体ペーストは、少なくともアルミニウム粉末と有機質ビヒクルとを含有しており、アルミニウム粉末の９０％粒径ｄ₉₀と１０％粒径ｄ₁₀との差ｄ₉₀−ｄ₁₀が１３μｍ以下となっている。このようにアルミニウム粉末の粒径を均一化すると、焼成の際のネック成長を抑制することができ、焼結初期に粗大粒子が形成されることを防ぐことができるので、裏面電極層１４において、アルミニウムを主成分とする結合粒子の平均寸法を４０μｍ以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】背面場の形成に悪影響を与えない、商業的規模での製造に適用可能な改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】第１ドーパントを含む半導体ウェハ１０の前面上に、第１ドーパントとは反対の導電率タイプのドーパントを含む第１層１５を形成する工程と第１層上方で前面上に表面コーティング３０を堆積させる工程と表面コーティングを堆積させた後、前面に溝を形成する工程と第１ドーパントとは反対の導電率を有するドーパントで溝をドーピングする工程と第１ドーパントとは反対の導電率タイプを有するドーパントの少なくとも実質的に全部を除去するようにウェハの背面を処理する工程と背面場４５を形成する工程と背面上方にバック電気接点５０を形成する工程と導電性物質を溝に添加してフロント電気接点４０を形成する工程とを具備する光起電力電池を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】接触印刷方法に関連した問題を回避しドープ領域を低コストに形成可能な方法等を提供することである。
【解決手段】半導体基板１０１上にデバイスを作製する方法は、半導体基板１０１の表面１０２上に第一のドーパント型の第一のドーパントを含んだ第一のドーパント含有材料を押し出して、第一のドーパント含有材料で半導体基板１０１の第一の表面領域１０２−１〜１０２−４上に第一の押出構造１２０−１〜１２０−４を形成するステップと、半導体基板１０１を加熱して第一のドーパントを第一の表面領域１０２−１〜１０２−４から半導体基板１０１内に拡散し、これにより半導体基板１０１の第一のドープ領域１０１−１〜１０１−４を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】近赤外線ヒーターの外囲管の失透を防止して、生産性の良い半導体装置製造用焼成装置および半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置製造用焼成装置１は、近赤外線ヒーター１１および搬送ベルト２２を備える。近赤外線ヒーター１１は、搬送ベルト２２の搬送方向ＳＤに沿って複数配置され、例えばハロゲンランプにより近赤外線ＩＲを発光する。近赤外線ヒーター１１は、近赤外線ヒーター１１の外周形状を構成する外囲管１２を有し、近赤外線ヒーター１１の外囲管１２を囲む石英製保護管１５を備える。 （もっと読む）

【課題】 粒状単結晶シリコンの製造方法において、結晶性や開放電圧特性に優れた高品質な粒状単結晶シリコンを安定して作製でき、量産性に優れた低コストな粒状単結晶シリコンを製造する。
【解決手段】 酸素ガスと窒素ガスの反応性ガスを含む雰囲気ガス中で粒状シリコンを加熱して表面に前記ガスの成分を含む珪素化合物被膜を形成して内側のシリコンを溶融した後、降温して凝固させて単結晶化する粒状単結晶シリコンの製造方法であって、上記反応性ガスを室温より高くシリコンの融点より低い温度で導入し始めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、前記イオン注入面を貼り合わせ面として、前記単結晶シリコン基板を、透明接着剤を介して透明絶縁性基板と密着させる工程と、前記透明接着剤を硬化させる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、第二導電型の拡散領域を複数形成し、前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程と、前記単結晶シリコン層の前記複数の第一、第二導電型領域上にそれぞれ複数の個別電極を形成する工程と、それぞれの集電電極を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エネルギー変換効率の高い有機薄膜太陽電池素子を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成される光電変換層と、上記光電変換層上に形成され、上記第１電極層と対向する電極である第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池素子であって、上記光電変換層が、金属原子およびフラーレン骨格から構成される金属内包フラーレンを含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

本発明は経済的なバックコンタクトシリコン太陽電池の製造方法及びその方法によって作製された電池に関する。本方法は、互い違いのパターンで交互にＰ型及びＮ型伝導性を有するよう背面がドープされ、任意にウェハ前面にＰ型又はＮ型のどちらかの層を有するシリコン基板、ウェハ又は薄膜を準備する段階と、基板の両面に一つ以上の表面パッシベーション層を堆積する段階と、基板背面において表面パッシベーション層に開口部を生成する段階と、背面全体を覆い表面パッシベーション層の開口部を充填する金属層を堆積する段階と、堆積された金属層に開口部を形成し、電気的に分離された、基板背面のドープ領域とのコンタクトが得られる段階と、を含む。
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【課題】光電池をアニールするための方法を提供する。
【解決手段】第一種の導電性を有するシリコンをベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、光電池の正面（１０８）上の少なくとも一つの金属化層（１１０）、及び、基板の裏面上の少なくとも一つの金属化層、を備える少なくとも一つの光電池（１００）をアニールするための方法を提案する。この方法は、周囲空気中そして周囲圧力で、ａ）約７００℃及び９００℃の間の温度で光電池に第１のアニールをすること、ｂ）約２００℃及び５００℃の間の温度で光電池に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含み、この処理の間、基板中に水素が拡散される。 （もっと読む）

【課題】第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。
【解決手段】ａ）光電池（１００）の正面（１０８）上に少なくとも一つの金属化層（１１０）を形成すること、ｂ）約８００℃及び９００℃の間の温度で光電池（１００）に第１のアニールをすること、ｃ）基板（１０２）の裏面上に少なくとも一つの金属化層（１１２）を形成すること、ｄ）約７００℃及び８００℃の間の温度で光電池（１００）に第２のアニールをすること、のステップを少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン又はシリコン-ゲルマニウムの太陽電池を製造するための新規で従来に無い方法及びシステムを提供する。
【解決手段】シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)の高純度のガス及び／又は液体の中間化合物は、熱プラズマ化学堆積法又は熱プラズマ吹付技術によって多結晶膜に直接に変換される。シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)の中間化合物は、２０００乃至約２００００Ｋの温度である熱プラズマ源の中に注入される。化合物が解離して、シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)が基板上に堆積される。バルク値に近い密度を有する多結晶の膜が、冷却時に得られる。PN接合の太陽電池が吹付により直接に準備されるか、熱処理後のドープされた膜が、高性能で低コストの存立可能な太陽電池に高い生産性で変換される。ロールからロールへのあるいはクラスタツール型の自動化された連続システムが提供される。
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本発明は無機半導体粒子を含有する層を製造する方法を対象とする。本発明に従う無機半導体粒子含有層は、半導体有機マトリックス内で、金属塩及び及び／又は金属化合物及び塩タイプのもしくは有機の反応体からインシトゥで形成される。無機半導体粒子を含有しそして本発明に従って製造される層は、太陽電池又は光センサーのような光起電要素のための簡単で、経済効率のよい製法を可能にする。 （もっと読む）

ガラス板（４）とモノリシックな太陽電池（２）とを備える、ソーラー・パネル用のモジュール（１０）であって、前記モノリシックな太陽電池がガラス板に連結したモジュール。ガラスフリット層（１２）が、前記太陽電池と前記ガラス板との間に位置し、前記ガラス板の表面（４ａ）と前記太陽電池の光活性な表面（２ａ）との間の連結を形成する。
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【課題】有機薄膜太陽電池デバイスの短絡欠陥を除去し、光電変換効率を向上させることができる有機薄膜太陽電池デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る有機薄膜太陽電池デバイスの製造方法では、素子基板１０１上に、陽極電極１０２と陰極電極１０５との間に有機光電変換層１１０を挟持した有機太陽電池素子１１１を形成する素子形成工程と、有機光電変換層１１０を加熱し、陽極電極１０２と陰極電極１０５とを介して、有機光電変換層１１０に逆バイアス電圧を印加するエージング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 可視光が透過する部分を一部に有するとともに高い光電変換効率で経年変化がなく信頼性の高い太陽電池を実現する。
【解決手段】 太陽電池は、ガラス基板１上に形成された下部電極層２（Ｍｏ電極層）と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含むカルコパイライト型の光吸収層３（ＣＩＧＳ光吸収層）と、光吸収層３の上に、ＩｎＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜４と、ＺｎＯＡｌ等で形成される上部電極層５（ＴＣＯ）とから１つの単位となるセル（単位セル）が形成され、さらに、複数の単位セルを直列接続する目的で、上部電極層５と下部電極層２とを接続するコンタクト電極部６が形成され、コンタクト電極部６に隣接し、基板上の下部電極層２（Ｍｏ電極層）が形成されていない部位には、光吸収層３の一部が除去され上部電極層５（ＴＣＯ）が積層されたシースルー部７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 デッドスペースが少なく発電効率に優れたカルコパイライト型の太陽電池を提供する。
【解決手段】 基板１の上部に形成された下部電極層（Ｍｏ電極層）２と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層（ＣＩＧＳ光吸収層）３と、光吸収層薄膜の上に、ＩｎＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜４と、ＺｎＯＡｌ等で形成される上部電極薄膜（ＴＣＯ）５とから１つの単位となる電池（ここでは便宜上、「単位セル」と呼ぶ）が形成され、さらに、単位となる電池を接続する目的で、上部電極と下部電極とを接続するコンタクト電極６の一部が、第１のスクライブで形成された下部電極２の分割線上に重なるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 デッドスペースが少なく発電効率に優れたカルコパイライト型の太陽電池を提供する。
【解決手段】 カルコパイライト型太陽電池は、基板１の上部に形成された下部電極層（Ｍｏ電極層）２と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層（ＣＩＧＳ光吸収層）３と、光吸収層薄膜の上に、ＩｎＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜４と、ＺｎＯＡｌ等で形成される上部電極薄膜（ＴＣＯ）５とから１つの単位セルが形成され、さらに、単位セルを接続する目的で、上部電極と下部電極とを接続するコンタクト電極の一部が、後述する素子分離のスクライブ（第３のスクライブ）で形成された分割線と隣接するように形成される。 （もっと読む）

【課題】感度および応答速度がともに優れたシリコン系の受光素子を提供する。
【解決手段】シリコン原子を主成分とする母体半導体と、格子点サイトの前記シリコン原子と置換されるｎ型ドーパントＤと、前記ｎ型ドーパントＤに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚとを含み、前記異種原子Ｚは前記ｎ型ドーパントＤとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となっている光電変換層を有することを特徴とする受光素子。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによるガス成膜法を用いて、高温かつ高成膜速度で薄肉シリコン基板を得る。
【解決手段】本発明は、断面の幅／厚さの比が１０以下の帯状薄肉ガラス基板の片面に、ＣＶＤ法により原料ガスを反応させシリコン薄膜１００μ〜５μを堆積させたことを特徴とする、太陽電池用シリコン基板に関るものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ薄膜の結晶性、特に結晶配向性を向上できる新規な結晶性Ｓｉ薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、実質的に酸化ケイ素からなる薄膜で挟まれている、実質的にケイ素からなるアモルファス性薄膜を、ゾーンメルティング法によって溶融した後に冷却して、アモルファス性薄膜を結晶性薄膜に変換する溶融冷却工程と、溶融冷却工程に先立って、アモルファス性薄膜及び／又は酸化ケイ素からなる薄膜の膜厚を、結晶性薄膜の結晶配向性が向上するように調整するケイ素膜厚調整工程とを有する結晶性ケイ素薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）